FET (Field Efect Transistor)

Transistor de efecto del campo. Esta formado por una barra de semiconductor N o P
que se llama el canal, tiene un cinturn o estrechamiento del otro tipo de
semiconductor, los extremos del canal se unen a terminales D(drain, drenaje) !
(!ource, surtidor o fuente), el cinturn se une al terminal " ("ate, compuerta).
#l aplicar $oltaje entre D ! (%D!) se forma una corriente &D que depende de la
resistencia del canal, si se aplica un $oltaje %"! ne'ati$o (" ( ), ! ( *) el diodo
formado por el cinturn el canal queda en in$erso no ha corriente de
compuerta (&" ( +) pero el $oltaje ne'ati$o es " repele las car'as ne'ati$as que
pasan por el canal que aparece como un aumento de resistencia la corriente &D
disminue, haciendo maor o menor la ma'nitud de %"! haremos que &D
disminua o aumente, as, se obtiene un control de &D, siendo la $ariable de control
del $oltaje %"!.
En el -ET la relacin entre &D %"! est. dada por la
ecuacin de !chot/le0
&D ( &D!! (1 ) (%"!2%P))3
&D!! %P son constantes caracter,sticas de cada tipo o
referencia de transistor, se obtienen en las hojas de
especificaciones del fabricante. 4os circuitos de polari5acin
de -ET 67!-ET se encuentran en la Tabla No. 8 donde el
punto de trabajo se da por el corte de la par.bola de la
ecuacin de !chot/le la recta de car'a del circuito.
4os transistores -ET 67!-ET se usan como amplificadores, donde su
caracter,stica m.s importante es su alta impedancia de entrada por efecto de &" (
+.

Ventajas y desventajas del FET
4as $entajas del -ET pueden resumirse como si'ue0
1. !on dispositi$os sensibles a la tensin con alta impedancia de entrada (del
orden de 1+9 : ). ;omo esta impedancia de entrada es considerablemente
maor que la de los <=T, se prefieren los -ET a los <=T para la etapa de
entrada de un amplificador multietapa.
>. 4os -ET 'eneran un ni$el de ruido menor que los <=T.
8. 4os -ET so m.s estables con la temperatura que los <=T.
?. 4os -ET son, en 'eneral, m.s f.ciles de fabricar que los <=T pues suelen
requerir menos pasos de enmascaramiento difusiones. Es posible fabricar
un maor n@mero de dispositi$os en un circuito inte'rado (es decir, puede
obtener una densidad de empaque maor).
A. 4os -ET se comportan como resistores $ariables controlados por tensin
para $alores pequeBos de tensin de drenaje a fuente.
C. 4a alta impedancia de entrada de los -ET les permite almacenar car'a el
tiempo suficiente para permitir su utili5acin como elementos de
almacenamiento.
9. 4os -ET de potencia pueden disipar una potencia maor conmutar
corrientes 'randes.
Existen $arias des$entajas que limitan la utili5acin de los -ET en al'unas
aplicaciones0
1. 4os -ET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta
capacitancia de entrada.
>. #l'unos tipos de -ET presentan una linealidad mu pobre.
8. 4os -ET se pueden daBar al manejarlos debido a la electricidad est.tica.
Tipos de FET
!e consideran tres tipos principales de -ET0
1. -ET de unin (=-ET)
>. -ET metal xido semiconductor de empobrecimiento (67!-ET de
empobrecimiento)
8. -ET metal xido semiconductor de enriquecimiento (67!-ET de
enriquecimiento)
MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
MOSFET si'nifica DFET de 6etal 7xido !emiconductorD o FET de compuerta
aislada.
Es un tipo especial de transistor -ET que tiene una $ersin NPN otra PNP. El NPN
es llamado MOSFET de canal N el PNP es llamado MOSFET de canal P.
Ena del'ada capa de material aislante formada de dixido de silicio (!i7>)
(tambiFn llamada Ds,liceD) es colocada del lado del semiconductor una capa de
metal es colocada del lado de la compuerta ("#TE)
En el MOSFET de canal N la parte DND est. conectado a la fuente (source) al
drenaje(drain).
En el MOSFET de canal P la parte DPD est. conectado a la fuente (source) al
drenaje (drain).
En los transistores bipolares la corriente que circula por el colector es controlada
por la corriente que circula por la base. !in embar'o en el caso de los
transistores FET, la corriente de salida es controlada por una tensin de entrada
(un campo elFctrico). En este caso no existe corriente de entrada.
4a tFcnica de fabricacin MOS permite obtener dispositi$os semiconductores como
transistores circuitos inte'rados mu eficientes, con caracter,sticas especiales.
Entre ellas se destacan el bajo consumo de corriente el f.cil manejo en los
circuitos. Por esta ra5n este tipo de semiconductores se est. utili5ando mucho en
todos los circuitos electrnicos modernos.
Eno de los tipos de MOSFET, llamado MOSFET DE OTE!"#$, que se utili5a para
manejar corrientes altas, se ha $uelto mu popular debido a su capacidad para
controlar f.cilmente car'as 'randes como motores, bobinas, amplificadores de
audio de 'ran potencia, etc.
4os transistores MOSFET se pueden daBar con facilidad ha que manipularlos
con cuidado. Debido a que la capa de xido es mu del'ada, se puede destruir con
facilidad si ha alta tensin o ha electricidad est.tica.

rincipio de operaci%n de un MOSFET
Tanto en el MOSFET de canal ! o el de canal , cuando no se aplica tensin en
la compuerta no ha flujo de corriente entre en drenaje (Drain) la fuente
(!ource)

Para que circule corriente en un MOSFET de canal ! una tensin positi$a se debe
aplicar en la compuerta. #s, los electrones del canal N de la fuente (source) el
drenaje (Drain) son atra,dos a la compuerta ("ate) pasan por el canal P entre
ellos.
El mo$imiento de estos electrones, crea las condiciones para que apare5ca un
puente para los electrones entre el drenaje la fuente. 4a amplitud o anchura de
este puente ( la cantidad de corriente) depende o es controlada por la tensin
aplicada a la compuerta.
En el caso del MOSFET de canal , se da una situacin similar. ;uando se aplica
una tensin ne'ati$a en la compuerta, los huecos (ausencia de electrones) del
canal P del drenaje de la fuente son atra,dos hacia la compuerta pasan a tra$Fs
del canal N que ha entre ellos, creando un puente entre drenaje fuente. 4a
amplitud o anchura del puente ( la cantidad de corriente) depende de la tensin
aplicada a la compuerta.
Debido a la del'ada capa de xido que ha entre la compuerta el semiconductor,
no ha corriente por la compuerta. 4a corriente que circula entre drenaje fuente
es controlada por la tensin aplicada a la compuerta.