Practica #4

“Medición de la amplitud y frecuencia de la salida de diferentes circuitos

limitadores con diodos zener y obtención de sus graficas de transferencia”

Procedimiento

1.- Obtener la respuesta de salida de los siguientes circuitos

Aplicando a la entrada una señal senoidal de 15 Vpp de amplitud a 1KHz.

2.- Elegir la misma
escala de
sensibilidad vertical
para ambos canales, seleccionando acoplamiento AC en el canal 1 y DC para el
canal 2.

3.- Para la obtención de las gráficas de transferencia (V salida vs V entrada),

seleccionar el modo X-Y en el osciloscopio colocando la misma escala de
sensibilidad para ambos canales. Posteriormente selecciona acoplamiento GND
en los dos canales y ubica el punto en el centro de las coordenadas, después
seleccionar AC para el canal 1 y DC para el canal 2.

Simulaciones

Para el circuito de la figura (a)

 Amplitud 15
Vpp

F=1 KHz

Amplitud 3.77
Vpp

F=1 KHz

Para el circuito de la figura

(b)
 Amplitud 15
Vpp

F=1 KHz

Amplitud 7.5
Vpp

F=1 KHz

Para el circuito de la figura (c)

 Amplitud 15
Vpp

F=1 KHz

Amplitud 11.1
Vpp

F=1 KHz

Resultados Obtenidos

Para el circuito de la figura (a)

Para el circuito de la figura (b)
Para el circuito de la figura (c)

Practica # 5
Identificación del tipo, terminales y estado de transistores bipolares de unión
(BJT’s ) usando el multímetro digital marca Agilent

Procedimiento:

1.- Del manual “Discrete Semicondutor Products” del fabricante National

Semiconductor elegir 2 transistores bipolares tipo NPN y 2 tipo PNP de
aplicación para amplificadores de propósitos generales y conmutadores.
Obtener sus hojas de especificaciones técnicas.

2.- Indicar la interpretación de su nomenclatura.

3.- Del multímetro digital seleccionar la función de ohm con un rango de 5 KΩ y

realizar el procedimiento para identificar las terminales emisor, colector y base.

4.- Registrar en una tabla para cada uno de los transistores los valores de
resistencia eléctrica medidos entre las terminales cuando se polarizan
directamente las uniones p-n en todo el procedimiento de prueba.
5. Conforme los valores de resistencia medidos, identifica cada una de las
terminales asi como el tipo de funcionalidad de cada transistor (buen estado,
corto circuito o circuito abierto).

6.- Repetir el procedimiento del punto 3 y 4 pero ahora eligiendo la función de

prueba de diodos.

7.- Repetir el punto 5 pero teniendo en cuenta los valores de voltaje realizados
en el punto anterior.
Practica N° 6
Amplificador con Polarización fija en configuración Emisor Común

Introducción:

El transistor bipolar que opera en la región lineal tiene unas características eléctricas
lineales que son utilizadas para amplificación. En estos circuitos, las señales de entrada
son amplificadas a la salida y, por consiguiente, hay un aporte de energía realizado a
través de fuentes de tensión externas denominadas fuentes de alimentación o fuentes de
polarización. Las fuentes de alimentación cubren dos objetivos: proporcionar las
corrientes y tensiones en continua necesarias para que el transistor opere en la región
lineal y suministrar energía al transistor, una parte de la cual va a ser convertida en
potencia (amplificación). Los valores de corrientes y tensiones en continua en los
terminales de un transistor se denominan punto de trabajo y se suele expresar por la letra
Q.

