Instituto Politcnico Nacional

Escuela superior de ingeniera mecnica y elctrica

Unidad Culhuacn

ESIME

Asignatura: Laboratorio de mecnica cuntica

Cuarto Semestre

Profesor: LUISILLO RAMIREZ GUILLERMO

PRCTICA 7

El transistor
Grupo: 4EX23

Alumno:

De Los Santos Chavarra Jos francisco

Objetivo
La prctica tiene como objetivo una de las caractersticas ms importantes que

tiene el transistor que se utiliza mucho en la amplificacin de corriente

elctrica.

Desarrollo Terico

La invencin del transistor en 1947 fue galardonado con el premio Novel de

fsica. Algunos historiadores lo consideran como el mayor invento del siglo XX.

Fue un invento fundamental para el desarrollo tecnolgico de nuestro tiempo.

Sin los transistores el mundo tecnolgico que nos rodea no habra sido posible:

radio, televisin, calculadoras, relojes digitales, ordenadores, MP3, equipos de

msica, DVDetc.

El transistor est formado por la

unin de tres semiconductores.

Puede ser NPN o PNP. En nuestro

caso son NPN.

Tiene tres patillas: Emisor, Base y

Colector. Sobre su carcasa

encontremos escrito su nombre o

referencia. Este es su smbolo. La intensidad entra en el transistor por el

colector (C) y sale por el emisor (E).

La intensidad que entra por la base (B) del transistor es la responsable de

controlar el funcionamiento del transistor, que puede funcionar como un

INTERRUPTOR o como un AMPLIFICADOR.

Hay que analizar cada transistor dentro del circuito en el que se encuentra, de

modo que, dependiendo de la intensidad que entra por su base (IB) se

comportar como un IMTERRUPTOR (que se abre o se cierra entre colector y

emisor) o como un AMPLIFICADOR (que deja pasar ms o menos intensidad de

colector a emisor dependiendo del valor de la IB).

Interruptor

Interruptor Cerrado: cuando aplicamos una corriente aceptablemente alta en la

base (IB) el transistor se comporta como un interruptor cerrado.

Interruptor Abierto: cuando NO aplicamos corriente en la base (IB=0) se

comporta como un interruptor abierto.

Amplificador

Por medio de una pequea corriente aplicada a la base (IB) se puede controlar la

intensidad que sale del transistor por el emisor (IE). (En emisor comn (IE ~=

IB siendo la ganancia del transistor, suele ser en torno a 100) Esto significa

que pequeas corrientes se pueden transformar en otras ms fuertes. Cuando

aplicamos una seal a la entrada obtendremos a la salida otra de la misma forma

pero de mayor amplitud. Amplificacin.

El voltaje base-emisor se puede considerar como la variable de control para

determinar la accin del transistor. La corriente de colector se relaciona con

este voltaje por la frmula de Ebers-Moll (a veces llamada ecuacin de

Shockley):

donde
 T = temperatura absoluta

k = Constante de Boltzmann

e = carga del electrn

La corriente de saturacin es una caracterstica particular del transistor (un

parmetro el cual tiene una dependencia de la temperatura). Esta frmula es

estable sobre un amplio abanico de voltajes y corrientes. Una frmula an ms

til es:

donde se puede llamar la ganancia de corriente. El valor de no

es altamente dependiente, ya que depende de , y la

temperatura.

Detalles de la Unin Base-Emisor

Algunas tiles "reglas bsicas" que ayudan a comprender la accin del transistor

son (de Horowitz & Hill):

1. Un voltaje emisor-base de alrededor 0,6 V "encender" el diodo base-

emisor, y ese voltaje cambia muy poco, < +/- 0,1 V en toda la gama activa

del transistor, que puede cambiar la corriente de base por un factor de

10 o ms.
2. Un aumento del voltaje base-emisor de alrededor de 60 mV,

aumentar la corriente del colector por un factor alrededor de 10.

3. La resistencia serie efectiva de AC del emisor es alrededor de 25/

ohmios.
4. El voltaje base-emisor es dependiente de la temperatura,

disminuyendo alrededor de 2,1 mV/C.

 5. El voltaje base-emisor vara ligeramente con el voltaje colector-

emisor , a corriente de colector constante :

Material y Equipo

Fuente de poder

Galvanmetro

Multmetro

Juego de kit electrnico

Transistor

Resistencia variable

Capacitor 10nF

Resistencia (47K )

Switch

Cables de conexin

Desarrollo Experimental
 TABLA DE DATOS OBTENIDOS

Corriente en el Colector Corriente en la Base (mA)

(mA)
0.08 0

0.18 10.20

0.25 21.15

0.26 30.8

0.29 40.8

50.86
 Conclusiones

En el laboratorio es conveniente comprobar que esta ubicacin es correcta y que

el dispositivo este en buen estado.

En el caso, en que no se cuente con la informacin suficiente, mediante algunas

mediciones realizadas en el laboratorio, es posible identificar las terminales de

los transistores bipolares y el tipo de transistor NPN o PNP de que se trate.

Actualmente la gran mayora de los transistores bipolares estn construidos con

tecnologa plana, en ellos las regiones de emisor, base y colector presentan

diferentes concentraciones de impurezas y tamaos, debido a las

caractersticas de construccin que se tienen en las uniones emisor-base y

colector-base, el voltaje de ruptura que se presenta en la unin emisor-base es

menor que el que se presenta en la unin colector-base, llegndose en la prctica

a generalizar diciendo; que la unin emisor-base de un transistor de Boro se

comporta como un diodo Zener (diodo que presenta voltaje de ruptura pequeo).

Bibliografa

Fsica Moderna, Autores Norma Esthela Flores y Jorge Enrique Figueroa,

2007 Editorial Pearson Prentice Hall, ISBN 970-26-0798-2.

http://electronicavm.files.wordpress.com/2011/02/transistor-en-conmutacic3b3n.pdf