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5 El Transistor Bipolar, corte saturación, optotransistor

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4.

- El Transistor Bipolar

Contenido
4.1.- Principio y Regiones de Funcionamiento, factores α y β. 4.2.- Curvas características. 4.3.- Determinación del factor β. 4.4.- Modelo de gran señal (emisor común, base común). 4.5.- El transistor en conmutación. 4.6.- El fototransistor: empleo como detector, aislador.

Introducción
• Transistor NPN: Estructura simplificada

• Transistor PNP: Estructura simplificada

.1.4.Principio de Funcionamiento .

disminuyendo la conductividad (disminuye la cantidad de portadores libres).• La capa del Emisor se encuentra fuertemente dopada. • La base ligeramente dopada • El colector muy poco dopada • Espesor Total/Espesor capa central = 150/1 • Dopado de la capa central es mucho menor que las capas exteriores (10:1). .

(corriente de portadores minoritarios). – La mayor cantidad de portadores mayoritarios provenientes del emisor se difundiran a traves de la Union BC que esta polarizada en inversa hacia el teriminal del Colector . – Debido a que el material tipo n del centro es delgado y tiene baja conductividad. IC = IC mayoritarios + ICO minoritarios .• Operación como amplificador de señales: – La juntura EB polarizada en directa. considerando el transistor como un nodo: IE = I C + IB – IC esta conformada por dos componentes: los portadores mayoritarios y los minoritarios. (corriente de portadores mayoritarios) – La juntura BC polarizada en inversa. – Por Kirchoff. Resultando una corriente de base del orden de los microamperios (comparado con las corrientes de emisor y colector que estan en el orden de los miliamperios). pocos portadores provenientes del Emisor se dirigiran hacia el terminal de la base.

.Configuración en Base Común • Notacion mas empleada: en configuracion base comun (la base es comun tanto para el circuito de entrada como para el ciruito de salida).

Para la salida. saturacion y corte. para diferentes valores de voltaje de salida VCB. se relaciona la corriente de salida IC con el voltaje de salida VCB. En la region activa. En la region activa se puede observar que: – IC ≈ IE . se muestra 03 zonas basicas de interes: activa. mientras que la union colector – base en inversa. – • • En la curva de salida. REGION ACTIVA: – – La region activa se utiliza para amplificadores lineales (sin distorsion).• • Para describir el comportamiento del transistor se deben emplear 02 conjuntos de caracteristicas: Para el punto de excitación y para la salida. la union base-emisor se encuentra polarizada en directa. – Para la entrada en configuracion BC. se relaciona la corriente de entrada IE y el voltaje de entrada VBE.

• REGION DE CORTE: – La region de corte se define como la region donde la IC = 0. . Como la curva IE vs VBE se asemeja a la de un diodo. se puede observar que la variacion de VCB no tiene un efecto importante en la curva caracteristica. es posible aproximar dicha curva y emplear el modelo de caida de voltaje constante. – En la region de saturacion. por lo tanto se puede ignorar los cambios ocasionados por VCB. • • De la curva caracteristica IE vs VBE. las uniones BE y CB se encuentran polarizadas en directa.7 V. donde VBE = 0. REGION DE SATURACION: – La region de saturacion se define como la region a la izquierda de VCB=0 V. – En la region de corte la union BE y CB estan polarizadas en inversa. la IC aumenta en forma exponencial conforme VCB se acerca a 0 V.

• Por lo tanto : IC =  IE + ICBO .998.  DC= IC / IE • El valor de  esta entre 0.9 a 0.Factor α • En DC los niveles de IC y IE debido a los portadores mayoritarios se encuentran relacionados por una cantidad llamada .

Configuración Emisor Común • Las relaciones de corriente encontradas en la configuración base común se aplican en la configuración emisor común: IE = IC + IB. IC =  IE .

Característica de entrada: IB vs VBE para un rango de valores de VCE (voltaje de salida). .Emisor Común: Curvas Características de Entrada y Salida • • Característica de salida: IC vs VCE para un rango de valores de IB (corriente de entrada).

– Se puede emplear para amplificar corriente.Emisor Común: Zonas de Operación • Región activa: – la unión base-emisor esta polarizada en directa. Región de corte: – No se encuentra bien definida en comparación a la configuración base común: • I C  I E  I CBO como : I E  I C  I B remplazando : I C   ( I C  I B )  I CBO Ordenando : I C  1 α  IB  I CBO 1 α I CBO 1 α En el corte : I B  0 por lo tanto : I C  Se define: I CE0  I CBO 1  α I B 0 . voltaje o potencia. la unión colector-base polarizada en inversa (similar a la configuración base común).

4. I C  ac  • En modo AC. se define como: I B V cte CE • βDC es aproximadamente igual a βac ..Determinación del Factor β • En el modo DC. IC y IE se relacionan mediante el parámetro βDC: IC  DC  • En la practica βDC esta entre 50 y 400.3. IB • En las hojas técnicas βDC: se encuentra como hFE.

Relación entre α y β Como : I E  I C  I B . I C   I B 1 1 Entonces :  IC  ó  1   α β β α finalmente:   y β β 1 1 α IC IC . I C   I E .