Figura 6

El transistor del circuito de la figura 6 esta polarizado con dos resistencias y una
fuente de tensión en continua VCC. En este circuito se verifica que:
Si suponemos que el transistor se encuentra en la región directa lineal, entonces
se puede relacionar las intensidades de base y colector a través de la hFE y asignar
una tensión base-emisor típica de 0.7V. El cálculo de las tensiones e intensidades
del transistor proporciona su punto de trabajo Q. Para este circuito, Q viene
definido por las siguientes ecuaciones:

En la figura 6.1 se muestra la representación gráfica del punto de trabajo Q del

transistor, especificado a través de tres parámetros: I CQ, IBQ y la VCEQ. Este punto se
encuentra localizado dentro de una recta denominada recta de carga estática: si Q
se encuentra en el límite superior de la recta el transistor estará saturado, en el
límite inferior en corte y en los puntos intermedios en la región lineal. Esta recta se
obtiene a través de la ecuación del circuito que relaciona la I C con la VCE que,
representada en las curvas características del transistor de la figura 6.1,
corresponde a una recta. La tercera ecuación define la recta de carga obtenida al
aplicar KVL al circuito de polarización, de forma que:

Para dibujar esta recta de una manera sencilla en el plano (V CE, IC) del transistor
se seleccionan dos puntos:

a) VCE=0, entonces IC=VCC / RC.

b) IC=0, entonces VCE=VCC. Estos puntos se pueden identificar en la figura 6.1 y

representan los cortes de la recta de carga estática con los ejes de coordenadas.
 Figura 6.1 Límite de operación de un transistor.

Una de las primeras decisiones relacionadas con la polarización de un transistor es

seleccionar la ubicación del punto Q. La selección más práctica es situarle en la mitad de
la recta de carga estática para que la corriente de colector sea la mitad de su valor
máximo, condición conocida como excursión máxima simétrica. Evidentemente esta es
una condición de diseño que asegurara el máximo margen del punto Q a incrementos de
cualquier signo de la intensidad de colector. Sin embargo, hay muchas otras condiciones
de operación del transistor que exige un desplazamiento de Q en uno u otro sentido. En
estos casos la situación del punto Q estará definida por las diferentes restricciones.

POLARIZACIONES DC CON RETROALIMENTACIÓN DE VOLTAJE.

Polarización DC con retroalimentación de emisor. En este circuito la resistencia de

realimentación es RE.

Figura 7b. Polarización con retroalimentación.

Haremos la prueba de desestabilizar el punto Q.

IC intenta aumentar mucho. Pero al aumentar la IC, aumenta la VE.

Entonces vemos que se da un fenómeno de "autorregulación", intenta aumentar

mucho pero al final aumenta menos. Aunque no se estabiliza, se desestabiliza
menos, esa "auto corrección" se llama realimentación.

A este efecto de que una variable de salida afecte a la entrada se le llama

realimentación, la salida afecta a la entrada, se auto corrige. Además se le llama
"Realimentación negativa" porque un aumento supone una disminución. Si un
aumento supusiera otro aumento sería una "Realimentación positiva". En
amplificadores es muy importante la realimentación, como se verá más adelante.
Seguimos analizando el circuito. Malla de entrada:

Podemos concluir que esta configuración de polarización de corriente de base

presenta una mejor estabilidad pero no de las mejore, por lo que más adelante
se estudiaran otros tipos de polarizaciones que presentan una mayor
estabilidad que la mencionada.
INSTRUCCIONES: Utilizar en ésta práctica dos BJT´s del mismo tipo y serie.
Etiquetar uno como Q1 y otro como Q2. Primero realiza el procedimiento que
se indica abajo, con el transistor etiquetado Q1. Después realiza el mismo
procedimiento para Q2.

Para calcular los valores de las resistencias para un punto de operación en

reposo (Q) localizado en medio de la recta de carga esto para darle una mayor
estabilidad al circuito amplificador para que la corriente del colector sea la
mitad de su valor.

En este caso se calcularan el arreglo de resistencias para poder obtener ub

punto de reposo en VCEQ=6V y ICQ=6mA.

Consideremos el siguiente circuito

Ecuaciones de malla

E=¿ I B +I C CC=¿ I B R B +V BE
1.−I ¿ 2.−V ¿

CC=¿ I C R C + V CE
3.−V ¿

Figura
6b

Las siguientes consideraciones se tomaran para todos los circuitos posteriores

IC
β= ; βmin=100, βmax=300 y βtipica=200 I C =βI B
IB

V BE =0.7 ( Debido a la polarizacion ) para β ≥ 100 I C ≅ I B

Para una óptima amplificación se tiene que tener en cuenta que el punto de
operación debe de cumplir

