LOS TRANSISTORES COMO

INTERFACES DE POTENCIA

Electrónica de
Potencia
Ing. María Luisa Balderas E.
malu_baes@yahoo.com.mx
Características controladas de
activación y desactivación
(elementos conmutadores).
 Operan en la región de saturación y su caída de
voltaje es baja en estado activo.

 Suvelocidad de conmutación es mucho mayor

que la de los tiristores (convertidores de ca-cd y
de cd-ca).

 Lasespecificaciones de voltaje y corriente son

menores que las de los tiristores (aplicaciones de
baja a media potencia)
Clasificación general de los
transistores de potencia.

 Transistores bipolares de juntura (BJT).

 Transistores semiconductores de metal de

óxido de efecto de campo (MOSFET).

 Transistores de inducción estática (SIT).

 Transistores bipolares de compuerta

aislada (IGBT)
Transistor Bipolar de Juntura
(BJT-Bipolar Junction Transistor).
 Es un dispositivo semiconductor de tres regiones
y consta de dos regiones de material tipo n y
una región de material tipo p, ó bien dos
regiones de material tipo p y una región de
material tipo n. Al primero se le denomina
transistor npn mientras que al segundo se le
denomina transistor pnp.

 Las terminales de cada región se llaman

colector (C), emisor (E) y base (B).
 Transistor BJT tipo NPN
C C

iC

N
B VCE B P
iB N
VBE

iE

E E
 Transistor BJT tipo PNP
C C

iC

P
B VCE B N
iB P
VBE

iE

E E
Características
 La región del Emisor esta fuertemente dopada.

 La región de la Base se encuentra ligeramente dopada.

 La región del Colector sólo muy poco dopada.

 Las regiones exteriores tienen espesores mucho mayores que

la capa central.

 El dopaje de la región central es mucho menor que el dopaje

de las regiones exteriores. Este bajo nivel de dopaje
disminuye la conductividad de este material al limitar el
número de portadores “libres”.

 El termino Bipolar refleja el hecho de que tanto huecos como

electrones participan en el proceso de inyección hacia el
material polarizado en forma opuesta.
Emisor E
IE IC
C
+ +
VEB IB VCB

- -
B
 La unión base-emisor se polariza en forma directa. Los
valores del voltaje de polarización más comunes son 0.3 V
para el Ge y 0.7 V para el Si.

 El emisor P del transistor PNP inyecta huecos a su unión

con la base. La dirección de la corriente de huecos en el
emisor está señalada por la flecha que aparece en su
símbolo.

 En los símbolos para transistores, el emisor es el único que

tiene una flecha. Cuando ésta apunta hacia la base, el
transistor es PNP; en caso contrario, el transistor es NPN.
 IE IC
E C
Colector + +
VEB IB VCB

- -
B

 Su función es remover las cargas de su unión con la

base. El transistor PNP tiene un colector P que
recibe huecos. En el transistor NPN, el colector N
recibe electrones.
 La unión base-colector siempre tiene un voltaje con
polarización inversa. Los valores más frecuentes de
este voltaje varían de 4 a 100 V.
 La polarización inversa impide el flujo de portadores
mayoritarios del colector hacia la base. Sin
embargo, en la dirección opuesta, de la base hacia
el colector, el voltaje en este último atrae las cargas
en la base que proporciona el emisor.
 IE IC
E C

Base +
VEB VCB
+

IB

- -
B

 La base separa el colector del emisor. La unión

base-emisor tiene polarización directa y, por
tanto, la resistencia del circuito del emisor es
muy baja.

