MOSFET

El MOSFET es un tipo de transistor de efecto de campo. Según Boylestad y

Nashelskboyland (2018) su nombre significa “transistor de efecto de campo semiconductor
de óxido metálico” (p.39). Asimilar los conceptos básicos detrás de este tipo de transistor
permite comprender mejor sus características, las cuales serán descritas continuación.

Para entender el comportamiento del MOSFET se debe de considerar su estructura,

ya que no cuenta con una estructura de unión pn no obstante, su compuerta está aislada del
canal, lo que se resume en la existencia 2 tipos básicos de MOSFET los cuales se clasifica
como MOSFET empobrecimiento D Y E de enriquecimiento. Como resultado, Floyd
(2008) explica que “El E-MOSFET utiliza sólo enriquecimiento del canal. Por
consiguiente, un dispositivo de canal n requiere un voltaje positivo de compuerta a fuente y
un dispositivo de canal p requiere un voltaje negativo de compuerta a fuente” (p.402), por
lo tanto, tener claro el tipo de MOSFET que se emplea en un circuito es vital para
determinar la polaridad del dispositivo.

Por otro lado, se encuentran los MOSFET de empobrecimiento, el cual presenta una
versatilidad en el empleo de su uso, ya que a diferencia del E MOSFET este puede trabajar
en enriquecimiento o en empobrecimiento. Floyd (2008) menciona que el D MOSFET:

puede ser operado en cualquiera de dos modos: el modo de empobrecimiento el

modo enriquecimiento, por ello también se conoce como MOSFET de
empobrecimiento/ enriquecimiento. Como la compuerta está aislada del canal, se
puede aplicar en ella un voltaje positivo o un voltaje negativo. El MOSFET de canal
n opera en el modo de empobrecimiento cuando se aplica un voltaje positivo de
compuerta a fuente, y en modo de enriquecimiento cuando se aplica un voltaje
positivo de compuerta a fuente. Estos dispositivos en general se operan en el modo
de empobrecimiento. (p.398)

Dentro de las aplicaciones más destacadas para el uso de este dispositivo se

encuentra en la amplificación de señales y regulación de voltaje.
 Figura 1. Representación de E-MOSFET y D- MOSFET.

Fuente: Floyd, T. L, 2008, dispositivos electrónicos.

IGBT

Según Floyd (2008) “El IGBT es un dispositivo que tiene las características de
conducción de salida de un BJT, pero es controlado por voltaje como un MOSFET, y
constituye una excelente opción para aplicaciones de conmutación de alto voltaje” (p.480),
de esta manera se determina que las características de los IGBT es el resultado de una
combinación de los MOSFET y BJT, por lo que se interpreta que a nivel constructivo
cuenta con tres terminales, una compuerta, el colector y el emisor.

Dentro de las aplicaciones mas destacadas para el uso de este dispositivo se

encuentra en inversión de CC a CA, control de motor y control de temperatura, como
consecuencia, existe una amplia gama de tipos de IGBT dentro de los cuales destacan los
IGBT conmutación, IGBT de alta tensión, IGBT de bajo consumo entre otros.
 Figura 1: Representación de un IGBT

Fuente: Floyd, T. L, 2008, dispositivos electrónicos.

Inversores (variadores de frecuencia)

En la electrónica es muy común la utilización de inversores de potencia los cuales

convierten voltaje DC a AC, donde el IGBT es considerado como el componente central del
inversor. De acuerdo con Correa (2023) estos componentes:

asume la función de conmutación de corriente y voltaje a una frecuencia muy alta.

El IGBT también es uno de los componentes menos confiables del inversor de
potencia, ya que es muy sensible a la temperatura, el voltaje y la corriente del
dispositivo. Si se excede alguno de estos parámetros, el IGBT puede dañarse y dejar
de funcionar. Por lo tanto, el IGBT es el objeto de protección clave del inversor de
potencia.

Como consecuencia los IGBT colaboran a la obtención de mejoras en la eficiencia,

y mayor capacidad de conmutación en los inversores.
Análisis de problemas básicos de ingeniería

MOSFET

IGBT
Bibliografía

Boylestad, R. L., Nashelsky, L.(2018). Electrónica: teoría de circuitos y

dispositivos electrónicos. Pearson Educación. https://www-ebooks7-24-
com.ezproxy.itcr.ac.cr/?il=7293
Floyd, T. L. (2008). Dispositivos electrónicos. Pearson Educación. https://www-
ebooks7-24-com.ezproxy.itcr.ac.cr/?il=3311
Chapman, S. (2012). Maquinas eléctricas. Pearson Educación.
Correa, C. (2023). IGBT en inversores fotocoltaicos. Linkedin.
https://es.linkedin.com/pulse/igbt-en-inversores-fotovoltaicos-christian-correa