SEMICONDUCTORES

1 FUNDAMENTOS TEÓRICOS

Una sustancia semiconductora es aquella que queda entre lo que hemos definido como conductor y no
conductor ó entre los metales y aislante; por lo tanto es un tipo de material que bajo ciertas condiciones puede
actuar de una u otra forma.
Si la capacidad de conducir o no corriente la circunscribimos a la propiedad del material y más intrínsecamente
a la estructura molecular del material, se puede inferir que un conductor (Cu) es aquel que tiene una
estructura atómica tal en que es fácil liberar cargas eléctricas, desprender electrones, mientras que un aislante
no desprende electrones.
Hay materiales que su estructura molecular le permiten liberar o no cargas eléctricas. Entre estos se encuentra
el Ge (germanio) y el Si(silicio).

Si nos referimos a la estructura atómica en términos de bandas de energía podemos diferenciar 2 bandas
principales: la de valencia y la de conducción.
Banda de valencia es la capa mas externa de la estructura atómica por que ésta es la que define las
propiedades eléctricas y químicas de un elemento
Banda de conducción es el nivel energético en el cual la carga eléctrica puede ser liberada y conducir.
Para pasar de la banda de valencia a la banda de conducción es necesario aplicar un campo eléctrico suficiente
para acelerar los electrones y que lleguen a dicha banda.

Aislante conductor semiconductor

BC BC BC

Energía

BV BV BV

ESTRUCTURA ATOMICA DEL Ge (Lo mismo es válido para el Si).

La capa exterior de un átomo de Ge posee 4 electrones, estos 4 electrones se alinean con los 4 electrones de
un átomo adyacente para crear un enlace covalente, es decir un enlace donde se comparten los electrones.
Estos enlaces crean una estructura cristalina que es geométricamente estable.
Se llega así a una condición en que en la última órbita hay 8 electrones (enlace covalente – enlace que
comparte electrones)
Luego podemos decir que un átomo de Ge es geométricamente hablando una estructura con un núcleo (4
PROTONES) y 4 electrones en su última órbita que tienden a buscar el equilibrio.

1 enlace covalente
1 átomo de Ge
+4
-e

-e +4 -e +4 +8 +4

-e
+4

CONDUCCION INTRINSECA

Cuando forman la estructura cristalina los 4 electrones de un átomo son compartidos por los electrones de los
otros átomos adyacentes formando enlaces covalentes. Hay pocos electrones libres como para conducir
corriente.
Si en este material aumentamos la temperatura la resistencia óhmica disminuye y los electrones adquieren
suficiente energía cinética como para saltar a la banda de conducción y bajo la influencia de un campo eléctrico
actuar como portadores de corriente. Este electrón que deja el enlace covalente deja un espacio vacío o hueco
en la ligadura y a estos huecos también se los considera portadores de corriente.

Este tipo de conducción intrínseca tiene 2 desventajas:

1
 1- Requiere una fuente de gran cantidad de energía para poder romper los enlaces

2- Los portadores que se generan huecos y electrones se producen en cantidades iguales, y lo que se
busca es tener una corriente de uno u otro tipo.

Para solucionar este problema se ha encontrado que la adición de ciertas impurezas reduce estas características
indeseables.

SEMICONDUCTORES DOPADOS

El arsénico es una sustancia que posee 5 electrones de valencia en vez de 4 como el Ge.
Consideremos la adición de una pequeña cantidad de arsénico en una masa de Ge. Entonces 4 de los electrones
del Ar formaran enlaces covalentes con 4 de los electrones del Ge, quedando un quinto electrón débilmente
ligado y sin ningún lugar particular a donde ir. Si este electrón se aleja de la estructura quedará un ión de
arsénico cargado positivamente (en el núcleo quedan 5 protones)

+4 +4 +4 Una pequeña cantidad de energía es suficiente para

que este e- pase a conducir. Por otro lado no deja
detrás ningún hueco o vacío.
Este Ge rico en electrones se denomina tipo N y las
impurezas son átomos donadores.
e-
+4 +5 +4

