4.

- El Transistor Bipolar

Contenido
4.1.- Principio y Regiones de Funcionamiento, factores α y β. 4.2.- Curvas características. 4.3.- Determinación del factor β. 4.4.- Modelo de gran señal (emisor común, base común). 4.5.- El transistor en conmutación. 4.6.- El fototransistor: empleo como detector, aislador.

Introducción
• Transistor NPN: Estructura simplificada

• Transistor PNP: Estructura simplificada

Principio de Funcionamiento .1.4..

• La capa del Emisor se encuentra fuertemente dopada. . disminuyendo la conductividad (disminuye la cantidad de portadores libres). • La base ligeramente dopada • El colector muy poco dopada • Espesor Total/Espesor capa central = 150/1 • Dopado de la capa central es mucho menor que las capas exteriores (10:1).

pocos portadores provenientes del Emisor se dirigiran hacia el terminal de la base. (corriente de portadores minoritarios). (corriente de portadores mayoritarios) – La juntura BC polarizada en inversa. – Por Kirchoff. – Debido a que el material tipo n del centro es delgado y tiene baja conductividad. – La mayor cantidad de portadores mayoritarios provenientes del emisor se difundiran a traves de la Union BC que esta polarizada en inversa hacia el teriminal del Colector .• Operación como amplificador de señales: – La juntura EB polarizada en directa. IC = IC mayoritarios + ICO minoritarios . Resultando una corriente de base del orden de los microamperios (comparado con las corrientes de emisor y colector que estan en el orden de los miliamperios). considerando el transistor como un nodo: IE = I C + IB – IC esta conformada por dos componentes: los portadores mayoritarios y los minoritarios.

.Configuración en Base Común • Notacion mas empleada: en configuracion base comun (la base es comun tanto para el circuito de entrada como para el ciruito de salida).

se muestra 03 zonas basicas de interes: activa. mientras que la union colector – base en inversa. Para la salida. saturacion y corte. se relaciona la corriente de entrada IE y el voltaje de entrada VBE. – • • En la curva de salida. En la region activa. – Para la entrada en configuracion BC.• • Para describir el comportamiento del transistor se deben emplear 02 conjuntos de caracteristicas: Para el punto de excitación y para la salida. En la region activa se puede observar que: – IC ≈ IE . la union base-emisor se encuentra polarizada en directa. para diferentes valores de voltaje de salida VCB. se relaciona la corriente de salida IC con el voltaje de salida VCB. REGION ACTIVA: – – La region activa se utiliza para amplificadores lineales (sin distorsion).

7 V. por lo tanto se puede ignorar los cambios ocasionados por VCB. se puede observar que la variacion de VCB no tiene un efecto importante en la curva caracteristica. • • De la curva caracteristica IE vs VBE. – En la region de corte la union BE y CB estan polarizadas en inversa. donde VBE = 0. la IC aumenta en forma exponencial conforme VCB se acerca a 0 V. REGION DE SATURACION: – La region de saturacion se define como la region a la izquierda de VCB=0 V. las uniones BE y CB se encuentran polarizadas en directa.• REGION DE CORTE: – La region de corte se define como la region donde la IC = 0. . Como la curva IE vs VBE se asemeja a la de un diodo. es posible aproximar dicha curva y emplear el modelo de caida de voltaje constante. – En la region de saturacion.

• Por lo tanto : IC =  IE + ICBO .Factor α • En DC los niveles de IC y IE debido a los portadores mayoritarios se encuentran relacionados por una cantidad llamada .998.9 a 0.  DC= IC / IE • El valor de  esta entre 0.

IC =  IE .Configuración Emisor Común • Las relaciones de corriente encontradas en la configuración base común se aplican en la configuración emisor común: IE = IC + IB.

Característica de entrada: IB vs VBE para un rango de valores de VCE (voltaje de salida). .Emisor Común: Curvas Características de Entrada y Salida • • Característica de salida: IC vs VCE para un rango de valores de IB (corriente de entrada).

– Se puede emplear para amplificar corriente.Emisor Común: Zonas de Operación • Región activa: – la unión base-emisor esta polarizada en directa. voltaje o potencia. Región de corte: – No se encuentra bien definida en comparación a la configuración base común: • I C  I E  I CBO como : I E  I C  I B remplazando : I C   ( I C  I B )  I CBO Ordenando : I C  1 α  IB  I CBO 1 α I CBO 1 α En el corte : I B  0 por lo tanto : I C  Se define: I CE0  I CBO 1  α I B 0 . la unión colector-base polarizada en inversa (similar a la configuración base común).

IC y IE se relacionan mediante el parámetro βDC: IC  DC  • En la practica βDC esta entre 50 y 400.Determinación del Factor β • En el modo DC.. I C  ac  • En modo AC.4. se define como: I B V cte CE • βDC es aproximadamente igual a βac . IB • En las hojas técnicas βDC: se encuentra como hFE.3.

I C   I E . I C   I B 1 1 Entonces :  IC  ó  1   α β β α finalmente:   y β β 1 1 α IC IC .Relación entre α y β Como : I E  I C  I B .

