INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y

Eléctrica
ESIME Zacatenco
Ingeniería en Comunicaciones y Electrónica
Integrantes:
*Solis Castilllo Gerardo Samuel
Noriega Ramirez Fernando
Boleta:
2021301308
2021301140
Dispositivos
Profesor: Arevalo Gonzalez Elizabeth
Práctica de laboratorio #6
CARACTERIZACION DEL TRANSISTOR BJT en CD
Grupo: 5CV10
OBJETIVO: Caracterizar el comportamiento del transistor bipolar en diferentes
situaciones, mediante el análisis y la interpretación de las mediciones, para
obtener las gráficas de entrada y de salida del transistor.

TAREA PREVIA PARA TENER DERECHO A REALIZAR LA PRÁCTICA

Investigar las características de funcionamiento y limitaciones de los transistores
bipolares de silicio (Si) y germanio (Ge), con señal de C.D.

TRANSISTOR.
Un transistor, también conocido como un BJT (Transistor de Unión Bipolar), es un
dispositivo semiconductor impulsado por corriente, que puede ser utilizado para
controlar el flujo de corriente eléctrica en la que una pequeña cantidad de corriente
en el conductor base controla una mayor cantidad de corriente entre el Colector y
el Emisor. Se pueden utilizar para amplificar una señal débil, como un oscilador o
un interruptor.
Suelen estar fabricados de cristal de silicio donde se intercalan las capas de
semiconductor de tipo N y P.

¿Cómo funciona un transistor?

un transistor NPN. Una forma sencilla de ver su función como un interruptor es
pensar en el agua que fluye a través de un tubo, controlada por una válvula. La
presión del agua representa la 'Tensión' y el agua que fluye a través de un tubo
representa la 'Corriente' (Figura 3). Los tubos grandes representan la unión del
Colector/Emisor con una válvula entre ellos, expresado en la figura como un óvalo
gris, como una tapa móvil, que es accionada por la corriente desde un pequeño
tubo que representa la base. La válvula mantiene la presión del agua que fluye
desde el Colector al Emisor. Cuando el agua fluye a través del tubo más pequeño
(la Base), abre la válvula entre la unión del Colector/Emisor, permitiendo que el
agua fluya a través del Emisor, y luego a Tierra (Tierra representa el regreso para
la Tensión/Corriente del agua).

En las siguientes imágenes se puede observar el como es un transistor y su

interior.
Elegir un transistor para su aplicación
Si la finalidad por la cual uno quiere encender un circuito, debemos de tener el
cuenta algunos puntos. Determine si desea polarizar o energizar su transistor con
corriente positiva o negativa (p. ej. Tipo NPN o PNP, respectivamente). Un
transistor NPN es impulsado (o activado) por corriente positiva polarizada en la
base para controlar el flujo de corriente del Colector al Emisor. Los transistores de
tipo PNP están impulsados por una corriente negativa polarizada en la base para
controlar el flujo del Emisor al Colector. (Note que la polaridad para PNP se
invierte desde NPN)
Después de determinar la tensión de polarización, la siguiente variable que se
necesita es la cantidad de voltaje y corriente que requiere la carga para funcionar.
Estos serán la tensión mínima y las corrientes nominales del transistor

Investigar las curvas características de entrada y salida, así como la recta de

carga y los puntos de operación de entrada y salida, de los transistores
bipolares de silicio (Si) y germanio (Ge), con señal de C.D.
Se dice característica de entrada la curva que expresa la tendencia de la corriente
de base IB en función de la tensión de base VBE, tales como la siguiente, que se
refiere al transistor

Curva característica del transistor NPN BCW82

Vemos cómo la característica de entrada corresponde a la de un diodo, de hecho,
entre la base y el emisor, el transistor se comporta como un diodo.
la corriente de base es cero, cuando la VBE es menor que la tensión de umbral,
que en nuestro caso coincide aproximadamente con 0,6 V, sobrepasada la tensión
de umbral la corriente de base aumenta rápidamente.
Se dice características de salida las que expresan la corriente de colector IC como
una función de la tensión VCE, mientras que manteniendo constante la IB; tales
como las siguientes, que se refieren siempre a BCW82