+4 +4 +4
+4 +4 +4
Si las impurezas son trivalentes 3 electrones de
valencia se produce un Ge tipo P y las
impurezas son aceptaras. Ahora hay un
enlace incompleto al que le falta un electrón,
+3
por lo tanto el único portador es el hueco y
tenemos abundancia de cargas positivas libres
quedando los iones de la impureza cargados
negativamente

EL DIODO DE UNION

Las diversas técnicas de fabricación de diodos y transistores tienen un objetivo común que es producir un cristal
en donde estén presentes una o mas uniones PN.
Una unión PN puede ser considerada como la frontera entre una capa de material P y una de material N. Para
simplificar el estudio suponga un estrato de material tipo P que se junta con un material tipo N.

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Los signos + son los huecos libres que se desplazan a través de la región P y los signos – son los electrones
libres de la región N.
Tanto una como otra región es eléctricamente neutra por existir igual cantidad de carga en uno u otro sentido.
Suponga que acaba de formar la unión, la temperatura es constante y no hay aplicado ningún potencial
externo. Como la concentración de huecos del lado P es mucho mayor que del lado N estos tienden a difundirse
del lado P al N , en lenguaje técnico decimos que existe un gradiente de la concentración de huecos de P hacia
N. Análogamente hay un gradiente de concentración de electrones de N hacia P.
Podríamos pensar que estos se recombinan hasta que no quedan mas portadores.
Esto no es así ya que por cada hueco queda un ión negativo sin neutralizar y por cada electrón que atraviesa la
unión queda un ión positivo. Estos iones se llaman cargas descubiertas y el campo eléctrico que forman se
puede representar como una batería

El flujo de electrones y huecos es una corriente de recombinación que no persiste en el tiempo ya que las
cargas descubiertas en uno y otro lado comienzan a rechazar las partículas de igual signo. Por lo tanto la
batería representa el potencial de barrera establecido por las cargas descubiertas que se opone a la corriente
de recombinación, uno pensaría que se llega a una situación de equilibrio. La realidad es que ningún material P
o N es perfectamente puro.
El material P tiene algunos electrones libres originados por la ruptura del enlace debido a la agitación térmica y
éstos constituyen una corriente minoritaria, si llega a la barrera serán atraído por la carga descubierta del lado
N debido a la dirección del campo. El mismo razonamiento se aplica a un hueco de la región N generado
térmicamente.
Esta corriente minoritaria se la conoce como corriente de saturación y depende únicamente de la
temperatura. En condiciones de equilibrio la corriente de recombinación y la corriente de saturación deben ser
iguales ya que ambas son opuestas, lo que se corresponde con un corto circuito en la unión.
Esta estructura cristalina es lo que constituye un diodo de unión al que se lo representa simbólicamente de la
siguiente forma.

Anodo (P) Cátodo (N)

• POLARIZACION DIRECTA

Coloque una fuente externa con la polaridad indicada en el gráfico. Se observa que ésta disposición tiende a
disminuir la barrera de potencial que generan las cargas descubiertas ya que son fuentes que se restan
(campos eléctricos opuestos). Podemos suponer físicamente que la fuente, borne positivo, entrega huecos a la
región P y el terminal negativo entrega electrones a la región N produciendo un efecto neto de reducir la
barrera anterior y restableciendo la circulación de portadores mayoritarios. Sin embargo el mecanismo de V es
controlar la barrera y no impulsar cargas.
La barrera puede ser reducida pero no destruida ya que cualquier intento de aplicar una tensión V mayor
que la especificada por el fabricante da como resultado la destrucción del cristal debido al excesivo calor
disipado en él (generación térmica).

Esta disposición de borne positivo al material tipo P y el borne negativo al N o dicho de otra forma
cuando el potencial aplicado a p es mayor que el potencial de N decimos que está POLARIZADO
DIRECTAMENTE. En estas condiciones puede fluir una corriente apreciable.