Q→ I C =6 mA y V CE =6 V ademas de que usaremosla βtipica=200

De la ecuación 2 despejamos a la resistencia al igual que de la ecuación 3

V CC−V BE V −V CE
RB = RC = CC
I IC
( C)
β

Por lo tanto para el circuito de polarización de corriente de base teniendo en

mente las condiciones anteriores tenemos que los valores de los resistores son:

RB =376 KΩ RC =1 KΩ

Determinación de la variación del punto de operación en reposo con beta mínima y

máxima

De la ecuación de malla 2 despejamos la corriente de colector

(V CC −V BE )β
IC =
RB

De la ecuación de malla 1 despejamos el voltaje colector emisor

V CE =V CC −I C RC

Ahora para beta mínima y máxima los respectivos resultados de Ic y Vce

I c1=2.97 mA y V CE 1=9.03

I c1=8.92mA y V CE1=3.08

Para las respectivas variaciones de corriente y voltaje obtenemos

Δ I =5.95 mA y Δ V =5.95 V
C CE
 Consideremos el circuito de la figura

Se puede observar que el cto es

similar al de la figura 1, tan solo
se agregó el resistor RE, donde
su función primordial es darle
mayor estabilidad al
amplificador
Ecuaciones de malla

E=¿ I B +I C CC=¿ I B R B +V BE + I E R E
1.−I ¿ 2.−V ¿

CC=¿ I C R C + V CE + I E R E
3.−V ¿
Figura 6c

Realizando la misma analogía para este circuito que el visto anteriormente

tenemos que los valores de los resistores son los siguientes, tomando las
ecuaciones 1 y 2 tenemos:

V CC−V BE−R E I E V CC −V CE −R E I E
RB = RC =
I IC
( C)
β

Se observa que para ambas resistencias se tiene una cierta dependencia de la

resistencia del emisor, para este caso práctico se tomara un valor de Re = 100 Ω,
y por tanto obtendremos:
 RB =356 666 Ω R C =900 Ω

Una de las consideraciones importantes que debe de ser respetado para la

máxima estabilidad es la siguiente:

A ¿ V E ≤ 0.10 V CC o V E ≤ 0.20 V CC

Entonces examinando esta condición de estabilidad obtenemos que Re es igual a:

1.- Para el 10% de Vcc

V E 1.2V
V E =1.2 V V =IR , asi pues R E= →
Por ley de ohm sabemos que IE 6 mA

Observando lo anterior y que IE es aproximadamente Ic

Con este nuevo valor de Re los

resistores complementarios toman
R E=200 Ω
nuevos valores

RC =800 Ω y RB =336 666.66 Ω

2.- Para el 20% de Vcc

R E=400 Ωlos Resistores son → R C =600 Ω y R B=296 666.66 Ω

PROCEDIMIENTO.

1. Arma el circuito amplificador de la figura 6ª y mide el punto de operación

en reposo (Q).

VCC
12V

R1
R2
430kΩ
1kΩ
C2 C1

100nF Q1 100nF

2N2222A

Figura 6a

Simulación (medición del punto Q).

VECQ ICQ
Simulación 6.98 V 5.017
mA
Transistor 7.67 V 4.38 mA
1
Transistor 5.69V 6.42 mA
2
VCC
12V
XMM1
R1
R2
430kΩ XMM3
1kΩ

Q1

2N2222A

2. Aplica a la entrada del circuito, como se ilustra en la figura 6b, una señal
senoidal de un 1Khz de frecuencia y una amplitud pico a pico de 10 mV,
aumenta lentamente la amplitud de la señal (observando lo que ocurre
con la señal de salida) hasta que a la salida se obtenga la máxima
amplitud de la forma de onda sin distorsión alguna. Guarda en USB las
gráficas de entrada y salida (o respuesta) del circuito, y calcula la
ganancia de voltaje (Av = Vsal/Vent). ¿Están en fase las señales de
entrada y salida? Explica brevemente.
XSC2

XFG1 VCC VCC

G
12V 12V
T
R2
R1 A B C D
1kΩ
430kΩ C2

Q1 100nF
C1

100nF
2N2222A

Figura 6b
 Simulación:

