Generación de portadora y recombinación en uniones P-N y

características de uniones P-N CHIH-TANG SAHt, MEMBER, IRE, ROBERT N.

NOYCEt, MEMBER, IRE AND WILLIAM SHOCKLEYt, FELLOW, IRE

Resumen: para ciertas uniones p-n, se ha observado quelas características de corriente-voltaje

medidas se desvían del ideal caso del modelo de difusión. El propósito de este artículo es
mostrar que la corriente debida a la generación y recombinación de portadores de centros de
recombinación de generación en la región de carga espacial de una unión p-n explica las
características observadas. Este fenómeno domina en semiconductores con gran brecha de
energía, baja vidas útiles y baja resistividad. Este modelo no solo da cuenta de la corriente
inversa no saturable, pero también predice una aparente dependencia exp (qV / nkT) de la
corriente directa en una unión p-n.

La importancia relativa de la corriente de difusión fuera del espacio capa de carga y la corriente
de recombinación dentro de la carga espacial . también explican el aumento de la eficiencia
del emisor de transistores de silicio con emisor de corriente. Una correlación de la teoría con
el experimento indica que el nivel de energía de los centros es de unos kT desde el nivel
intrínseco de Fermi.

INTRODUCCIÓN

Las características de corriente de VOLTAJE de p-n las uniones han sido estudiadas por muchos
autores.

La teoría ideal de una unión p-n de Shockley explica las características eléctricas de una unión
p-n de germanio bastante bien a temperatura ambiente ”.

Sin embargo, generalmente se observa que a temperatura ambiente las características eléctricas
medidas de las uniones p-n de silicio se desvían considerablemente de las que predica la teoría
ideal. Por ejemplo, la teoría ideal de Shockley predice una corriente de saturación para la unión
p-n bajo una gran polarización inversa y una dependencia simple de la corriente directa en la
polarización aplicada a través del factor de Boltzmann de la tensión aplicada total cuando la
polarización directa es de varios kT / q. Por lo general, a temperatura ambiente, la corriente en
una unión p-n de silicio no se satura en una gran polarización inversa y aumenta mucho más
lentamente que la Factor de Boltzmann al voltaje total aplicado bajo sesgo hacia adelante.
También se ha observado discrepancia en muchos trabajadores entre la teoría ideal para la
unión p-n transistores y las características observadas del silicio transistores de unión p-n. En
particular, la teoría ideal predice un valor casi unitario para la corriente del transistor factor de
amplificación, alfa, a baja corriente de emisor densidades, mientras que el alfa observado
generalmente se vuelve muy pequeño a bajas densidades de corriente de emisor

Shockley y Read4 han señalado que generación de los portadores actuales en la carga espacial
región o la capa de transición de una unión p-n puede ser extremadamente alta

Las características esenciales de las características inversas de una unión p-n de silicio pueden
entenderse en términos de este fenómeno utilizando un modelo de Centros de recombinación
ShockleyRead-Hall de un solo nivel de energía distribuidos uniformemente. Pell y Roe 'y
Kleinknecht y Seiler 'han utilizado independientemente este modelo para tener en cuenta las
características inversas de las uniones p-n de silicio.

Shockley ha sugerido que la recombinación del los portadores también pueden dominar en la
región de carga espacial cuando una unión p-n está sesgada en la dirección de avance. '

Sin embargo, la importancia de este efecto sobre las características del transistor de unión y
unión p-n j no ha sido realizado hasta hace poco.7

En este artículo, presentamos una teoría física de p-n uniones teniendo en cuenta la
recombinación y generación de los portadores en la región de carga espacial o la región de
transición.

ESTADÍSTICAS DE RECOMBINACIÓN DE SHOCKLEY-READ-HALL

En esta sección se ofrece una breve derivación para estadísticas de recombinación en estado
estable de electrones y agujeros en semiconductores para ilustrar el método y principio físico
involucrado. Para una completa y detallada tratamiento de este tema, se remite al lector
Shockley y Read.4

La recombinación y generación de electrones y los agujeros en los semiconductores pueden

tener lugar en algún tipo de centros o trampas de generación de recombinación. Estos sitios
pueden ser dislocaciones de la red cristalina, átomos de impurezas ubicados intersticial o
sustitucional mente en el cristal celosía o defe ctos superficiales. La recombinación también
puede ocurrir directamente con la emisión de luz o por los tres (o más) proceso de partículas
(proceso Auger) con el tercer portador que se lleva la energía. El proceso radiactivo es bastante
improbable. En la actualidad, no hay suficientes información sobre el proceso Auger en
semiconductores

Por lo tanto, estos procesos no serán considerados.

En condiciones de estado estacionario, un solo nivel de energía el centro de recombinación se

caracteriza por tres números la sección transversal de captura de electrones, la captura sección
transversal para agujeros, y la energía involucrada en estos transiciones. Las secciones
transversales son inversamente proporcionales a la vida de los electrones y huecos
respectivamente, y la energía de transición se puede medir a partir de uno de los bordes de la
brecha de energía del semiconductor.

Hay cuatro procesos básicos involucrados en el transportista. generación y recombinación a

través de las trampas.

Si la trampa está ocupada por un agujero, un electrón puede caer en el trampa de la banda de
conducción y recombinar con el agujero, o la trampa puede emitir el agujero a la banda de
valencia.

