Práctica Electrónica Física

Francisco Javier Archidona Corrales

Ana Molina Torres
Marina Bolívar Peláez
Jaime Héctor Lacuesta García

Grado en Física

Electrónica Física

Resumen
GRADO EN FÍSICA ELECTRÓNICA FÍSICA

Índice
1. Introducción 3

2. Fundamento teórico 3

3. Resultados y discusión 5
3.1. Estudio de parámetros del simulador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
3.1.1. Variación del ancho de las regiones de potencial en el cristal (W) . . 5
3.1.2. Variación del parámetro de red (a) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
3.1.3. Variación de la altura del potencial (Vmax ) . . . . . . . . . . . . . . . . 8
3.2. Adaptación del simulador al Silicio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
3.2.1. Caso 1: Masa efectiva pesada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
3.2.2. Caso 2: Masa efectiva ligera . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
3.2.3. Estructura de bandas del silicio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

4. Conclusiones 17

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1. Introducción

2. Fundamento teórico
El simulador que se ha utilizado para la realización de esta práctica está basado en el
modelo de Kronig-Penney [1]. Este es un modelo teórico utilizado para describir la es-
tructura de las bandas electrónicas en materiales sólidos unidimensionales. Para esto, se
supone que la estructura cristalina configura un potencial periódico con la forma mostra-
da en la Figura 1.

Figura 1: Potencial periódico cuadrado en el modelo de Kronig-Penney [2]

El modelo supone que los electrones se propagan como ondas a través del cristal. Su
principal función es calcular las bandas de energía permitidas para los electrones en el só-
lido, lo que proporciona información de la estructura de bandas. Esto resulta interesante
para estudiar la conductividad eléctrica y algunas propiedades ópticas de los materiales.

Este modelo recibe varios inputs como parámetros, siendo los principales los mostra-
dos en la figura 1. Donde a representa el parámetro de red, que marca la periodicidad
de la barrera de potencial. W se corresponde con el ancho de la región de potencial, que
describe junto a a las zonas de potencial máximo y mínimo y Vmax y Vmin definen la altura
de la barrera de potencial.

Además de estos parámetros, se puede variar la masa efectiva de la partícula (m0 ) y el

tipo de potencial, siendo el potencial cuadrado (step well) el que se usará durante toda la

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práctica.

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3. Resultados y discusión
3.1. Estudio de parámetros del simulador
3.1.1. Variación del ancho de las regiones de potencial en el cristal (W)

En este primer apartado, el objetivo es estudiar qué cambios se producen en las pro-
piedades electrónicas del sólido al probar con diferentes valores del ancho del poten-
cial W mientras se mantienen fijos el resto de parámetros, siendo a = 6Å, Vmax = 1eV,
Vmin = 0eV y m0 = 1,0.

En el caso de la variable a estudiar, el programa nos permite un rango de valores de 1

a 100 Å, pero para propósito de estudio únicamente tomaremos valores 10 y 15 Å. El valor
mínimo viene dado por el parámetro de red, ya que no tiene sentido físico que W < a y
por comodidad no se tomará un valor más grande de 15Å.

Siguiendo la ecuación

n2 h2
En = (1)
8me W 2

Se puede esperar una disminución de la energía cuando aumenta W. Veamos cómo

ocurre esto dando unos valores de W = 10Åy W = 15Åal simulador:

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Figura 2: Energía en función de k ( a/pi ). Imagen de la izquierda para W = 10Åy derecha para W = 15Å. La
línea gris continua representa la energía del electrón libre, y la azul discontinua la energía del electrón

Se puede observar cómo disminuye la energía al aumentar W. Se esperaba este com-

portamiento, ya que al incrementar el ancho de las regiones de potencial, las barreras de
potencial se vuelven más anchas y altas. Esto se traduce en una mayor probabilidad de
reflexión de los electrones en las barreras, lo que disminuye la energía en las bandas per-
mitidas. También se comprueba que al aumentar W se disminuye el gap entre bandas
permitidas, lo cuál influye en la conductividad del material debido a que los portadores
necesitarán una menor energía para saltar de nivel.

