DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

TEMA 05

POLARIZACION DE
TRANSISTORES BIPOLARES

Contenido
Punto de operacin
Polarizacin fija
Circuito estabilizado en emisor
Polarizacin por divisor de voltaje
Polarizacin por retroalimentacin de voltaje
Otras configuraciones
Diseo
Conmutacin
Transistores pnp

Punto de operacin

Polarizacin fija
Aplicando LKV a la malla de
base:
VCC IBRb VBE = 0
VCC VBE
IB =
Rb

IC
+

IB
+

Se cumple que IC = IB
VCE = VCC ICRc

VBE

VCE

Ejemplo
Sea = 50 y Vcc = 12 V
Tomamos VBE = 0.7 V
IB = (12 0.7)/240k = 47 A
IC = 50IB = 2.35 mA
VCE = 12 (2.35mA)(2.2k)
= 6.82 V
VBC = VB VC = 0.7 6.82
= - 6.12 V

Saturacin
La corriente de saturacin la encontramos cuando suponemos un
corto entre colector y emisor.

La corriente es:

I Csat =

VCC
RC

Anlisis de recta de carga

Recta de carga para polarizacin fija.

Para trazar la recta de

carga una los puntos
VCC/RC sobre el eje de
corriente (IC) y VCC
en el eje de voltaje
(VCE),

Variacin del punto Q

Variacin debida al incremento a la corriente de base.

Variacin de la recta debido a la disminucin de la resistencia de

colector IC.

Variacin de la recta debido a la disminucin del voltaje de

colector VCC.

Ejemplo
Encontrar VCC, RB e RC.

Circuito de polarizacin estabilizado en

emisor
La mejora de la estabilizacin se logra
agregando una resistencia en el
emisor.
IB =

VCC VBE
RB + ( + 1) RE

La resistencia de entrada es Ri
en malla emisor base dada por

Ri = RB + ( + 1) RE

IC

IB
+

VBE

VCE

En la malla de colector-emisor
tenemos:
VCE = VCC IC(RC + RE)

IC
+
VCE

La corriente de saturacin es
IC = VCC/(RC + RE)

IE

Ejemplo
Encontrar:
IB, IC, VCE, VC, VE,
VBC, VB

Saturacin
La corriente de saturacin la encontramos cuando suponemos un
corto entre colector y emisor.

La corriente es:

I Csat

VCC
=
RC + RE

Anlisis de recta de carga

Recta de carga para polarizacin de emisor.

Para trazar la recta de

carga una los puntos
VCC/(RC + RE) sobre
el eje de corriente (IC)
y VCC en el eje de
voltaje (VCE),

Circuito de polarizacin por divisor de

voltaje
La polarizacin se logra utilizando un
divisor de voltaje en el circuito de
base.

IC

IB

+
+

VCE

VBE

Anlisis exacto
El anlisis del circuito de entrada se realiza sustituyendo el
circuito de entrada por su equivalente de Thevenin.
Rth = R1 R2

Vth =

R2VCC
R1 + R2

Vth VBE
IB =
Rth + ( + 1)RE
VCE = VCC IC(RC + RE)

Ejemplo
Encontrar VCE e IC en la siguiente red.

Anlisis aproximado
Si el valor de RE > 10R2, se puede suponer IB = 0, adems
R2VCC
VB =
R1 + R2
IC = I E

VE = VB VBE

IE =

VE
RE

VCE = VCC I C (RC + RE )

La frmula de corriente de saturacin y la recta de carga es igual

que para la polarizacin por emisor.

Ejemplo
Encontrar VCE e IC en la siguiente red usando las frmulas
aproximadas.

Ejercicio
Encuentre el punto Q con las frmulas exactas y aproximadas y
compare resultados.

Polarizacin por retroalimentacin de

voltaje
Si suponemos que IC = IC = IB, llegamos a
VCC VBE
IB =
RB + (RC + RE )

En general

V'
IB =
RB + R'

R = 0 polarizacin fija
R = RE polarizacin en emisor
R = (RC + RE) retroalimentacin de colector
VCE es la misma que para emisor y divisor.

