Universidad Tecnológica santa Catarina

Mecatrónica área de Automatización

Nombre del alumno: López León patricio Reyes

Nombre del maestro: Cesar Jeronimo Hernandez

Grupo:2C

Fecha: 13 de febrero del 2023

 Transistor FET

Cuando se menciona a los transistores inmediatamente se piensa en

los transistores bjt de convinacion NPN o PNP, esto debido a que son
los transistores más conocidos en mercado y de los más usados al
iniciarse en el mundo de la electrónica. Sin embargo existen otros tipos
de transistores y en esta ocasión se hablará acerca del transistor FET
además existen dos transistores que utilizan un principio muy similar a
los fet que son el transistor jfet y el MOSFET. En primero lugar se
necesita definir que son los transistores FET, estos a diferencia de los
bjt, no trabajan por control de corriente sino por control de voltaje, por lo
que hace que sea más fácil pues es más sencillo controlar voltaje que
corriente. Posee una combinación tripolar de N y P (dependiendo del
tipo de transistor fet existen dos tipo N y un tipo P, o dos materiales de
tipo P y uno solo de tipo N) y un sumidero que dependiendo de estas
combinaciones funcionan de forma distinta. Entre las características de
estos transistores se encuentra que su ganancia de voltaje es menor a
comparación de los bjt, tambien que la estabilidad de la temperatura de
los transistores FET es mayor a la de los bjt aunque en varias ocasiones
es recomendable colocar un drenador de temperatura a ellos para evitar
un sobrecalentamiento; el tamaño físico de los fets es menor a
comparación de los bjt, otra de las características importantes es su
impedancia de entrada debido a que en los transistores fet es mucho
mayor que la de los bjt (llegando al orden de los MΩ).
 Transistor IGBT

Componente electrónico diseñado para controlar principalmente

altas potencias, en su diseño está compuesto por un transistor
bipolar de unión BJT y transistor de efecto de campo de metal
oxido semiconductor MOSFET. El IGBT es un dispositivo
semiconductor de cuatro capas que se alternan (PNPN) que son
controlados por un metal-óxido-semiconductor (MOS), estructura
de la puerta sin una acción regenerativa. Un transistor bipolar de
puerta aislada (IGBT) celular se construye de manera similar a un
MOSFET de canal n vertical de poder de la construcción, excepto
la n se sustituye con un drenaje + p + capa de colector, formando
una línea vertical del transistor de unión bipolar de PNP. Este
dispositivo posee la características de las señales de puerta de
los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente
y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una
puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor
bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de
excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las
características de conducción son como las del BJT. En la figura
II se observa la estructura interna de un IGBT, el mismo cuenta
con tres pines Puerta (G), Emisor (E) y Colector (C). Cuando se le
es aplicado un voltaje VGE a la puerta , el IGBT enciende
inmediatamente, la corriente de colector IC es conducida y el
voltaje VCE se va desde el valor de bloqueo hasta cero. La
corriente IC persiste para el tiempo de encendido en que la señal
en la puerta es aplicada. Para encender el IGBT, el terminal C
debe ser polarizado positivamente con respecto a la terminal E.
La señal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado
a la puerta G. Este voltaje, si es aplicado como un pulso de
magnitud aproximada de 15 volts, puede causar que el tiempo de
encendido sea menor a 1 s, después de lo cual la corriente de
colector ID es igual a la corriente de carga IL (asumida como
constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene así por
una señal de voltaje en el G. Sin embargo, en virtud del control de
voltaje la disipación de potencia en la puerta es muy baja. El IGBT
se apaga simplemente removiendo la señal de voltaje VG de la
terminal G. La transición del estado de conducción al estado de
bloqueo puede tomar apenas 2 microsegundos, por lo que la
frecuencia de conmutación puede estar en el rango de los 50 kHz.
EL IGBT requiere un valor límite VGE (TH) para el estado de
cambio de encendido a apagado y viceversa. Este es usualmente
de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VCE cae a un valor bajo
cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se
mantiene bajo, el G debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la
corriente IC se autolimita.