CAPÍTULO 3: Transistores

de unión bipolar

MSc. Ebert San Román Castillo

OBJETIVOS DEL CAPÍTULO
• Familiarizarse con la construcción y operación básicas del transistor de unión
bipolar.
• Ser capaz de aplicar la polarización apropiada para garantizar la operación en la
región activa.
• Reconocer y poder explicar las características de un transistor npn o pnp.
• Familiarizarse con los parámetros importantes que definen la respuesta de un
transistor.
• Ser capaz de probar un transistor e identificar las tres terminales.
INTRODUCCIÓN
• El 23 de diciembre de 1947, Walter H. Brattain y John Bardeen demostraron la acción
amplificadora del primer transistor en los laboratorios Bell. Las ventajas de este dispositivo de
estado sólido de tres terminales sobre el bulbo fueron obvias de inmediato. Era más pequeño y
más liviano; no tenía que calentarse ni perdía calor; su construcción era robusta; era más
eficiente, puesto que el dispositivo consumía menos potencia; estaba disponible al instante para
su uso, ya que no requería un periodo de calentamiento, y se podían obtener voltajes de
operación más bajos.
CONSTRUCCIÓN DE UN
TRANSISTOR BJT
(bipolar junction transistor)
• El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos capas de material
tipo n y una de material tipo p o de dos capas de material tipo p y una de material tipo n.
• La capa del emisor está muy dopada, a comparación con la base ligeramente, y el colector sólo un
poco dopado. Los grosores de las capas externas son mucho mayores que las del material tipo p o
n emparedado.
• El dopado de la capa emparedada también es considerablemente menor que el de la capa
externa (por lo común de 10:1 o menor). Este menor nivel de dopado reduce la conductividad
(incrementa la resistencia) de este material al limitar el número de portadores “libres”.

E = Emisor
B = Base
C = Colector
CONSTRUCCIÓN DE UN
TRANSISTOR BJT
(bipolar junction transistor)
OPERACIÓN DEL TRANSISTOR
• La operación del transistor npn es exactamente la misma que el pnp solo con los roles de los
electrones y huecos intercambiados.
• La unión p-n de un transistor se polariza en directa en tanto que la otra n-p se polariza en
inversa.
OPERACIÓN DEL TRANSISTOR
• Como el material tipo n emparedado es muy delgado y su conductividad es baja, un número muy pequeño
de estos portadores tomarán esta ruta de alta resistencia hacia la base. La magnitud de la corriente de base
es por lo general del orden de microamperes, en comparación con los miliamperes de las corrientes del
emisor y el colector. El mayor número de estos portadores mayoritarios se difundirá a través de la unión
polarizada en inversa hacia el material tipo n conectado al colector.

El componente de corriente de portadores

minoritarios
se llama corriente de fuga y se le da el símbolo ICO
~Is.
OPERACIÓN DEL TRANSISTOR

Transistor PNP Transistor NPN

CONFIGURACIÓN EN BASE
COMÚN
• La terminología en base común se deriva del hecho de que la base es común tanto para la
entrada como para la configuración de la salida. Además, la base por lo general es la terminal más
cercana a un potencial de tierra. A lo largo de este libro todas las direcciones de la corriente se
referirán a un flujo convencional (de huecos) y no a uno de electrones.
CONFIGURACIÓN EN BASE
COMÚN
• Los parámetros de entrada (punto de manejo) y el otro para el lado de salida. El conjunto de entrada para
el amplificador en base común de la figura 3.7 relaciona una corriente de entrada (IE) con un voltaje de
entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de salida (VCB).
CONFIGURACIÓN EN BASE
COMÚN
Región de Corte