Si la trampa se llena inicialmente con un electrón, la trampa electrón puede ser emitido a la
banda de conducción o el agujero de la banda de valencia puede moverse hacia la trampa y
recombinarse con el electrón atrapado. Estos cuatro procesos son ilustrado en la Fig. 1. La
dirección de la flecha indica.
Los procesos básicos de generación y recombinación de portadores a través de trampas, (a)
captura de electrones, (b) emisión de electrones, (c) captura de huecos, (d) emisión de huecos

La dirección de la flecha indica la dirección de transición para un electrón de banda de

conducción o de valencia, según sea el caso.

Considere el proceso de captura de electrones indicado por

Figura l (a). La tasa a la que el electrón en la conducción

La banda caerá en una trampa vacía es la tasa de emisión de electrones indicada en la Fig.1 (b)
se puede escribir como donde a es un factor de proporcionalidad que incluye la densidad de la
trampa, el número total de estados electrónicos vacíos en la banda de conducción y la
probabilidad de emisión de electrones de las trampas.

La expresión de a puede ser obtenido por un argumento de equilibrio detallado para el sistema
bajo la condición de equilibrio térmico. Bajo esto condición, la tasa de emisión de electrones
debe ser igual a la tasa de captura de electrones, es decir, (1) y (2) son iguales.

Por tanto, si la ocupación de las trampas se expresa en términos de un cuasi-nivel Fermi4 (o

imref) para trampas Ft, entonces el imref para los electrones, Fn, debe caer en Ft en equilibrio
térmico. Suponiendo que el semiconductor no es degenerado y usando

luego de igualar (1) y (2) obtenemos

La tasa neta de captura de electrones por las trampas bajo las condiciones de no equilibrio se
pueden escribir como

Se puede realizar un tratamiento completamente similar para agujeros que conducen a la

siguiente ecuación para la tasa neta de captura para pozos en condiciones de no equilibrio.

La tasa de recombinación para el no equilibrio pero condiciones de estado estacionario se

obtiene al exigir que el la tasa neta de captura de electrones sea igual a la de los huecos. Esta
condición conduce a

para la tasa de recombinación en estado estacionario de electrones o agujeros.

El resultado de estas estadísticas se aplica al actual portadores en la región de transición de una

unión p-n y en la región fuera de la región de transición.

III. MODELO IDEALIZADO

En esta sección se considera una unión p-n idealizada para que los procesos físicos se puedan
visualizar fácilmente.

Se supone que hay centros de generación de recombinación distribuidos uniformemente y de

un solo nivel ubicados en el nivel intrínseco de Fermi. Por tanto, Pi = nli = n. Es mas asumió que
la vida útil, la movilidad y las densidades de los transportistas minoritarios en lados opuestos del
cruce son iguales. Los procesos de recombinación y generación se consideran por separado en
la región p, la región n, y la región de transición de una unión p-n.

En la región p que se muestra en la Fig.2 (a), las trampas son casi vacío y listo para atrapar los
electrones inyectados.

Posteriormente, los huecos se trasladarían a estos ocupados trampas y se recombinan con los
electrones atrapados. En orden para preservar la neutralidad eléctrica, los agujeros deben
reponerse mediante la corriente de electrones que fluye en el circuito externo. Por tanto, con p
= pp >> p1, n1 y n, y n = np + An, (6) se reduce a

De manera similar, la tasa de recombinación en la región n, que se muestra en la figura 2 (b),

está dado por
Estas son las leyes habituales de recombinación lineal que mantener cuando la densidad de
portadores minoritarios inyectados es mucho menor que la densidad de portadores de
equilibrio.

Si los portadores minoritarios están saliendo rápidamente de un cierta región del semiconductor
por campo eléctrico, el las tasas de generación en esta región serían

para la región de tipo p, o

para la región de tipo n. Los bordes de la capa de carga espacial de una unión p-n con
polarización inversa son precisamente las regiones donde prevalecen (7a) y (8a). En promedio,
un portador minoritario generado en la región n o la región p dentro de una longitud de difusión
desde el borde del espacio

La capa de carga se difundiría hasta el borde y se deslizaría por la colina potencial de la región
de carga espacial rápidamente. ' Así,

la corriente que debe fluir en el circuito externo parareponer los portadores minoritarios difusos
es
aquí se han utilizado np-Pn y rTo = r1po = rO. Lo, el longitud de difusión del portador minoritario,
está dada por (Doro) "2, y DO = Dn = D, es la constante de difusión de los portadores
minoritarios. A es el área del cruce.

Consideremos a continuación la región de carga espacial o la región de transición de una unión

p-n con polarización inversa. Ambos tipos de portadores son rápidamente barridos de esta
región por el gran campo eléctrico, por lo que sus densidades son pequeñas en comparación
con ni. La situación se muestra en la Fig. 2 (c). Para esto caso, la tasa de generación de (6) es}

y es aproximadamente constante en todo el espacio capa de carga. Cabe señalar que la

recombinación el efecto de nuevo no es importante aquí debido a la presencia del gran campo
eléctrico. También cabe señalar que el los centros están medio vacíos y medio llenos en este
región.

Dado que por cada par de portadores generados, un electrón debe fluir en el circuito externo,
la corriente que fluye en el circuito externo debido a este efecto es

donde W es el ancho de la capa de carga espacial.

