El dopado Un proceso que se realiza frecuentemente en electrnica, es el dopado.

Consiste en aadir tomos del grupo III o V del Sistema Peridico, es decir, con 3 5 electrones de valencia. Estos tomos sustituyen a algunos de los de silicio en la estructura. Pero los del grupo III carecen de uno de los cuatro electrones de valencia, por lo que se crean un hueco de carga positiva. Este hueco permite que uno de los electrones cercanos salte a l, creando a su vez un hueco en su lugar de origen, que puede ser usado a su vez por otro electrn. Si se somete el semiconductor a un campo elctrico, los electrones tendern a irse hacia el polo positivo, creando huecos en la parte negativa. El fenmeno se puede contemplar tambin como un hueco de carga positiva que viaja hacia el polo negativo. Esta interpretacin es la ms empleada por los ingenieros, ya que simplifica los clculos. Por tanto existe en teora una partcula llamada hueco que posee la carga del electrn pero positiva y su misma masa. Es importante entender que este hueco es solo una convencin matemtica, y que en realidad se habla de un flujo de electrones en direccin contraria. Con el dopado con elementos del grupo V, sucede exactamente el efecto fsico contrario. En cada tomo existe un electrn que no tiene lugar en la estructura y se convierte en libre. Este electrn no est sujeto por la estructura y se puede mover libremente, siendo atrado por los campos elctricos. En ambos casos, el del hueco y el del electrn, la carga creada puede ser empleada para la conduccin de corriente elctrica. Pero los electrones y huecos producidos por las impurezas introducidas, no son suficientes para el funcionamiento del semiconductor, adems intervienen los portadores de carga generados por los propios tomos del semiconductor, como se explica ms adelante. Semiconductores intrnsecos y extrnsecos Los semiconductores intrnsecos son aquellos que no han sido dopados. Por tanto todos sus tomos son del material semiconductor. Los nicos conductores existentes son los pares electrn-hueco producidos por las aportaciones de energa externas. Como consecuencia, los portadores de carga positiva y los de carga negativa existen en la misma cantidad. En los semiconductores extrnsecos, adems de los pares electrn-hueco originados en el material semiconductor, existen los portadores creados por el dopado con materiales de tipo III o V. En este caso existen ms portadores de un tipo que de otro. A los portadores que existen en mayor abundancia, los creados por el material dopante, se les llama portadores mayoritarios y a los otros, portadores minoritarios. Los semiconductores extrnsecos pueden ser de tipo n o p en funcin de cules sean sus portadores mayoritarios; si son electrones, es de tipo n (negativo) y si son huecos, el semiconductor es de tipo p (positivo).