Entrada Salida
Fre= 1Khz VPP antes de Fre= 1Khz VPP= 5.2V
distorsionarse
VPP=70mV

Vsal 5.2V
Ganacia de voltaje ( Av )= = =74.28 veces
Vent 70 mV

XSC2

XFG1 VCC VCC

G
12V 12V
T
R2
R1 A B C D
1kΩ
430kΩ C2

Q1 100nF
C1

100nF
2N2222A

Transistor 1 β=178
Entrada Salida
Fre= 1Khz VPP antes de Fre= 1Khz VPP=5.92V
distorsionarse
VPP=400mV

Vsal 5.92V
Ganacia de voltaje ( Av )= = =78.1 veces
Vent 400 mV

XSC2

XFG1 VCC VCC

G
12V 12V
T
R2
R1 A B C D
1kΩ
430kΩ C2

Q1 100nF
C1

100nF
2N2222A
Transistor 2 β=261
Entrada Salida
Fre= 1Khz VPP antes de Fre= 1Khz VPP= 8.32V
distorsionarse
VPP=400mV

Vsal 781mV
Ganacia de voltaje ( Av )= = =78.1 veces
Vent 10 mV

XSC2

XFG1 VCC VCC

G
12V 12V
T
R2
R1 A B C D
1kΩ
430kΩ C2

Q1 100nF
C1

100nF
2N2222A

3. Ahora, conecta en el Emisor una R€ = R1 = 100 Ω como lo muestra la

figura 6c. Mide y registra de nuevo el punto de operación en reposo Q
(1cr VCEQ), es decir sin aplicar señal en la entrada. Anota tus
observaciones.
VCC VCC
12V 12V
R2
R1
1kΩ
430kΩ

Q1

2N2222A

R3
1.0kΩ

XMM1
VCC VCC
12V 12V
R2
R1

Medición del punto de reposo (Q) con RE=100Ω).

1kΩ
430kΩ
XMM2
Q1

2N2222A

R3
100Ω
 RE=100Ω VECQ ICQ
Simulación
Transistor
1
Transistor
2

Medición del punto de reposo (Q) con RE=200Ω).

VCC VCC
12V 12V

R1 XMM1
RE=200Ω VECQ ICQ
R2
430kΩ
1kΩ
Simulación 6.62V 4.474m
XMM2
A
Q1
Transistor
2N2222A
1
Transistor
R3
200Ω
2

Medición del punto de reposo (Q) con RE=400Ω).

VCC VCC
12V 12V RE=400Ω VECQ ICQ
Simulación 6.313V 4.054m
R1 XMM1
430kΩ
R2 A
1kΩ
Transistor
XMM2 1
Q1 Transistor
2
2N2222A

R3
200Ω

4.-Repite el procedimiento del punto 2 anterior. ¿Es el mismo valor de la

ganancia de voltaje obtenida en el punto dos? Explica. XSC1

XFG1 VCC VCC Tektronix

12V 12V
R2 P 1 2 3 4 T
R1
1kΩ G
430kΩ C2

Q1 100nF
C1

100nF
2N2222A

RE
Simulacion.
Con resistencia en el emisor (RE=100Ω);
Entrada Salida
Fre= VPP Fre= VPP=
1Kh antes de 1Khz 8.62
distorsion
z V
arse
VPP=1.
02V
Ganacia de voltaje ( Av )
Vsal 8.62V
= =8.4 veces
Vent 1.02V

Transistor 1 β=178 con resistencia en el

emisor(RE=100Ω)

Entrada Salida
Fre= VPP antes Fre= VPP=
1Khz de 1Khz 8.88V
distorsionars
e
VPP=400
mV
Ganacia de voltaje ( Av )

Vsal 781mV
= =veces
Vent 10 mV
Transistor 2 β=261 con resistencia en el
emisor(RE=100Ω)

