4.

- El Transistor Bipolar

Contenido
4.1.- Principio y Regiones de Funcionamiento, factores α y β. 4.2.- Curvas características. 4.3.- Determinación del factor β. 4.4.- Modelo de gran señal (emisor común, base común). 4.5.- El transistor en conmutación. 4.6.- El fototransistor: empleo como detector, aislador.

Introducción
• Transistor NPN: Estructura simplificada

• Transistor PNP: Estructura simplificada

Principio de Funcionamiento .1.4..

• La capa del Emisor se encuentra fuertemente dopada. disminuyendo la conductividad (disminuye la cantidad de portadores libres). . • La base ligeramente dopada • El colector muy poco dopada • Espesor Total/Espesor capa central = 150/1 • Dopado de la capa central es mucho menor que las capas exteriores (10:1).

– Por Kirchoff. – Debido a que el material tipo n del centro es delgado y tiene baja conductividad. (corriente de portadores minoritarios).• Operación como amplificador de señales: – La juntura EB polarizada en directa. considerando el transistor como un nodo: IE = I C + IB – IC esta conformada por dos componentes: los portadores mayoritarios y los minoritarios. pocos portadores provenientes del Emisor se dirigiran hacia el terminal de la base. IC = IC mayoritarios + ICO minoritarios . – La mayor cantidad de portadores mayoritarios provenientes del emisor se difundiran a traves de la Union BC que esta polarizada en inversa hacia el teriminal del Colector . (corriente de portadores mayoritarios) – La juntura BC polarizada en inversa. Resultando una corriente de base del orden de los microamperios (comparado con las corrientes de emisor y colector que estan en el orden de los miliamperios).

.Configuración en Base Común • Notacion mas empleada: en configuracion base comun (la base es comun tanto para el circuito de entrada como para el ciruito de salida).

Para la salida. mientras que la union colector – base en inversa. En la region activa se puede observar que: – IC ≈ IE . se muestra 03 zonas basicas de interes: activa. saturacion y corte. para diferentes valores de voltaje de salida VCB. se relaciona la corriente de entrada IE y el voltaje de entrada VBE. En la region activa. – • • En la curva de salida. la union base-emisor se encuentra polarizada en directa. – Para la entrada en configuracion BC. REGION ACTIVA: – – La region activa se utiliza para amplificadores lineales (sin distorsion).• • Para describir el comportamiento del transistor se deben emplear 02 conjuntos de caracteristicas: Para el punto de excitación y para la salida. se relaciona la corriente de salida IC con el voltaje de salida VCB.

la IC aumenta en forma exponencial conforme VCB se acerca a 0 V. REGION DE SATURACION: – La region de saturacion se define como la region a la izquierda de VCB=0 V. es posible aproximar dicha curva y emplear el modelo de caida de voltaje constante. . Como la curva IE vs VBE se asemeja a la de un diodo. se puede observar que la variacion de VCB no tiene un efecto importante en la curva caracteristica. – En la region de saturacion. • • De la curva caracteristica IE vs VBE. las uniones BE y CB se encuentran polarizadas en directa.• REGION DE CORTE: – La region de corte se define como la region donde la IC = 0. – En la region de corte la union BE y CB estan polarizadas en inversa. por lo tanto se puede ignorar los cambios ocasionados por VCB. donde VBE = 0.7 V.

Factor α • En DC los niveles de IC y IE debido a los portadores mayoritarios se encuentran relacionados por una cantidad llamada .9 a 0.  DC= IC / IE • El valor de  esta entre 0. • Por lo tanto : IC =  IE + ICBO .998.

Configuración Emisor Común • Las relaciones de corriente encontradas en la configuración base común se aplican en la configuración emisor común: IE = IC + IB. IC =  IE .

Característica de entrada: IB vs VBE para un rango de valores de VCE (voltaje de salida).Emisor Común: Curvas Características de Entrada y Salida • • Característica de salida: IC vs VCE para un rango de valores de IB (corriente de entrada). .

voltaje o potencia.Emisor Común: Zonas de Operación • Región activa: – la unión base-emisor esta polarizada en directa. la unión colector-base polarizada en inversa (similar a la configuración base común). Región de corte: – No se encuentra bien definida en comparación a la configuración base común: • I C  I E  I CBO como : I E  I C  I B remplazando : I C   ( I C  I B )  I CBO Ordenando : I C  1 α  IB  I CBO 1 α I CBO 1 α En el corte : I B  0 por lo tanto : I C  Se define: I CE0  I CBO 1  α I B 0 . – Se puede emplear para amplificar corriente.

I C  ac  • En modo AC. IB • En las hojas técnicas βDC: se encuentra como hFE..Determinación del Factor β • En el modo DC. se define como: I B V cte CE • βDC es aproximadamente igual a βac .3.4. IC y IE se relacionan mediante el parámetro βDC: IC  DC  • En la practica βDC esta entre 50 y 400.

I C   I E . I C   I B 1 1 Entonces :  IC  ó  1   α β β α finalmente:   y β β 1 1 α IC IC .Relación entre α y β Como : I E  I C  I B .

