DEFECTOS EN LAS ESTRUCTURAS CRISTALINAS
DISLOCACIONES
INTRODUCCIÓN
Los materiales en el
arreglo de los átomos
contiene
imperfecciones
teniendo un efecto
profundo sobre el
comportamiento de
los materiales,
mediante el control
de las imperfecciones
reticulares, creando
aleaciones resistentes,
imanes poderosos,
transistores, de gran
importancia práctica.
VACANCIAS
Una vacancia se produce cuando
falta un átomo en un sitio normal.
Las vacancias se crean en el
cristal durante la solidificación a
altas temperaturas o como
consecuencia de daños por
radiación. A temperatura ambiente
aparecen muy pocas vacancias,
pero éstas se incrementan de
manera exponencial conforme se
aumenta la temperatura.
DISLOCACIONES MIXTAS
tienen componentes tanto de
borde como de tornillo, con una
región de transición entre
ambas. Sin embargo, se
conserva igual para todas las
porciones de la dislocación
mixta.
DEFECTOS PUNTUALES
Los defectos puntuales son
discontinuidades de la red que
involucran uno o quizá varios
átomos. Estos defectos o
imperfecciones pueden ser
generados en el material mediante
el movimiento de los átomos al
ganar energía por calentamiento;
durante el procesamiento del
material; mediante la introducción
de impurezas; o intencionalmente
a través de las aleaciones.
Son imperfecciones lineales en una red,
siendo de que otra forma seria perfecta,
generalmente introducen en la red
durante el proceso de la solidificación
del material o en deformarlo,
mayormente en los materiales hay
dislocaciones, incluyendo a los cerámicos
y polímeros, siendo útiles para la
explicación de la deformación, se pueden
diferenciar dos tipos de dislocación:
*tornillo *borde
DISLOCACIÓN DE TORNILLO
Este se puede ilustrar haciendo un corte a
través de un cristal perfecto, torciéndolo y
desplazando un lado del corte sobre el otro
a la distancia de un átomo
DISLOCACIÓN DE BORDE
se puede ilustrar haciendo un corte parcial a
través de un cristal perfecto, separándolo y
rellenando parcialmente el corte con un plano
de átomos adicional. El borde inferior de este
plano adicional representa la dislocación de
borde. los átomos por encima de la línea de
dislocación se comprimen acercándose los unos
a los otros, en tanto que los que quedan por
debajo se estiran alejándose de sus posiciones
de equilibrio. La red que los rodea se ha
distorsionado por la dislocación.
DESLIZAMIENTO
Podríamos trasladar el vector de
Burgers del circuito a la dislocación de
borde. Después de ese traslado,
encontramos que el vector de Burgers
la dislocación de borde definen un
plano en la red. El vector de Burgers y
el plano resultan útiles para explicar
cómo se deforman los materiales.
DEFECTOS INTERSTICIALES
Se forma un defecto
intersticial cuando se inserta
un átomo adicional en una
posición normalmente
desocupada dentro de la
estructura cristalina. Los
átomos intersticiales, aunque
mucho más pequeños que
los átomos localizados en
los puntos de la red, aun así,
son mayores que los sitios
intersticiales que ocupan; en
consecuencia, la red
circundante aparece
comprimida y distorsionada.
DEFECTOS EN LAS ESTRUCTURAS CRISTALINAS

DEFECTOS DEFECTOS SUSTITUCIONALES

SUSTITUCIONALES
Se crea un defecto
sustitucional cuando se
remplaza un átomo por
otro de un tipo distinto.
El átomo sustitucional
permanece en la posición
original. Cuando estos
átomos son mayores que
los normales de la red,
los átomos circundantes
se comprimen: si son más
pequeños, los átomos
circundantes quedan en
tensión. En cualquier
caso, el defecto
sustitucional distorsiona
la red circundante.
Se puede encontrar el defecto
sustitucional como una impureza o
como un elemento aleante agregado
deliberadamente y, una vez
introducido, el número de defectos
es relativamente independiente de la
temperatura.
OTROS DEFECTOS PUNTUALES
Se crea un intersticio cuando un
átomo idéntico a los de los puntos
normales de la red se coloca en
un lugar intersticial. Estos defectos
aparecen con mayor frecuencia en
redes con un factor de
empaquetamiento bajo.

Un defecto Schottky El defecto Frenkel es un par de

es un par de defectos, intersticio-vacancia
vacancias en un formado cuando un ion salta de un
material de enlace punto normal de la red a un sitio
iónico; deben faltar intersticial, dejando detrás una
tanto un anión como vacancia
un catión de la red si
se ha de preservar la
neutralidad eléctrica
del cristal. Este
defecto es común en
materiales cerámicos
de enlace iónico.

Y último defecto puntual importante ocurre cuando un ion remplaza a

otro con carga distinta. Este caso puede darse cuando un ion con
valencia de +2 remplaza a uno con valencia de +1. En este caso, se
introduce una carga positiva adicional en la estructura. Para mantener
el equilibrio de cargas, podría crearse una vacancia donde
normalmente estaría localizado un catión de carga +1. Esta
imperfección se observa en materiales que tienen un enlace iónico
pronunciado.