Entrada Salida XSC1

Fre= VPP antes Fre= VPP= XFG1 VCC

12V
VCC
12V
Tektronix

1Khz de 1Khz 9.0V R1

R2 P 1 2 3 4 T
1kΩ G

distorsionars 430kΩ C2

e C1
Q1 100nF

VPP=400 100nF
2N2222A
mV RE

Ganacia de voltaje ( Av ) 200Ω

Vsal 9V
= =veces
Vent 10 mV

Simulacion.
Con resistencia en el emisor (RE=200Ω);
Entrada Salida
Fre= VPP Fre= VPP=
1Kh antes de 1Khz 8.16
distorsion
z V
arse
VPP=1.
82V
Ganacia de voltaje ( Av )
Vsal 8.62V
= =4.4 veces
Vent 1.02V

Transistor 1 β=178 con resistencia en el

emisor(RE=200Ω)

Entrada Salida
Fre= VPP antes Fre= VPP=
1Khz de 1Khz 7.6V
distorsionars
e
VPP=400
mV
Ganacia de voltaje ( Av )

Vsal 781mV
= =veces
Vent 10 mV

Transistor 2 β=261 con resistencia en el

emisor(RE=200Ω)

Entrada Salida
Fre= VPP antes Fre= VPP=
1Khz de 1Khz 8.8V
distorsionars
e
VPP=400
mV
Ganacia de voltaje ( Av )

Vsal 781mV
= =veces
Vent 10 mV

Con resistencia en el emisor (RE=400Ω)

XSC1

XFG1 VCC VCC Tektronix

12V 12V
P 1 2 3 4 T
R2 G
R1
1kΩ
430kΩ C2

Q1 100nF
C1

100nF
2N2222A

RE
400Ω
Simulacion.
Con resistencia en el emisor (RE=400);
Entrada Salida
Fre= VPP Fre= VPP=
1Kh antes de 1Khz 8.16
distorsion
z V
arse
VPP=1.
82V
Ganacia de voltaje ( Av )
Vsal 8.62V
= =4.4 veces
Vent 1.02V

Transistor 1 β=178 con resistencia en el

emisor(RE=400)

Entrada Salida
Fre= VPP antes Fre= VPP=
1Khz de 1Khz 7.52V
distorsionars
e
VPP=400
mV
Ganacia de voltaje ( Av )

Vsal 781mV
= =veces
Vent 10 mV
Transistor 2 β=261 con resistencia en el
emisor(RE=400)

Entrada Salida
Fre= VPP antes Fre= VPP=
1Khz de 1Khz 3.76V
distorsionars
e
VPP=400
mV
Ganacia de voltaje ( Av )

Vsal 781mV
= =veces
Vent 10 mV

5.-Conecta un capacitor en paralelo con R € como lo muestra la figura 6d.

Observa y anota lo que ocurre con la amplitud de la señal de salida. ¿Se
modifica el valor de Av? ¿Por qué?

XSC1

XFG1 VCC VCC Tektronix

12V 12V
P 1 2 3 4 T
R2
al Conectar el capacitor en paralelo
G
R1
1kΩ
430kΩ C2
con la resistencia se logra dar más
estabilidad al circuito y también C1
Q1 100nF

obtenemos una mayor ganancia de

100nF
voltaje en la salida. 2N2222A

RE C3
100Ω 4.7µF

5. Aumenta la amplitud de la señal de entrada de modo que el

transistor entre a las regiones de corte y saturación Guarda en USB la
gráfica de la señal de salida y mide sus valores máximo y mínimo de
la amplitud. Explica en qué regiones está trabajando el TBJ y ¿por
qué?
 6. Realiza un cuadro sinóptico para vaciar todos los resultados
numéricos resultantes de experimentar en los diferentes circuitos con
los dos transistores (Q1 y Q2), anotando tus observaciones para cada
caso.
7. Realiza tus conclusiones. Complementa y resuelve el cuestionario
para que lo anexes al reporte.

Cuestionario

1 Indica la principal característica de la polarización fija.

2 ¿Cuál es la función de R€?
Practica 7"Amplificador con polarización de colector-
base en configuración Emisor común".

Introducción
En un proceso de diseño o de análisis de un amplificador es necesario conocer la
respuesta del sistema tanto en DC como en AC. La selección del punto de trabajo Q de un
transistor se realiza a través de diferentes circuitos de polarización que fijen sus tensiones
y corrientes.

