UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA DEL VALLE DE TOLUCA

CARRERA DE MANTENIMIENTO INDUSTRIAL

T.S.U. EN MANTENIEMIENTO ÁREA INDSUTRIAL

Asignatura:
Estructura Y Propiedad De Los Materiales
Profesor:
Leobardo Gachuz Rangel

Alumno:
Garcia Muñoz Miguel Angel

Grupo y Cuatrimestre: 
MI-43
Período:
Septiembre - Diciembre

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 INDICE

Introducción____________________________________________________

Marco Teorico

Características de Semiconductores intrínsecos y extrínsecos.

Semiconductor P y semiconductor N

Unión PN Polarizada en directo e Inverso.

Identifica los tipos básicos de uniones PNP, NPN y PNPN

Curvas de operación

a) Transistor de unión bipolar

b) Transistor de efecto de campo.

c) Tiristores

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  Introducción

DESCRIPCIÓN GENERAL DE LOS ELEMNTOS SEMICONDUCTORES

Un semiconductor es un elemento que se comporta o bien como un conductor o

bien como un aislante dependiendo de diversos factores, por ejemplo: el campo
eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del
ambiente en el que se encuentre.

Semiconductor tipo n, es el que está impurificado con impurezas "Donadoras", que

son impurezas pentavalentes. Como los electrones superan a los huecos en un
semiconductor tipo n, reciben el nombre de "portadores mayoritarios", mientras
que a los huecos se les denomina "portadores minoritarios".

Semiconductor tipo p, es el que está impurificado con impurezas "Aceptoras", que

son impurezas trivalentes. Como el número de huecos supera el número de
electrones libres, los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres
son los minoritarios.

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  Marco Teórico

Los semiconductores son especialmente útiles en la industria de la electrónica,

dado que permiten conducir y modular la corriente eléctrica de acuerdo a los
patrones y características del semiconductor a utilizar, por esa razón, es usual que
se empleen para los siguientes elementos:

 Transistores
 Circuitos integrados
 Diodos eléctricos
 Sensores ópticos
 Láseres de estado sólido
 Moduladores de transmisión eléctrica (como un amplificador de guitarra
eléctrica)

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  Semiconductores extrínsecos

Hasta ahora sólo hemos hablado acerca de materiales semiconductores naturales,

los que definimos como aisladores de banda prohibida angosta; ellos reciben el
nombre de semiconductores intrínsecos. Sin embargo, existe la posibilidad de
diseñar y fabricar materiales con características eléctricas específicas “a la
medida” agregando, de manera controlada, impureza a semiconductores. Este
proceso de introducción de impurezas extrañas se denomina dopado.

Consideremos los efectos de estas impurezas en el silicio (Si), uno de los

semiconductores de uso más frecuente (véase la Figura 1).

(Figura 1)

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La configuración electrónica del Si es [Ne], 3s 2 3p2,de modo que tiene cuatro
electrones de valencia. Para fijar ideas, veamos que sucede si remplazamos
algunos de los átomos de Si por átomos de fósforo (P) que tienen cinco electrones
de valencia y cuya configuración electrónica es [Ne] :3s 2,3p3.

Por cada átomo de P que se agrega aparece un estado electrónico nuevo y

adicional en la banda prohibida. Este nivel se ubica justo por debajo de la banda
de conducción del Si. Cada átomo de P utiliza cuatro de sus cinco electrones de
valencia para formar enlaces con cuatro átomos de Si vecinos, quedando un
electrón extra que necesita liberar para alcanzar su configuración más estable de
ocho electrones. La energía térmica es suficiente para que el electrón extra sea
transferido a la banda de conducción dejando atrás un ión positivo +P inmóvil.
Los átomos de P se llaman átomos dadores, y la conductividad eléctrica en este
tipo de semiconductores implica fundamentalmente movimiento de electrones
procedentes de los átomos dadores a través de la banda de conducción. Este tipo
de semiconductores se denomina de tipo-n, donde n se refiera a negativo, el tipo
de carga eléctrica que transportan los electrones.

 Semiconductor intrínseco
El semiconductor intrínseco es aquel que está formado por un solo tipo de átomo.
Los más frecuentes y empleados son el germanio (Ge) y el silicio (Se). De ambos,
el silicio es el que encontraremos en la mayoría de los dispositivos electrónicos,
por ser el que más abunda en la naturaleza y el que mejor se comporta a grandes
temperaturas.

