4.

- El Transistor Bipolar

Contenido
4.1.- Principio y Regiones de Funcionamiento, factores α y β. 4.2.- Curvas características. 4.3.- Determinación del factor β. 4.4.- Modelo de gran señal (emisor común, base común). 4.5.- El transistor en conmutación. 4.6.- El fototransistor: empleo como detector, aislador.

Introducción
• Transistor NPN: Estructura simplificada

• Transistor PNP: Estructura simplificada

.4.1.Principio de Funcionamiento .

• La base ligeramente dopada • El colector muy poco dopada • Espesor Total/Espesor capa central = 150/1 • Dopado de la capa central es mucho menor que las capas exteriores (10:1). disminuyendo la conductividad (disminuye la cantidad de portadores libres). .• La capa del Emisor se encuentra fuertemente dopada.

considerando el transistor como un nodo: IE = I C + IB – IC esta conformada por dos componentes: los portadores mayoritarios y los minoritarios. pocos portadores provenientes del Emisor se dirigiran hacia el terminal de la base. Resultando una corriente de base del orden de los microamperios (comparado con las corrientes de emisor y colector que estan en el orden de los miliamperios). (corriente de portadores minoritarios).• Operación como amplificador de señales: – La juntura EB polarizada en directa. – Por Kirchoff. – La mayor cantidad de portadores mayoritarios provenientes del emisor se difundiran a traves de la Union BC que esta polarizada en inversa hacia el teriminal del Colector . – Debido a que el material tipo n del centro es delgado y tiene baja conductividad. IC = IC mayoritarios + ICO minoritarios . (corriente de portadores mayoritarios) – La juntura BC polarizada en inversa.

.Configuración en Base Común • Notacion mas empleada: en configuracion base comun (la base es comun tanto para el circuito de entrada como para el ciruito de salida).

la union base-emisor se encuentra polarizada en directa. mientras que la union colector – base en inversa. para diferentes valores de voltaje de salida VCB. saturacion y corte. se relaciona la corriente de salida IC con el voltaje de salida VCB. – • • En la curva de salida. se muestra 03 zonas basicas de interes: activa. En la region activa se puede observar que: – IC ≈ IE . Para la salida. – Para la entrada en configuracion BC. En la region activa. REGION ACTIVA: – – La region activa se utiliza para amplificadores lineales (sin distorsion).• • Para describir el comportamiento del transistor se deben emplear 02 conjuntos de caracteristicas: Para el punto de excitación y para la salida. se relaciona la corriente de entrada IE y el voltaje de entrada VBE.

la IC aumenta en forma exponencial conforme VCB se acerca a 0 V.• REGION DE CORTE: – La region de corte se define como la region donde la IC = 0. por lo tanto se puede ignorar los cambios ocasionados por VCB. REGION DE SATURACION: – La region de saturacion se define como la region a la izquierda de VCB=0 V. Como la curva IE vs VBE se asemeja a la de un diodo. – En la region de corte la union BE y CB estan polarizadas en inversa.7 V. . es posible aproximar dicha curva y emplear el modelo de caida de voltaje constante. se puede observar que la variacion de VCB no tiene un efecto importante en la curva caracteristica. las uniones BE y CB se encuentran polarizadas en directa. – En la region de saturacion. • • De la curva caracteristica IE vs VBE. donde VBE = 0.

998.9 a 0. • Por lo tanto : IC =  IE + ICBO .  DC= IC / IE • El valor de  esta entre 0.Factor α • En DC los niveles de IC y IE debido a los portadores mayoritarios se encuentran relacionados por una cantidad llamada .

IC =  IE .Configuración Emisor Común • Las relaciones de corriente encontradas en la configuración base común se aplican en la configuración emisor común: IE = IC + IB.

Característica de entrada: IB vs VBE para un rango de valores de VCE (voltaje de salida).Emisor Común: Curvas Características de Entrada y Salida • • Característica de salida: IC vs VCE para un rango de valores de IB (corriente de entrada). .

voltaje o potencia. – Se puede emplear para amplificar corriente. la unión colector-base polarizada en inversa (similar a la configuración base común). Región de corte: – No se encuentra bien definida en comparación a la configuración base común: • I C  I E  I CBO como : I E  I C  I B remplazando : I C   ( I C  I B )  I CBO Ordenando : I C  1 α  IB  I CBO 1 α I CBO 1 α En el corte : I B  0 por lo tanto : I C  Se define: I CE0  I CBO 1  α I B 0 .Emisor Común: Zonas de Operación • Región activa: – la unión base-emisor esta polarizada en directa.

IC y IE se relacionan mediante el parámetro βDC: IC  DC  • En la practica βDC esta entre 50 y 400. IB • En las hojas técnicas βDC: se encuentra como hFE. I C  ac  • En modo AC. se define como: I B V cte CE • βDC es aproximadamente igual a βac .3..4.Determinación del Factor β • En el modo DC.

I C   I E . I C   I B 1 1 Entonces :  IC  ó  1   α β β α finalmente:   y β β 1 1 α IC IC .Relación entre α y β Como : I E  I C  I B .