Las corrientes generadas en la región p y la región ny la corriente generada en la capa de carga

espacial puede compararse. La relación de estos dos componentes dado por (9) y (11) es

Se pueden deducir varias conclusiones sobre la importancia relativa de estas dos corrientes. Eq.
(12) indica que la corriente generada en la carga espacial

La región puede ser extremadamente grande en comparación con la corriente de difusión de los
semiconductores con una vida útil corta, bajas resistividades, gran brecha de energía y a bajas
temperaturas, incluso si W << Lo.

Para un ejemplo típico, considere un material de 2 ohm-cm de un microsegundo de vida.

Suponiendo una micra ancho de la capa de carga espacial, a temperatura ambiente la relación
de corriente es de aproximadamente 3000 para una unión p-n de silicio mientras es solo
alrededor de 0.1 para una unión p-n de germanio, por lo tanto, la corriente de recombinación
generacional en el espacio

La capa de carga influiría mucho en las características. de dispositivos semiconductores de silicio.

Si la corriente debida a la generación en la carga espacial la capa es importante en la condición

de polarización inversa, Se esperaría que el proceso inverso, a saber, la recombinación en la capa
de carga espacial, sea importante bajo sesgo hacia adelante. Sin embargo, la extensión del
argumento para derivar la corriente producida en el espacio
La capa de carga debe tomar una forma ligeramente diferente de el aplicado al caso de
polarización inversa.

Bajo sesgo directo, las concentraciones de portadores en el centro de la región de carga espacial
son iguales y varían como

ya que np = n12 exp (qV / kT). La tasa de recombinación en este límite p-n es entonces

para V mayor que varios kT / q, y cae exponencialmente con distancia a cada lado del límite p-n
con un longitud característica de kT / qE donde E es el campo eléctrico en el cruce. Por tanto, la
corriente de recombinación la densidad es

donde el factor 2 proviene de la contribución sobre el dos lados del límite p-n. La expresión
exacta para este caso idealizado implica un factor adicional de 7r / 2, que tiene en cuenta que la
tasa de recombinación cae más lento que exp (-qEx / kT) cerca de x = 0.

La suma de las densidades de corriente de difusión que fluyen en la región p y la región n está
dada por '

para polarización directa aplicada de varios kT / q. Las dos corrientes pueden volver a
compararse, dando una razón de corriente de

Usando los mismos datos que en (12) con una capa de carga espacial ancho de 0.1 micrones, la
corriente de recombinación se convierte en igual y mayor que la corriente de difusión aplicada
sesgo de menos de 10 kT / q.

La corriente total por unidad de área está dada por la suma de la difusión y la corriente de
generación de recombinación densidades. La comparación dada arriba indica que la corriente
de generación de recombinación es mucho mayor que la corriente de difusión, y la corriente
total sería varían más lentamente que la fórmula rectificadora ideal de exp (qV / kT).
IV. CÁLCULO TEÓRICO DE LAS CARACTERÍSTICAS CORRIENTE-TENSIÓN

En la última sección y en la literatura, una vida útil efectiva, que es una función de las densidades
del portador, se ha utilizado para obtener las características de los dispositivos de unión p-n. La
vida útil efectiva generalmente se obtiene mediante mediciones experimentales. Para obtener
una relación teórica completa entre la corriente y la tensión aplicada, es necesario comenzar
con la expresión exacta de la tasa de recombinación en estado estacionario de los portadores
dada por (6).

Sustitución de las siguientes relaciones

en (6) se da la siguiente expresión para la tasa de recombinación en estado estacionario:

Las notaciones son idénticas a las usadas por Shockley y Read, y están listadas en la Tabla I. La
tasa de recombinación dada arriba es bosquejada para varias condiciones limitantes en la Fig. 3.

Fig. 3- Variación de la tasa de

recombinación en la región de transición de unión p-n; (a) voltaje de polarización hacia adelante
, (b) voltaje de polarización inverso (c) voltaje de polarización pequeño .
La corriente de generación de recombinación en la capa de carga espacial se obtiene integrando
(20) sobre la capa de carga espacial. Para el caso unidimensional, la densidad de corriente total
de generación de recombinación en la capa de carga espacial viene dada por

donde la integración se hace cargo de la capa de carga espacial.

La solución exacta de este problema requiere un conocimiento de los imrefs ϕp, y ϕn y el
potencial electrostático Ψ en función de la posición en la unión p-n. Este es un problema difícil
que implica la solución de ecuaciones diferenciales no lineales simultáneas. En este tratamiento,
seguiremos un enfoque auto-consistente dado en el Apéndice I. Es conveniente considerar tres
regiones del voltaje de polarización aplicado, la gran región de voltaje de polarización inverso,
la pequeña región de voltaje de polarización y la gran región de voltaje de polarización hacia
adelante.

Para este caso, el diagrama de energía potencial para agujeros se muestra en la Fig. 4 junto con
la distribución de corriente en la unión p-n. La corriente del agujero Jp mostrada en la parte
inferior de la Fig. 4 se puede deducir de la velocidad de generación de recombinación y (21).
Bajo un gran voltaje de polarización inverso, el primer término en el denominador de (20) es
pequeño comparado con el segundo término, ya que ϕp- ϕn, es varios kT/q dentro de la capa
de carga espacial. Por lo tanto, la tasa de recombinación es aproximadamente constante en toda
la región de transición como se ilustra en la Fig. 3(b). La corriente del agujero entonces es
proporcional a la distancia y disminuye monótonamente. La corriente de generación de
recombinación total para este caso es entonces
donde W es el ancho de la capa de carga espacial y la velocidad de generación es dada por

