Formula calcula voltaje minimo aplicar en base del transistor para que voltaje VCE sea 0.

2v
IC= VCC-VCE/RC+RE
IB= IC/B
VRB=IB.RB
VIN=VRB+VBE
Calcula VB circuito
BRE>>R2
IB=IE/B.KVL
-VTH+IB RTH+VBE+IE RE=0
IE RE+ IB RTH= V+T – VBE
IERE+ IE/B.RTH= VTH-VBE
IE RE+ RTH/B= VTH-VBE
IE=VTH-VBE/RE+RTH/b
Calcula IC circuito
IC=IE
IE=VE/RE
Calcula VCE para circuito
VCE=VCC-IC RC-IE RE
-VCC-IEC(RC+RE)
C=VCC-IC RC
BJT: cutoff condition in which there is no base current, which results in only an extremely small leakage
current (Iceo) in the collector circuit
IB=0am
IC= BDC IB= 0am
VRC= IC RC= 0 Vdts
VC= VCC-IC RC= 0
VC= VCC
BJT sat: there is maximum collector current. Sat is determined by the external (VCC and RC in this case)
because collector and emisor voltage is minimum 0.2

Ic sat= vcc/rc
Saturation increase of base current has no effect on the collector circuit and the relation
IC= BDC IB is no loger valid.
DC load line: circuito externo to the transistor. Its is drawn by connecting the saturation and cut off
points.
VCE sat= 0.2
IC sat= vcc-vce/rc
Ib=
IC
IC>? IC sat
Saturado si es grande el numero
No saturado si es pequeño
NPN Abierto o activa
PNP cerrado
VCA o VAC voltaje corriente alterna
VCD o VDC voltaje corriente directa
GND ground, tierra negativo T
Beta- factor de amplificación o ganancia logrado entre corriente de colector y base
Base- transisitor facilita la transmisión de electrones entre emisor y colector
Transistor activo- encendido (SAT) apagado (CORTE)
Siendo B ganacia en continua del transistor, y cumpliéndose: IE=IC+IB
Interruptor cerrado (IC) y abierto (VCE)
Parámetro B (ganancia de corriente)
Transisitor (SAT): IC(sat)= VCC-VCE(sat)/RC
IB= VBB-VBB/RB
IC=RDC IB
AS IC>IC(sat)
NPN se cumpla: IE=IC+IB
PNP se cumpla: IC= IE+IB(F)
Para NPN Y PNP se cumplan: IE= IC+IB y IC=IE-IB
Si el transistor conduce puede estar activo o saturado. Para que trabaje en zona abierta se tiene que
cumplir: VCE>VCE(SAT)
Transistor polarizado en activa: IC=B*IB

Base común entrada emisor y salida colector

Emisor común entrada base y salida colector
Colector común entrada base y salida emisor

Operación región lineal

Union base-emisor con polarización directa
Unión base-colector con polarización indirecta

Operación región corte

Unión base-emisor con polarización inversa

Operación región saturación

Unión base-emisor con polarización directa
Unión base-colector con polarización directa

Polarización directa-inversa
IE=IC+IB
IC=mayoritarios ICo=minoritario
Polarización DC: nivel es controlado por diversas factores incluyendo el rango de pts de operación
posibles.
VBE= 0,7v
IE= (B+1)IB
IC= BIb

Ptos= pto (punto Q)

Tipos de transistores: NPN y PNP
NPN activado
PNP cerrado
Tres regiones de operación de los BJT: región emisor, región base y región colector
Corte, activa, saturación
NPN hacia abajo flecha
PNP hacia arriba flecha
Corriente hueco: corriente interna transistor
Unions B-e: es polarizada inversamente
Beta: ganancia corriente de un transistor
Alfa: cambio de corriente del colector y emisor
Corriente flujo Ico: se ve afectada directamente por altas temperaturas
La ganancia de corriente de un transistor es la razón entre: la corriente colector y base
Al aumentar el voltaje de colector en un transistor, aumentara: corriente del colector
Un transistor esta constituido por dos uniones P-N polarizadas: una directa y una inversamente
La corriente de elctrones que circula por la base de un transistor NPN: es del orden de 4% de la total
El efecto transistor consiste en: hacer pasar una gran corriente por una unión P-N polarizada
inversamente, polarizado directamente la otra unión
La barrera de potencial que se crea en un transisitor de si, tiene un valor aproximado de -0,7v
En la operación normal de un transistor, el diodo colector-base, tiene: polarización inversa