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Si graficamos la corriente en función de la tensión, veremos que al ir aumentando V la corriente aumenta
muy lentamente, región A, debido a que la tensión no ha reducido tanto la barrera. Si V se sigue aumentando
veremos que en un momento la I tiende a aumentar muy rápidamente la corriente de recombinación se ha
hecho lo suficientemente grande, regio B. La corriente debido
a portadores minoritarios no ha aumentado por que ésta solo depende de la temperatura y no de la V
aplicada.

• POLARIZACION INVERSA

Si invertimos la polaridad de la Fuente el diodo queda polarizado inversamente

El campo establecido a través del cristal ayuda A la barrera a impedir el paso de portadores
Y la corriente que circula es muy pequeña debida casi en su totalidad a la corriente inversa de saturación IO
Cuando aumenta aun más la tensión en sentido inverso llegando a la tensión de ruptura VZ se observa que la
corriente aumenta bruscamente. Este aumento brusco se puede deber a dos fenómenos:

1- Ruptura zener:
aumentando V se aumenta el campo eléctrico lo que provoca la
ruptura de los enlaces covalentes.
2- Ruptura por avalancha:
los electrones libres al ser acelerados por el campo eléctrico chocan
con átomos vecinos provocando la liberación de mas portadores y
llegando a una reacción en cadena.

• CARACTERÍSTICA TENSIÓN CORRIENTE

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En conclusión el diodo es un semiconductor que posee la propiedad de dejar pasar corriente
cuando el potencial aplicado al ánodo es mayor que el del cátodo (polarización directa ) y no
conduce en caso contrario (polarización inversa).

ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE:

1- TENSIÓN INVERSA DE PICO: máxima tensión inversa que puede ser aplicada antes de alcanzar el punto
de ruptura por avalancha
2- MÁXIMA TENSIÓN DE ENTRADA EFICAZ: es la máxima tensión ef que puede ser aplicada para una
carga resistiva o inductiva.. si la carga es capacitiva la TPI puede ser
mayor que la v de entrada => habrá que reducirla
3- MÁXIMA CORRIENTE DIRECTA MEDIA: máxima corriente permisible en sentido directo
4- CORRIENTE DE CRESTA RECURRENTE DIRECTA: máxima corriente directa instantánea repetitiva
admisible para una f (60Hz/50Hz) y una temperatura determinada de la unión.
5- MÁXIMA CORRIENTE INVERSA: máxima corriente de fuga cuando el diodo esta polarizado a la tensión
de cresta inversa

• CIRCUITOS RECORTADORES CON DIODOS

Son circuitos que a partir de una tensión de referencia o no seleccionan cualquier parte de una señal arbitraria
Vi = señal de entrada ( forma: continua, alterna, periódica ó aleatoria)
Eo = señal de salida
Vr = señal de referencia

1- Recortador de un nivel con diodo serie no polarizado

Si Vi > 0 => el diodo conduce y V0 = Vi

Si Vi < 0 => el diodo no conduce y V0 = 0
V0

Vi

2- Recortador de un nivel con diodo serie polarizado.

Si Vi > VR => el diodo conduce y V0 = Vi

Si Vi < VR => el diodo no conduce y V0 = VR
V0

VR Vi

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3- Recortador de un nivel con diodo en paralelo no polarizado.

Si Vi > 0 => el diodo conduce y V0 = 0

Si Vi < 0 => el diodo no conduce y V0 = Vi
V0

VI

4- recortador de un nivel con diodo en paralelo polarizado.

Si Vi < VR => el diodo conduce y V0 = VR

Si Vi > VR => el diodo no conduce y V0 = Vi

V0

VR Vi

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5- recortador a dos niveles.

Suponga que VR2 es > VR1

Si Vi < VR1 D1 conduce y D2 no conduce => V0 = VR1

Si VR1 < Vi < VR2 D1 no conduce y D2 no conduce => V0 = Vi
Si Vi > VR2 D1 no conduce y D2 conduce => V0 = VR2
V0

