Informe de práctica

Asignatura: Laboratorio de electrónica

Ciclo: Cuarto
Paralelo: A Calificación:
Estudiante: Williams Proaño Jean Figueroa Jair Chichande
Grupo: # 3
Fecha:
Docente: Ing. Jefferson Lozada, Mgt.
1. Tema de la práctica: Transistor bipolar de juntura
2. Número de la práctica: # 7

3. Objetivos específicos

 Familiarizar al estudiante con el transistor bipolar de juntura.

 Determinar mediante simulación las curvas características de entrada y salida
para cada configuración del transistor bipolar de juntura.

4. Materiales
 Hardware
- Computadora
 Software
- Proteus

5. Trabajo preparatorio
 Para el desarrollo de esta práctica no se requiere trabajo preparatorio.

6. Procedimiento
 6.1 Explicación por parte del instructor de que se refiere “pequeña señal” en el
ámbito de trabajo de un transistor y de las características generales de las
regiones (zonas) de trabajo de un transistor: corte, saturación, lineal.
A diferencia de los diodos, los transistores, sean bipolares o de efecto
campo, son dispositivos en los que intervienen varias corrientes y
tensiones. En el caso de los transistores bipolares2 , debemos hablar de
las corrientes y tensiones de colector, base y emisor. En total, el estado
de un transistor se debe describir con seis parámetros eléctricos (IC, IB,
IE, VC, VB y VE). Sin embargo, la realidad es algo más sencilla. En primer
lugar, existe una relación de ligadura en las corrientes debido a que un
transistor se comporta en los circuitos como un nudo y, por tanto, la
suma de las corrientes entrantes es igual a la suma de las salientes.
 Las características de las capas de un transistor son las siguientes
Base: Es la capa mas delgada y es pobremente dopada
. Emisor: Es la capa de dimensión física mayor que la base y la que se
encuentra mayormente dopada.
Colector: Esta capa tiene dimensiones más grandes que las dos capas
anteriores, y está ligeramente menos dopada que el emisor. Existen tres
posibles configuraciones para el TBJ:
Base común: tiene como característica principal que la base debe estar
conectada a tierra,

Región de corte
Aquí se trata de polarización inversa de ambas junturas. La operación en
esta región corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo de
apagado. El transistor actúa como un interruptor abierto (IC=0)
En este caso las dos uniones están polarizadas en inversa, las uniones
BE y BC. De esta forma no hay portadores de carga móviles, no puede
establecerse ninguna corriente de mayoritarios. Los portadores
minoritarios si pueden atravesar las uniones polarizadas en inversa, pero
dan lugar a corrientes muy bajas. Entonces, un transistor en corte
equivale prácticamente, a un circuito abierto.

Región de saturación          
Implica polarización directa de ambas uniones. La operación en esta
región corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo
encendido. El transistor actúa como un interruptor cerrado. (VCE=0)

Región activa
Esta es una región intermedia entre las regiones de corte y saturación. 
En esta región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la
corriente de base (Ib.), de la ganancia de corriente ß (dato del fabricante)
y de las resistencias que estén conectadas al colector y emisor. Esta
región es la más importante si lo que se desea es utilizar el
transistor como un amplificador.
En la imagen se ven las curvas de transferencia del transistor bipolar para
diferentes corrientes de base y se diferencian las zonas activas,
saturación y de corte.

 6.2 Simulación: Configure circuitos en emisor, colector y base común para la

obtención de las curvas características de entrada y salida. Identifique las
zonas de corte, saturación y lineal.

7. Informe
 7.1 Presente los circuitos simulados en la práctica y las curvas características
de entrada y salida obtenidas.
 7.2 Utilice el transistor 2N3904. Obtenga las curvas características de las tres
configuraciones para tres valores de beta (30, 100, 400). Analice las
variaciones obtenidas en las curvas al variar el valor de beta.
 7.3 Consulte:
- Resumen de los diferentes empaquetados para transistores (BJT y FET):
gráfico, aplicaciones.
Los BJT y FET son dos tipos diferentes de transistores conocidos
como dispositivos semiconductores activos. El acrónimo de BJT es
Transistor de unión bipolar y FET significa Transistor de efecto de
campo. BJTs y FETs están disponibles en una variedad de paquetes
basados en la frecuencia de operación, corriente, voltaje y potencias. 