En la figura 7a se incluyen los circuitos de polarización más típicos basados en

resistencias y fuentes de alimentación; además, se indican las ecuaciones que permiten
obtener el punto de trabajo de los transistores. Estos circuitos presentan diferencias en
algunos casos importantes.

1.- Diseña un amplificador con BJT en

configuración emisor común con
polarización de colector base (como el
que ilustra) la figura 7a.

Como hemos vista la importancia de

mantener el punto de reposo en
medio de la recta de carga para poder
brindarle mayor estabilidad al circuito
amplificador se diseñara un circuito
de polarización colector base el cual
presenta una mayor estabilidad que
los circuitos anteriores.

Figura 7a. Circuitos de polarización de transistores BJT

A continuación se realizaran los cálculos de los arreglo de resistencias para el
circuito de polarización colector-base para poder obtener un punto de reposo
en VCEQ=6V y ICQ=6mA.

Consideremos el siguiente circuito

Ecuacion de malla de entrada

1.−V CC =RC ( I C + I B ) + I B R B + I E R E

Ecuación de malla de salida

2.−V CC =RC ( I C + I B ) +V CE + I E R E

De la ecuación 2 despejamos el resistor de colector:

V CC −V CE −RE I E
RC =
IE

De la ecuación 1 despejamos el resistor de base:

V CC−RC ( I C + I B )−R E I E
RB =
IB

Teniendo las consideraciones de Re=100 Ω, 200 Ω y con 400 Ω, que

corresponden a los valores permitidos para que haya una ganancia optima,
exceptuando el valor de 100 Ω que está por debajo del rango permitido se tiene:

Con Re=100 Ω
 RC =893 Ω y RB =176.66 K Ω

Con Re=200 Ω

RC =795.02 Ω y R B=176.66 K Ω

Con Re=400 Ω
Polarización colector base con: las
siguientes resistencias calculadas

R E=100 Ω , 200 Ω, 400 Ω

RC =893 Ω, 795.02 Ω, 595.02 Ω

RB =176.66 K Ω, "" ""

RC =595.02 Ω y R B=176.66 K Ω

2.- repita las instrucciones y el procedimiento indicado en la práctica No 6,

agregando también al circuito diseñado los capacitores C 1 y C 2 a la entrada y la
salida respectivamente.

a. Arme el circuito amplificador con BJT en configuración emisor común

con la configuración emisor-base y mida el punto de operación en
reposo.

VCC
12V
RC 893Ω

RB
100Ω

Q1
177kΩ

2N2222A

RE
 Medición del punto de operación en reposo (Q) con
RE=100Ω).

VCC
12V
RC RE=100Ω VECQ ICQ
893Ω
Simulación 6.224V 5.786mA
RB + U2 Transistor
177kΩ -
5.786m A DC 1e-009Ohm 1
Transistor
Q1
U1
2
+
6.224 V DC 10MOhm
-

2N2222A

RE
100Ω

Medición del punto de operación en reposo (Q) con

RE=200Ω).

VCC
12V
RC RE=200Ω VECQ ICQ
795Ω
Simulación 6.219V 5.778mA
+ U2 Transistor
-
5.778m A DC 1e-009Ohm 1
RB
177kΩ
Transistor
Q1
U1
2
+
6.219 V DC 10MOhm
-

2N2222A

RE
200Ω
 Medición del punto de operación en reposo (Q) con
RE=400Ω).

VCC
12V
RC
RE=400Ω VECQ ICQ
595Ω
Simulación 6.219V 5.778mA
+ U2
Transistor
5.778m A DC 1e-009Ohm
RB -
1
177kΩ
Q1 Transistor
U1
+
6.219 V DC 10MOhm
2
-

2N2222A

RE
400Ω
 b. Aplicando a la entrada del circuito una señal de 1khz y una voltaje pico
a pico inicial de 10mV, aumentar lentamente la amplitud de la señal
hasta que en la salida obtenga un máximo de amplitud de la forma de
onda sin distorsionarse.

