CARACTERIZACIÓN DEL E-MOSFET (Curvas

Características)

Fabio Andrés Corzo Arguello; 2180383

Bradlee Alejandro Castro Castro; 2204649
Leonel Ricardo Araque Carreño; 2204224

Abstract la corriente de salida en función del voltaje de entrada, y

también estudiar el impacto de la temperatura en el
MOSFETs are widely used electronic components that are
funcionamiento del E-MOSFET.
crucial in the field of electronics. They are used in almost
every circuit. The objective of this report is to provide an
understanding of the operation of MOSFETs and their
3. MARCO TEÓRICO
different types. This study analyzed the behavior of current in
the MOSFET by modifying the VGS voltage, as well as how Se consultó la hoja de datos del MOSFET
these values varied when subjected to an external heat source. 2N7000, donde se encontraron los siguientes
The report provides detailed information about MOSFETs
and their characteristic curves. valores:

Resumen
❖ VGS(TH) = 0.8V
Los MOSFET son componentes electrónicos ampliamente
utilizados y de gran importancia en el campo de la ❖ VGS(ON) = 4.5V
electrónica. Se emplean en casi todos los circuitos. El
objetivo de este informe es brindar una comprensión del ❖ ID(ON) = 74mA
funcionamiento de los MOSFET y de sus diferentes tipos. En
este estudio, se analizó el comportamiento de la corriente en
el MOSFET al modificar el voltaje VGS, así como las
variaciones de estos valores al someterlos a una fuente
externa de calor. El informe ofrece una información detallada
sobre los MOSFET y sus curvas características.
1. INTRODUCCIÓN

Este informe se centra en un tipo de componente electrónico

conocido como MOSFET, que significa Metal-Oxide-
Semiconductor Field-Effect Transistor (transistor de efecto
de campo semiconductor de metal-óxido). Los MOSFET son
componentes electrónicos que regulan su salida en función de
un voltaje de entrada. El tipo específico de MOSFET
Figura 1: Corriente de salida respecto al voltaje de entrada
estudiado en este informe es el E-MOSFET, que pertenece al
tipo de enriquecimiento. Para comprender el funcionamiento
del E-MOSFET, se aplicaron varios valores de entrada y se Son los aspectos desde el punto de vista de la teoría que son
midieron las corrientes de salida correspondientes para relevantes para el experimento, se debe tomar de fuentes
obtener la curva característica resultante. Además, se analizó confiables como libros especializados o páginas de internet
el comportamiento del E-MOSFET al variar la temperatura y fiables o de reconocidos autores y preferiblemente consultar
observar los cambios en las corrientes de salida.. varias para contrastar la información, tratando de escribir solo
lo necesario.

Es normalmente aquí donde encontramos el cuerpo principal

2. OBJETIVO PRINCIPAL
El objetivo principal de este informe es analizar la curva
característica del MOSFET empleado, examinar cómo varía
de las referencias al trabajo presentado. Éstas son, por
supuesto, extremadamente importantes y deben ser
seleccionadas cuidadosamente entre las publicaciones del
mundo científico relacionadas con su trabajo. El modo
sugerido de llamar a una referencia en el cuerpo principal del
texto es simplemente insertar entre corchetes un número de
❖ Se realizo un barrido de voltajes VGS
secuencia cada vez que se indica una nueva referencia. Por
ejemplo, [1], [2], y así. La identidad completa de estas modificando el valor del potenciómetro de la
referencias, incluyendo autores, título, medios de publicación Figura 1, con el fin de tabular los valores de
y datos específicos de la misma (números de páginas, fecha ID y VGS en la Tabla 1.
de publicación) pueden encontrarse al final del documento.
Es muy fácil (y a menudo ocurre) confundir números de
páginas e incluso fechas de publicación, lo que puede causar
una frustración significativa cuando un lector interesado
intente consultar la referencia. Por favor, sea tan cuidadoso
como pueda para asegurar que la información concerniente a
todas las referencias sea completa y fiable. Ésta es
obviamente una parte muy importante y relevante de su
propio trabajo y no debe ser pasada por alto.