En saturación. Para el circuito mostrado.4. la corriente en el colector aumentara y el voltaje en el colector disminuirá. este modo de operación es SATURACION.4 y 0. Si se aumenta la corriente de base por encima de IB max .5. I C m ax  VCC  VB RC . Se puede llegar a un punto donde el VC es menor que VB y la unión C-B se polarice en directa con un voltaje de polarización entre 0. La Ic max se obtiene al forzar la IB dada por: IB = Ic max / = IB max.. la máxima corriente que el colector puede tomar sin que se salga de la región activa ocurre cuando VCB = 0.2V. La saturación ocurre cuando se intenta forzar una corriente en el colector mayor a la que puede soportar mientras se mantiene en modo activo.6 voltios.El transistor en Conmutación • • • • • • • • El transistor debe operar en la región de corte y de saturación. el VCE ≈ 0. En saturación la relación entre IC y IB ya no es igual a .

por que su valor se puede fijar a voluntad.• Para el ckto de la figura ICsat es igual a: • Para asegurar que el transistor entre en la región de saturación se debe forzar la IB de por lo menos. • El modelo del transistor NPN saturación se muestra en la figura: en . de tal forma que IB sea mayor (de 2 a 10 veces) que IB(EOS). EOS: Edge of saturation (Borde de saturación) I C sat VCC  VCEsat  RC I C sat I B ( EOS )   I C sat IB  forzado  • La razón entre ICsat y IB es forzado. IB(EOS): • Normalmente se diseña el ckto.

.6: ANALISIS DE CIRCUITOS TRANSISTORIZADOS CON CD.Ejemplos • Del libro de SEDRA 4.

4.Modelo de gran señal • Región Activa Directa: (Configuración emisor común) • Cuando la juntura B-E se encuentre polarizada en directa. vBE = 0.7V .4..

. vBE = 0.4.4.Modelo de gran señal • Región Activa Directa: (Configuración base común) • Cuando la juntura B-E se encuentre polarizada en directa.7V .

4. • Revisar Hoja de ejercicios. .5.Transistores en conmutación: Corte y saturación Ejercicios • Revisar documento: Región de saturación y corte..

6.4..El Fototransistor .

• La ICBO se incrementa cuando incide mayor intensidad luminosa en la juntura base-colector.4. por lo que en reemplazo de la corriente de base la entrada al transistor es en forma de luz. siendo el incremento de la corriente de colector (β+1)ICBO .El Fototransistor • Similar a un transistor bipolar.. con la diferencia que no posee terminal de base.6.

El Fototransistor • ICBO depende de la intensidad luminosa incidente .6.4..

4.El Fototransistor .6..

El Fototransistor .4.6..

Optotransistor .6..4.

Optotransistor: Uso como detector Si Vc > 2 Vc < 2 → → Vo = 0V Vo = 5V ..6.4.

4.Optotransistor: Uso como detector Canal obstruido VCE = 5V → VC = 5V → Vc > 2 → Vo = 0V Canal no obstruido Para el diodo IF=20mA VF=1..6.5V 5-IFR-VF = 0 R=175Ω .

4.4V RC= 2..6.Optotransistor: Uso como detector 5-ICRC-VCE = 0 IC=2mA VCE=0.3kΩ .

Se suele utilizar para aislar eléctricamente a dispositivos muy sensibles. .6..4. es un dispositivo de emisión y recepción que funciona como un interruptor excitado mediante la luz emitida por un diodo LED que satura un componente optoelectrónico. también llamado optoaislador o aislador acoplado ópticamente. normalmente en forma de fototransistor.Optotransistor: uso como optoacoplador • Un optoacoplador.

Se suele utilizar para aislar eléctricamente a dispositivos muy sensibles.Optotransistor: Empleo como optoaislador(optoisolator) • Un optoaislador.4.6. es un dispositivo de emisión y recepción que funciona como un interruptor excitado mediante la luz emitida por un diodo LED que satura un componente optoelectrónico. En este dispositivo no se puede interrumpir el canal. .. normalmente en forma de fototransistor.

6..Optoaislador .4.

..Optoaislador • OPTOACOPLADOR • Se busca SEPARAR FÍSICAMENTE la etapa de control digital con la etapa de control de potencia.6.4.

6.Ejemplo: Optoaislador  S1 abierto → ILED = 0 → Fototransistor en corte → Vo = 5V  S1 cerrado → se debe hacer IF=16mA.2V .4.. IC=2mA → VCESAT = 0.

6. .4. Revisaremos los siguientes datos importantes del TIL192..Optoaislador: Hoja de datos Necesitamos conocer información técnica referente a los parámetros del optoacoplador para poder realizar nuestro diseño.

La razón de transferencia de corriente (CTR) es definido como la razón de la corriente de salida del optoacoplador con respecto a su corriente de entrada en tanto por ciento.6.. • CTR.Optoaislador Hoja de datos . .. [(Iout/Iin)(100)].4.

4..Optoaislador Hoja de datos . .6.

4..Optoaislador Hoja de datos . .6.

25V R=234Ω .6.4.Ejemplo: Optoaislador Con S1 cerrado Para el LED 5-ILEDR-VLED=0 De hojas técnicas del optoaislador ILED=16mA@VLED=1..

Ejemplo: Optoaislador  Para el fototransistor 5-ICRC-0..2=0 De las hojas técnicas IC=2mA.4kΩ .6.4. En la ecuación se obtiene RC=2.

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