Salidas

Observamos que hay diferentes características de salida, cada obtenida para un

valor predeterminado de la corriente de la base IB; de hecho, la primera
característica, a partir de la parte inferior se ha obtenida para una IB = 5 m A; es
decir, el mantenimiento de un IB constante con el aumento de VCE, al principio la
IC es cero; luego aumenta linealmente y rápidamente a la rodilla; allá de la rodilla,
la IC permanece prácticamente constante, incluso si se aumenta la VCE.
Las características son importantes para la determinación del punto de trabajo; Se
dice punto de trabajo un punto de que se sabe la tensión y la corriente en reposo,
es decir, en ausencia de señal

RECTA DE CARGA
Es dicha recta de carga, la recta que tiene como ecuación la ecuación de la malla
de salida, es decir:
VCC = RC IC + VCE + RE IE
Para que esto pueda representarse en la características de salida, se necesitan
tomar dos puntos.

Suponiendo que VCC = 2,0 V; cuando IB = 0 y IC = 0 de la ecuación de la línea de

carga se obtiene que VCE = VCC; a continuación, un punto será en el eje
horizontal, con coordenadas (2,0; 0).
Suponiendo vez que la VCE es nula, de la ecuación de la recta de carga
obtenemos:
VCC = RC IC + RE IE
y descuidando la IB en relación de la IC obtenemos el segundo punto ICMAX =
VCC/ (RC + RE); entonces el segundo punto tiene las coordenadas (0; VCC/ (RC
+ RE)); uniendo los dos puntos obtenemos la recta de carga.
Diseño del circuito de polarización
Durante el diseño del circuito de polarización usamos los siguientes criterios
prácticos. Para la VCE establece un valor aproximadamente igual a VCC/2;
para la caída de tensión a los bornes de RE, es decir, VE, se fija a un valor igual a
VCC/10; para la corriente del divisor ID se fija una corriente igual a IC/10. Con la
ayuda de las características y ecuaciones de la malla de salida y de la malla de
entrada se calculan los valores de todos los resistores.
Dado el BJT BCW82, de acuerdo a las características de la salida fijamos una
VCC = 2,0 V; fijamos una VCE = VCC/2 = 2/2 = 1 V; fijamos VE = VCC/10 = 2/10 =
0,2 V;

Desde la salida de características escogen una característica que es central, por

ejemplo, la de IB =15 m A; para la lectura de la característica leemos IC = 4,6 mA;
a continuación,
IE = IC + IB = 4,6 mA +15 m A = 4,615 mA
Entonces RE = VE/IE = 0,2/0,004615 = 43 W
A partir de la ecuación de la recta de carga se calculamos RC;
RC = (VCC - VCE - VE)/IC = (2 - 1 - 0,2) /0,0046 = 0,8/0,0046 = 173 W
Comprobamos:
ICMAX = VCC/ (RC + RE) = 2/( 173 + 43) = 9,25 mA;
mientras que en el diagrama de las características de salida leemos 9 mA;
los dos valores, además de los errores gráficos, son fiables.
Para calcular el divisor, para la característica de entrada se sacamos una VBE =
0,8 V; por lo que:
R2 I2 = VBE + VE = 0,8 + 0,2 = 1 V
Desde I2 = ID = IC/10 = 4,6 /10 mA = 0,46 mA, obtenemos:
R2 = 1/0,00046 = 2174 W
Parar R1 siendo
R1 I1 = VCC - R2 I2 = 2 - 1 = 1 V
y siendo
I1 = ID + IB = 0,46 ma + 15 m A = 0,475 mA Obtenemos: R1 = 1/ 0,000475 =
2105 W
EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR
El transistor, adecuadamente polarizado, se puede utilizar como un interruptor que
puede ser abierto o cerrado, mediante el ajuste de la corriente de base.
Tengamos en cuenta el siguiente circuito

Cuando el interruptor está abajo, la tensión VBE = 0; la corriente de base IB = 0; la

