TEMA-3-IMPER.CRISTALINAS.

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Paatrona

Ciencia e Ingeniería de Materiales

2º Grado en Ingeniería de Tecnologías Industriales

Escuela de Ingenierías Industriales

Universidad de Málaga

Reservados todos los derechos.

No se permite la explotación económica ni la transformación de esta obra. Queda permitida la impresión en su totalidad.
 TEMA 3: IMPERFECCIONES CRISTALINAS

1. INTRODUCCIÓN
Son muy pocas las veces en que los cristales son perfectos. Estos contienen varios tipos de
defectos e imperfecciones que afectan a la mayoría de las propiedades. Estos defectos
tienen influencia sobre el comportamiento de los materiales:

- A nivel mecánico: Facilitan o dificultan la deformación plástica.

- A nivel eléctrico: Incrementa su conductividad eléctrica introduciendo portadores.
- A nivel químico: Incrementa su resistencia a la corrosión.

Se considera como imperfección cualquier desviación del modelo ideal de esferas rígidas
que se ha considerado al estudiar las agrupaciones de los sólidos. Los defectos puntuales
están localizados en posiciones atómicas de la red, las vacantes, impurezas, la falta o
exceso de electrones, son defectos de éste tipo.

2. IMPERFECCIONES
2.1. PUNTUALES
Es una interrupción muy localizada en la regularidad de la red. Los defectos son de
dimensiones atómicas, es decir, afecta a una posición atómica dentro de la estructura
cristalina.

Los procesos que originan este tipo de defecto suelen ser muy variados, y entre ellos
podemos citar:
a) El aumento de temperatura provoca la vibración de los átomos haciendo que estos
puedan cambiar su posición de forma puntual.
b) El enfriamiento rápido.
c) Los movimientos relativos de planos cristalinos generan gran cantidad de
defectos (puntuales y no puntuales).
d) La irradiación con partículas de alta energía produce desplazamientos puntuales
de átomos.

Cuando un átomo extraño ocupa una posición

correspondiente a un átomo de la matriz se
denomina átomo de impureza substitucional
(pueden generar tensiones en la red cristalina
que permitirán dificultar el movimiento de
dislocaciones a través de la red aunque también
pueden permitir mejorar su resistencia a la
corrosión), y cualquier otro átomo extraño
situado en un intersticio entre los de la red se
llama átomo de impureza intersticial (dificulta
el movimiento de las dislocaciones).

Los átomos en posiciones intersticiales suelen ser mayores que el hueco, y tienden a
empujar a mayor distancia a los átomos vecinos produciendo una distorsión de los planos
reticulares.

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 Las vacantes son defectos puntuales de la red cristalina y consisten en la ausencia de
átomos en algunos lugares normalmente ocupados. Si un átomo de la propia red cristalina
ocupa una posición intersticial el defecto se conoce autointersticial.

a) En los cristales iónicos, la necesidad de mantener una neutralidad de carga

eléctrica implica que la formación de una vacante de un signo esté asociada con otra

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vacante de signo contrario, o con un intersticio (hueco) del mismo signo.

La existencia de autointersticios en los cristales iónicos es muy superior a los

existentes en los metales puros debido a la existencia de grandes huecos
disponibles para la introducción de iones.

b) En cristales covalentes las impurezas de substitución, cuando son de distinto

grupo de la tabla periódica que los átomos de la matriz, inducen la introducción de
un electrón o hueco electrónico de más. Los defectos de tipo puntual en algunos
cristales covalentes controlan la conductividad eléctrica en los mismos y son la base
de los semiconductores.

Se clasifican en dos grupos:

● Tipo P: Al añadir átomos de Ga se generan niveles de energía próximos a la
BV. Los electrones saltan a dicha banda dejando un hueco (carga positiva)
que pueden moverse en BV (banda valencia llena).
● Tipo N: Al añadir átomos de As se generan niveles de energía llenos
próximos a BC (banda de conducción vacía). Los electrones saltan del nuevo
nivel de energía al BC donde pueden moverse.

* Dopado: Proceso de adición controlada de impurezas a semiconductores

intrínsecos.
* En red de Silicio, para generar una vacante o electrón adicional a la red,
añadiremos átomos trivalentes o pentavalentes respectivamente.

c) En los materiales poliméricos se pueden considerar como defectos puntuales las

variaciones en la linealidad de las cadenas como la ramificación de los polímeros
lineales. Estos defectos dificultan el movimiento de unas cadenas respecto a otras.

La cantidad de defectos en equilibrio en los cristales se puede calcular a partir de

consideraciones energéticas.
n → número de defectos,
∆G= ∆Go+n Ed -T∆S Ed → energía asociada a la formación de
un defecto

El término de entropía función del desorden del sistema, favorece la estabilidad del mismo
en cuanto contribuye a la disminución de la energía libre, es decir, a medida que el sistema
se vuelve más desordenado (mayor entropía), la energía libre disponible en el sistema
disminuye.

∆S = k lnW k→ constante de Boltzman

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Ciencia e Ingeniería de Mate...
Banco de apuntes de la
 W → número de formas distintas en que
se pueden agrupar las imperfecciones
Se puede demostrar que cuando existen n defectos el número de posibles situaciones
distintas será:
𝑁!
𝑊 = 𝑛! (𝑁−𝑛)!

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Juntando las 3 ecuaciones obtenemos:
𝐸𝑑
𝑛𝑖 − 𝐾𝑇
𝑁
=𝑒
Esto permite determinar el número de estos en equilibrio conociendo la energía de
activación Ed para un defecto determinado.

2.2. LINEALES
El deslizamiento no se produce en los átomos por un simple movimiento de una capa de
átomos con respecto a otra; si no que debe existir algún tipo de debilidad mecánica en los
cristales reales que sea la causa de que el deslizamiento se produzca aún con la aplicación
de pequeños esfuerzos.