Simulacion. VCC
XSC1

12V Tektronix
XFG1

Con resistencia en el emisor (RE=100Ω);

RC
595Ω P
G
1 2 3 4 T

C2
RB
177kΩ
Q1
100nF
C1

Entrada Salida 100nF

2N2222A

RE
400Ω

Fre= VPP antes Fre= VPP=

1Khz de 1Khz 9.19
distorsiona
V
rse
VPP=1.2
3V
Ganacia de voltaje ( Av )
Vsal 9.19V
= =7 .4 veces
Vent 1.23 V

Transistor 1 β=178 con resistencia en el

emisor(RE=100Ω)

Entrada Salida
Fre= VPP antes Fre= VPP=
1Khz de 1Khz 20.4V
distorsionars
e
VPP=400
mV
Ganacia de voltaje ( Av )
 Vsal 781mV
= =veces
Vent 10 mV

Transistor 2 β=261 con resistencia en el

emisor(RE=100Ω)

Entrada Salida
Fre= VPP antes Fre= VPP=
1Khz de 1Khz 19.2V
distorsionars
e
VPP=400
mV
Ganacia de voltaje ( Av )

Vsal 781mV
= =veces
Vent 10 mV

Simulacion. (Con un areglo de resitencias de:RE=200Ω

y RC=795Ω)

Con resistencia en el emisor (RE=200Ω);

Entrada Salida
Fre= VPP Fre= VPP=
1Kh antes de 1Khz 8.16
distorsion
z V
arse
VPP=1.
82V
 Ganacia de voltaje ( Av )

Vsal 8.62V
= =4.4 veces
Vent 1.02V

Transistor 1 β=178 con resistencia en el

emisor(RE=200Ω)

Entrada Salida
Fre= VPP antes Fre= VPP=
1Khz de 1Khz 9.08V
distorsionars
e
VPP=400
mV
Ganacia de voltaje ( Av )

Vsal 781mV
= =veces
Vent 10 mV

Transistor 2 β=261 con resistencia en el

emisor(RE=200Ω)

Entrada Salida
Fre= VPP antes Fre= VPP=
1Khz de 1Khz 8.8V
distorsionars
e
VPP=400
mV
Ganacia de voltaje ( Av )
 Vsal 781mV
= =veces
Vent 10 mV

Con resistencia en el emisor (RE=400Ω y RC=595Ω )

XSC1

XFG1 VCC VCC Tektronix

12V 12V
P 1 2 3 4 T
R2 G
R1
1kΩ
430kΩ C2

Q1 100nF
C1

100nF
2N2222A

RE
400Ω

Simulacion.
Con resistencia en el emisor (RE=400);
Entrada Salida
Fre= VPP Fre= VPP=
1Kh antes de 1Khz 8.16
distorsion
z V
arse
VPP=1.
82V
Ganacia de voltaje ( Av )

Vsal 8.62V
= =4.4 veces
Vent 1.02V

Transistor 1 β=178 con resistencia en el

emisor(RE=400)

Entrada Salida
Fre= VPP antes Fre= VPP=
1Khz de 1Khz 7.12V
distorsionars
e
VPP=400
mV
Ganacia de voltaje ( Av )

Vsal 781mV
= =veces
Vent 10 mV

Transistor 2 β=261 con resistencia en el

emisor(RE=400)

Entrada Salida
Fre= VPP antes Fre= VPP=
1Khz de 1Khz 7.36V
distorsionars
e
VPP=400
mV
Ganacia de voltaje ( Av )

Vsal 781mV
= =veces
Vent 10 mV
 CUESTIONARIO.Practica N°8

“Amplificador monoetapa con Autopolarización (o polarización por

divisor de tensión) en configuración Emisor Común”

PROCEDIMIENTO:

1. Diseñe un amplificador con BJT en configuración emisor común con

polarización por divisor de tensión (como el que se ilustra en la tabla 1.0
del documento Tema 1- Características del transistor bipolar y FET:
Polarización, analizado anteriormente en clase) utilizando el 2N2222 con
una R€ = 100 Ω y Vcc = 12 volts, si se desea que el punto de operación
en reposo se localice en Vcc = 6 volts el 1c = 6 mA.
2. Repita las instrucciones y el procedimiento indicado en la Práctica N° 6
anterior, agregando también al circuito diseñado los capacitores C 1 y C2
a la entrada y a la salida respectivamente.
3. Elaborar y resolver un cuestionario de por lo menos 10 reactivos.

