Está en la página 1de 10

Memoria No volátil de lectura/

Escritura

Start

• Aguilar Baylon Estrella Esmeralda


• Balderas Ortiz Sandra Yellim
• López Macedo Metzi Pamela
• Mireles Eguiluz Mariana
• Morales Torres Ismael
• Salinas Heredia Ian Saul

Grupo: 5IM12
Memoria no volátil de lectura/escritura

Las memorias no volátiles nos permiten almacenar información, datos y programas


de forma indefinida La memoria ROM (Read Only Memory): Contiene
información que no se puede modificar y que sirve, básicamente, para poder
inicializar el sistema informático, esta es una memoria no volátil debido a que no
se borra cuando se apaga el sistema
Existen diferentes memorias de tipo ROM que contienen dichos datos
esenciales para iniciar el ordenador, entre ellas:•
El BIOS: Este es un programa que permite controlar las principales
interfaces de entrada-salida•

El cargador de Bootstrap: es un programa para cargar memoria al sistema


operativo y ejecutarla•

La configuración CMOS: Es la pantalla que se visualiza al iniciarse el


ordenador•

La Auto-prueba de Encendido Es un programa que se ejecuta


automáticamente cuando arranca el sistema, permitiendo de esta manera
probar dicho sistema
Respaldo de Baterías de las SRAM

El respaldo de baterías representa un método común para resolver el problema de la volatilidad


de as SRAM. La RAM CMOS se utilizan en conjunto con sistemas de respaldo de baterías
debido a que consumen muy poca potencia. Por lo general se usan baterías de litio de larga
vida para respaldar datos de una SRAM CMOS.
Back

NVRAM
• No pierde la información almacenada al cortar
alimentación eléctrica. Este tipo de memorias son
construidas actualmente mediante chips
semiconductores.

• Prácticamente están presenten en todos los


dispositivos electrónicos que requieren de un
firmware para su funcionamiento.

• La información que almacena la NVRAM es


utilizada por el sistema operativo o firmware del
dispositivo para que, durante el proceso de
arranque, se pueda cargar la configuración básica de
funcionamiento del dispositivo. 
• Es un derivado de la memoria EEPROM. Es
un dispositivo en forma de tarjeta, que se
encuentra orientado a realizar
el almacenamiento de grandes cantidades
de datos en un espacio reducido,
Es programable y borrable de permitiendo la lectura y escritura de
múltiples posiciones de memoria en la
forma electrónica, y además
misma operación.
puede utilizarse como una
unidad de almacenamiento
independiente.
Las memorias flash fueron
diseñadas en torno a un tipo
de transistor
llamado FAMOS (Floating
Gate Avalanche-Injection
Metal Oxide
Semiconductor) 

Los tipos de memoria flash más


comunes que se encuentran en el
mercado son las memorias flash
Memoria flash o rápida NOR y memorias flash NAND
FUNCIONAMIENTO La década de 1980 que Fujio Masuoka y su
equipo, trabajando en los laboratorios de Toshiba,
crearon la memoria Flash en base a las
• Las memorias flash no son investigaciones sobre las memorias EEPROM.
volátiles, es decir que no requieren de
alimentación para conservar los datos.
• Pueden llegar a alcanzar altas tasa de
transferencia de datos tanto para la
lectura como para la escritura,
• Son muy económicas resistentes a los
daños, al calor y al mal trato diario, pero
por sobre todo son muy fiables. 

Eran capaces de almacenar un solo bit de


datos, con el paso de los años los ingenieros
lograron que las memorias flash fueran
capaces de 
almacenar más de un bit por celda
 alternando el número de electrones que
almacenan.
Back

Ram Magnetorresistiva

La memoria magnetorresistiva de acceso


aleatorio ( MRAM ) es un tipo de memoria de
acceso aleatorio no volátil que almacena datos en
dominios magnéticos . Desarrollado a mediados
de la década de 1980, los defensores han
argumentado que la RAM magnetorresistiva
eventualmente superará a las tecnologías de la
competencia para convertirse en una memoria
dominante o incluso universal . Actualmente, las
tecnologías de memoria en uso, como flash RAM
y DRAM, tienen ventajas prácticas que hasta
ahora han mantenido a MRAM en un nicho de
mercado.
RAM ferroeléctrica

FRAM, RAM ferroeléctrica, es una forma de


memoria de acceso aleatorio que combina el
acceso rápido de lectura y escritura de la RAM
dinámica, DRAM, al mismo tiempo que
proporciona capacidad no volátil. Una memoria
semiconductora como FRAM puede integrarse a
los microcontroladores y a otros circuitos mediante
solo algunas etapas adicionales de fabricación.

Go!
Back

Conclusiones
En conclusión, las memorias no volátiles de
escritura/lectura han sido fundamentales en el
desarrollo de almacenamiento de información,
dándoles una implementación única en cada uno de
las ocupaciones destinadas en los dispositivos
electrónicos que utilizamos diariamente en nuestro
día.

Por ello resulta interesante el conocer con un poco


mas de profundidad como aquellos pequeños
dispositivos son capaces de realizar esas tareas
complejas, comprender su funcionamiento,
características y evolución de estas mismas, incluso
el preguntarnos como evolucionaran para el futuro
y que otras ocupaciones se le podría dar.

También podría gustarte