Esta diferencia entre las fuerzas de deformación aparente y real, se produce por el hecho
de que los cristales reales no son perfectos, sino que contienen defectos de línea,
dislocaciones, que implican planos extras en la red y facilitan el desplazamiento,
produciendo una distorsión en la red centrada alrededor de una línea.

En general existen tres tipos de

dislocaciones:

1) Tipo arista o de borde:

cuando se mueve a lo
largo de un plano (B)
2) Tipo helicoidal: en el
momento en el que el
desplazamiento contiene
un giro (C y D)
3) Tipos mixta (arista +
helicoidal) (E).

* La figura A lo consideramos un
cristal perfecto y a partir de ese
se producen las dislocaciones.

VECTOR DE BURGER
Para el estudio de las dislocaciones se utiliza el denominado vector de Burgers. Para
determinar este vector se utiliza el denominado circuito de Burgers, este consiste en marcar
un circuito alrededor de una línea de dislocación, el circuito se realiza por traslación de
átomo a átomo, desplazándose el mismo número de escalones en cada lado del circuito.

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 * Si no hubiera defecto el circuito cerraría. Al existir una dislocación el cierre no se produce
y el vector de Burgers b será el vector que se necesita para cerrar el circuito.

En los cristales iónicos las dislocaciones son más complejas que en los sistemas metálicos,
pues hay que mantener la neutralidad de carga y la regularidad de apilamiento por
problemas de atracciones y repulsiones electrostáticas.

2.3. SUPERFICIALES
Son imperfecciones bidimensionales, producidas por errores en el apilamiento de los
distintos planos atómicos. La existencia de estos defectos aumenta la dificultad de
movimiento de las dislocaciones, debido a las barreras que supone la presencia de dichos
defectos.

A) Superficies libres: Es evidente que los átomos de la superficie de un cristal no pueden

estar sometidos a las mismas fuerzas que las del interior, ya que los de la superficie reciben
solo la energía de sus vecinos de un solo lado por lo tanto deben tener mayor contenido de
energía que los del interior.

Esta situación lleva asociada un aumento de energía, en forma de energía superficial del
sólido. Este aumento está definido como incremento de energía en la creación de nuevas
superficies.

* Una disminución energética se producirá si se completan algunos de los enlaces rotos.

B) Defectos de apilamiento: Los defectos o fallos de

apilamiento (stacking fault) son defectos producidos en una
zona local del cristal donde se interrumpe la secuencia
normal de ordenación de planos. Los stacking fault
interfieren en los procesos de deformación del material.

La existencia de estos defectos se ve favorecido por la

formación de las denominadas dislocaciones parciales. En
los planos compactos el movimiento de una dislocación en
una dirección de deslizamiento se ve muy dificultado por el
apilamiento de los átomos siendo más fácil el movimiento en
zig-zag, descomponiendose una dislocación completa en
dos parciales (dislocación Shockley).

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 C) Límites de grano: Son las superficies que separan los cristales entre sí y que tienen
orientaciones distintas. Esta situación se produce en el proceso de solidificación
formándose los denominados materiales policristalinos

Si la diferencia orientación entre granos es pequeña, los límites de grano se pueden

considerar como una agrupación de dislocaciones en cascada.

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A menor ángulo (θ), más fácil será el movimiento de las dislocaciones:

θ =
𝑏 d → distancia vector de Burger
𝐷
D → distancia entre dislocaciones.

Los límites de grano también son zonas favorables de nucleación y crecimiento de

precipitados, favoreciendo la difusión y aumentando la resistencia mecánica; por lo que
podemos decir que: en un medio corrosivo el ataque es más intenso a lo largo del límite de
grano que en el interior y por tanto nos deja ver los granos.

El tamaño medio de los cristales (granos) es importante en los metales, siendo de gran
influencia en el comportamiento de los mismos. A medida que el tamaño disminuye,
aumentan los límites existiendo más zonas de alta energía y más barreras a la deformación
a la conducción eléctrica, térmica… Esta influencia está también condicionada por la
temperatura.

El método más utilizado es el propuesto por ASTM (American Society for Testing and
𝑛−1
Materials), según la cual el índice de tamaño de grano "n" se mide por: 𝑁 = 2 ; donde
N es el número de granos por pulgada cuadrada observada a 100 aumentos, por lo que
conforme aumenta n, disminuye el tamaño del grano.

La medición del tamaño de grano se hace tanto en superficie media como en diámetro,
obteniéndose valores medios, de esta forma el tamaño medio del grano será:

𝑇 =
𝑆
2
T → tamaño medio
𝐴𝑛
S → superficie
A→ aumentos aplicados en el microscopio
n→ número de granos contados.

D) Maclas: formadas por el desplazamiento de átomos de sus posiciones de equilibrio

formando planos de simetría en el cristal.

La formación de las maclas es debida a esfuerzos cortantes que pueden ser producidos por
tratamiento térmico o procesos de deformación. Las maclas pueden interferir con los planos
de deslizamiento produciendo un aumento de resistencia en el material.

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 Como se puede apreciar en la figura los bloques adyacentes son simétricos con respecto al
plano de maclado, y tienen los mismos ejes cristalográficos, pero cada retículo es la
reproducción del otro en un espejo.

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El maclaje es un movimiento de planos de átomos en la red, paralelo a un plano específico
(de maclaje) de manera que la red se divide en dos partes simétricas diferentemente
orientadas.

La formación de las maclas es debida a esfuerzos cortantes que pueden ser producidos por
tratamiento térmico o procesos de deformación. Las maclas pueden interferir con los planos
de deslizamiento produciendo un aumento de resistencia en el material.

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