Esta aproximación sobrestima ligeramente la corriente de generación ya que la tasa de

generación cae exponencialmente a cero cerca de los bordes de la capa de carga espacial. El
resultado obtenido arriba indica que las trampas son más efectivas como centros de generación
si están ubicadas en el nivel intrínseco de Fermi cuando las vidas de los portadores son iguales.
En general, las trampas son más eficaces si

El resultado anterior también muestra que la corriente de generación no puede saturarse. Para
la unión lineal-gradada esta corriente es proporcional a 1/3 de potencia de la tensión aplicada y
para una unión escalonada es proporcional a ½ potencia de la tensión aplicada ya que el ancho
de la capa de carga espacial varía en consecuencia.
Aunque se demostró que las formas de los imrefs tienen un efecto insignificante en el cálculo
de la tasa de recombinación de generación, es instructivo deducir las formas de los imrefs. A
partir de la relación entre la corriente del agujero y la imref para agujeros,
se puede concluir que en la región de transición, el aumento de la pendiente de ϕp, debe ser
más lento que la disminución de la densidad del agujero p o el factor exp (ϕ_p-Ψ)q/kT para dar
una variación monótona de Jp. Una consideración similar se puede dar a la variación imref del
electrón en la región de transición. Estos argumentos conducen al diagrama potencial mostrado
en la Fig. 4.
La caída de los imrefs está casi completa dentro de la capa de carga espacial. Un cálculo
numérico en el apéndice I para una unión de silicio también da la misma conclusión. Es
interesante observar que el producto de la capacidad de unión y la capa de carga espacial
generada por la corriente es una constante bajo un gran voltaje de polarización inverso y es
independiente de la forma de la distribución de potencial electrostático dentro de la unión. Esta
relación se puede escribir como

donde 𝜖0 es la permitividad del espacio libre y K es la constante dieléctrica. La constancia del

producto anterior sólo es válida en un rango intermedio de tensión aplicada. En el voltaje de
polarizacion inverso cerca de la degradación de avalancha, el producto dado por (25) aumenta.
Los tiempos de vida 𝜏𝑛0 y 𝜏𝑝0 pueden ser dependientes del campo y causar una variación
adicional del producto con el voltaje de polarización inverso.
El mecanismo de avalancha se examina en detalle en el apéndice II. El efecto de la multiplicación
de avalanchas es multiplicar la corriente de generación de recombinación de la misma manera
que si se inyectara en la capa de carga espacial si las tasas de ionización de electrones y
agujeros son iguales. Así, para un gran voltaje de polarizacion inverso, la corriente de generación
de recombinación viene dada por

donde M es el factor de multiplicación de avalanchas que figura en el apéndice II.

La energía de activación térmica o el nivel de energía de los centros de generación de

recombinación se puede obtener fácilmente mediante la medición de temperatura de las
características inversas. La magnitud del nivel de energía de la trampa desde el nivel intrínseco
de Fermi viene dada por la diferencia de la mitad del ancho de la brecha de energía de
temperatura cero y la energía de activación obtenida de la pendiente de una parcela 𝑙𝑛 𝐽𝑟𝑜 −
(5/2) 𝑙𝑛 𝑘𝑇 𝑣𝑠 (𝑘𝑇)^(−1). El cálculo detallado figura en el apéndice III.

Pequeño voltaje de polarización aplicado

Para este caso, ambos términos en el denominador de la expresión para U son importantes y
hay que considerar la forma de los imrefs con el fin de obtener una buena aproximación a
Ψ-(ϕp+ϕn)/2 en la expresión para U.Un argumento similar para la forma de los imrefs como el
dado al caso polarización inversa grande se puede hacer aquí.
Esto lleva a la conclusión de que la variación de los imrefs en la capa de carga espacial es muy
pequeña, contrariamente al resultado del caso de gran voltaje de polarización inverso. Esto
también se confirma mediante un cálculo numérico que figura en el apéndice I. Fuera de la
región de carga espacial, los imrefs varían linealmente con la distancia. El diagrama de energía
potencial aproximado y la distribución de la corriente a través de la unión se muestra en la Fig.
5 de estas conclusiones. La corriente mostrada allí es para un caso donde la corriente de
recombinación es aproximadamente 2.5 veces más alta que la difusión total fuera de la capa de
carga espacial.
De la Fig. 5, se puede ver que el potencial electrostático se puede escribir aproximadamente

donde W es el ancho total de la capa de carga espacial, ϕp-ϕn es aproximadamente el voltaje

aplicado y Ψ_D es el voltaje incorporado o la diferencia de los niveles intrínsecos de Fermi en
los dos lados de la unión. Podría obtenerse una expresión exacta de la variación del potencial
electrostático. Sin embargo, una aproximación lineal dada por (26) dará un máximo de error del
50 por ciento en la pendiente de Ψ y pondrá la integral de (21) en una forma más tratable.
Al realizar la integración, la corriente de recombinación se puede escribir como
Donde

y los límites de integración son

La integral dada por f(b) puede ser evaluada exactamente.

