Tema 2: Semiconductores

en equilibrio
Una vista previa.
La naturaleza del estado sólido
• La definición de sólido…
¿ Qué es un semiconductor?

Tabla 1
Comparación de comportamientos experimentalmente observados de la resistividad eléctrica
de metales y semiconductores.
METALES SEMICONDUCTORES
1- La resistividad a temperatura ambiente está en
1- La resistividad a temperatura ambiente está en
el rango de 10 –6 a 10 –4 Ωcm. el rango de 10 –3 a 10 8 Ωcm.
2- La resistividad se incrementa casi linealmente
2- La resistividad en un semiconductor se decre-
con el aumento de temperatura. menta en forma prácticamente exponencial con el
aumento de la temperatura.
3- La resistividad es insensible a la luz. 3- La resistividad decrece con la exposición a la
luz.
4- La resistividad es levemente sensible al 4- La resistividad es extremadamente sensible a la
contenido de impurezas. presencia de ciertas impurezas.
Niveles de energía en átomos:
• El átomo de Bohr
La fuerza centrífuga mev2/r debe estar
balanceada por una fuerza centrípeta provista
por la atracción electrostática entre el electrón
y el núcleo

me * v 2 Z * q2

r 4*  *  o * r 2

Bohr postula la existencia de órbitas estables

en las cuales el electrón no irradia con n
entero y positivo
me * v * r  n * 
Electrón en la órbita
• La energía total es la suma de la
energía cinética y potencial
1 Z * q2
En  * me * v 2 
2 4*  *  0 * rn

Las ecuaciones anteriores pueden ser resueltas para rn y En

separadamente

1 Z 2 * q 4 * me n 2 * 4* *  0 * 2
En   * rn 
n 2 32* 2 *  0 *  Z * q 2 * me

el significado del signo negativo es simplemente que la energía potencial

negativa (atractiva) es mayor que la energía cinética positiva y el electrón
en consecuencia está ligado al átomo.
Orbitas:
• Orbitas permitidas
Z 2 n2
En  ( ) * 13,58eV  rn  *  0,529Å 
n2 Z
Capas, subcapas y orbitales
• La estructura de subcapas y orbitales para las
capas n = 1, 2 y 3
Disposición de electrones en el Si
• Principio de exclusión de Pauli

El Silicio posee un núcleo de carga +14q al que lo

rodean dos capas electrónicas completamente
llenas que contienen un total de 10 electrones
confor-mando una carga de –10q.
Los últimos 4 electrones están en órbitas de mucho
mayor diámetro en las subcapas A y B; es de notar
también que, de acuerdo con las ecuaciones vistas,
para n creciendo los radios crecen y las energías
decrecen como n2.
Niveles de energía en sólidos
• Consideremos un modelo eléctrico análogo

N circuitos
independientes, N N circuitos
frecuencias de resonancia acoplados
iguales N frecuencias
de resonancia
diferentes.

Diagrama de frecuencias resonantes para N circuitos acoplados

La Teoría de Bandas
• La formación de Bandas de energía en sólidos a
partir de niveles de energía en átomos aislados

Tres posibles diagramas de bandas de energía para sólidos.

Enlaces atómicos y Bandas de energía.

• La formación de enlaces covalentes

en el Silicio sólido.

Enlaces atómicos y bandas de energía en un

semiconductor típico (Si) y en un metal típico (Na).
Electrones y huecos en
semiconductores
• El semiconductor intrínseco.

Proceso de generación y recombinación de pares de

electrones-huecos en un semiconductor puro (intrínseco).
El semiconductor intrínseco.

• Movimiento de un electrón perdido hacia

el terminal negativo

Entonces, tenemos dos tipos de portadores de cargas cuando un

par electrón-hueco es generado: electrones negativamente
cargados en la banda de conducción y huecos positivamente
cargados en la banda de valencia.
 • Concentración de portadores intrínsecos
Llamemos n a la concentración de electrones y p a la de huecos en #/cm3;
entonces en un semiconductor intrínseco tendremos:
n = p = ni
donde ni es llamado concentración de portadores intrínsecos.
ni es también dependiente de la misma y la relación de dependencia viene
dada según:  Eg

ni  Ne 2 kT

donde k es la constante de Boltzmann, T es la temperatura y el parámetro N,

por sí mismo, es levemente dependiente de la temperatura aunque esa
dependencia es muy pobre comparada con la exponencial.
Efectos de Eg y ni como una función de los
parámetros más relevantes.
Donadores y aceptores
• Porción de la tabla periódica en la que se observa los
elementos ubicados de acuerdo a su número atómico y
valencia.