4. En saturación. La Ic max se obtiene al forzar la IB dada por: IB = Ic max / = IB max. La saturación ocurre cuando se intenta forzar una corriente en el colector mayor a la que puede soportar mientras se mantiene en modo activo.2V. Se puede llegar a un punto donde el VC es menor que VB y la unión C-B se polarice en directa con un voltaje de polarización entre 0. este modo de operación es SATURACION. Para el circuito mostrado. la corriente en el colector aumentara y el voltaje en el colector disminuirá. Si se aumenta la corriente de base por encima de IB max .5. el VCE ≈ 0. la máxima corriente que el colector puede tomar sin que se salga de la región activa ocurre cuando VCB = 0.El transistor en Conmutación • • • • • • • • El transistor debe operar en la región de corte y de saturación.4 y 0.. I C m ax  VCC  VB RC . En saturación la relación entre IC y IB ya no es igual a .6 voltios.

de tal forma que IB sea mayor (de 2 a 10 veces) que IB(EOS). por que su valor se puede fijar a voluntad. EOS: Edge of saturation (Borde de saturación) I C sat VCC  VCEsat  RC I C sat I B ( EOS )   I C sat IB  forzado  • La razón entre ICsat y IB es forzado. • El modelo del transistor NPN saturación se muestra en la figura: en . IB(EOS): • Normalmente se diseña el ckto.• Para el ckto de la figura ICsat es igual a: • Para asegurar que el transistor entre en la región de saturación se debe forzar la IB de por lo menos.

6: ANALISIS DE CIRCUITOS TRANSISTORIZADOS CON CD. .Ejemplos • Del libro de SEDRA 4.

4.7V .4.Modelo de gran señal • Región Activa Directa: (Configuración emisor común) • Cuando la juntura B-E se encuentre polarizada en directa. vBE = 0..

vBE = 0.Modelo de gran señal • Región Activa Directa: (Configuración base común) • Cuando la juntura B-E se encuentre polarizada en directa..4.4.7V .

. • Revisar Hoja de ejercicios..Transistores en conmutación: Corte y saturación Ejercicios • Revisar documento: Región de saturación y corte.4.5.

El Fototransistor ..4.6.

4. por lo que en reemplazo de la corriente de base la entrada al transistor es en forma de luz. con la diferencia que no posee terminal de base. • La ICBO se incrementa cuando incide mayor intensidad luminosa en la juntura base-colector..6.El Fototransistor • Similar a un transistor bipolar. siendo el incremento de la corriente de colector (β+1)ICBO .

El Fototransistor • ICBO depende de la intensidad luminosa incidente ..6.4.

El Fototransistor .6..4.

4.El Fototransistor ..6.

.Optotransistor .4.6.

4..Optotransistor: Uso como detector Si Vc > 2 Vc < 2 → → Vo = 0V Vo = 5V .6.

5V 5-IFR-VF = 0 R=175Ω .4..Optotransistor: Uso como detector Canal obstruido VCE = 5V → VC = 5V → Vc > 2 → Vo = 0V Canal no obstruido Para el diodo IF=20mA VF=1.6.

3kΩ .4.4V RC= 2..Optotransistor: Uso como detector 5-ICRC-VCE = 0 IC=2mA VCE=0.6.

4. también llamado optoaislador o aislador acoplado ópticamente.. es un dispositivo de emisión y recepción que funciona como un interruptor excitado mediante la luz emitida por un diodo LED que satura un componente optoelectrónico. normalmente en forma de fototransistor. .Optotransistor: uso como optoacoplador • Un optoacoplador.6. Se suele utilizar para aislar eléctricamente a dispositivos muy sensibles.

. Se suele utilizar para aislar eléctricamente a dispositivos muy sensibles.6. normalmente en forma de fototransistor. es un dispositivo de emisión y recepción que funciona como un interruptor excitado mediante la luz emitida por un diodo LED que satura un componente optoelectrónico..4.Optotransistor: Empleo como optoaislador(optoisolator) • Un optoaislador. En este dispositivo no se puede interrumpir el canal.

4.6..Optoaislador .

.Optoaislador • OPTOACOPLADOR • Se busca SEPARAR FÍSICAMENTE la etapa de control digital con la etapa de control de potencia.6..4.

IC=2mA → VCESAT = 0.4.2V ..6.Ejemplo: Optoaislador  S1 abierto → ILED = 0 → Fototransistor en corte → Vo = 5V  S1 cerrado → se debe hacer IF=16mA.

4.Optoaislador: Hoja de datos Necesitamos conocer información técnica referente a los parámetros del optoacoplador para poder realizar nuestro diseño. .. Revisaremos los siguientes datos importantes del TIL192.6.

Optoaislador Hoja de datos .6... • CTR. [(Iout/Iin)(100)]. .4.La razón de transferencia de corriente (CTR) es definido como la razón de la corriente de salida del optoacoplador con respecto a su corriente de entrada en tanto por ciento.

Optoaislador Hoja de datos .6. ..4.

.6..Optoaislador Hoja de datos .4.

4.25V R=234Ω ..6.Ejemplo: Optoaislador Con S1 cerrado Para el LED 5-ILEDR-VLED=0 De hojas técnicas del optoaislador ILED=16mA@VLED=1.

2=0 De las hojas técnicas IC=2mA.4..Ejemplo: Optoaislador  Para el fototransistor 5-ICRC-0.4kΩ . En la ecuación se obtiene RC=2.6.

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