Sin embargo, a tensiones aplicadas varios kT/q menos que la tensión incorporada, los límites de
integración se pueden extender de cero a infinito con un pequeño error. El valor de la integral y
su pendiente se representa en la Fig. 6 para el caso de 𝑧1 = 0 y 𝑧2 = ∞ . La variación de la
pendiente de log Jr0, también se representa en la Fig. 7.
Hay varias regiones de las características de corriente-voltaje para este caso que necesitan una
discusión especial.
1) Voltaje de polarizacion muy pequeño: Cuando el voltaje de polarizacion aplicado es menor
que kT/q, la corriente de generación de recombinación sigue esencialmente la ley óhmica. La
conductancia de recombinación a voltaje de polarizacion cero es dada por

Una comparación de esta resistencia con la resistencia a la difusión da las mismas conclusiones
para la importancia relativa de las dos corrientes que la obtenida en la Sección II.

2) Voltaje de polarizacion de avance medio con trampas profundas:Cuando las trampas se

encuentran cerca del nivel intrínseco de Fermi, la función f(b) aumenta ligeramente cuando el
voltaje de polarizacion de avance disminuye. Por lo tanto, la corriente de recombinación variará
ligeramente más rápido que exp (qV/2kT), como se puede ver en(27). Esto concuerda con el
resultado obtenido en la Sección II a partir de argumentos intuitivos.

3) Voltaje de polarizacion de avance pequeño o mediano con trampas superficiales: Una región
de voltaje de polarizacion pequeño o mediano con valores de b mayores a 10 puede existir, si
las trampas son bastante superficiales, es decir, el nivel efectivo de trampa es de
aproximadamente 10kT del nivel intrínseco de Fermi. La integral dada por f(b) variará
aproximadamente como 1/b y la corriente de recombinación variará con el voltaje aplicado
aproximadamente como exp(qV/kT)-1 mostrado en la Fig. 7.
El resultado dado por (27) se reduciría al dado por (22) y (23). Sin embargo, (27) no es exacto en
la región de transición entre el voltaje de polarización inverso pequeño y grande debido al error
en la estimación de la forma de los imrefs.
Voltaje de polarización Grande hacia adelante
En el voltaje de polarizacion hacia adelante aproximadamente o mayor que el voltaje
incorporado, el ancho de la capa de carga espacial es pequeño. La corriente de recombinación
en la capa de carga espacial es insignificante en comparación con la corriente de difusión debido
a los portadores inyectados fuera de la capa de carga espacial. Consideraremos el caso en el que
la densidad del portador inyectado es mucho más alta que la concentración de carga de
impureza fija en la región n. Uno puede asumir para este caso que n p. La condición de frontera
en la unión se convierte

donde V es la tensión aplicada menos la caída óhmica. La fórmula de difusión habitual se aplica
y la corriente total es casi igual a la corriente del agujero en la unión. Por lo tanto

donde lo es una longitud de difusión efectiva dada en el Apéndice IV. Un tratamiento más
detallado de la corriente de difusión se da allí también. Podemos notar que la región de exp (q
V/2kT) ocurre a mayor voltaje aplicado para la corriente de difusión que el mismo caso para la
corriente de recombinación. El caso de la corriente de difusión se ha observado para ciertos
diodos P+ IN con gotas óhmicas muy bajas.
En una densidad de corriente aún mayor o sesgo aplicado, la corriente eventualmente estará
limitada por la resistencia de contacto óhmica y la resistencia a granel del material. Las
características de tensión de corriente se vuelven lineales en este rango.
Para resumir el cálculo teórico, las características de una unión graduada linealmente se esbozan
en la Fig. 8. La Fig. 8(a) muestra las características inversas y la Fig. 8(b) muestra las
características hacia adelante, incluyendo la corriente de difusión fuera de la capa de carga
espacial en gran sesgo hacia adelante. Para un caso real, las regiones de pendientes distintas
pero diferentes que se muestran en la Fig. 8(b) se fusionarían y se observaría una pendiente
variable de entre 0,5 y 1. A partir de estas consideraciones, también podemos concluir aquí que
las concentraciones minoritarias de portadores en el límite no pueden variar más rápido que
exp (qV/kT). Esto concuerda con consideraciones de mecánica estadística.
V. LA EFICIENCIA DEL EMISOR Y EL FACTOR DE AMPLIFICACIÓN DE CORRIENTE DE UN
TRANSISTOR DE UNIÓN p-n

La recombinación del portador en la capa de carga espacial de un emisor orientado hacia

adelante puede desempeñar un papel importante en la determinación de la eficiencia del emisor
de un transistor de unión de silicio a baja corriente de emisión. Este efecto impone así un límite
inferior a la densidad de corriente del emisor para una operación de alta eficiencia del emisor.
De las consideraciones teóricas dadas en las secciones anteriores, el proceso de recombinación
es dominante en una unión de emisor de silicio sesgada hacia adelante. La porción de la
corriente del emisor debido a este mecanismo consiste en la recombinación del portador en la
capa de carga espacial y por lo tanto no está disponible para la acción del transistor. A alta
corriente de emisión, la corriente de difusión domina y la eficiencia del emisor aumenta. Este
fenómeno se ha observado en los transistores de silicio. La recombinación en la capa de carga
espacial que causa el aumento del transistor alfa con corriente es también la base para el
funcionamiento de interruptores de transistores p-n-p-n de baja corriente.
El factor de amplificación de corriente de transistor dc, alfa, puede calcularse mediante la
siguiente expresión en el sesgo del colector inverso cuando se toma en consideración la
recombinación en la capa de carga espacial del emisor.