Estos tipos de dispositivos permiten un mayor grado de control sobre su

funcionamiento. BJT y FET se pueden utilizar como interruptores y
amplificadores en circuitos eléctricos y electrónicos. La principal
diferencia entre BJT y FET es que, en un transistor de efecto de
campo, sólo la carga mayoritaria transporta flujos, mientras que en BJT
los flujos de portadores de carga mayoritarios y minoritarios fluyen.
- Tabla resumen de valores máximos de trabajo para transistor NPN 2N3904 y
para PNP 2N3906.
- ¿Cómo se relacionan los parámetros híbridos h con los factores α y β de un
transistor? Defina cada uno de ellos.
Para comenzar, y antes de entrar en materia, veamos algunas cosas
interesantes relativas a lo que ya hemos leido anteriormente, no sin
antes informarte que al final de este artículo tendrás un enlace a un
video en el que se explica todo el proceso matemático que desarrollamos
en este subtema.
Derivando la fórmula vista anteriormente mediante la que podíamos
calcular la Beta (β), se pueden obtener otras fórmulas interesantes. Por
ejemplo, si conocemos la Beta (β) y la corriente de base de un transistor,
es posible calcular su corriente de colector.

EL ALFA (α) Y LA BETA (β)

Llegados a este punto, veamos que son y como pueden calcularse estos
parámetros. Comencemos por la "Beta" (β). La Beta (β) es simplemente la
relación entre la corriente de COLECTOR IC y la corriente de BASE IB, o
sea, cuantas veces es mayor la primera que la segunda. Acudiendo a
las matemáticas más elementales podemos expresarlo del siguiente modo:

Dicho de manera llana, por medio de la Beta (β) sabremos cuantas veces

es mayor la corriente de colector que la corriente de base. Se trata en
cierta manera de evaluar lo "eficaz" que es el transistor haciendo su
trabajo. Lo que se pretende es conseguir que con una corriente muy
pequeña en la base se produzca una corriente mucho mayor en el
 colector (ganancia), mediante lo cual obtenemos una determinada
"amplificación" de la corriente original de la base.
Algo parecido es el Alfa (α), siendo esta la relación entre la corriente de
COLECTOR IC y la corriente de EMISOR IE. Lo podemos representar así:

En este caso, como la corriente de colector es algo menor que la de

emisor, la amplificación o ganancia Alfa que se obtiene es menor que la
unidad. Quizás esto pueda parecer extraño y un gran inconveniente.
¿Para que se necesita un circuito que, lejos de ganar corriente, la pierde?.
¡Tranquilo!... en artículos posteriores veremos su utilidad. Por ahora
baste saber que la "eficiencia" de un transistor será mayor cuanto mayor
sea su Alfa (α).
Debemos tener claro que al hablar de corrientes no estamos hablando de
señales, es decir, que en todo lo escrito anteriormente nos estamos
refiriendo a las corrientes continuas de polarización del transistor cuando
este no tiene ninguna señal aplicada. Es por ello que a la Beta (β) se le
conoce como "ganancia del transistor en corriente continua y
configuración de emisor común". El Alfa (α) por su parte es conocida
como "ganancia del transistor en corriente continua y configuración de
base común".

8 Conclusiones
En esta sección se deben enlistar todos aquellos hallazgos producto de la
experimentación y que permiten responder a los objetivos. Como regla general, debe
existir al menos una conclusión por cada objetivo de la práctica y cada una deberá
acompañarse de los resultados que lo comprueban. Sin embargo, se pueden llegar a
más conclusiones de acuerdo a los hallazgos de cada práctica. Las conclusiones
deben desprenderse de modo directo de la práctica de laboratorio.

 El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus

siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en
dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente
y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través
de sus terminales.
 Un transmisor bipolar o de juntura se fabrica como una estructura tipo
“sándwich” formada por una capa central de material semiconductor con
impurezas de un tipo y dos capas exteriores de material semiconductor
con impurezas del otro tipo.
8 Recomendaciones

La sección de recomendaciones incluye aquellos aspectos de la práctica que pueden

ser mejorados y también presenta ideas acerca de estudios complementarios que
podrían aportar al enriquecimiento de lo aprendido. Las recomendaciones llevarán
viñetas y serán tantas cuantas el estudiante crea necesario, pero con un mínimo de
tres.

9 Bibliografía

J. Millman, C. Halkias, “Electrónica integrada”; Editorial Hispano Europea,

Barcelona-España, 1976.

Anexos

Es una sección opcional, dependiendo de los requerimientos del profesor.

Se puede colocar:
 Ejemplos de cálculo
 Parte experimental no detallada en el informe
 Fotografías de la práctica de laboratorio