Los átomos de los semiconductores poseen 4 electrones en su órbita externa, que

comparte con los átomos adyacentes y forman 4 enlaces covalentes. Así, cada
átomo tiene 8 electrones en su capa más externa.

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Esto forma una red muy fuerte entre átomos y sus electrones, que en
circunstancias normales no se desplazan y son aislantes.Cuando se aumenta la
temperatura mediante la aplicación de una carga eléctrica, los electrones ganan
energía y empiezan a moverse. Se separan del enlace y se convierten en
conductores eléctricos. Por lo tanto, su resistencia disminuye con la temperatura.
(véase la Figura 2).

(Figura 2)

 Semiconductor tipo P
En el semiconductor tipo P, se emplean como dopantes elementos trivalentes, que
se son aquellos que cuentan con 3 electrones de valencia. Los semiconductores
tipo P más habituales son el boro (B), el indio (I) y el galio (Ga). Al solo aportar tres
electrones, no se pueden formar los cuatro enlaces covalentes que veíamos en el
semiconductor intrínseco. La red que conforman estos átomos presenta una serie
de huecos que permiten más fácilmente el movimiento de los electrones y, por
ende, la conducción eléctrica. (véase la Figura 3).

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 (Figura 3)

 Semiconductor tipo N
En este semiconductor se utilizan elementos pentavalentes como dopantes, con
cinco electrones de valencia. El fósforo (P), el arsénico (As) y el Antimonio son los
más frecuentes. Al aportar un exceso de electrones, algunos se quedan libres y se
empiezan a mover fácilmente por la red, con lo que aumentan la conductividad.

Los semiconductores tienen un papel crucial en un mundo cada día más

tecnificado. La industria necesita una fuente barata y abundante de este tipo de
materiales. (véase la Figura 4).

(Figura 4)

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  Unión PN Polarizada en directo e Inverso

La polarización directa se produce cuando se aplica un voltaje a través de la célula

solar de tal manera que el campo eléctrico formado por la unión PN se reduce. Se
facilita la difusión de portadores a través de la región de agotamiento, y conduce a
una mayor corriente de difusión.

En la presencia de un circuito externo que proporciona continuamente portadores

mayoritarios, la recombinación aumenta y agota constantemente la afluencia de
portadores a la célula solar. Esto aumenta la difusión y en última instancia,
aumenta la corriente a través de la región de agotamiento.

Unión pn. Debido a la diferencia de sus concentraciones, las vacantes se

transfieren del lado p al n y los electrones se difunden del lado n al p. Como
resultado, existe una doble capa de carga en la unión, siendo negativo el lado p y
positivo el n. (véase la Figura 5).

(Figura 5)

La polarización inversa se produce cuando se aplica un voltaje a través de la

célula solar de tal manera que el campo eléctrico formado por la unión PN se
incrementa. La corriente de difusión disminuye.

Los dispositivos semiconductores tienen tres modos de funcionamiento:

1. Equilibrio Térmico: En el equilibrio térmico no hay agentes externos tales como

luz o voltaje aplicado. Las corrientes se equilibran entre sí por lo que no hay
corriente neta dentro del dispositivo.

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2. Estado Estacionario: Bajo el estado de equilibrio o estacionario hay agentes
externos como luz o voltaje aplicado, pero las condiciones no cambian con el
tiempo. Los dispositivos normalmente operan en el estado estacionario y están en
polarización directa o inversa.

3. Transitoria: Si la tensión aplicada cambia rápidamente, habrá un pequeño

retraso antes de que la célula solar responda. Como las células solares no se
utilizan para operar en alta velocidad hay pocos efectos transitorios adicionales
que deben tenerse en cuenta.