IC

+ IC

IB
+

VBE

VCE

IE

Ejemplo
Encontrar el punto Q. Repita para = 135

IC = 1.07 mA
VCE = 3.69 V
IC = 1.2 mA
VCE = 2.92 V

Ejemplo
Encontrar IB y VC.

IB = 35.5 A
VC = 9.22 V

Otras configuraciones
Encontrar IC, VCE, VB, VC, VE y VBC.

IC = 1.86 mA
VCE = 11.26 V
VB = 0.7 V
VC = 11.26 V
VE = 0 V
VBC = -10.56 V

Encontrar VB y VC

VC = -4.48 V
VB = -8.3 V

Seguidor emisor. Encontrar VCE y IE

IE = 4.16 mA
VCE = 11.68 V

Base comn. Encontrar VCE y IB

IB = 45.8 A
VC = 3.4 V

Encontrar VC y VB

VB = -11.59 V
VC = 8.53 V

Diseo
En el proceso de diseo se trata de determinar los valores de
las componentes necesarias para lograr un cierto punto de
operacin, es decir, un conjunto de valores de voltajes y
corrientes.

Ejemplo
Determinar VCC, RB y RC para la siguiente red. Encontrar los
valores estndar.

VCC = 20 V RB = 482.5 kOhms RC = 2.5 kOhms

Ejemplo
Si IC = 2 mA, VCE = 10 V determinar R1 y RC para la siguiente
red. Encontrar los valores estndar.

R1 = 86.52 kOhms RC = 2.8 kOhms

Ejemplo
Si ICQ = ICsat, ICsat = 8 mA, determinar RE, RB y RC para la
siguiente red. Encontrar los valores estndar.

RE = 1 kOhms RC = 2.2 kOhms RB = 639.8 kOhms

Ejemplo de diseo completo

Para poder encontrar los valores de las resistencias, debemos hacer
una eleccin de ingeniera. Como por ejemplo suponer que VE es
un dcimo de VCC.

RE = 2 kOhms
RC = 4 kOhms
RB = 1,3 MOhms

Ejemplo de divisor
Para poder encontrar los valores de las resistencias, debemos hacer
una eleccin de ingeniera. Como por ejemplo suponer que VE es
un dcimo de VCC. Suponga tambin que RE>=10R2 y calcule VB.

RE = 200 Ohms
RC = 1 kOhms
R1 = 10.25 kOhms
R2 = 1.6 kOhms

Conmutacin
En el diseo de una red de conmutacin se debe asegurar que el
transistor trabaje entre corte y saturacin.
El estado de corte se asegura con un voltaje de entrada igual a
cero.
La saturacin se logra con una corriente de base lo
suficientemente grande para que IB > ICsat/.

Ejemplo

I Csat =

VCC
RC

I B > 50A

El transistor como interruptor

El transistor puede usarse como un interruptor hacindolo
trabajar entre corte y saturacin.

Interruptor cerrado:
transistor en saturacin.

Interruptor abierto:
transistor en corte.

Tiempos de encendido y apagado

td (delay time)= Es el que transcurre desde el instante en que se
aplica la seal de entrada al dispositivo conmutador, hasta que la
seal de salida alcanza el 10% de su valor final.
tr (rise time) = Tiempo que emplea la seal de salida para
evolucionar desde el 10% hasta el 90% de su valor final.
ts (storage time) = Tiempo que transcurre desde que se quita la
excitacin de entrada y el instante en que la seal de salida baja al
90% de su valor inicial.
tf (fall time) = Tiempo que emplea la seal de salida para
evolucionar desde el 90% hasta el 10% de su valor inicial.

tencendido = tr + td,

tapagado = ts + tf

Transistores pnp
Todo lo dicho para transistores npn es vlido para transistores pnp.
Las nicas diferencias es la polaridad de las fuentes y el sentido de
las corrientes en las diferentes configuraciones estudiadas.