Además, también observamos un aumento en el número de bandas. Las bandas de

energía permitidas se corresponden a una serie de ondas estacionarias que se propagan a
través del sólido. Por tanto, es lógico que estas aumenten con el ancho de las regiones de
potencial (W), ya que de este modo el parámetro de red (a) se vuelve pequeño en compa-
ración y en consecuencia un mayor número de ondas estacionarias se pueden ajustar en
el espacio disponible. Esto resulta en un mayor número de bandas de energía permitidas.

Este parámetro W no tiene una influencia directa en la masa efectiva de los electrones
del material ya que como hemos mencionado antes, este parámetro afecta principalmente
a la estructura de bandas y los gaps de energía en el material. Mientras tanto, la masa

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efectiva depende principalmente de la curvatura de las bandas de energía, que está de-
terminada por detalles de la estructura de bandas y las interacciones en el material y no
directamente del valor de W.

3.1.2. Variación del parámetro de red (a)

Como sabemos, el valor del parámetro a hace referencia a la longitud de repetición en

la estructura periódica del sólido monodimensional. A continuación, el objetivo es estu-
diar qué cambios se producen en las propiedades electrónicas del sólido y la masa efectiva
de los electrones al dar valores del parámetro de red a manteniendo constantes el resto de
variables: W = 30Å, Vmax = 1eV, Vmin = 0eV y m0 = 1,0.

Haciendo una representación gráfica de la energía en función de k ( a/pi ) obtenemos la

Figura 3:

Figura 3: Energía en función de k ( a/pi ). La línea gris continua hace referencia al electrón libre, la azul
discontinua para el valor de a = 10Åy la gris discontinua para a = 20Å.

Podemos observar que la variación de este parámetro tiene varios efectos en las pro-

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piedades electrónicas del material. En el caso de la estructura de bandas se puede observar

como al aumentar el valor de a, las bandas de energía pueden estar más separadas, lo que
da lugar a una estructura más amplia. Esto también influye en el ancho de las bandas de
energía prohibidas. A mayor anchura del gap, los portadores necesitarán una mayor ener-
gía para saltar la banda lo que influirá directamente en la conductividad del material.

El parámetro a también puede tener una influencia en la masa efectiva de los electrones
en el material, ya que puede afectar a la forma de las bandas de energía, sin embargo, esta
influencia no es directa y puede depender de otros factores. Se puede observar como un
valor mayor de a produce una curvatura más pronunciada de las bandas de energía que,
como se ha mencionado anteriormente, está directamente relacionado con la masa efectiva
de los electrones en esa región dando lugar a un aumento de este valor con a. Valiéndonos
del simulador, se han obteniendo unos valores de la masa efectiva de la primera banda
para k ( a/pi ) = 0 de 30.4 y 267.3 para a = 10 y a = 20 Å, respectivamente, concordando
con lo mencionado anteriormente.

3.1.3. Variación de la altura del potencial (Vmax )

Por último vamos a estudiar el efecto de la altura del potencial Vmax en la estructura
de bandas y la masa efectiva principalmente. Para ello hemos configurado el simulador
del modelo de Kronig-Penney de forma que los parámetros a = 6, Vmin = 0eV, W = 12
y m0 = 1, 0. El simulador permite un rango de valores para Vmax bastante amplio, entre
0, 1 y 40 eV. Sin embargo para nuestro objetivo es suficiente y más efectivo restringirnos a
unos valores entre 1 y 10 eV.
A priori podemos imaginar que cuanto mayor sea el potencial menor será la conductivi-
dad del material ya que los electrones tendrán que superar barreras de potencial mayores
para circular por el sólido. Esto se traduce en que la anchura del gap aumentará con Vmax
dificultando que los electrones pasen a la capa de conducción y se produzca una corrien-
te. También cambiarán los niveles energéticos de las bandas haciendo que a medida que
aumente Vmax aparezcan niveles inaccesibles para los electrones o se creen niveles permi-
tidos dentro de la banda prohibida (no hemos observado este fenómeno con el simulador).