Diodos bajo Polarización Directa

La polarización directa se refiere a la aplicación de voltaje a través del dispositivo
de tal manera que el campo eléctrico en la unión se reduce. Con la aplicación de
un voltaje positivo para el material de tipo p y un voltaje negativo para el material
de tipo n, se crea, a través del dispositivo, un campo eléctrico con dirección
opuesta a la de la región de agotamiento. Dado que la resistividad de la región de
agotamiento es mucho más alta que en el resto del dispositivo (debido al número
limitado de portadores en la región de agotamiento), casi todo el campo eléctrico
aplicado cae a través de la región de agotamiento. El campo eléctrico neto es la
diferencia entre el campo existente en la región de agotamiento y el campo
aplicado (para dispositivos reales, el campo del potencial de contacto es siempre
mayor que el campo aplicado), reduciendo así el campo eléctrico neto en la región
de agotamiento. La reducción del campo eléctrico perturba el equilibrio existente
en la unión, reduciendo la barrera de difusión de portadores desde un lado de la
unión a la otra y aumentando la corriente de difusión. Si la difusión aumenta la
corriente, la corriente de arrastre permanece esencialmente sin cambios, ya que
depende del número de portadores generados dentro de una longitud de difusión
de la región de agotamiento o en la propia región de agotamiento.

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Puesto que la región de agotamiento únicamente se reduce mínimamente en
anchura, el número de portadores minoritarios barridos a través de la unión
prácticamente no varía. (véase la Figura 6)

Polarización inversa
En polarización inversa, un voltaje se aplica a través del dispositivo de tal manera
que el campo eléctrico en la unión aumenta. Cuanto más alto es el campo
eléctrico en la región de agotamiento, la probabilidad de que los portadores
puedan difundirse desde un lado de la unión a la otra, disminuye, de ahí la
corriente de difusión disminuye también. En polarización directa, la corriente de
arrastre está limitada por el número de portadores minoritarios a cada lado de la
unión p-n y es relativamente invariante al aumento del campo eléctrico. Un
pequeño aumento en la corriente de arrastre es experimentado debido al pequeño
aumento en la anchura de la región de agotamiento, pero esto es esencialmente
un efecto de segundo orden en las células solares de silicio. En muchas células
solares de película delgada, donde la región de agotamiento es alrededor de la
mitad del grosor de la célula solar, el cambio en el agotamiento del ancho de la
región con el voltaje tiene un gran impacto en el funcionamiento de la célula.
(véase la Figura 6).

(Figura 6)

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  Identifica los tipos básicos de uniones PNP, NPN y PNPN

El término 'PNP' significa positivo, negativo, positivo y también conocido como

abastecimiento. El transistor PNP es un BJT; en este transistor, la letra 'P' especifica la
polaridad del voltaje necesario para el terminal del emisor. La segunda letra 'N' especifica
la polaridad del terminal base. En este tipo de transistor, la mayoría de los
portadores de carga son huecos. Los materiales necesarios que se utilizan para
construir los terminales del emisor, la base y el colector en este transistor son
diferentes de los utilizados en el transistor NPN. Los terminales BC de este
transistor están polarizados constantemente invertidos. (véase la Figura 7 y 8).

(Figura 7)

(Figura 8)

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El término 'NPN' significa negativo, positivo, negativo y también conocido como
hundimiento. El transistor NPN es un BJT , en este transistor, la letra inicial 'N'
especifica una capa cargada negativamente del material. Donde, 'P' especifica una
capa completamente cargada. Los dos transistores tienen una capa positiva, que
se encuentra en el medio de dos capas negativas. Generalmente, el transistor
NPN se utiliza en varios circuitos eléctricos para conmutar y fortalecer las señales
que exceden a través de ellos. (véase la Figura 9 y 10).

(Figura 9)

(Figura 10)

La principal diferencia entre el transistor PNP y NPN es la polarización correcta de

las uniones del transistor. Las direcciones de la corriente y las polaridades de
voltaje se invierten constantemente entre sí.

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  Curvas de operación

a) Transistor de unión bipolar

El transistor de unión bipolar es un dispositivo electrónico de estado sólido

consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la
corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través
de sus terminales.

La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al

desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen
ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada, bastante baja.

Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan

generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones
de electrónica digital, como la tecnología TTL o BiCMOS.

Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
 Colector, de extensión mucho mayor.(véase la Figura 11)

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 (Figura 11)

b) Transistor de efecto de campo.