IC = 0; el transistor está prohibido, no conduce y se comporta como un circuito
abierto. La tensión de salida en el colector asume el valor máximo Vs = VCC.
Cuando, en cambio, movemos hacia arriba el interruptor, la base del transistor es
directamente polarizada, el transistor entra en saturación, la IC asume el valor
máximo, el transistor se comporta como un circuito cerrado. La tensión de salida
asume el valor Vs = 0.
Si tenemos en cuenta las características de salida del BJT:

Podemos considerar tres zonas:

1 - Zona de saturación: es la zona en la que el transistor conduce, IC alcanza el
valor máximo, VCE asume valores muy bajos.
2 - Zona activa: es la zona central de las características, en esa zona se utiliza
como un amplificador, que tiene un comportamiento bastante lineal.
3 - Zona de interdicción: es la zona en la que el transistor se comporta como un
circuito abierto, IC asume valores muy bajos, VCE valores muy altos.
MATERIAL: (anotar el material y equipo utilizado en la práctica)
- Multímetro
- Puntas BNC
- Cables Caimán – Caimán
- Cables Banana – caimán
- Transistor PNP o NPN
- Resistencias Correspondientes
- Jumpers

DESARROLLO:
I Caracterización de los transistores bipolares de silicio o bien de germanio,
con señal de CD.
1.1 Realizar una tabla que contenga las características eléctricas generales que
proporciona el fabricante en las hojas técnicas; incluyendo la serie o número
de parte del transistor.

Rating Symb MPSA5 Unit

ol 6
Collector - Emitter Voltaje 𝑉𝐶𝐸𝑂 80 VDC
Collector - Base Voltaje 𝑉𝐶𝐵𝑂 80 VDC
Emitter - Base Voltaje 𝑉𝐸𝐵𝑂 4 VDC
Collector Current - 𝐼𝐶 500 mAD
Continuos C
MAXIMUN RATINGS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (𝑇𝐴 25 °𝐶 𝑢𝑛𝑖𝑒𝑠𝑠 𝑜𝑡ℎ𝑒𝑟𝑤𝑖𝑠𝑒 𝑛𝑜𝑡𝑒𝑑)
OFF CHARACTERISTICS

Characteristic Symbol Mín. Máx. Unit

Collector - Emitter Breakdown
𝑉(𝐵𝑅)𝐶𝐸𝑂 80 ---- VDC
(𝐼𝐶 = 1 𝑚𝐴𝐷𝐶, 𝐼𝐵 = 0)
Emitter - Base Breakdown
𝑉(𝐵𝑅)𝐶𝐸𝑂 4 ---- VDC
(𝐼𝐸 = 100 𝑚𝐴𝐷𝐶, 𝐼𝐶 = 0)
Collector Cutoff Current
𝐼𝐶𝐸𝑆 ---- 0.1 ADC
(𝑉𝐶𝐵 = 60 𝑉𝐷𝐶, 𝐼𝐵 = 0)
Collector Cutoff Current
𝐼𝐶𝐵𝑂 ---- 0.1 ADC
(𝑉𝐶𝐵 = 80 𝑉𝐷𝐶, 𝐼𝐸 = 0)

ON CHARACTERISTICS

DC Current Gain
ℎ𝐹𝐸 100 ---- ----
(𝐼𝐶 = 10 𝑚𝐴𝐷𝐶, 𝑉𝐶𝐸 = 1 𝑉𝐷𝐶)
100 ----
(𝐼𝐶 = 100 𝑚𝐴𝐷𝐶, 𝑉𝐶𝐸 = 1
𝑉𝐷𝐶)
Collector - Emitter Saturation
𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡 ---- 0.25 VD
Voltaje
) C
(𝐼𝐶 = 100 𝑚𝐴𝐷𝐶, 𝐼𝐵 = 10 𝑚𝐴𝐷𝐶)
Base - Emitter On Voltaje
𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡 ---- 1.2 VD
(𝐼𝐶 = 100 𝑚𝐴𝐷𝐶, 𝑉𝐶𝐸 = 1 𝑉𝐷𝐶)
) C

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

Current–Gain–Bandwidth Product
(𝐼𝐶 = 100 𝑚𝐴𝐷𝐶, 𝑉𝐶𝐸 = 1 𝑉𝐷𝐶), 𝑓𝑇 50 ---- MHz
𝑓 = 100 𝑀𝐻𝑧
1.2 Mediante el uso del multímetro, identificar las terminales del transistor.
Realizar un dibujo del símbolo del transistor y un dibujo del isométrico del
transistor, indicando en cada caso el nombre de las terminales del dispositivo

La beta es un poco alta y el transistor utilizado se encuentra en la familia NPN.