VR1 VR2 Vi

• USO COMO RECTIFICADOR

Tanto la generación como la transmisión y conversión de energía eléctrica se realizan de una manera más
simple y eficiente en corriente alterna. La generación de corriente alterna no requiere contactos móviles
(colectores, escobillas) susceptibles de causar pérdidas energéticas y de sufrir desgastes. Es conveniente que
la corriente sea lo menor posible, lo cual requiere, para una potencia dada, aumentar la tensión. Los
transformadores de corriente alterna permiten llevar a cabo esta conversión con alto rendimiento (bajas
pérdidas energéticas). Posteriormente se reduce nuevamente la tensión a valores aceptables.
La gran mayoría de los equipos con alimentación eléctrica funcionan con corriente continua. Es necesario
entonces convertir la corriente alterna en continua, lo que se logra por medio de la rectificación.
Estos son circuitos que permiten obtener una señal aproximadamente continua a partir de una señal alterna.
Se utilizan en sistemas de alimentación.
Algunos términos a tener en cuenta son:
Valor máximo: es el valor pico o cresta. Vmax
Valor medio: es la media aritmética de los valores instantáneos comprendidos en un intervalo. Cuando la
señal es periódica el intervalo coincide con el periodo.
También se lo llama valor de la componente continua de la señal o Vcc.
Valor eficaz: es el valor cuadrático ½ de los valores instantáneos comprendidos en un periodo
Riple: componente de ondulación residual superpuesta a la componente continua de la señal
rectificada.
Regulación: es la medida porcentual entre la tensión sin carga de una fuente y la tensión Cargada. Es una
medida de la calidad de una fuente y depende de su resistencia interna.
Factor de forma: es la relación entre el Vef de toda la señal y el Vcc.
Factor de rizado: es la relación entre el Vef de la ondulación y su Vcc.

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RMO: rectificador de media onda

Cuando la tensión de entrada es positiva, el sentido de la corriente es favorable (diodo polarizado en directo)y
se produce circulación de corriente, por lo cual suponiendo el diodo ideal (y por lo tanto sin caída de tensión),
será Vi = Vo
Cuando, en cambio, Vi < 0, el diodo no conduce y entonces Vo = 0.

R.O.C rectificador de onda completa con punto medio

Circuito eléctrico Respuesta de señal

Trabaja con un transformador con punto ½ o en contrafase. Los diodos conducen en forma alternada cada ½
ciclo de la señal de entrada. Durante el semiciclo positivo conduce D1 (polarización directa en D1 y bloqueo en
D2). Durante el semiciclo negativo conduce D2 (polarización directa en D2 y bloqueo en D1). Sin embargo el
sentido de la corriente en la carga es el mismo para ambos semiciclos por lo que se obtiene una señal en la
carga continua pulsante.
• Ventaja: uso el punto medio como masa común de la carga
• Desventaja :requiere un trafo mas caro y diodos más grandes.

R.O.C rectificador en puente.

Los diodos funcionan de a pares por lo que cada uno soporta la mitad de la tensión pico inversa a diferencia del
circuito anterior.
Un inconveniente de los rectificadores tipo puente es que no existe una referencia común de tensión (masa
circuital) entre la fuente y la carga, resultando ambas flotantes entre sí.

Características eléctricas del rectificador

• nomenclatura:
• Tensión inversa:

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 • Corriente media y eficaz:
• Tensión directa:
• Potencia:

Si bien el objetivo último de un rectificador es obtener una tensión continua, es inevitable que superpuesta a
ésta aparezcan componentes armónicos. Se define el ripple o rizado como la suma de estos componentes:

v(t) = Vmed + vripple(t)

Para cuantificar el ripple se introduce el factor de ripple, definido como el cociente entre el valor eficaz del
ripple y el valor medio de la señal, expresado normalmente en forma porcentual:

Rectificador de media onda

Vmedio = Vp / п
Vef = Vp / 2

Rectificador de onda completa

Vmedio = 2 Vp / п
Vef = Vp /1,41

• MEJORA DE LA COMPONENTE CONTINUA

Los rectificadores producen formas de onda unidireccionales pero de ninguna manera continuas puras como se
desea para un sistema de alimentación o fuente de alimentación. Por lo tanto el problema es equivalente al de
eliminar las componentes de frecuencias diferentes de la continua. Una de las soluciones mas eficaces es
utilizar un filtro pasabajos cuya frecuencia de corte esté suficientemente por debajo de la frecuencia de la onda
rectificada (igual a fS para un rectificador de media onda y a 2fS para uno de onda completa).
Para este fin se utilizan filtros capacitivos o inductivos o combinaciones de ambos.

