DEFECTOS RETICULARES

En el tema anterior se supuso a las redes ideales y perfectas. Sin embargo

esto no es as: las estructuras reales se ven afectadas por la presencia de gran
nmero de defectos, los que, posiblemente, sean el factor que tiene mayor
peso e influencia en las propiedades de los materiales, an reconociendo la
influencia de los enlaces atmicos y del tipo de red cristalina.

Clasificacin















Se sealaron en negrita los ms importantes y frecuentes en los metales y
aleaciones.
DEFECTOS GEOMTRICOS
Los defectos se clasifican segn su geometra, aunque siempre generan una
distorsin o alteracin que afecta un volumen de la red. As, un defecto puntual
tiene la geometra de un punto reticular, pero hay un volumen de simetra
esfrica perturbado de la red; y uno lineal provoca una perturbacin de simetra
cilndrica.
DEFECTOS
RETICULARES
Geomtricos
Lineales
Puntuales
No geomtricos
Bidimensionales
Tridimensionales
Bordes de grano o
Interfases
Fallas de apilamiento
Maclas
Dislocaciones
Vacancias
tomo intersticial
tomo sustitucional
Intersticialidad
Crowdion o ristra

Fanones
Precipitados
Spikes
Zonas de Seeger
1. DEFECTOS PUNTUALES

1.1. Vacancia.

Es el ms simple de los defectos puntuales, se trata de un hueco debido a la
ausencia del tomo que se encontraba en esa posicin de la red (Fig. II.1a).
Las vacancias se pueden producir durante el proceso de solidificacin debido a
perturbaciones locales durante el crecimiento del cristal, o como resultado de
vibraciones que facilitan el desplazamiento de los tomos de sus posiciones
reticulares. Es un defecto de equilibrio; el nmero de vacancias presentes
depende de la temperatura a la que se encuentre el material:

Donde:

En la mayora de los metales, la concentracin de vacancias,

es el orden de

a temperaturas cercanas a la de fusin: 1 vacancia cada 10000 puntos

reticulares.

Vacancias adicionales pueden producirse por deformacin plstica del metal,
por enfriamiento rpido desde temperaturas altas, y por bombardeo con
partculas energticas (neutrones). stas, que no son de equilibrio, tienen
tendencia a agruparse formando clusters, por ejemplo trivacancias.

Las vacancias pueden trasladarse dentro del slido, intercambiando sus
posiciones con los tomos vecinos; este mecanismo es una de las formas de
difusin en el estado slido, de gran importancia particularmente a altas
temperaturas cuando la movilidad de los tomos es mayor.


1.2. tomo intersticial.

Se trata de un tomo de pequeo tamao que se ubica en los huecos o
intersticios de las redes, como muestra la Fig. II.1b. En general, a pesar de su
tamao reducido, son ms grandes que el hueco que han de ocupar, por lo que
distorsionan la red generando campos elsticos de compresin. Los elementos
que pueden ocupar estas posiciones en las redes son los de menor dimetro y
se reducen a C, N, O, B o H.



1.3. tomo sustitucional.

Un ion o tomo de especie distinta a los de la red reemplaza a uno de stos en
un punto reticular. Puede ser de mayor o menor dimetro. En el primer caso,
introduce una perturbacin tambin de simetra esfrica que se muestra en la
Fig. II.1c; los iones de la red en esa regin estn a distancias menores que la
de equilibrio con lo que se genera un campo elstico de compresin. Cuando el
tomo sustitucional es de menor dimetro, el efecto en la red es similar al que
provoca una vacancia, pero de menor intensidad, generndose tambin un
campo elstico de traccin.
























De las figuras:

a. Vacancias
b. tomo intesticial
c. tomos sustitucionales

1.4. Intersticialidad.

Dos intersticiales de la misma especie que los de la red, dispuestos
simtricamente respecto de una vacancia.

1.5. Crowdion o ristra.

Cuando en una direccin en la que hay n puntos reticulares existen n + 1
tomos, todos fuera de los puntos reticulares. Es energticamente inestable, y
en presencia de una vacancia, rpidamente desaparece.
a.
b.
c.