En este caso es todo lo contrario, podemos notar que nuestra beta es menor.
1.3 Armar el circuito como se indica en la figura, y realizar las medidas en el
circuito, que se indican en la tabla y registrarlas en dicha tabla, para distintos
voltajes de la fuente de alimentación VI que debe variar entre 0V y 12V (utilizar el
variac en CD). Con un VCC de 15V. Considerando RB de 10KΩ±5% o mayor, RC
de 1KΩ±5% y RE de 100Ω±5%; los tres resistores comprarlos a 1Watt.
NOTA: Las mediciones de corriente se pueden realizar de manera indirecta,
haciendo uso de la ley de Ohm.

VB IB VC IC VC VRE = VE IE
VI Β
E (µA E (mA B (V) (mA
(V) ) (V) ) (V) )
0V 0 0 0 0 0 0 0 Infinit
o
1V 0.61 6 14.82 3.68 11.4 0.36 2.3 530
2V 0.61 16 8.85 13.79 4.85 0.55 5.5 809
3V 0.62 32 4.53 13.73 3.41 0.97 9.7 313
4V 0.62 101 3.92 14.07 3.26 1.19 11.9 114
5V 0.62 125 0.12 14.97 -0.52 1.53 15.3 118
6V 0.62 166 0.09 15.08 -0.58 1.54 15.4 89
7V 0.63 221 0.07 15.10 -0.61 1.54 15.4 59
8V 0.63 253 0.06 15.09 -0.62 1.55 15.5 59
9V 0.63 315 0.05 15.02 -0.63 1.55 15.5 48
10V 0.64 350 0.04 15.02 -0.63 1.57 15.7 42
11V 0.64 383 0.04 15.01 -0.64 1.57 15.5 38
12V 0.64 432 0.04 15 -0.64 1.57 15.5 34
Graficar en papel milimétrico la relación de IB vs VBE que corresponde a la
señal de entrada del transistor bipolar, así como los diferentes valores de IC
y de VCE que corresponde a la gráfica de salida (IC vs VCE) del transistor
bipolar para diferentes valores de IB; para cada variación del voltaje de
entrada, según los valores registrados en la tabla anterior, para el transistor
de Silicio o bien para el transistor de Germanio.
Señal de entrada

Trazar la recta de carga en las gráficas de entrada y salida del transistor, y

obtener el punto de operación en ambos casos
Señal de salida
Reportar los comentarios y las conclusiones, a partir de las observaciones.
Para la corriente, como bien se menciona, se realizó de manera indirecta, una
vez teniendo el voltaje de las terminales y el valor de las resistencias obtuvimos la
corriente.
Con la tabla obtenida mediante la práctica, notamos que a mayor voltaje de
entrada y con una fuente simétrica constante, el voltaje de base-emisor
incrementa al igual que la corriente de la base obtenida mediante la ley de ohm, el
voltaje colector-emisor y el voltaje colector-base en este último empieza a mostrar
un voltaje negativo y en las medidas faltante de las variables requeridas se aprecia
que su valor ya no cambia tan drásticamente, si no que se mantienen casi en un
mismo valor.
1.4 Anotar las observaciones y conclusiones generales.
En las observaciones pudimos notar que si el voltaje de entrada es mayor y la
fuente es constante, estos pueden disminuir o pueden mantenerse y el por que de
esto se debe al transistor que después de cierto tiempo se llega a saturar, así que
esto la resistencia se caliente buscando alguna salida del calor, el transistor BJT,
ya sea NPN o PNP, depende mucho de la polarización que se le aplique las
terminales.
Demostramos en la practica entre el emisor y la base, se llega aplicar un voltaje
podemos obtener una ganancia en el colector y la base y con esto se confirma
como amplificadores.