Laboratorio N°1: Informe Final

Laboratorio de Circuitos Electrónicos y

Amplificadores

Docente: López Aramburu Maximiliano Fernando

Ciclo: 2021–1
 “Año del Bicentenario del Perú: 200 años
de Independencia”
Laboratório N°1:
Amplificador de Simetria Complementaria
Victor Isaac Diaz Castillon
1530909@utp.edu.pe
Raul Angel Romero Valdivia
U17209660@utp.edu.pe
Jefferson Leonel Nonalaya Quintana
U20204339@utp.edu.pe

Facultad de ingeniería de sistema y electrónica

Universidad Tecnológica del Perú
Av. Arequipa 265 cercado de lima – Perú
 Comprender el funcionamiento de
componentes electrónicos básicos
(diodos, transistores bipolares,
Abstract- in this laboratory, a transistores de efecto de campo,
etc.).
study analysis of symmetry amplifiers will
 Hacer mediciones e interacciones
be carried out and understand their
de los elementos del circuito en el
operation of the circuit to be experimented
simulador y contrastarlos con los
on the basis of the elementary circuit and cálculos teóricos.
experimentally determine the operating
characteristics of the discrete
transistorized power amplifier in class B
called complementary symmetry.

II. INTRODUCCION
Resumen- En el presente
laboratorio se realizará un análisis de El uso de los transistores en conjunto como
estudio de los amplificadores de simetría amplificador en simetría complementaria,
y comprender su funcionamiento del se puede obtener una salida de ciclo
circuito a experimentarse en base al completo utilizando la amplificación de
circuito elemental y determinar medio siglo entregados por cada transistor.
experimentalmente las características de Es uno de los más generalizados en la
funcionamiento del amplificador de época actual. Para un mejor entendimiento
potencia discreto transistorizado en de las distintas configuraciones posibles se
clase B denominado simetría ha reemplazado el dispositivo generalizado
complementaria.. por transistores bipolares (BJT). Como lo
indica el nombre se utilizan dos transistores
I. OBJETIVO de iguales características, pero uno de
polaridad NPN y otro PNP (o canal N y
 En Estudio del funcionamiento del canal P), consiguiéndose así la
amplificador de simetría complementación de corriente, similar a la
complementaria. descripta en la configuración Push-Pull, con
la característica de la clase B en que cada
dispositivo aporte una semionda en dicha
complementación.
En el amplificador push-pull (en el cual se Forma de onda en el punto E
utilizan dos transistores del mismo tipo), se
requiere para su funcionamiento de dos
excitaciones desfasadas 180º, una con
respecto a la otra, para aplicarlas a las
bases de los transistores y así obtener
una salida completa. Este desfasaje se
logra con un transformador cuyo secundario
tenía dos salidas con punto común. A
continuación, se verá cómo se evita usar
transformadores en la entrada y en la salida,
a requisito de que se usen dos transistores
complementarios (uno NPN y otro PNP).
Tal amplificador es llamado
AMPLIFICADOR DE SIMETRIA
COMPLEMENTARIA.
2.- Mediciones en DC: Poner: Vg = 0
4.- Con el nivel de Vg del paso 3 mida la
Mida la tensión en el punto E respecto a
respuesta en frecuencia del circuito:
tierra: VE = 10.1 V
Mida la tensión en el punto B respecto a
tierra: VB = 10.9 V F 1 5 1 2 5 1 2 3 5 70 10
Mida la tensión en el pin 2 del 741: V2 = (H 0 0 K K K 0 0 0 0 K 0K
0.06mV z) 0 0 K K K K
Vs 1 1 1 1 1 6. 3. 1. 8 40 20
Mida la tensión en el pin 3 del 741: V3 = ali 0 0 0 0 0 9 2 8 0 0 0m
-0.05 mV da V V V V V V V 0 m V
(V V m V
Aplique la señal de entrada Vg con
pic V
frecuencia de 1 KHz, Aumente Vg hasta
o)
que se obtenga máxima excursión simétrica
en la salida.
5.- Desconecte el resistor R4, de 10 KΩ, del
Anote los valores pico: Vg = 10V ; Vsalida
punto E y conectelo al punto B Reduzca Vg
= 10V
para obtener en la salida 3 Voltios pico
Dibuje las formas de onda en los puntos B y
E Vg = 3.8V

Forma de onda en el punto B Dibuje la forma de onda de salida

 VIII.

Dibuje la forma de onda en el punto B

III. Dsfdfdfd
IV. Fsdfdsfsdf
V. Dfsdfsd
VI. Dfsdf
VII. Dfds