Jd y Jd' son las densidades de corriente inyectadas que fluyen hacia la base y la región emisora
respectivamente. Lb es la longitud de difusión del portador minoritario en la base y Wb es el
ancho de la capa base. Es evidente a partir de los cálculos realizados en la sección anterior que
el transistor dc alfa dado por (31) se acerca a cero a baja densidad de corriente de emisión desde
Jd<<Jr. En general, el volatje de polarizacion hacia adelante del alfa aumenta hacia la unidad
desde Jd>>Jr, Jd'. En densidades de corriente de emisión aún más altas, Jd,Jd'>>Jr0 la eficiencia
del emisor o la alfa disminuye como lo señala Webster.

La proximidad de la unión del colector aumenta el componente de corriente de difusión y

aumenta el alfa del dispositivo a bajas densidades de corriente de emisión.
La Fig. 9 muestra la distribución de corriente en un transistor de unión p-n bajo varias
condiciones de sesgo de emisor. La Fig. 10 muestra varios transistores alfa calculados usando
(31) y el resultado calculado para el diodo mostrado en la siguiente sección. Estas curvas teóricas
siguen de cerca el alfa experimental de Moll y Tanenbaum.
 VI. Mediciones experimentales

Las junturas p-n experimentales fueron producidas por difusión de boro desde la fase gaseosa
dentro de un silicio tipo-n de una resistividad de 2.4 OHMS-Cm a 1250°C durante 80 segundos.

Los datos que siguen son obtenidos de una medición de una juntura difusa típica y de cálculos.

Concentración de partículas ND=2.2 X 1015 cm-3

Concentración superficial de boro =4 X 1021 cm-3

Longitud de difusión del boro =

Profundidad de la unión = 11.8 microns desde la superficie

Voltaje de ruptura = 120V(calculado a partir de los resultados en el Apéndice II)

Voltaje interno (built-in) =0.47V

Area de unión = 0.62mm2

En orden a calcular las características de unión p-n teóricas podemos se puede usar la
aproximación de unión graduada linealmente. El nivel de defecto Et-Ei y los tiempos de vida
son obtenidos de unir la fórmula teórica y la data experimental en tres puntos. Es lo más
conveniente usar dos puntos en polarización aplicada relativamente pequeña donde la
corriente proveniente del espacio de la capa de carga es dominante y un punto en polarización
directa grande donde la corriente de difusión domina. Escogemos estos puntos para, en
polarización aplicada, ser de . El último punto corresponde al
voltaje interno en temperatura ambiente. Las corrientes en estos voltajes son 2.96 X 10-10, 3.75
X 10-9 y 1.0 X 10-4 amperios respectivamente de las figuras 11 y 12.

Usando (27) para los primeros dos puntos y la fórmula de corriente de difusión dada en el
Apéndice IV obtenemos los siguientes resultados:
Donde hemos usado las siguientes constantes:

El valor de Et-Ei no puede ser únicamente determinado por estos experimentos debido a que
los resultados solo muestran cosh , el cual hace el signo incierto. Sin
embargo, el valor de Et-Ei obtenido concuerda con los resultados de Pell y Roe

Los cálculos teóricos y las medidas experimentales son presentados en las figuras 11 y 12. Se
obtiene una buena aproximación sobre el rango total de corrientes de unión de más de 9
décadas. En adición a la unión de los tres puntos, también hemos tomado en consideración la
caída de la resistencia de contacto que representa el lento incremento de la gran corriente de
avance. La multiplicación de avalancha cerca al voltaje de ruptura de avalancha también es
considerada. En esta región las corrientes medidas experimentalmente fueron encontradas
para todos los casos para ser mayores que los valores calculados. Esto es posiblemente debido
a la dependencia del tiempo de vida del campo eléctrico y al rompimiento de la superficie.

Datos adicionales son mostrados en las figuras 13(a y b) para diodos de silicio de diferente
resistividad base y concentraciones superficiales. La Tabla II muestra los tiempos de vida y los
niveles de energía de defecto de los datos experimentales. El nivel de energía del centro de
recombinación-generación del defecto están alrededor de los del nivel Fermi intrínseco.
Esto concuerda con los datos de temperatura mostrados en la figura 14.

Bajo ciertas condiciones la superficie de corriente de fuga puede ser importante en uniones p-
n. Si la carga superficial es menor que la carga fija de las impurezas, se puede demostrar que la
corriente superficial, producida por centros de recombinación-generación o estados
superficiales en la superficie circunferencial de la unión, seguirá siendo dependiente del mismo
voltaje, a saber, V1/2 o V1/3, bajo condición de polarización inversa grande.

A fin de separar la corriente de recombinación-generación debido a centros de superficies, de

los cuales, debido a los centros de volumen hemos hecho medidas experimentales a la
circunferencia en uniones p-n con radios extremadamente largos y pequeños de área de
unión. Las geometrías son mostradas en la figura 15. Los resultados indican que la corriente
superficial es despreciable comparada con la corriente de las partículas para uniones recién
grabadas.
 VII. CONCLUSION

En este paper hemos usado un modelo de los centros de recombinación-generación Shockley-

Read uniformemente distribuidos de un solo nivel para explicar las características de la unión
p-n. Este modelo explica las características inversas no saturables y la dependencia aparente
en exp(qV/nkT) de la corriente de ganancia de las junturas p-n de silicio típicas. La
recombinación de los portadores en el estrato de carga espacial también explica la variación
del factor de amplificación de la corriente de un transistor de silicio en densidad de corriente
de emisor baja.
APENDCE I: VARIACIONES DE LOS NIVELES QUASI-FERMI EN LA CAPA DE CARGA ESPACIAL

La corriente total puede ser escrita como:

Sustituyendo la expresión de p de (19) en (32) se obtiene la siguiente ecuación diferencial:

La solución de esta ecuación es:

Para calcular la variación de la variación del potencial quasi-Fermi a través de la capa de carga
espacial usamos la aproximación lineal para la densidad de corriente de huecos Jp, y para la
variación de potencial electrostático. Así, para -1/2 W < x < 1/2 W

Donde es el voltaje interno, es el voltaje aplicado y W es el ancho de la capa de

carga espacial. Mediante la evaluación de la integral de (34) con estas aproximaciones, la
siguiente aproximación es obtenida para el potencial quasi-Fermi para huecos en los bordes de
la capa de carga espacial.