El transistor de efecto campo (FET, del inglés field-effect transistor) es un

transistor que usa el campo eléctrico para controlar la forma y, por lo tanto, la
conductividad de un canal que transporta un solo tipo de portador de carga, por lo
que también suele ser conocido como transistor unipolar. Es un semiconductor
que posee tres terminales, denominados puerta (representado con la G), drenador
(D) y fuente (S). La puerta es el terminal equivalente a la base del transistor de
unión bipolar, de cuyo funcionamiento se diferencia, ya que, en el FET, el voltaje
aplicado entre la puerta y la fuente controla la corriente que circula en el drenaje.
Se dividen en dos tipos los de canal N y los de canal P, dependiendo del tipo de
material del cual se compone el canal del dispositivo. (Véase la Figura 12)

(Figura 12)

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c) Tiristores

El tiristor (gr.: puerta) es una familia de componentes electrónicos constituido por

elementos semiconductores que utiliza realimentación interna para producir una
conmutación.1 Los materiales de los que se compone son de tipo semiconductor,
es decir, dependiendo de la temperatura a la que se encuentren pueden funcionar
como aislantes o como conductores. Son dispositivos unidireccionales (SCR) o
bidireccionales (Triac o DIAC). Se emplea generalmente para el control de
potencia eléctrica.

Para los SCR el dispositivo consta de un ánodo y un cátodo, donde las uniones
son de tipo P-N-P-N entre los mismos. Por tanto, se puede modelar como 2
transistores típicos P-N-P y N-P-N, por eso se dice también que el tiristor funciona
con tensión realimentada. Se crean así 3 uniones (denominadas J1, J2, J3
respectivamente), el terminal de puerta está a la unión J2 (unión NP).

Algunas fuentes definen como sinónimos al tiristor y al rectificador controlado de

silicio (SCR);2 Aunque en realidad la forma correcta es clasificar al SCR como un
tipo de tiristor, a la par que los dispositivos DIAC y TRIAC. (Véase la Figura 13).

(Figura 13)

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  Conclusión
Un material semiconductor, es aquel que se puede comportar como conductor o
como aislante. Esto quiere decir, que su conductividad puede ser modificada en
función de distintos factores como temperatura, presión, campo magnético, etc. De
allí, derivamos a los semiconductores intrínsecos. Esto ocurre, cuando el material
es capaz de transmitir electricidad sin impurezas ni átomos de otro tipo en su
estructura, es decir, en estado puro. Estos, al combinarlos correctamente, pueden
actuar como interruptores, amplificadores o dispositivos de almacenamiento.

No obstante, un material semiconductor es extrínseco cuando es contaminado con

impurezas en mínimas proporciones (una partícula entre un millón). A este
proceso de contaminación se le conoce como dopaje que a su vez se manifiesta
en dos tipos: Tipo N y Tipo P. En el caso del tipo N, se contamina el material con
átomos de valencia 5. Al momento de introducirlos se fuerza al quinto electrón a
vagar por el material ya que no encuentra un lugar estable donde situarse. A estos
electrones se les llama electrones mayoritarios. Así mismo, durante el tipo N se
contamina el material con átomos de valencia 3. Debido a esto, queda un hueco
donde debería ir un electrón. Este hueco transita fácilmente por el material como si
fuera un portador de carga positiva. A estos huecos se les conoce como
portadores mayoritarios (EcuRed, 2018).

Una vez conocida la importancia de estos materiales, se podría decir que con el
descubrimiento de un nuevo semiconductor se abriría la posibilidad de crear
componentes más compactos, veloces y eficientes energéticamente.

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  Bibliografía

Craig R. Barrett: Fabricación de un Circuito Integrado, Investigación y

Ciencia, Junio 1999.
Jim Lesurf: Que Son y Como Operan los Transistores, New Scientist,
Enero 1991

Dr. Guido Tarrach . (2007). Los Semiconductores y sus Aplicaciones.

20/11/21, de Pontificia Universidad Católica de Chile Sitio web:
http://www4.ujaen.es/~egimenez/FUNDAMENTOSFISICOS/semiconduct
ores.pdf

1)Semiconductores — EcuRed. Ecured.cu, (2018). [Online]. Recuperado

de: https://www.ecured.cu/Semiconductores. [Accessed: 20- 11- 21].
2) Hernandez, J. (2011). “Colloidal Semiconductor Nanoparticles and
Applications”. Barcelona, España: Anales de la Real Sociedad Española
de Química.
3) L. Ye, de Jong M. P, T. Kudernac, van der Wiel, W. G. and Huskens J.
(2017). “Doping of semiconductors by molecular monolayers: monolayer
formation, dopant diffusion and applications”. Barcelona, España:
Materials Science in Semiconductor Processing.

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