 La unión base-colector tiene polarización inversa

y, por consiguiente, la resistencia del circuito del
colector es muy grande.
Operación del BJT
Configuración de base común
+ Portadores mayoritarios

E C
P N P

B
Región de
agotamiento

VEB VCB
Operación del BJT
Configuración de base común

 El espesor de la región de agotamiento se redujo

debido a la polarización aplicada, lo que da como
resultado un flujo muy considerable de
portadores mayoritarios desde el material tipo P
hacia el material tipo N.
Operación del BJT
Configuración de base común
+ Portadores minoritarios

E C
P N P

B Región de
vaciamiento

VEB VCB
Operación del BJT
Configuración de base común

 Ahora eliminaremos la polarización base-emisor

del transistor pnp considere las similitudes entre
esta situación y la del diodo con polarización
inversa. Recuerde que el flujo de los portadores
mayoritarios es cero con lo que ocasiona
solamente un flujo de portadores minoritarios,
como se indica en la figura anterior.
Operación del BJT
Configuración de base común

 Unimos ambos análisis para poder ver cual es el

efecto de los flujos de portadores mayoritarios y
portadores minoritarios. La figura siguiente
presenta los espesores de las regiones de
agotamiento que indica claramente cuál unión se
encuentra en polarización directa y cuál en
polarización inversa.
Operación del BJT
Configuración de base común
+ Portadores mayoritarios
+ Portadores minoritarios

IE IC
E C
P N P

B Regiones de
vaciamiento
IB

VEB VCB
Operación del BJT Configuración de base común

 Como se ve de la figura anterior una gran

cantidad de portadores mayoritarios se
difundirán a través de la unión pn en
polarización directa hacia el material tipo n.

 Debido a que el material tipo n del centro es

muy delgado y tiene una baja conductividad, un
número pequeño de estos portadores tomará
esta trayectoria de alta resistencia hacia la
terminal de la base.
Operación del BJT
Configuración de base común

 La magnitud de la corriente de base típicamente

se encuentra en el orden de los microampers,
comparado con los miliampers para la corriente
del emisor y del colector.

 La mayor cantidad de estos portadores

mayoritarios se difundirá a través de la unión en
polarización inversa, hacia el material tipo p
conectado a la terminal del colector.
Operación del BJT
Configuración de base común

 El motivo de esta facilidad relativa con la que los

portadores mayoritarios pueden atravesar la
unión en polarización inversa se comprende con
facilidad si se considera que para el diodo en
polarización inversa, los portadores mayoritarios
inyectados aparecerán como portadores
minoritarios en el material tipo n.
Operación del BJT
Configuración de base común

 En otras palabras tuvo lugar una inyección de

portadores minoritarios hacia el material de la
región de la base de tipo n. combinando esto con
el hecho de que todos los portadores minoritarios
en la región de agotamiento atravesarán la unión
en polarización inversa de un diodo.
Operación del BJT
Configuración de base común

 Al aplicar la ley de corrientes de Kirchhoff, como si

fuera un nodo, se obtiene.
I E  IC  I B
 La corriente de colector IC esta compuesta por dos
corrientes la corriente de portadores mayoritarios y la
de portadores minoritarios que se le denomina
corriente de fuga y se le asigna el símbolo ICO
(corriente IC con la terminal del emisor abierta). Por
tanto, la corriente del colector se determina en su
totalidad mediante la siguiente ecuación:
IC  ICmayoritarios  ICOminoritarios
Operación BJT

 ICOes sensible a la temperatura y debe

examinarse con detenimiento cuando se
consideran aplicaciones de intervalos
amplios de temperaturas. Pero, con las
nuevas tecnologías de construcción de
transistores, se han producido niveles
menores ICO por lo que puede despreciarse.
Operación del BJT

 El factor de amplificación en corto

circuito de base común (), dado por:

I C

I E
 Valores típicos = 0.90 a 0.998
IC

IE IC   I E
Operación del BJT

IE IC
E C
N P N

IB

VEB VCB
El Transistor
 Usado ampliamente como un dispositivo de
conmutación, aproximado a un interruptor
ideal.

 Los estados de corte y saturación son regiones

de operación primarias; estos dos estados
corresponden al estado cerrado y abierto de un
interruptor.