Instituto Politécnico Nacional

Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica

Maldonado Pichardo Joshua Daniel

Boleta 2020300612

Grupo 4EV5

Profesor Climaco Arvizu Ogilvie

Electrónica I

Práctica 6

Examen tercer parcial

Semestre 22-1

Fecha de entrega: 25 de noviembre de 2021

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 Índice

Introducción teórica 3

Desarrollo de la práctica 4

Conclusión 7

Referencias bibliográficas 8

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 Objetivo
Identificar las características de los transistores en polarización fija y comprobar la amplificación de señales
en esta configuración.

Introducción teórica
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos capas de material tipo n y una de
material tipo p o de dos capas de material tipo p y una de material tipo n. El primero se llama transistor NPN
y el segundo transistor PNP.

La capa del emisor está

muy dopada, la base ligeramente, y el colector sólo un poco dopado. Los grosores de las capas externas son
mucho mayores que las del material tipo p o n emparedado.

El dopado de la capa central también es considerablemente menor que el de las capas externas (por lo común
de 10:1 o menor). Este menor nivel de dopado reduce la conductividad (incrementa la resistencia) de este
material al limitar el número de portadores “libres”.

Un transistor no polarizado es como dos diodos en oposición. Cada diodo tiene una barrera de potencial de
aproximadamente 0.7 V. Cuando se conectan al transistor fuentes de tensión externas, circularán corrientes a
través de las distintas partes del

El trabajo que realiza el emisor fuertemente dopado es el siguiente: emite o inyecta sus electrones libres en la
base. La base ligeramente dopada también tiene un propósito bien definido: pasar los electrones inyectados
por el emisor al colector. El colector debe su nombre precisamente a que recolecta la mayor parte de los
electrones de la base.

Casi todos los electrones libres entran en el colector. Una vez que están en el colector, se ven atraídos por la
fuente de tensión VCC, por lo que fluyen a través del colector y atraviesan RC hasta alcanzar el terminal
positivo de la tensión de alimentación del colector. En resumen, lo que ocurre es lo siguiente: una fuente de
tensión en la base polariza en directa el diodo de emisor, forzando a los electrones libres del emisor a entrar
en la base. La base es estrecha y está poco dopada, proporcionando el tiempo suficiente para que todos los
electrones se difundan hasta el colector. Estos electrones atraviesan el colector, la resistencia RC, y entran en
el terminal positivo de la fuente de tensión VC.

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 Desarrollo de la práctica
Se calcularán los valores de RC , R B , S h , I C nueva del siguiente circuito, donde I C =10 mA
FE

V CC =10 V , V CE =5 V , V BE=0.7 V , h FE=100 a 300 .

Se calcula RC y R B

V CC −V CE 10 V −5V
RC = = =500 Ω
IC 10 mA

(V ¿ ¿ CC −V BE )hFE (10 V −0.7 V )100

R B= = =93 k Ω ¿
IC 10 mA

Ahora se llevan a cabo los cálculos correspondientes para encontrar I C nueva

V CC−V BE 10V −0.7 V

Sh = = =0.1 mA
FE
RB 93 k Ω

∆ I C =S h ( ∆ h FE )=0.1mA ( 300−100 )=20 mA

FE

I C nueva=I C anterior + ∆ I C =10 mA +20 mA=30 mA

Antes de aplicar en el simulador los valores calculados, se debe asignar el valor del parámetro
híbrido en las características del transistor.

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Ahora se realizan las mediciones correspondientes para comparar los datos medidos con los
teóricos.

En general los valores de corriente y tensión no difieren demasiado de sus contrapartes teóricas,
incluso la corriente I C es la misma. Cabe mencionar que la corriente de base es muy pequeña.

A continuación, se muestra el circuito en el que se podrá observar la amplificación de señales.

En la
imagen de la derecha se observa los parámetros bajo los cuales debe
de estar el generador de frecuencia.

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Finalmente se muestra la imagen de las señales en el osciloscopio, donde claramente se puede
comprobar la amplificación de la señal original. En este caso existe un desplazamiento de un
periodo entre las ondas y también es visible que se amplifica la señal original más de 100 veces.

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 Conclusión
El transistor es un componente electrónico muy importante debido a su uso en la amplificación de
señales tal y como se observó en esta práctica. Esto es gracias a la estructura interna del transistor
ya que es es equivalente a 2 diodos conectados entre sí.

La configuración que fue utilizada para la práctica fue polarización fija, y en dicha configuración se
deben de tener algunas consideraciones; una de ellas es que la resistencia de la base R Bdepende de
los parámetros híbridos, pues es directamente proporcional a h FE.

Otro punto a tener siempre en cuenta es que en Multisim se debe de modificar el valor de los ya
mencionados parámetros híbridos en caso de ser necesario y de esta forma haya similitud entre
magnitudes teóricas y reales, de lo contrario el transistor trabajará con un valor predeterminado por
el simulador.

En conclusión, al trabajar con transistores físicos y en simuladores siempre se debe de ser muy
cuidadoso al tratar con los parámetros híbridos, pues de ellos dependen muchas más magnitudes
involucradas en el dispositivo.

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 Referencias bibliográficas
 Boylestad, Robert L./ Nashelsky, Louis, Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos
electrónicos Decimoprimera edición.
Pearson, México, 2018