Practica N° 9
 “Amplificador Multietapa en Configuración Emisor Común”

PROCEDIMIENTO

1. Arme el circuito de la figura 9ª siguiente:

XSC1

Tektronix
VCC
XFG1
12V P 1 2 3 4 T
G
R5
R4
R1 R3 1kΩ
22kΩ C4
82kΩ 820Ω

Q1 10µF
C1

Q2 10µF
C3 2N2222A

10µF 8 47 C2
2N2222A
8.2kΩ 470Ω 10µF
R2
220Ω
2
22kΩ

Figura 9a

2. Primero mida y anote el punto de operación en reposo de los transistores

Q1 y Q2, es decir, sin aplicarle señal del generador de funciones al
circuito amplificador sino solamente con el voltaje de polarización Vcc de
la fuente de poder.

VCC
12V
U4

R1 R3
R4
R5
1kΩ
+
5.079m A DC 1e-009Ohm Punto de
22kΩ -

operación enU3 reposo

82kΩ 820Ω
+
5.882m A DC 1e-009Ohm Q1
-
+ U1

Simulación 4.520
VECQ
DC 10MOhm
ICQ
V
-
Q2
+ U2 2N2222A

-
5.876 V
Transistor
DC 10MOhm
5.87 V 5.882
2N2222A 8 47 C2
8.2kΩ 1 470Ω 10µF mA
R2
220Ω Transistor 4.52V 5.079
2
22kΩ 2 mA
3. Ahora aplique, con el generador de funciones, a la entrada del circuito
una señal sinusoidal de 10 Khz de frecuencia, conectando el canal 1 del
osciloscopio a la entrada del amplificador multietapa y el canal 2 a su
salida.
4. Iniciando con el control del generador de funciones al mínimo, aumente
lentamente la amplitud, observando la señal de salida del amplificador
multietapa (entre el colector de Q2 y tierra, esto es en el canal 2 del
osciloscopio): y deténgase justo antes de que se empiece a distorsionar
la señal de salida.
5. Mida y registre el valor V p-c de la señal de entrada y el V pp de salida del
amplificador multietapa.
6. También mida y registre el valor de V pp de salida de la primera etapa del
amplificador (entre el colector de Q1 y tierra)
7. Con los valores de tensión obtenidos en los puntos 5 y 6 anteriores,
calcule la ganancia de voltaje (Av) para cada etapa, como sigue:

Av (etapa 1) = V pp salida Q1/ V pp entrada Q1 y

Av (etapa 2) = V pp salida Q2 / V pp salida Q1

Donde V pp entrada Q2 = V pp salida Q1

8. Y también calcule la ganancia de voltaje total del amplificador
multietapa, es decir, Av total = V pp salida Q2 / V pp entrada Q1.
9. ¿Cómo es la fase y la simetría de la señal de salida con respecto a la
entrada del multietapa?
10.Realice la operación Av (etapa 1 * Av (etapa 2). Compare este valor con
el de Av total calculado en el punto 8 y haga sus observaciones.
11.Repita el procedimiento de los pasos indicados de los puntos 3 al 8
anteriores, pero agregando un capacitor (C4) de 10 µfd en paralelo con
el emisor del primer amplificador como lo muestra la figura 9b. Compare
con los resultados obtenidos anteriormente y haga sus observaciones.
12.Ahora desconecte el capacitor C3 que se encuentra en paralelo con RE
de la etapa de salida. Observe y anote que ocurre con la señal de salida.
13.Con las condiciones de los puntos 1, 3 y 4 cambie el capacitor C3 por
uno de 100 µfd y observe lo que ocurre con la salida del multietapa.
14.Mida y anote la Av. Total, repitiendo el procedimiento del punto 8
anterior.
15.Elabore un cuadro sinóptico con todos los resultados obtenidos así como
observaciones respectivas y realice sus conclusiones.
16.Elabore y resuelva un cuestionario para entregarlo al inicio de la sesión
de laboratorio, de por lo menos 10 preguntas cuyo contenido sea
referido al tema de ésta práctica.