UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA

FACULTAD DE ELECTROTECNIA Y COMPUTACION

INGENIERIA ELECTRICA

ELECTRONICA ANALOGICA:

SEMICONDUCTORES

NOMBRE: RODRIGO EMMANUEL MONTENEGRO GONZALEZ

KENNER ARANA LOASIGA

NELSON ANTONIO MORAGA

GRUPO:3M2-EL

DOCENTE: LIC. DORA INES REYES CHAVEZ

Semiconductores
1. Conductores
El cobre es un buen conductor debido a la existencia de un electrón en la capa más
externa, este contiene 29 protones en el núcleo y 29 electrones dispuestos alrededor
del núcleo, estos electrones cuanto más alejados se encuentran del núcleo menor
es la atracción que experimentan, debido a que se mueven más lentamente, lo que
da lugar a una fuerza centrífuga menor.

En la electrónica lo único que importa es precisamente, el orbital exterior

denominado orbital de valencia. Este orbital controla las propiedades eléctricas del
átomo. La parte interna de un átomo tiene una carga neta de +1 y el electrón de
valencia tiene una carga neta de -1, a causa de ello la atracción que siente el electrón
de valencia es muy pequeña, por tanto, una fuerza externa puede fácilmente
arrancar este electrón del átomo del cobre. Por eso a este electrón de valencia se le
denomina electrón libre.
2. Semiconductores
Un semiconductor es un elemento con propiedades eléctricas entre las de un
conductor y un aislante. Estos poseen cuatro electrones de valencia mientras que
los mejores aislantes poseen ocho electrones de valencia. Los semiconductores
más comunes son:
El germanio que posee cuatro electrones de valencia fue el semiconductor más
utilizado para la fabricación de dispositivos semiconductores, sin embargo, estos
dispositivos presentaban una excesiva corriente inversa, a la cual no se pudo dar
solución y representaba un problema para la electrónica.
El silicio fue el sustituto para el germanio siendo el segundo elemento más
abundante en la tierra. Aunque inicialmente existían problemas que impedían hacer
uso del silicio, una vez solucionados, las ventajas del silicio lo convirtieron
inmediatamente en el responsable de la electrónica moderna.
Un átomo de silicio aislado tiene 14 protones y 14 electrones. El primer orbital
contiene 2 electrones y el segundo 8 electrones. Los 4 electrones restantes se
encuentran en el orbital de valencia, la parte interna tiene una carga resultante de
+4, porque contiene 14 protones en el núcleo y 10 electrones en los primeros
orbitales.
2.1 Cristales de silicio.
Los átomos de silicio se combinan para formar un sólido, lo hacen según un patrón
ordenado denominado cristal. Cada átomo de silicio comparte sus electrones con
cuatro átomos vecinos, de tal forma que tiene ocho electrones en su orbital de
valencia.
Cada átomo vecino comparte un electrón con el átomo central. De esta forma, el
átomo central tiene 4 electrones adicionales. Lo que da como resultado un total de
ocho electrones en el orbital de valencia. Los electrones dejan de pertenecer a un
único átomo. Cada átomo de silicio tiene cuatro átomos vecinos. Al compartir un par
de electrones se ejercen fuerzas en sentidos opuestos que mantienen los átomos
de silicio unidos, el electrón se convierte en un enlace entre las partes internas
opuestas, este tipo de enlace se conoce como enlace covalente, y es el responsable
de mantener el cristal de silicio unido y sólido.
Cada átomo de este cristal de silicio tiene ocho electrones en su orbital de valencia.
Lo que le proporciona estabilidad química, es decir el silicio se encuentra de forma
sólida y compacta debido a la saturación de valencia, esta es una ley que dice que
ningún átomo puede contener más de 8 electrones en su capa más externa. Por lo
tanto, se dice que los ochos electrones de valencia se denominan electrones ligados,
porque mantienen fuertemente unidos los átomos.
2.2 El Hueco
En un cristal de silicio, las vibraciones de los átomos ocasionalmente pueden hacer
que se despliegue un electrón del orbital de valencia. Cuando esto ocurre, el electrón
liberado puede saltar a un orbital de mayor nivel energético, en dicho orbital se dicen
que el electrón es un electrón libre. La salida del electrón deja un espacio vacío
denominado hueco, que se comporta como una carga positiva, debido a que la
pérdida del electrón da lugar a un ion positivo. El hueco atraerá y capturara cualquier
electrón que se encuentre en la vecindad inmediata, esto es lo que confiere las
propiedades especiales a los materiales semiconductores.
La unión de un electrón libre y un hueco se denomina recombinación, y el intervalo
de tiempo entre la creación y la desaparición de un electrón libre se denomina tiempo
de vida.
En cualquier semiconductor ocurren en cualquier instante lo siguiente:
Por efecto de la energía térmica pueden crearse algunos electrones libres y huecos,
mientras otros electrones libres y huecos pueden recombinarse y existen
temporalmente algunos electrones libres y huecos a la espera de recombinarse.
2.3 Clasificación