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Figura 4: Estructura de bandas para 4 valores distintos de Vmax = 1, 2.5, 5 y 10 eV

En la Figura *** podemos ver qué la forma de la estructura de bandas no cambia sus-
tancialmente con el potencial, el mayor cambio es en el ancho del gap. Esto, como ya
hemos comentado, tienen consecuencias cruciales en la conducción eléctrica del material.

3.2. Adaptación del simulador al Silicio

En este apartado se quiere analizar el comportamiento que tendría el simulador, si-
guiendo el modelo de Kronig-Penney pero aplicado a los parámetros del silicio. De esta
manera se podrán comparar los resultados con la realidad y se verá la eficacia del simula-
dor en este tipo de cuestiones.
El silicio, puesto que consta de una estructura tipo diamante, cuenta con dos masa efec-
tivas principales según la dirección que se siga en el material, estas son la masa efectiva
longitudinal, siguiendo la dirección [100], y la transversal, siguiendo la dirección [111].

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Figura 5: Estructura cristalina del silicio.

Si nos fijamos atentamente en la figura, podremos encontrar que aunque en la dirección

[100] sí contamos con una disposición de átomos periódica, los átomos que se encuentran
alrededor de esta dirección no están para nada colocado de forma periódica. Algo similar
pasa en la dirección [111], donde, siguiendo el esquema desde el punto (000) y movién-
donos por la diagonal del cubo; encontramos que entre el átomo de la vertical (en azul
oscuro) y la vertical opuesta hay un átomo (en rojo) que no está en el centro. Es por es-
tos motivos que no se puede estudiar el silicio de forma periódica unidimensional-mente.
Solo podemos hacer aproximaciones.
Debido a que el simulador es unidimensional, solo podemos tener una masa efectiva,
con lo cual el estudio lo dividiremos en dos casos:

Caso 1: Usamos la masa efectiva longitudinal, me,l = 0,91m0 . Debido a su valor,

también se conoce a este caso como heavy effective mass ya que es el valor más alto
que toma la masa efectiva.
Caso 2: Usamos la masa efectia transversal, me,t = 0,19m0 . Debido a su valor, tam-
bién se le llama light effective mass ya que es el valor más pequeño que toma la
masa efectiva.

Debido a la complicada estructura del silicio, usaremos diferentes parámetros de po-

tencial y observaremos las diferencias que se dan al cambiar la masa efectiva.

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3.2.1. Caso 1: Masa efectiva pesada

Como se ha mencionado, la masa efectiva pesada se observa cuando estamos en la

dirección [100] en la estructura cristalina del silicio. Si nos fijamos bien en esa dirección, la
disposición de átomos que se tiene es la siguiente.

Figura 6: Disposición de átomos en la dirección [100].

Teniendo en cuenta el modelo de Kronig Penney donde w es la distancia entre áto-

mos/iones en el cristal, a es la región vacía entre átomos/iones y Vmax es el potencial
creado por el cristal; hemos intentado dar unos valores a estos parámetros fijándonos en
la estructura del silicio en la dirección [100]. Estos valores son los siguientes:

w = 5,23Å.
a = (5,23 − 2x1,11)Å = 3,01Å. Esta operación viene de restar el radio (se ha tomado
el radio covalente del átomo de silicio, 1,11Å) en cada átomo a la separación entre
átomos.
Debido a que el potencial lo producen tanto los átomos en la dirección que estamos
estudiando como a los de alrededor, este podría variar, con lo cual se han probado
diferentes valores.

Usando estos parámetros junto con el valor de la masa efectiva me,l = 0,91m0 obtene-
mos la estructura de bandas.