La valencia de un átomo es igual a la cantidad de electrones

externos de órbitas incompletas y la tabla periódica los encolumna
de esta manera indicando esta con números romanos.
Donadores y aceptores
• Donadores y Aceptores esquematizados en los
diagramas de enlaces y de bandas.
Donadores y aceptores

En la tabla II se observa que la concentración de portadores

intrínsecos en Si a 300ºK es de 1010 cm-3 La concentración de átomos
de Si es de 5 * 1022 cm-3 entonces el Si intrínseco tiene cerca de un
electrón o hueco por cada 5 * 1012 átomos. Si la concentración de
Donadores o aceptores es solamente una parte por mil millones,
tendríamos ND o NA de alrededor de 5 * 1013 átomos. Lo que es 5000
veces más grande que ni entonces, muy pequeñas concentraciones de
impurezas son necesarias para que el mecanismo de ruptura de enlaces
provea grandes cantidades de electrones o huecos.
Estadística de los portadores carga.
Antes de iniciar este estudio haremos una pequeña referencia a la palabra
equilibrio.
Si un sistema es aislado en el sentido de que no puede actuar sobre él ninguna
influencia externa (campos eléctricos, fuerzas mecánicas, etc.) y si la
temperatura es constante en todo el sistema, entonces se llega eventualmente a
un tipo especial de estado estacionario conocido como “Equilibrio
Termodinámico” (o simplemente equilibrio).
En el estado de equilibrio, cada proceso que ocurre dentro del sistema es
balanceado por un proceso inverso; por ejemplo: en un contenedor con gas en
equilibrio no existe un flujo neto de moléculas en alguna dirección y, en el
promedio cuando algunas moléculas se mueven hacia la derecha otras lo hacen
hacia la izquierda. En un semiconductor en equilibrio el proceso de generación
está exactamente balanceado por el de recombinación y la concentración de
huecos y electrones permanece constante.
En un semiconductor tenemos cuatro tipos de especies cargadas:  
 Electrones.
 Huecos.
 Donadores ionizados
 Aceptores ionizados.
Claramente no existe una carga neta y podemos mostrar que la neutralidad
de las cargas prevalece en cualquier punto (macroscópico) dentro del
material (observemos que la palabra “punto” se utiliza para denotar una muy
pequeña y localizada región la que es aún grande comparada con las
dimensiones atómicas. Dado que los sólidos están compuestos por átomos y
los átomos contienen distribuciones no homogéneas de cargas, la neutralidad
de cargas no se aplica, obviamente en la escala microscópica.
Consideremos un medio de conductividad σ y constante dieléctrica ε, y
supongamos que una desviación localizada de la neutralidad de cargas ocurre
en algún lugar del medio. Hagamos que la densidad de carga inicial sea ρ o y
la densidad de carga para un tiempo posterior sea ρ(t). Esta densidad de
carga producirá un campo eléctrico dado por la Ley de Gauss:

   (t )    
  E  (8) (9) (10)
J E  (t )
 J  
 t

reducimos estas ecuaciones al problema unidimensional y resolvemos para

ρ(t), el resultado es de la forma:
t 
 ((11)
t )   edonde (12)

 
o 

El tiempo característico, τ, es llamado “Tiempo de relajación dieléctrica”