• En el extremo inferior de la región activa la corriente en el

emisor (IE) es cero y el colector es simplemente el que
produce la corriente de saturación en inversa ICO. La
corriente ICO es tan pequeña (microamperes) en magnitud
en comparación con la escala vertical de IC (miliamperios),
que aparece virtualmente sobre la misma línea horizontal
que IC = 0. Las condiciones que se dan en el circuito
cuando IE = 0. También llamado IC = ICBO.
• En la Región Activa
• En la región de corte las uniones base-emisor y colector-
base de un transistor se polarizan en inversa. Ic = 0A.
• En la región de saturación las uniones base-emisor y
colector-base se polarizan en directa. Zona donde VCB<0.
Transistor “encendido” o activo
Alfa (α)
• Donde IC e IE son los niveles de corriente en el punto de
operación.
• Alfa α es válida sólo para los portadores mayoritarios.
• IE = 0 mA, IC es, por consiguiente, igual a ICBO.
• El alfa de ca se llama formalmente factor de amplificación
en cortocircuito en base común.
• Las magnitudes de αca y αcd están muy cercanas y se pueden
considerar iguales.
• Establecimiento de la administración de polarización
correcta para un transistor pnp de base común en la región
activa.
ACCIÓN AMPLIFICADORA DEL
TRANSISTOR
• La resistencia de entrada de ca determinada es muy pequeña y por lo regular varía de 10 Ω a 100
Ω. La resistencia de salida es bastante alta y por lo general varía de 50 kΩ a 1 MΩ (100 kΩ para el
transistor de la figura). La diferencia en la resistencia se debe a la unión polarizada en directa a la
entrada (base a emisor) y a la unión polarizada en inversa en la salida (base a colector).

La amplificación de voltaje de la configuración en base común

varían de 50 a 300.

TRANSISTOR ≡TRANSFER RESISTOR

 CONFIGURACIÓN EN EMISOR
COMÚN
• La configuración de transistor que más
frecuentemente se encuentra para los
transistores pnp y npn.

• En la región activa de un amplificador en

emisor común, la unión base-emisor se
polariza en directa en tanto que la unión
colector-base está en inversa.
 CONFIGURACIÓN EN EMISOR
COMÚN
• La región activa de la
configuración en emisor común
se emplea para amplificar
voltaje, corriente o potencia.
• En la región de corte IC no es
igual a cero cuando IB es cero.

Para propósitos de amplificación lineal (distorsión mínima), I C = ICEO

define el corte para la configuración en emisor común.
 CONFIGURACIÓN EN EMISOR
COMÚN
• Cuando se emplea como interruptor en los
circuitos lógicos de una computadora, un
transistor tendrá dos puntos de operación de
interés, uno en la región de corte y otro en la
región de saturación.
• La condición de corte idealmente deberá ser de
IC = 0 mA para el voltaje VCE seleccionado. Como
por lo general ICEO es de baja magnitud en
materiales de silicio, para efectos de
conmutación el corte se dará cuando IB = 0 μA o
IC = ICEO sólo para transistores de silicio.
• El resultado confirma nuestra conclusión anterior
de que para un transistor en la región activa o
“encendido” el voltaje base a emisor es de 0.7 V.
Beta (β)
• En el modo de cd los niveles de IC e IB están relacionados por una cantidad llamada beta y
definida por la siguiente ecuación.

• Donde IC e IB se determinan en un punto de operación particular en las características. Para

dispositivos prácticos el nivel de b por lo general varía de aproximadamente 50 a más de 400. En
las hojas de especificaciones casi siempre se incluye βcd como hFE.
• El nombre formal de βca es factor de amplificación de corriente en directa en emisor común.
 EJEMPLO
• Determinemos βcd para una región de las características
definidas por un punto de operación de IB = 25 μA y VCE =
7.5 V como se indica en la figura 3.17. La restricción de VCE
constante requiere el trazo de una línea vertical por el punto
de operación en VCE = 7.5 V. En cualquier lugar de esta línea
vertical el voltaje VCE es de 7.5 V, una constante.
• El cambio en IB(∆IB) y es dado por IB = 20 μA y 30 μA. La βca
resultante para la región se determina entonces por:

• Si determinamos la beta de cd en el punto Q, obtenemos:

Los valores de βca y βcd son muy similares.

RELACIÓN ENTRE β Y α
• Sabiendo que β = IC/IB, tenemos IB = IC /β y con α = IC /IE tenemos IE = IC /α.