Donde
Para polarización directa, es pequeño y (37) se reduce a

Así, para una corriente de ganancia de J= 2amp/cm2, W = 10-6cm y up = 500 para el Silicio (Si),
la caída máxima del potencial quasi-Fermi para agujeros es:

El factor exponencial al lado derecho no puede ser mayor a 1. Esto se observa fácilmente en la
figura 5 si el potencial de referencia es como estuvo implícito en (36). En
adición, una corriente menor a J puede ser usada como se muestra en la figura 5. Así el límite
superior de la caída de nivel quasi-Fermi en la capa de carga espacial es alrededor de (kT/q) y
es, en efecto, muy pequeña.

Para el caso de una gran polarización inversa, Ɵ1>5, la situación es un poco diferente. L
ecuación (37) puede ser aproximada por:

Así, para J= 10-6Amp/cm2, W = 10-4cm y Ɵ1=100, la caída del potencial quasi-Fermi es:

Mediante aproximaciones sucesivas se puede demostrar que la caída del potencial quasi-Fermi
para huecos es casi igual al voltaje aplicado que se indica en la figura 4

Para polarizaciones pequeñas, Ɵ1 es igual al voltaje interno. Para Ɵ1= 20, J= 10-8Amp/cm2 y
W = 10-5cm la caída del potencial quasi-Fermi para huecos es aproximadamente:
Así la caída es apreciable solo cuando la polarización inversa es mayor a 12.5kT/q.

APENDICE II: MULTIPLICACIÓN AVALANCHA DE LOS PORTADORES GENERADOS EN LA CAPA DE

CARGA ESPACIAL

Suponiendo que la unión p-n mostrada en la figura 16 está polarizada en dirección inversa. La
densidad de corrientes de huecos por unidad de área Jp(x) fluye hacia la izquierda y la
densidad de corriente del electron por unidad de área Jn(x) fluye hacia la derecha. También se
genera una etapa estable neta de los pares electrón hueco en la región de carga espacial de U
por unidad de volumen por unidad de tiempo de lls centros de recombinación-generación
Shockley-Read-Hall. Definimos, como lo hicieron McKay y Miller, los coeficientes de ionización
como siguen:

numero de pares electrón hueco producidos por centímetro viajado de un electrón

umero de pares electrón hueco producidos por centímetro viajado de un hueco

Asumimos que α y β son funciones del campo eléctrico local únicamente y pasamos por alto la
historia pasada de los portadores. También olvidamos el efecto de la carga espacial o la
interacción entre portadores. El cambio de la corriente del electrón en dx por unidad de área
es:

Donde el primer término de la derecha proviene de la multiplicación de la corriente del

electrón que entra a la derivada desde el lado x y el segundo término proviene de los
electrones producidos por huecos que entran a dx desde el lado x+dx. Similarmente el cambio
de la corriente de hueco por unidad de área es:

y la suma de las dos corrientes incrementales satisface la condición de que la corriente total
sea constante en el espacio, es decir
Para resolver las dos ecuaciones diferenciales simultáneas usamos las siguientes condiciones
de borde. En x = 0, Jn = Jn0 y en x = W, Jp = Jp0. Sustituyendo (42) en (40) y (41) las corrientes
de electrón y hueco satisfacen las siguientes ecuaciones:

Las soluciones son:

Así, la corriente total es:

Para α=β, J se reduce a

Donde M es el factor de multiplicación de la corriente, dado por:

Ecuación (48) indica que para α=β la corriente generada en la capa de carga espacial, ,
actúa como si se inyectara en la capa en lo que respecta a la multiplicación de avalanchas.

APÉNDICE III: ENERGÍA DE ACTIVACIÓN DE LAS CAÍDAS

La energía de activación térmica de las trampas se obtiene a partir de la pendiente de un

gráfico del logaritmo de la corriente inversa como función del recíproco de temperatura con
una polarización inversa constante.

Considerando el rango de -Ɵ>5 donde Ɵ es la polarización aplicada normalizada La

función f(b) puede ser aproximada por (log 2b)/b y la corriente de recombinación-generación
puede ser escrita como
Donde ni es proporcional a T3/2exp(-Eg0/2kT) y b>10 por la restricción impuesta por la
polarización inversa, la energía de activación puede ser obtenida derivando (49) y es

Donde Eg0 es el ancho del gap de energía en temperatura cero. Así, para caídas profundas,
y la energía de caída no puede ser obtenida de manera exacta, a menos que las
medidas se hagan a bajas temperaturas. Para caídas superficiales, la precisión del nivel de
energía se puede obtener en el rango de temperatura ambiente.