La saturación ocurre cuando se intenta forzar una corriente en el colector mayor a la que puede soportar mientras se mantiene en modo activo.5.4. En saturación la relación entre IC y IB ya no es igual a . La Ic max se obtiene al forzar la IB dada por: IB = Ic max / = IB max. En saturación. la corriente en el colector aumentara y el voltaje en el colector disminuirá.2V. Se puede llegar a un punto donde el VC es menor que VB y la unión C-B se polarice en directa con un voltaje de polarización entre 0. la máxima corriente que el colector puede tomar sin que se salga de la región activa ocurre cuando VCB = 0. Si se aumenta la corriente de base por encima de IB max . Para el circuito mostrado. el VCE ≈ 0.. I C m ax  VCC  VB RC . este modo de operación es SATURACION.El transistor en Conmutación • • • • • • • • El transistor debe operar en la región de corte y de saturación.4 y 0.6 voltios.

• El modelo del transistor NPN saturación se muestra en la figura: en . por que su valor se puede fijar a voluntad. EOS: Edge of saturation (Borde de saturación) I C sat VCC  VCEsat  RC I C sat I B ( EOS )   I C sat IB  forzado  • La razón entre ICsat y IB es forzado.• Para el ckto de la figura ICsat es igual a: • Para asegurar que el transistor entre en la región de saturación se debe forzar la IB de por lo menos. de tal forma que IB sea mayor (de 2 a 10 veces) que IB(EOS). IB(EOS): • Normalmente se diseña el ckto.

Ejemplos • Del libro de SEDRA 4.6: ANALISIS DE CIRCUITOS TRANSISTORIZADOS CON CD. .

7V .4. vBE = 0..Modelo de gran señal • Región Activa Directa: (Configuración emisor común) • Cuando la juntura B-E se encuentre polarizada en directa.4.

.7V . vBE = 0.4.Modelo de gran señal • Región Activa Directa: (Configuración base común) • Cuando la juntura B-E se encuentre polarizada en directa.4.

. • Revisar Hoja de ejercicios.Transistores en conmutación: Corte y saturación Ejercicios • Revisar documento: Región de saturación y corte.4.5. .

El Fototransistor ..6.4.

siendo el incremento de la corriente de colector (β+1)ICBO .. por lo que en reemplazo de la corriente de base la entrada al transistor es en forma de luz.4. con la diferencia que no posee terminal de base. • La ICBO se incrementa cuando incide mayor intensidad luminosa en la juntura base-colector.El Fototransistor • Similar a un transistor bipolar.6.

El Fototransistor • ICBO depende de la intensidad luminosa incidente .4..6.

4.El Fototransistor .6..

.6.El Fototransistor .4.

Optotransistor .4.6..

.4.Optotransistor: Uso como detector Si Vc > 2 Vc < 2 → → Vo = 0V Vo = 5V .6.

4.5V 5-IFR-VF = 0 R=175Ω .Optotransistor: Uso como detector Canal obstruido VCE = 5V → VC = 5V → Vc > 2 → Vo = 0V Canal no obstruido Para el diodo IF=20mA VF=1.6..

3kΩ ..Optotransistor: Uso como detector 5-ICRC-VCE = 0 IC=2mA VCE=0.4.6.4V RC= 2.

es un dispositivo de emisión y recepción que funciona como un interruptor excitado mediante la luz emitida por un diodo LED que satura un componente optoelectrónico.Optotransistor: uso como optoacoplador • Un optoacoplador. . normalmente en forma de fototransistor.4.6. Se suele utilizar para aislar eléctricamente a dispositivos muy sensibles. también llamado optoaislador o aislador acoplado ópticamente..

es un dispositivo de emisión y recepción que funciona como un interruptor excitado mediante la luz emitida por un diodo LED que satura un componente optoelectrónico.4.6.Optotransistor: Empleo como optoaislador(optoisolator) • Un optoaislador. En este dispositivo no se puede interrumpir el canal.. . Se suele utilizar para aislar eléctricamente a dispositivos muy sensibles. normalmente en forma de fototransistor.

.4.Optoaislador .6.

6.4.Optoaislador • OPTOACOPLADOR • Se busca SEPARAR FÍSICAMENTE la etapa de control digital con la etapa de control de potencia.. .

2V .6.4. IC=2mA → VCESAT = 0..Ejemplo: Optoaislador  S1 abierto → ILED = 0 → Fototransistor en corte → Vo = 5V  S1 cerrado → se debe hacer IF=16mA.

.6. . Revisaremos los siguientes datos importantes del TIL192.4.Optoaislador: Hoja de datos Necesitamos conocer información técnica referente a los parámetros del optoacoplador para poder realizar nuestro diseño.

. [(Iout/Iin)(100)]. • CTR..Optoaislador Hoja de datos ..La razón de transferencia de corriente (CTR) es definido como la razón de la corriente de salida del optoacoplador con respecto a su corriente de entrada en tanto por ciento.6.4.

6..Optoaislador Hoja de datos .4. .

.4..6.Optoaislador Hoja de datos .

4.Ejemplo: Optoaislador Con S1 cerrado Para el LED 5-ILEDR-VLED=0 De hojas técnicas del optoaislador ILED=16mA@VLED=1.25V R=234Ω ..6.

En la ecuación se obtiene RC=2.Ejemplo: Optoaislador  Para el fototransistor 5-ICRC-0.6.2=0 De las hojas técnicas IC=2mA..4kΩ .4.

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