PNP

El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a
las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores
usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la
mayoría de las circunstancias.

El símbolo de un transistor PNP.

Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos
capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el
colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a
través de una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando desde la base
permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.

La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en la

que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo

[editar] Regiones operativas del transistor

Los transistores de unión bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas
principalmente por la forma en que son polarizados:

 Región activa:

corriente del emisor = (β + 1)·Ib  ; corriente del colector= β·Ib

Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte

entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta región la corriente
de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de β (ganancia
de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren
 conectadas en el colector y emisor. Esta región es la más importante si lo que se
desea es utilizar el transistor como un amplificador de señal.

 Región inversa:

Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el

transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las
regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayoría de los
BJT son diseñados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el
parámetro beta en modo inverso es drásticamente menor al presente en modo activo.

 Región de corte: Un transistor está en corte cuando:

corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de

alimentación del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay caída de
voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de
base = 0 (Ib =0)
De forma simplificada, se puede decir que el la unión CE se comporta como un
circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.

 Región de saturación: Un transistor está saturado cuando:

corriente de colector ≈ corriente de emisor = corriente maxima, (Ic ≈ Ie = Imax)

En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del

circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver
Ley de Ohm. Se presenta cuando la diferencia de potencial entre el colector y el
emisor desciende por debajo del valor umbral VCE,sat. Cuando el transistor esta en
saturación, la relación lineal de amplificación Ic=β·Ib (y por ende, la relación
Ie=(β+1)·Ib ) no se cumple.
De forma simplificada, se puede decir que el la unión CE se comporta como un
cable, ya que la diferencia de potencial entre C y E es muy próxima a cero.

Como se puede ver, la región activa es útil para la electrónica analógica (especialmente útil
para amplificación de señal) y las regiones de corte y saturación, para la electrónica digital,
representando el estado lógico alto y bajo, respectivamente.

PNP Y NPN

El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es
 un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas
entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. Los
transistores bipolares se usan generalmente en electrónica analógica. También en algunas
aplicaciones de electrónica digital como la tecnología TTL o BICMOS. Un transistor de
unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados
por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose
como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores
de carga.
 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
 Colector, de extensión mucho mayor.
Los transistores de tipo NPN aquellos que tienen mas N en su nombre, esto quiere decir que
utilizan "partículas" subatómicas de signo Negativo para transportar la corriente.
Y que los de tipo PNP, es decir, aquellos con mas P en su nombre, por lo que utilizan
"partículas" subatómicas de signo Positivo para transportar la corriente.
Esta diferencia es importante porque la forma de conectar estos transistores difiere
dependiendo de si son de tipo NPN o PNP, debido a que la cuestión de los signos de voltaje
de entrada difiere dependiendo de con cual transistor te encuentras trabajando. Otra
diferencia que podemos manejar es el material con el que están elaborados ya que
generalmente los PNP se construyen con Germanio mientras los NPN mas comúnmente son
construidos con Silicio.

PNP

Un tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las
cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores
usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la
mayoría de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos
capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el
colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a
través de una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando desde la base
permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en que
la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo (esto
en cuanto a su simbología).
Transistores.

El transistor se puede considerar como la unión de dos diodos, por lo que debe de tener
dos uniones PN ó NP.

Un tranistor tiene por tanto tres zonas de dopado, en un transitor PNP, por ejemplo, existen
tres zonas de dopado, diferenciadas entre sí y con diferentes cualidades. En un transistor
PNP, la base es la zona N y las otras dos zonas P se denominan colector y emisor y
viceversa. El emisor y la base de un transistor es como si fueran un diodo (una unión PN) y
la base y el colector forman la otra unión PN. A efectos prácticos, un transitor no funciona
como la unión de dos diodos.

Los simbolos del transitor son los siguientes:

Transitor Transistor

NPN PNP

Funcionamiento del transitor.

En el transitor, el emisor es el encargado de “inyectar” electrones en la base, la cual se

encarga de gobernar dichos electrones y mandarlos finalmente al colector.

La fabricación del transistor se realiza de forma qu la base es la zona más pequeña, después
el emisor, siendo el colector el más gande en tamaño.

Polarización del transistor.

Un transitor cuenta con dos uniones PN, por lo que necesita ser polarizado correctamente.
La unión emisor debe estar polarizada directamente y la unión colector debe de estar
polarizada inversamente.

Por ejemplo, en un transistor NPN, dispodremos de dos baterías, una tendrá conectado a su
polo positivo el colector N del transitor y la otra tendrá conectado a su polo negativo el
emisr N del transitor, quedando así polarizado el transistor, circulando así una corriente del
emisor a la base y de esta al colector, también cirucula una pequeña Intensidad de base, la
cual es muy pequeña comparada con la intensidad de colector, que se puede tomar en la
práctica casi identica a la intensidad de emisor, aunque la intensidad de emisor sea igual a
la intensidad de colector más la intensidad de base.

IE = IC + IB

Parámetros fundamentales de un transistor.

Para una pequeña tensión de entrada, se obtiene una elevada tensión de salida.

Para una pequeña corriente de entrada, se obtiene una elevada corriente de salida.

Para una pequeña potencia de entrada, se obtiene una elevada potencia de salida.
Según esto, se obitenen tres parámetros de un transistor:

Ganancia de corriente (Ai)

Ganancia de tensión (Av)

Ganancia de potencia (Ap)

Recta de carga de un transitor.

Esta es la recta que refleja todos los posibles puntos de funcionamiento que pueden darse
para unos valores determinados de Rc y tensión de alimentación. Esta recta se debe de
hacer sobre las curvas características de un transitor, tomando como un punto P1 una
intensidad de colector que debe de ser por debajo de la mínima y como un punto P2, una
tensión de alimentación.

Si nos situamos en un punto alto de esta recta estamon cerca de la Intensidad máxima de
colector, lo cual crea un situcación de saturación.

Si nos situamos en un punto demasiado bajo de esta recta, estamos más cerca de la Vce
máxima, con la cual se crea un situación de Corte.

1. Llamamos Pundo de trabajo de un transistor a un punto de la recta de carga que