PRACTICA N.

º 2

Polarización y Estabilidad de los

Amplificadores Electrónicos

Objetivo:

Comprobar los conceptos expuestos en teoría, para la polarización y estabilidad del

punto de operación de los circuitos amplificadores con transistor bipolar de juntura
y transistores de efecto de campo, así como su diseño en base a una polarización
propuesta.

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Introducción:

El termino polarización es un concepto inclusivo de la aplicación de voltajes de

corriente directa (cd) para establecer un nivel fijo de corriente y voltaje necesarios
en todos y cada uno de los componentes de un amplificador para lograr la
amplificación. Para amplificadores transistorizados, la corriente y el voltaje de cd
resultantes establecen un punto de operación en las características que definen la
región que se empleará para amplificar la señal aplicada. Como el punto de
operación es un punto fijo en las características, también se llama punto quiescente
(de ahí la letra Q). Por definición quiescente significa quieto, inmóvil, inactivo.

Para que el BJT se polarice en su región de operación activa directa, región de

amplificación, lo siguiente debe ser cierto:

1.- La unión base-emisor debe polarizarse en directa

2.- La unión base-colector debe polarizarse en inversa

Para la polarización del JFET en la región de saturación, misma en que se obtiene

la amplificación, la juntura puerta-drenador se debe polarizar en inversa y la juntura
puerta-surtidor también. Debido a la polarización inversa, solo una corriente inversa
muy pequeña puede existir en la terminal de la puerta (IG ≈ 0).

Un JFET típico tiene una resistencia de entrada muy grande y esta es la principal
ventaja que tiene un JFET sobre un transistor bipolar y es la razón de que los JFET’s
sean excelentes en aplicaciones en las que se requiere una gran impedancia de
entrada para bajas frecuencias.

La estabilidad del punto de operación de un amplificador mide la sensibilidad de una

red a la variación de sus parámetros. En cualquier amplificador que emplea un
transistor bipolar la corriente del colector IC es sensible a cada uno de los siguientes
parámetros.

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 • β: Se incrementa con el aumento de la temperatura.
• VBE: Se reduce aproximadamente 2.5 mV por grado Celsius (°C) de
incremento de la temperatura.
• ICO (corriente de saturación inversa): Duplica su valor por cada 10°C de
incremento de la temperatura.

Cualquiera de, o todos estos factores, pueden hacer que el punto de polarización
se aparte del punto de operación designado.

Un factor de estabilidad se define por cada uno de los parámetros que afectan la
estabilidad de la polarización, como sigue:

Las redes que son bastante estables y relativamente insensibles a variaciones de

la temperatura, tienen factores de estabilidad bajos.

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Trabajo de casa:

1. Para los circuitos de las figuras 2.1 y 2.2 con BJT BC547A con su β
correspondiente (si no se dispone de su valor considere β1 =110), calcule:
IC1 y VCE1
2. Calcule el factor de sensibilidad respecto a Beta con la siguiente expresión,
cambiando el transistor BC547C con β2=420.

3. Calcula la Variación de IC= IC2 - IC1= 𝑆(𝛽) ∗ ∆𝛽 al cambiar de transistor, con

los resultados del punto 1 y punto 2.
4. Para el circuito de la figura 2.3 con JFET 2N5457 con sus datos
correspondientes (o si no se dispone, considere IDSS de 3mA y VP = -5V),
determine:
ID1, VGS1, y VDS1.
5. Realice los mismos cálculos del punto 4, considerando el JFET BF245A con
sus datos correspondientes (o si no se dispone, considere IDSS de 6 mA y VP
=−3𝑉), determine:
ID2, VGS2, y VDS2
6. Calcule la Variación de ID= ID2-ID1 al cambiar de transistor, con los resultados
del punto 4 y punto 5.
7. Determine ID, y VDS en el circuito de la figura 2.4 con los siguientes datos:
𝜇𝐴
VDD = 15V, VGS = 6.24V, Vt = 2.24V, Kp =125 , Rsr = 4.38 KΩ, RD = 620Ω y
𝑣2

RG =1MΩ
8. Compruebe sus cálculos realizando los circuitos virtualmente en cualquier
equipo a su alcance de acuerdo a la tecnología actual.
9. Alambre previamente a la hora de clase de laboratorio los circuitos
correspondientes al trabajo práctico de laboratorio.

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Material:

• 1 Fuente de poder • 1 Resistencia de 4.38 KΩ a ½ watt

• 1 Generador de funciones • 1 Resistencia de 1 MΩ a ½ watt
• 1 Multímetro • 1 Resistencia de 3.3 KΩ a ½ watt.
• 1 Osciloscopio • 1 Resistencia de 620 KΩ a ½ watt
• 1 Transistor BJT BC547A o equivalente • 1 Resistencia de 82 KΩ a ½ watt
• 1 Transistor BJT BC547C o equivalente • 1 Resistencia de 18 KΩ a ½ watt
• 1 Transistor JFET 2N5457 o equivalente • 1 Resistencia de 820 Ω a ½ watt

• 1 Transistor JFET BF245A o equivalente • 1 Resistencia de 2.2 MΩ a ½ watt

• 1 Transistor NMOS 2N4351 o equivalente • 1 Resistencia de 260 KΩ a ½ watt

• 2 Resistencias de 2.2 KΩ a ½ watt • 1 Resistencia de 1.5 KΩ a ½ watt

Nota. Los valores de los componentes deben ser los comerciales más cercanos o sus
equivalentes

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Trabajo de laboratorio:

1. Para los siguientes circuitos con BJT ajuste los valores de voltaje indicados,
mida lo que se pide en las tablas correspondientes a cada circuito.
2. Haga el mismo procedimiento, pero ahora cambie el transistor por el
Transistor BC547C y fíjese en la variación de las mediciones.

Transistor BC547A Transistor BC547C

IB1 = µA IB2 = µA
IC1 = mA IC2 = mA
VCE1 = V VCE2 = V
β 1= IC1 / IB1= β2= IC2 / IB2=

Tabla 2.1

Variación de IC= IC2-IC1=

Figura 2.1

Transistor BC547A Transistor BC547C

IB1 = µA IB2 = µA
IC1 = mA IC2 = mA
VCE1 = V VCE2 = V
β 1= IC1 / IB1= β2= IC2 / IB2=

Variación de IC= IC2-IC1=

Tabla 2.2

Figura 2.2

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3. Para el siguiente circuito con JFET ajuste los valores de voltaje indicados,
mida lo que se pide en las tablas.
4. Haga el mismo procedimiento, pero ahora cambie el transistor por el BF245A
y fíjese en la variación de las mediciones.

Transistor 2N5457 Transistor BF245A

ID1 = mA ID2 = mA
VDS1 = V VDS2 = V
VGS1= V VGS2= V
Tabla 2.3

Variación de ID= ID2-ID1=

Figura 2.3

Transistor NMOS 2N4351

ID = mA
VDS = V
VGS= V

Tabla 2.4

Figura 2.4

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Conclusiones.

En base a la variación de IC para el BJT y de la variación de ID para el FET escriba

sus conclusiones respecto a la estabilidad de cada circuito.