2.3.1 Semiconductores intrínsecos

Son semiconductores puros, es decir es una propiedad propia de este tipo de
materiales.
Por ejemplo, un cristal de silicio es un semiconductor intrínseco si cada átomo del
cristal es un átomo de silicio.
Si se supone que la energía térmica ha dado lugar a la creación de un electrón libre
y de un hueco, y se coloca una muestra de un cristal de silicio situado entre dos
placas metálicas cargadas, el electrón libre que se encuentra en un orbital de mayor
energía en el extremo derecho del cristal, donde se encuentra la placa cargada
negativamente, provocará que los electrones libres son repelidos hacia la izquierda,
y así pasan de un orbital al siguiente de mayor nivel hasta llegar a la placa positiva.
El hueco que queda en la parte izquierda atrae al electrón de valencia en el punto
A, lo que provoca que el electrón de valencia caiga en el hueco, dejando un hueco
en ese punto hasta que sea llenado por otro electrón libre. Esto significa que el flujo
de electrones y huecos es opuesto.

En este tipo de semiconductor se producen el mismo número de electrones libres

que de huecos, esto se debe a que la energía térmica crea los electrones libres y
los huecos por pares, como se mencionó anteriormente el flujo de electrones libres
y huecos es opuesto lo que garantizan un flujo que permite el transporte de cargas,
y por tanto se denominan portadores, en conclusión, en semiconductores intrínseco
se considerara que la corriente resulta del efecto combinado de los dos tipos de
flujos.(flujo de electrones y de huecos)

2.3.2 Semiconductores extrínsecos.

A los semiconductores que se añaden átomos de impurezas a un cristal intrínseco
con el fin de alterar su conductividad eléctrica se le conoce como extrínseco, es decir
es adquirido gracias al dopaje del material.
En dependencia de la cantidad de impurezas que se agregué al intrínseco puro, se
podrá controlar la conductividad de un semiconductor dopado. Es decir, si se
requieren un semiconductor con una alta conductividad eléctrica, más impurezas se
añaden (arsénico, antimonio y el fosforo), en particular si se desea un semiconductor
fuertemente dopado se requiere añadir elementos que sean pentavalentes, es decir,
que tengan cinco átomos en el orbital de valencia, puesto que estos materiales
donaran un electrón adicional al cristal de silicio. Por lo tanto, una vez enfriado el
cristal de silicio habrá un electrón extra no enlazado.
En cambio, si se desea un semiconductor débilmente dopado, que tendrá baja
conductividad eléctrica, por lo tanto, alta resistencia, se deben añadir impurezas
cuyos átomos tengan solo tres electrones de valencia como el: aluminio, el boro y el
galio. Esto para que en el centro del átomo solo se pueden emparejar 7 átomos
dejando un hueco en el orbital de valencia de cada átomo trivalente, este átomo
recibe el nombre de átomo receptor, porque cada uno de los huecos con que
contribuyen puede aceptar un electrón libre durante la recombinación.

2.3.3 Semiconductor tipo n.

El silicio que ha sido dopado con una impureza pentavalente se denomina
semiconductor tipo n, donde n hace referencia a negativo, es decir la cantidad de
electrones supera al de huecos, los electrones libres son los portadores mayoritarios
y los huecos son los portadores minoritarios.
2.3.4 Semiconductor tipo p.
El silicio que ha sido dopado con un átomo trivalente se denomina semiconductor
tipo p, donde p hace referencia a positive, es decir la cantidad de huecos supera a
la de electrones libres, los huecos serán los portadores mayoritarios y los electrones
libre serán los portadores minoritarios.