Hemos pintado la estructura de bandas con diferentes valores de potencial máximo,

Vmax . Se busca obtener el valor del gap propio del silicio, el cual está en Egap = 1,2eV, por

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lo que hemos hecho lo siguiente:

Hemos dado al potencial máximo los valores de 1eV y 5eV y se ha ido acotando según
el valor que se obtiene para la energía del gap, de esta manera, le hemos dado a los valores
de 2,5eV, 2,2eV y finalmente 2eV.

Figura 7: Relación de dispersión reducida con diferentes valores del potencial máximo.

Para un potencial de Vmax = 2eV el gap de energía tiene un valor de Egap = 1,2583eV
y se calcula una masa efectiva para el mínimo de energía de m∗ = 0,99109m0 .

Como comentario adicional, se observa que para la estructura que se tiene cuando el
voltaje es de 1eV es prácticamente un electrón libre.

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3.2.2. Caso 2: Masa efectiva ligera

En esta sección se seguirá el mismo procedimiento que en el anterior [3.2.2]. De nuevo,

la estructura que se tiene en la dirección [111] es la siguiente.

Figura 8: Disposición de átomos en la dirección [111].

En este caso, la estructura no es tan "fácil"de aproximar al modelo Kronig-Penney, ya

que se tienen dos átomos cercanos y luego una separación más grande entre ellos. En este
caso, lo que haremos será aproximar los dos átomos como si fueran un única fuente de
potencial. Así obtendremos los siguientes parámetros:
√
w = (5,23 3)Å = 9,06Å. Tenemos esta separación entre el par de átomos ya que, co-
mo nos encontramos en la diagonal principal del cubo, tenemos que hacer el cálculo
de lo que esta mide.
a = (9,06 − 3x1,11)Å = 5,73Å. Para hacer este calculo hemos tenido en cuenta que
contamos con un par de átomos, con lo cual tenemos que tomar el radio covalente,
1,11Å, y multiplicarlo por tres. Esto es así debido a que en el enlace covalente, el par
de átomos comparte el radio.
De nuevo, el potencial lo producen tanto los átomos en la dirección en que estamos
estudiando como los de alrededor, por lo que este podría variar, de manera que se
han tomado diferentes valores.

Usando estos parámetros junto con el valor de la masa efectiva me,t = 0,19m0 obtene-
mos la estructura de bandas.

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Hemos pintado la estructura de bandas con diferentes valores de potencial máximo,

Vmax . Se busca obtener el valor del gap propio del silicio, el cual está en Egap = 2,1eV, por
lo que hemos hecho lo siguiente:

Hemos dado al potencial máximo los valores de 1eV y 5eV y se ha ido acotando según
el valor que se obtiene para la energía del gap, de esta manera, le hemos dado a los valores
de 2,5eV, 3eV y finalmente 3,5eV.

Figura 9: Relación de dispersión reducida con diferentes valores del potencial máximo.

Para un potencial de Vmax = 3,5eV el gap de energía tiene un valor de Egap = 2,1049eV
y se calcula una masa efectiva para el mínimo de energía de m∗ = 0,20872m0 .

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3.2.3. Estructura de bandas del silicio

En este apartado compararemos los resultados obtenidos con la estructura de bandas

proporcionada por un modelo en tres dimensiones del silicio. Puesto que nosotros solo
hemos estudiado el silicio en dos direcciones, restringiremos la estructura a nuestros ca-
sos para comparar.

Cabe destacar dada las configuraciones que hemos considerado para el modelo de
Kronig-Penney solo conseguimos una banda prohibida.

Figura 10: Estructura de bandas en tres dimensiones del silicio.

En este documento hemos analizado lo que ocurre si tratamos el silicio como:

Caso 1: Un potencial periódico unidimensional en la dirección [100], la cual corres-

ponde con el segmento de la gráfica donde se va desde Γ hasta X, es decir, el área
número 2 en la figura. Cabe destacar que en el resultado de la estructura de bandas
en realidad se va desde − X hasta X pasando por Γ, que es el punto (000) en la Zona
de Brillouin.
Caso 2: Un potencial periódico unidimensional en la dirección [111], la cual corres-
ponde con el segmento de la gráfica número 1 invertido; dónde se va desde Γ hasta

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L. Cabe destacar que en el resultado de la estructura de bandas en realidad se va

desde − L hasta L pasando por Γ, que es el punto (000) en la Zona de Brillouin.