El capacitor está descargado y representa un cortocircuito para el generador y por ende para el rectificador; la
corriente de carga dependerá de la tensión del generador en el momento de conectarse, de la capacidad del
filtro y de la resistencia en serie. Esta condición se da ocasionalmente (en el encendido o tras una breve
interrupción del suministro ) por eso se la llama corriente pico transitoria.
Para el rectificador de onda completa la respuesta será:

VR = I / 2 . 3,14 . C . F F= 2 . frec (ROC)

C = I / 2 . 3,14 . VR . F F= 2 . frec (RMO)

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Diodo zener

La diferencia entre el diodo zener y el diodo común es que en el primero la tensión de ruptura es perfectamente
conocida y es ésta característica inversa la que se aprovecha, ya que un diodo zener polarizado en forma
directa responde de la misma forma que un diodo común. Observe en la figura 1 la curva de polarización
inversa.

Vzmax Vzmin

Io min

símbolo

Iomax

vemos que:
• A medida que aumenta la tensión por el zener no circula corriente hasta un determinado punto en que
la corriente aumenta bruscamente que corresponde a la tensión de ruptura zener.
• Superada esta tensión dentro de ciertos límites cualquier variación en la corriente no afecta
mayormente la tensión en los terminales del zener.

Aprovechando esta característica estos dispositivos son utilizados para regular la tensión aplicada a una carga

La necesidad de fuentes de alimentación con regulación se debe a 2 razones:

• Para alimentar circuitos electrónicos es necesario que las tensiones de polarización se mantengan
dentro de valores constantes.
• Reduce notablemente la tensión de rizado presente en la línea de alimentación primaria

Considere el siguiente circuito

Y analice las siguientes situaciones:

• Varia la tensión de entrada y Rc permanece constante

Vs = Ve – If Rs ecuación de malla Rs If
Fuente
If = Iz + Ic Iz Ic Rc Vs
Ve
Vs = Ve – ( Iz +Ic ) Rs primaria

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 1- si Ve aumenta la Vs, que es la Vz, tiende a aumentar => aumenta considerablemente Iz y aumenta la
caída en Rs y compensa la variación de Ve.
2- Si Ve disminuye la caída en Rs disminuye Iz y compensa a Ve

• Varia la Rc (lo que se manifiesta en la Ic) y Ve permanece constante:

Vo = Ve – ( Iz +Ic ) Rs

Ic = If - Iz
1- un aumento de Ic aumenta la caída en Rs baja la Vo baja la Iz y compensa a Ic manteniendo constante
a If
2- una disminución de Ic aumenta Vo => aumenta Iz y mantiene a If

EJEMPLO DE DISEÑO

Diseñar un estabilizador de tensión que provea a una carga de 1000Ω 10V constantes. La fuente primaria varia
entre 12 y 14 volt.

• Selecciono el zener que cumpla con la especificación de tensión

material Vz Izmin Izmax Pnominal Tolerancia

Si 10V 5mA 250mA 0,4W 5%

• Calculo la corriente que circula por Rc

Ic = 10V / 1000Ω = 10mA
• Para 12V la Iz es la Iz min. De la hoja de datos resulta 5mA
• Calculo la If
If = 10mA + 5mA = 15mA
• La ddp que debe soportar Rs es:
Vs = Vemin – Vo = 12V – 10V = 2V
• Calculo Rs
Rs = Vs / If = 2V / 15mA = 133, 3Ω
• Calculo la Iz max real que circula por el circuito la cual aparece cuando Ve es máxima
If = (Vemax – Vo)/ Rs = 30mA
Izmax = If – Ic = 30mA – 10mA = 20mA
• Vemos si el diseño es válido. Para esto no debo superar la potencia nominal que debe disipar el zener
Imax = PNominal / Vzener = 0,4W / 10V = 40mA

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