En saturación la relación entre IC y IB ya no es igual a . el VCE ≈ 0. la corriente en el colector aumentara y el voltaje en el colector disminuirá.2V.El transistor en Conmutación • • • • • • • • El transistor debe operar en la región de corte y de saturación.4. La saturación ocurre cuando se intenta forzar una corriente en el colector mayor a la que puede soportar mientras se mantiene en modo activo. Si se aumenta la corriente de base por encima de IB max .4 y 0. En saturación. este modo de operación es SATURACION. Para el circuito mostrado. la máxima corriente que el colector puede tomar sin que se salga de la región activa ocurre cuando VCB = 0.6 voltios. La Ic max se obtiene al forzar la IB dada por: IB = Ic max / = IB max. Se puede llegar a un punto donde el VC es menor que VB y la unión C-B se polarice en directa con un voltaje de polarización entre 0.5.. I C m ax  VCC  VB RC .

• El modelo del transistor NPN saturación se muestra en la figura: en . EOS: Edge of saturation (Borde de saturación) I C sat VCC  VCEsat  RC I C sat I B ( EOS )   I C sat IB  forzado  • La razón entre ICsat y IB es forzado. de tal forma que IB sea mayor (de 2 a 10 veces) que IB(EOS).• Para el ckto de la figura ICsat es igual a: • Para asegurar que el transistor entre en la región de saturación se debe forzar la IB de por lo menos. IB(EOS): • Normalmente se diseña el ckto. por que su valor se puede fijar a voluntad.

Ejemplos • Del libro de SEDRA 4.6: ANALISIS DE CIRCUITOS TRANSISTORIZADOS CON CD. .

4.7V . vBE = 0..Modelo de gran señal • Región Activa Directa: (Configuración emisor común) • Cuando la juntura B-E se encuentre polarizada en directa.4.

.7V .4. vBE = 0.4.Modelo de gran señal • Región Activa Directa: (Configuración base común) • Cuando la juntura B-E se encuentre polarizada en directa.

.Transistores en conmutación: Corte y saturación Ejercicios • Revisar documento: Región de saturación y corte.4.5. . • Revisar Hoja de ejercicios.

.6.El Fototransistor .4.

siendo el incremento de la corriente de colector (β+1)ICBO . por lo que en reemplazo de la corriente de base la entrada al transistor es en forma de luz.El Fototransistor • Similar a un transistor bipolar.4.6.. con la diferencia que no posee terminal de base. • La ICBO se incrementa cuando incide mayor intensidad luminosa en la juntura base-colector.

4.6..El Fototransistor • ICBO depende de la intensidad luminosa incidente .

4.6..El Fototransistor .

El Fototransistor ..4.6.

.6.Optotransistor .4.

.Optotransistor: Uso como detector Si Vc > 2 Vc < 2 → → Vo = 0V Vo = 5V .6.4.

4..6.Optotransistor: Uso como detector Canal obstruido VCE = 5V → VC = 5V → Vc > 2 → Vo = 0V Canal no obstruido Para el diodo IF=20mA VF=1.5V 5-IFR-VF = 0 R=175Ω .

4V RC= 2.Optotransistor: Uso como detector 5-ICRC-VCE = 0 IC=2mA VCE=0..4.3kΩ .6.

.Optotransistor: uso como optoacoplador • Un optoacoplador. Se suele utilizar para aislar eléctricamente a dispositivos muy sensibles. es un dispositivo de emisión y recepción que funciona como un interruptor excitado mediante la luz emitida por un diodo LED que satura un componente optoelectrónico. normalmente en forma de fototransistor.4. también llamado optoaislador o aislador acoplado ópticamente.6..

normalmente en forma de fototransistor. Se suele utilizar para aislar eléctricamente a dispositivos muy sensibles..6.Optotransistor: Empleo como optoaislador(optoisolator) • Un optoaislador. . En este dispositivo no se puede interrumpir el canal. es un dispositivo de emisión y recepción que funciona como un interruptor excitado mediante la luz emitida por un diodo LED que satura un componente optoelectrónico.4.

Optoaislador .6..4.

4.Optoaislador • OPTOACOPLADOR • Se busca SEPARAR FÍSICAMENTE la etapa de control digital con la etapa de control de potencia. .6..

4. IC=2mA → VCESAT = 0..6.2V .Ejemplo: Optoaislador  S1 abierto → ILED = 0 → Fototransistor en corte → Vo = 5V  S1 cerrado → se debe hacer IF=16mA.

6. Revisaremos los siguientes datos importantes del TIL192..4. .Optoaislador: Hoja de datos Necesitamos conocer información técnica referente a los parámetros del optoacoplador para poder realizar nuestro diseño.

6. . [(Iout/Iin)(100)]. • CTR.La razón de transferencia de corriente (CTR) es definido como la razón de la corriente de salida del optoacoplador con respecto a su corriente de entrada en tanto por ciento..4.Optoaislador Hoja de datos ..

6.Optoaislador Hoja de datos ..4. .

.Optoaislador Hoja de datos ..4.6.

.Ejemplo: Optoaislador Con S1 cerrado Para el LED 5-ILEDR-VLED=0 De hojas técnicas del optoaislador ILED=16mA@VLED=1.6.4.25V R=234Ω .

Ejemplo: Optoaislador  Para el fototransistor 5-ICRC-0. En la ecuación se obtiene RC=2.4kΩ .2=0 De las hojas técnicas IC=2mA.6..4.

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