Construcción de un transistor

1. ¿Qué nombres se aplican a los dos tipos de transistores BJT? Trace la

construcción básica de cada uno y marque los varios portadores
minoritarios y mayoritarios en cada uno. Trace el símbolo gráfico junto a
cada uno. ¿Cambia cualquier parte de esta información al cambiar de silicio
a germanio?
Se conocen como NPN (transistor de unión bipolar de tipo N) y PNP
(transistor de unión bipolar de tipo P).
La diferencia principal que existe entre un transistor de silicio o germanio es
la caída de tensión entre base-emisor. La de Silicio es de 0,7 V mientras que
la de Germanio es de 0,3 V.

Unión polarizada en directa de un transistor pnp. Unión polarizada en inversa de un transistor pnp.

Notación y símbolos utilizados con la configuración en base común: (a) transistor pnp; (b) transistor npn.
 2. ¿Cuál es la diferencia principal entre un dispositivo bipolar y uno unipolar?
Un transistor bipolar utiliza huecos y electrones en el proceso de inyección o
flujo de carga, mientras que los dispositivos unipolares utilizan ya sea
electrones o huecos, pero no ambos, en el proceso de flujo de carga.
Operación del transistor
3. ¿Cómo se deben polarizar las dos uniones de transistor para la correcta
operación de amplificador del transistor?
Polarización directa y polarización inversa.
4. ¿Cuál es la fuente de la corriente de fuga en un transistor?
La corriente de fuga ICO es la corriente de portadores minoritarios en el
colector.
5. Trace una figura similar a la figura 3.3 de la unión polarizada en directa de
un transistor NPN. Describa el movimiento resultante de los portadores.

Sin polarización entre la base y el emisor. Actúa como un diodo polarizado

en directa. El ancho de la región de empobrecimiento se redujo a causa de la
polarización aplicada y el resultado fue un intenso flujo de portadores
mayoritarios del material tipo p al material tipo n.

6. Trace una figura similar a la figura 3.4 de la unión polarizada en inversa de

un transistor NPN. Describa el movimiento resultante de los portadores.

El flujo de portadores mayoritarios es cero, y el resultado es sólo un flujo

de portadores minoritarios

7. Trace una figura similar a la figura 3.5 del flujo de portadores

mayoritarios y minoritarios de un transistor NPN. Describa el movimiento
resultante de los portadores.
 Una gran cantidad de portadores
mayoritarios se difundirá a
través de la unión p–n polarizada
en directa hacia el material tipo
n. El mayor número de estos
portadores mayoritarios se
difundirá a través de la unión
polarizada en inversa hacia el
material tipo n conectado al
colector. Ha habido una
inyección de portadores
minoritarios en el material tipo n
de la región de la base.

8. ¿Cuál de las corrientes del transistor siempre es la más grande? ¿Cuál es

siempre la más pequeña? ¿Cuál de las dos corrientes son de magnitud
relativamente parecidas?

IE es la más grande, IB es la más pequeña, IC y IE son relativamente

parecidas.

9. Si la corriente en el emisor de un transistor es de 8 mA e IB es de 1100 de

IC, determine los niveles de IC e IB.

Configuración en base común

10. De memoria, trace el símbolo de los transistores PNP y NPN y luego inserte
el flujo convencional de cada corriente.
11. Utilizando las características de la figura 3.7 determine VBE con IE 5 mA y
VCB 1.10 y 20 V. ¿Es razonable suponer de una forma aproximada que
VCB tiene sólo un efecto leve en la relación entre VBE e IE?
 Escalas:

(Es un efecto muy

leve.)

12. a. Determine la resistencia de ca promedio para las características de la

figura 3.10b.
b. Para redes en las que la magnitud de los elementos resistivos es por lo general
de kilohms, ¿es válida la aproximación de la figura 3.10c [basada en los resultados
de la parte (a)]?
Sí, ya que 25 Ω suele ser insignificante en comparación con los demás
niveles de resistencia de la red.
13. a. Con las características de la figura 3.8, determine la corriente en el
colector si IE 4.5 mA y VCB 4 V.

b. Repita la parte (a) con IE 4.5

mA y VCB 16 V.

c. ¿Cómo han afectado los cambios en VCB el nivel resultante de IC?

Insignificante: el cambio no puede detectarse en este conjunto de
características
d. De una forma aproximada, ¿Cómo se relacionan IE e IC con base en los
resultados anteriores?

14. a. Utilizando las características de las figuras 3.7 y 3.8, determine IC si VCB 10
V y VBE 800 mV.
b. Determine VBE si IC 5 mA y VCB 10 V.
c. Repita la parte (b) usando las características de la figura 3.10b.
d. Repita la parte (b) usando las características de la figura 3.10c.
e. Compare las soluciones de VBE para las partes (b) a (d). ¿Se puede ignorar la
diferencia si por lo general se presentan niveles de voltaje de más de algunos
volts?
Sí, la diferencia de niveles de VBE puede ignorarse para la mayoría de las
aplicaciones si en la red hay tensiones de varios volts están presentes en la
red.

16. De memoria, trace la configuración de un transistor BJT en base común (npn y

pnp) e indique la polaridad de la polarización aplicada y las direcciones de la
corriente resultante.
27. De memoria, trace la configuración en emisor común (npn o pnp) e inserte la
modalidad de polarización correcta con las direcciones resultantes de IB, IC e IE.