En ambos casos, comparando con lo obtenido usando el simulador, e incluso si nos fi-
jamos en todos los valores que hemos dado al potencial máximo, vemos que no coinciden
las estructura real con lo obtenido.

Esto es normal, ya que el modelo utilizado es el modelo más simple de potencial pe-
riódico unidimensional. Hemos tratado el silicio como una red periódica, y lo es, pero
no unidimensionalmente. El silicio tiene una estructura complicada y si nos centramos
en una sola dimensión, los átomos que están alrededor de esta dirección y su efecto se
pierde. Estos átomos deben tenerse en cuenta ya que no están colocados uniformemente
si el eje lo ponemos en cualquiera de las direcciones estudiadas. Es por esto también que
el silicio tiene varias direcciones que se estudian, como hemos visto en última figura. En
cada una de estas direcciones la conducción, máximos y mínimos de energía, movilidad y
etc. difieren.

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4. Conclusiones
En el estudio de parámetros del simulador, se ha variado el ancho de las regiones de
potencial en el cristal (W), el parámetro de red (a) y la altura de la barrera de potencial
(Vmax ), obteniendo resultados que concuerdan con lo esperado de forma teórica. Primero,
al aumentar W, se observa una disminución de la energía y de los gaps entre bandas per-
mitidas, lo cuál favorece la conductividad eléctrica de nuestro sólido. Además, se observa
un aumento en el número de bandas, concordando con el modelo teórico.

Por otro lado, el incremento del valor del parámetro de red a produce a su vez un
incremento de energía, así como un mayor gap entre bandas de energía permitidas, que
hace que la conductividad eléctrica del material disminuya a medida que a aumenta. En
cuanto a la masa efectiva m0 de los electrones en el material, aumenta con a, aunque como
se comentó en dicho apartado, existen más factores involucrados en esto a parte del pará-
metro de red.

El último parámetro del estudio es la altura de la barrera de potencial Vmax . El único

cambio notable que se percibe al incrementar el valor de este parámetro es el aumento del
ancho de los gaps, haciendo que la conducción eléctrica del material disminuya.

SECCIÓN 3.2: A priori con los resultados obtenidos podríamos decir que el modelo de
Kronig-Penney podría simular más o menos bien el cristal de silicio. Sin embargo, como se
puede observar en la estructura de las bandas, y debido al hecho de que hemos buscado el
resultado para tener bien la energía del gap, esto no es así. Este modelo no da un resultado
que se parezca a la estructura de las bandas que presenta el silicio.

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Referencias
[1] Xufeng Wang, Daniel Mejia, Dragica Vasileska, Gerhard Klimeck (2021), ’ABACUS -
Assembly of Basic Applications for Coordinated Understanding of Semiconductors’ , https:
//nanohub.org/resources/abacus. (DOI: 10.21981/YYFZ-7868).

[2] Modelo de Kronig-Penney. (2019, 8 de julio). Wikipedia, La enciclopedia libre.

desde https://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Modelo_de_Kronig-Penney&
oldid=117256924.

[3] Sören Kahl (2005), Kronig-Penney Model.

Kronig-Penney Model

[4] what-when-how,
Energy Bands in Crystals (Fundamentals of Electron Theory), Part 3,
Band Structures for Some Metals and Semiconductors.

[5] Stephan-Enzo Ungersböck.

Dissertation: Advanced Modeling of Strained CMOS Technology,
Universidad Politécnica de Viena, Facultad de Ingeniería Eléctrica y Tecnología de la
Información.
Tesis

[6] Dr. J. Cartstensen,

Lecture ar the Facultiy of Engineering,
University of Kiel.
1.2 Free quantum mechanical particles and band struscture

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