Polarización de MOSFETS

MSc. Ebert San Roman

MOSFET TIPO EMPOBRECIMIENTO
• La semejanza entre las curvas de transferencia de los JFET y de los MOSFET tipo empobrecimiento
permite analizarlos de la misma manera en el dominio de cd.
• La única parte indefinida del análisis es cómo trazar la ecuación de Shockley para valores positivos
de VGS, con valores de ID mayores al IDSS.
EJEMPLO 1
• Para el MOSFET tipo empobrecimiento de canal n de la figura, determine:
a. IDQ y VGSQ
b. VDS.
 EJEMPLO 1
Dibujando algunos puntos extras con VGS positivos de la curva
del Mosfet

Encontrando el punto de polarización a través del divisor

de tensión en la entrada.
 EJEMPLO 1
Estableciendo ID = 0 mA resulta

Estableciendo VGS = 0 V resulta

Los puntos de la gráfica y la línea de polarización

EJEMPLO 2
• Repita el ejemplo 1, con RS = 150 Ω.

Los puntos de la gráfica son los mismos para la curva

de transferencia del Mosfet.

Para la línea de polarización tenemos:

EJEMPLO 3
• Determine lo siguiente para la red de la figura.
a. IDQ y VGSQ
b. VDS.
EJEMPLO 3
• La configuración de autopolarización da:

Calculando los puntos de la gráfica de la curva de

transferencia del Mosfet.
EJEMPLO 3
• La curva de transferencia resultante aparece en la figura. Para
la línea de polarización de la red en VGS = 0 V, ID = 0 mA. Al
seleccionar VGS= -6 V obtenemos.

• Encontrando el Punto Q.

• Finalmente hallando VD
EJEMPLO 4
• Determine VDS para la red de la figura.

La conexión directa entre la compuerta y la fuente requiere que:

Como VGS se mantiene fijo a 0 V, la corriente de drenaje debe ser

IDSS (por definición). Es decir,

𝐼 𝐷𝑄= 𝐼 𝐷𝑆𝑆
MOSFET TIPO ENRIQUECIMIENTO
• Las características de transferencia del MOSFET tipo enriquecimiento son bastante diferentes de las del JFET
y de los MOSFET tipo empobrecimiento, que llevan a una solución gráfica bastante diferente de las de las
secciones precedentes.
• La corriente de drenaje se define como:
 Configuración de polarización por
realimentación
• Es una configuración de polarización muy
popular para los MOSFET tipo
enriquecimiento. El resistor RG aporta un
voltaje apropiadamente grande a la compuerta
para “encender” el MOSFET. Como IG=0 mA y
la red equivalente aparece como se muestra en
la figura.
Configuración de polarización por
realimentación
• Dada la ecuación procedemos a encontrar la
ecuación de la recta.

• Sustituyendo cuando ID=0mA.

• Sustituyendo cuando VGS= 0V.

 EJEMPLO 5
• Determine IDQ y VDSQ para el MOSFET tipo enriquecimiento
de la figura.

• Para VGS = 6 V (entre 3 y 8 V).

• Con VGS = 10 V (un poco mayor que VGS(Th))

EJEMPLO 5
• Para la línea de polarización de la red
Configuración de polarización por medio
del divisor de voltaje
• El hecho de que IG = 0 mA da por resultado la siguiente ecuación para
VGG derivada con la regla del divisor de voltaje:

• Aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff.

EJEMPLO 6
• Determine y VDS para la red de la figura.

• Cuando ID = 0 mA.

• Cuando VGS = 0 V.
EJEMPLO 6
Tabla Resumen
Tabla Resumen
Tabla Resumen
Preguntas
 Gracias

EBERT SAN ROMAN CASTILLO