y, para los semiconductores es del orden de 10-12 a 10-6 segundos.
Ecuación de neutralidad de cargas y Ley de
acción de masas
• En equilibrio, la concentración total de cargas negativas es igual a la concentración total
de cargas positivas o:
n  N A  p  ND
(13)
• Esta ecuación es llamada “Ecuación de neutralidad de cargas” y es una de las dos
ecuaciones importantes que se utilizan para resolver los problemas estadísticos de
semiconductores.
• La segunda ecuación viene dada por:
np  ni2 (T )
(14)
• Esta ecuación es conocida como “Ley de acción de masas” y la introducimos
simplemente como un postulado.
• Lo que nos dice la ley de acción de masas es que el producto de las concentraciones de
electrones y huecos es una constante que depende solamente de la temperatura y la
constante de proporcionalidad es justamente ni2 .
• Esta ecuación es válida para semiconductores intrínsecos dado que bajo las condiciones
intrínsecas n = p = ni de modo que, trivialmente np = ni2. El hecho destacable es que se
aplica también a los semiconductores extrínsecos.
• Dado que el producto np es una constante, si nosotros incrementamos la concentración
de donadores, la concentración de huecos se reducirá automáticamente para mantener
np constante. Similarmente al incrementa p, se decrementará n. En el próximo tema se
dará una explicación más detallada al respecto.
Qué sucede en los metales?
• Debemos notar que si usamos la ecuación 12 para calcular el
tiempo de relajación dieléctrica en los metales, las muy altas
conductividades nos dan tiempos irrealmente cortos del orden de
10-18 o 10-19 s. Tales resultados son no-físicos, dado que son
órdenes de magnitud más pequeñas que los tiempos de colisión en
los metales y son éstas colisiones las que determinan la
conductividad.
• Esto es una reflexión del hecho que nuestra derivación es inválida
para los metales y debemos razonar en forma muy cuidadosa en
cuanto a lo que entendemos por “conductividad” y constante
dieléctrica” en la escala de tiempos muy pequeños.
• Los tiempos de relajación dieléctrica en metales son muy
pequeños pero nunca menores a los tiempos de colisión típicos
(unos 10-14 segundos).
Un ejemplo:
• Consideremos una muestra de Si dopado con ND = 1016 cm-3
donadores y no aceptores. Hemos buscado valores para n y p a
temperatura ambiente. Como ni = 1.0 * 1010 cm-3, sabemos (de la
ecuación 14) que p será < ni y por lo tanto insignificante respecto
de ND. Por consiguiente la ec. 13 nos da:

• La ecuac. 14 entonces nos da p como:

• Es decir que sin impurezas en el semiconductor, tendremos n = p = 1,0*10 10

cm-3, mientras que si agregamos 1016 donadores * cm-3 tendremos n = 1016 y
p = 104.
• Casos particulares

Si ND > NA entonces n>p y esto es conveniente para resolver las

(13) y (14) para n primero. (Ver el problema 8). Usando la Ec. 14 para
eliminar p de la Ec. 13, nos queda una ecuación cuadrática para n y la
solución será:

Una vez que n fue determinado, podemos utilizarlo para calcular p de

la ecuación (14) y será:
• Casos particulares

Si NA es mayor que ND es posible resolver primero para p, el

procedimiento es el mismo y resultará:

Cando se nos presenta un problema de estadística de semicon-

ductores, es siempre más seguro comenzar con las ecuaciones
(13) y (14) haciendo algunas aproximaciones justificables
procedemos con la solución de las ecuaciones resultantes.
De todos modos, es frecuente el caso en que:

ND-NA≫ni

y, bajo estas circunstancias uno de los dos casos simples

se presentan:
   

Tipo N Tipo P

p  N A  ND n  ND  NA

ni2 ni2
p n
ND  N A N A  ND

Estas aproximaciones nos dan un error de cerca del 1 % si es

que:
Una exploración más amplia de las soluciones las dejamos como tarea para la
casa.
Es conveniente aclarar que la concentración de portadores libres en un
semiconductor depende de dos factores:
•El contenido de impurezas.
•La concentración de portadores intrínsecos.
Este último es dependiente de la amplitud de la banda prohibida y de la
temperatura.
En un semiconductor intrínseco n = p = ni y ni aumenta exponencialmente
con la temperatura.

Dependencia de la temperatura
de portadores n y p en Si
con ND = 1013cm-3 y NA = 0.