CAPITULO 6.

NONEQUILIBRIUM EXCESS CARRIERS IN SEMICONDUCTORS.

Generacin y recombinacin de
portadores.

Los electrones
son
trmicamente
excitados de la
BV a la BC.

El proceso de
recombinacin
aniquila al
electrn y al
hueco.

En el equilibrio
trmico la
concentracin
neta de
portadores es
independiente2
del tiempo.

La relacin a la
cual los
electrones y
huecos son
generados y la
razn a la cual se
recombinan debe
ser igual.

Los electrones y
huecos son
creados en pares,
para la
generacin
directa banda a
banda.

GENERACIN Y RECOMBINACIN DE PORTADORES EN EXCESO.

Cuando los e- y h+ son creados, la concentracin de e- en
la BC y la de h+ en la BV incrementa por arriba de su valor
de equilibrio trmico.
Concentracion
es en el
equilibrio
trmico.

Concentracin
de electrones
y huecos en
exceso.

EJEMPLO.

6.2 CARACTERSTICAS DE PORTADORES

EN EXCESO.
Ecuaciones de continuidad.
Elemento

diferencial de volumen,
en el cual el flujo unidimensional de
una partcula (hueco) est entrando
al elemento diferencial en x, y est
saliendo del elemento en x+dx.
Para el componente x de la densidad de
corriente de la partcula.

Flujo de la
partculahueco.
Holes/cm
2-s

Incremento en el nmero de huecos por unidad de tiempo dentro del elemento

diferencial de volumen debido al componente en x del flujo total:

Ecuacin de
continuidad para
huecos
Ecuacin de
continuidad para
electrones
7

ECUACIONES DE LA DIFUSIN
DEPENDIENTE DEL TIEMPO.
Para
huecos
Para
electrone
s.
Describen el comportamiento en el espacio y tiempo de los
portadores en exceso.

Las concentraciones de electrones y huecos son funciones del

equilibrio trmico y de los valores en exceso.
Las concentraciones en el equilibrio trmico (n00,p00) no son
funciones del tiempo.

EJEMPLO.

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TRANSPORTE AMBIPOLAR.
El campo elctrico crea una fuerza atrayente entre electrones
y huecos.

Los

electrones cargados negativamente y los huecos

cargados positivamente se difunden juntos con un nico
coeficiente de difusin o de movilidad.

11

ECUACIN DE TRANSPORTE AMBIPOLAR.

Describe el comportamiento de los electrones y huecos en
exceso en el tiempo y en el espacio.

Coeficient
e de
difusin
ambipola
r
Movilidad
ambipolar
.

12

 La ecuacin de transporte ambipolar se puede simplificar si

se considera un semiconductor extrnseco y un bajo nivel de
inyeccin. El coeficiente de difusin ambipolar se expresa:

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 La condicin de bajo nivel de inyeccin significa

que la concentracin del exceso de portadores es
ms pequea que la concentracin en equilibrio
trmico de los portadores minoritarios.
Para el semiconductor tipo p la baja inyeccin
implica que n<<p0.
Asumiendo que n0<<p0 y que Dn y Dp son del
mismo orden de magnitud:

El coeficiente de difusin ambipolar se reduce a:

14

Si se aplican a la movilidad ambipolar

las condiciones de semiconductor
extrnseco tipo p y baja inyeccin:

Para un semiconductor extrnseco tipo p en

inyeccin baja, el coeficiente aambipolar de difusin
y el coeficiente ambipolar de movilidad se reducen
a los valores de los portadores de electrones
minoritarios, los cuales son constantes.
15

Para un
semiconductor
extrnseco tipo n
en baja
inyeccin:

P0<<n0, n<<n0

Los parmetros ambipolares se reducen a los valores de los portadores

minoritarios.

La movilidad ambipolar es negativa. Est asociada con los portadores de

deriva.

El signo del trmino de deriva depende de la carga de la partcula

La partcula ambipolar equivalente est cargada negativamente.
Si la movilidad ambipolar se reduce a un hueco positivamente cargado, se
introduce un signo negativo.

16

GENERACIN Y RECOMBINACIN.
Para electrones:

17

PARA HUECOS:
La relacin de generacin para electrones en exceso debe ser
igual a la generacin para huecos en exceso.

El tiempo de vida de los portadores minoritarios es una

constante para baja inyeccin

El trmino g-R en la ecuacin de transporte ambipolar se

escribe en trminos de los portadores minoritarios.
18

PARA SEMICONDUCTOR TIPO P:

Concentraci
Concentraci
n
n de
de
portadores
portadores
minoritarios
minoritarios
en
en exceso
exceso
electrones
electrones

Tiempo
Tiempo de
de
vida
de
los
vida de los
portadores
portadores
minoritarios
minoritarios
en
en baja
baja
inyeccin
inyeccin

PARA SEMICONDUCTOR TIPO N:

19

Los parmetros de
recombinacin son de
los portadores
minoritarios.

Las ec. Anteriores

describen la deriva,
difusin y
recombinacin de los
portadores minoritarios
en exceso como una
funcin de coordenadas
espaciales y como
funcin del tiempo

La concentracin de
portadores minoritarios
en exceso es igual a la
concentracin de
portadores mayoritarios
en exceso.
20

ECUACIONES PARA TRANSPORTE

AMBIPOLAR.

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CONSTANTE DIELCTRICA DE RELAJACIN

DEL TIEMPO.
La concentracin de huecos en exceso est balanceada por
una concentracin igual de electrones en exceso

Una concentracin uniforme de huecos p es repentinamente

inyectada en una porcin de la superficie de un semiconductor.

Instantneamente se tiene una concentracin de huecos en exceso y una

densidad neta de carga positiva que no est balanceada por una concentracin
de exceso de ectrones

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EJEMPLO.

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