Si:

Es mayor que 2, el último término de (50) se reduce al valor absoluto de Et-Ei. La energía de las
caídas puede ser obtenida mediante:

APÉNDICE IV: CORRIENTES FUERA DE LA CAPA DE CARGA ESPACIAL

En este apéndice obtendremos la corriente de difusión que fluye en la región n de una unión P
+ N CON polarización directa. El enfoque aquí es ligeramente diferente al que se da en el texto,
pero es similar al que se usa generalmente en la literatura. ” Tomamos en consideración tanto
la tasa de recombinación no lineal como la condición de frontera de alto nivel.

Los supuestos de este análisis son:

1) La carga espacial debida a la divergencia del campo eléctrico E es pequeña en comparación

con la carga fija N debida a las impurezas. Esta suposición implica que n = p + N.

2) Los imrefs son aproximadamente constantes en la región de transición y su diferencia es

solo ligeramente menor que el voltaje aplicado.

El segundo supuesto anterior es muy bueno para densidades de corriente no muy grandes. A
densidades de corriente muy altas, la caída de resistencia óhmica en la región N se vuelve
importante. Esta caída óhmica se puede calcular a partir de la caída total del electrón imref en
esta región, es decir, J=qDnN gradøn, donde J es la densidad de corriente total. Esta corrección
del voltaje en la unión puede hacerse luego.

La condición de frontera que deriva de la segunda suposición puede ser escrita como:

Donde V es V(aplicado)-δøn donde δøn es la caída de imref del electrón en la región N.

Podemos empezar por las siguientes relaciones:

Donde las notaciones fueron definidas previamente.

Para el caso de una dimensión con dopaje uniforme en la región n la ecuación anterior puede
ser reducida a

Donde b = Dn/Dp difiere del símbolo usado previamente en el texto. El rango de generación-
recombinación de (6) se convierte:

Podemos usar la siguiente condición de frontera que deriva de nuestras suposiciones

En x= 0, la frontera de la capa de carga espacial en el lado de la región n

La gradiente de la densidad del hueco puede resolverse

Eq. (61) puede ser integrada fácilmente para dar

Estamos interesados en la solución cuando x=0 ya que en este punto la relación entre la
corriente total y la corriente de hueco se puede escribir como:

si se desprecia la corriente de electrones en la región p. Usando estos resultados, podemos

deducir las siguientes relaciones para la corriente total y la corriente de hueco en x = 0.

Así, (58),(65) y (66) representan la solución completa

Se considerarán las formas asintóticas de los resultados anteriores. Las regiones a considerar
son el caso de nivel bajo p (0) <= N / 10, el caso de nivel medio p (0)> = N y el caso de nivel alto
p (O)> = 10N.
Donde . La corriente de hueco varía exponencialmente con la distancia. Sin
embargo, la expresión para la corriente del agujero en x = 0 dada arriba difiere de la relación
ordinaria de bajo nivel en un factor ( (l + b-1) / 2)1/2. Esto proviene de la diferencia en la
suposición hecha. En la teoría ordinaria de bajo nivel, se supone que no solo se mantiene la
neutralidad de carga, sino que el campo eléctrico también es cero en todas partes fuera de la
unión. La presente suposición de carga insignificante debido a la divergencia del campo
eléctrico es menos restrictiva que la habitual.

Para un material de un ohmio-cm con una vida útil de 1 microsegundo, el rango máximo de
validez de las cantidades anteriores se enumera a continuación para germanio y silicio a
temperatura ambiente.

2) Nivel Medio. Caso p(0) >= N

Para este caso las densidades de corriente no pueden ser reducidas a una simple expresión. Sin
embargo, La gradiente de hueco en x=0 puede ser escrita como

por tanto, el campo eléctrico es relativamente constante a lo largo de toda la región n.

Para un material de un ohmio-cm con una vida útil de 1 microsegundo, la siguiente lista
resume la densidad de corriente mínima y el voltaje aplicado mínimo para este rango a
temperatura ambiente.

3) Nivel Alto. Caso p(0)>=10N

Para este caso las condiciones de frontera se convierten en

Y las densidades de corriente son:

Se ha demostrado en el texto que para este caso la corriente de recombinación en la capa de
carga espacial es despreciable en comparación con la corriente de difusión. Por tanto, la
corriente total es esencialmente igual a la corriente del hueco en x = O, y varía como
exp (qV / 2kT). Esta región tiene una densidad de corriente mucho más alta que la región
similar considerada para la corriente de generación de recombinación en la capa de carga
espacial.

Necesitamos examinar el campo eléctrico y su divergencia en los límites para verificar la

validez de nuestras suposiciones. A un voltaje más bajo aplicado para este caso de gran
polarización, los campos eléctricos se pueden obtener usando (58) y (59).

Así, el campo eléctrico varía alrededor de un factor de 10 por lo menos. La gradiente del
campo eléctrico se puede obtener derivando (55). En x = ∞, dE/dx es cero y en x = 0 el campo
eléctrico es

en el límite de inyección más bajo. Esto corresponde a aproximadamente 25 v / cm para un

material de vida útil de 1 microsegundo a temperatura ambiente. La cantidad
puede ahora ser comparada con p-n+N de (53). Usando los valores de arriba obtenemos

lo cual es usualmente satisfecho ya que N es del orden 10cm-3 para silicio de unos pocos
OHMS-cm de resistividad.

Volveremos a ofrecer una lista que indique los valores límite de la densidad de corriente y el
voltaje para este rango.