• y dividiendo ambos miembros de la ecuación entre IC resulta:

POLARIZACIÓN
• La polarización correcta de un amplificador en emisor común se determina de manera parecida a
la de la configuración en base común. Supongamos que tenemos un transistor npn como el de la
figura 3.19a al que debemos aplicar la polarización correcta para situar al dispositivo en la región
activa.
CONFIGURACIÓN EN COLECTOR
COMÚN
• La configuración en colector común se utiliza sobre todo para igualar impedancias, puesto que
tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, lo contrario de las
configuraciones en base común y en emisor común.
CONFIGURACIÓN EN COLECTOR
COMÚN
• En la práctica, las características de salida de la configuración en colector común son las mismas
de la configuración en emisor común. Para la configuración en colector común las características
de salida son una gráfica de IE contra VCE con un rango de valores de IB.
 LÍMITES DE OPERACIÓN
• Para cada transistor hay una región de operación en las
características que garantizará que no se excedan las
capacidades nominales máximas y que la señal de salida
exhiba distorsión mínima.
• Algunos de los límites de operación se explican por sí solos,
como la corriente máxima del colector (normalmente
aparece en la hoja de especificaciones como corriente
continua en el colector) y el voltaje máximo del colector al
emisor (a menudo abreviado VCEO o V(BR)CEO en la hoja de
especificaciones). Para el transistor de la figura, ICmáx se
especificó como 50 mA y VCEO como 20 V. La línea vertical
en las características definida como VCEsat especifica el VCE
mínimo que se puede aplicar sin caer en la región no lineal
llamada región de saturación. El nivel de VCEsat está por lo
común cerca de 0.3 V, especificado para este transistor.
LÍMITES DE OPERACIÓN
• El nivel máximo de disipación lo define la siguiente ecuación:

• Para el dispositivo de la figura, la disipación de potencia del

colector se especificó como 300 mW. El problema es cómo
graficar la curva de disipación de potencia del colector
especificada por el hecho de que:

• En cualquier punto sobre las características el producto de VCE

e IC debe ser igual a 300 mW. Si decidimos que IC sea el valor
máximo de 50 mA.
LÍMITES DE OPERACIÓN
• Si ahora decidimos que VCE tenga su valor máximo de 20 V, el
nivel de IC es el siguiente:

• Para el dispositivo de la figura, la disipación de potencia del

colector se especificó como 300 mW. El problema es cómo
graficar la curva de disipación de potencia del colector
especificada por el hecho de que:

• En cualquier punto sobre las características el producto de VCE

e IC debe ser igual a 300 mW. Si decidimos que IC sea el valor
máximo de 50 mA.
LÍMITES DE OPERACIÓN
• Algunos limites prácticos para emisor
común o colector común pueden ser:

• Para las características de base común el

siguiente producto de cantidades de
salida define la curva de potencia máxima:
HOJAS DE ESPECIFICACIONES
DEL TRANSITOR
• Como la hoja de especificaciones es el vínculo de comunicación entre el fabricante y el usuario. La hoja de
especificaciones puede ser una herramienta muy valiosa en el diseño o modo de análisis y vale la pena
reconocer la importancia de cada parámetro y de cómo puede variar con los niveles variables de corriente,
temperatura, etc.
HOJAS DE ESPECIFICACIONES
DEL TRANSITOR

Si hFE 150 (el límite superior) e

HOJAS DE ESPECIFICACIONES
DEL TRANSITOR
ENCAPSULADO E
IDENTIFICACIÓN
DE LAS TERMINALES DE UN
•TRANSISTOR
Los de construcción para trabajo pesado son dispositivos de alta potencia, en tanto que los de
contenedor pequeño (casquete superior) o de cuerpo de plástico son para dispositivos de baja a
mediana potencia.
 ENCAPSULADO E
IDENTIFICACIÓN
DE LAS TERMINALES DE UN
TRANSISTOR
• Siempre que sea posible, la cápsula
del transistor presentará alguna
marca para indicar cuáles conectores
están conectados al emisor, colector o
base de un transistor. En la figura se
indican algunos métodos
comúnmente utilizados.
Evolución de la manufacturación
del transistor
Preguntas
 Gracias

EBERT SAN ROMAN CASTILLO