4. METODOLOGÍA EXPERIMENTAL
Son todos los pasos llevados a cabo para realizar el
experimento, teniendo especial cuidado en la forma como se
tomaron los datos. Es importante escribir los materiales
utilizados y de ser posible apoyarse en fotografías de cada
paso del experimento. Figura 1. Circuito para medir valores del E-MOSFET

Acerca de las figuras

Una de las partes más complejas a la hora de editar un
artículo es sin lugar a dudas las figuras. Por esta razón no VGS (V) 0,5 1 1,5 2 2,5
consideramos muy eficiente dar excesivas reglas acerca de su
ID (A) 0 0.3u 0.96m 12.5m 12.9m
formato. Solamente citar varios consejos generales. Siempre
que sea posible, se deberán colocar las figuras lo más cerca ID(temp) 0 0.13 12.2 14,3 14.8
posible del lugar del texto donde se les haga referencia por
primera vez. Por otra parte se procurará adecuar el tamaño de VGS 0 1 1.42 1.95 2.5
la figura para que ocupe la anchura de una columna, siempre
y cuando la claridad de la misma no se vea comprometida, en
cuyo caso se podrán utilizar las dos columnas, hasta un
máximo de 17.5 cm.
Además de la libertad dada para el posicionamiento y edición
de las figuras, nos gustaría proponerle una recomendación VGS (V) 3 3,5 4 4,5 5
muy simple para la uniformidad, que concierne a los pies de 13,8
las figuras. Deben ser escritos justo debajo de la figura, ID (A) 12.9m 14.3m 13.6m m 12,8m
preferiblemente centrados con referencia al formato de la
ID(temp) 15 16.2 15m 14.3m 14.8m
figura y escritos en fuente Times New Roman 9 itálica para
diferenciarlos del texto principal. Las figuras se numeran VGS 3.1 3.5 3.8 4.3 4.7
secuencialmente y su número debe aparecer en negrita, Tabla 1 Voltajes y Corrientes del E-MOSFET.
exactamente como está indicado en nuestra figura 1. El
número de orden, así como la palabra figura deberán ir en
negrita. Una ves tenemos los datos marcados en la tabla, graficamos
estos valores de ID Vs VGS

Figura 1. Ejemplo de pie de figura

5. ANÁLISIS DE RESULTADOS
 Grafica 1 ID vs VGS Figura 2. Circuito para medir valores del E-
MOSFET.
Los valores ID(temp) fueron obtenidos acercando un cautín
con temperatura alta al mosfet y vimos que la corriente VDS 0,5 1 1,5 2 2,5 3
aumento. Esto se explicara mejor en una de las conclusiones. (V) =
VGS= ID 0.132 0.181 0.238 0.26 0.29 0.32
3V (A) =
VGS= ID 0.12 0.22 0.28 0.32 0.32 0.37
4V (A) =
VGS= ID 0.12 0.25 0.33 0.37 0.33 0.36
5V (A) =

VDS 3,5 4 4,5 5 5,5 6 6,5 7

(V) =
VGS 0.36 0.4 0.45 0.5 0.53 0.55 0.55 0.55
= 3V
VGS 0.38 0.37 0.38 0.36 0.35 0.34 0.38 0.34
= 4V

VGS 0.39 0.4 0.5 0.42 0.41 0.4 0.38 0.37

= 5V
Tabla 2. Resultados obtenidos en la práctica

Grafica 2 ID vs VGS
Imagen 1: circuito de la figura 1

En este paso también nos pedía usar otro transistor y ver si

❖ Usando el montaje de la Figura 2, mantenga un
valor de VGS fijo en 3V y realice un barrido de
voltajes VDS modificando el valor directamente
desde la fuente. Repita el procedimiento
ajustando el VGS a un valor de 4V y por último a
un valor de 5V.
los resultados eran los mismos y estos cambiaban muy poco
por el hecho de que cada transistor es diferente marca valores
muy parecidos ero no iguales. Sin embargo, ambos se
calentaban bastante al aumentar mucho el voltaje al punto de
que se nos quemaron uno de los transistores al final se nos
quemo ya que no controlamos bien los voltajes y le subimos
mucho.

6. Conclusiones
✔ Cuando se calienta un transistor, se produce un
aumento en la conductividad de los materiales
semiconductores que lo componen. Esto se debe a
que la temperatura elevada proporciona suficiente
energía para liberar más portadores de carga y
aumentar la movilidad de estos dentro del transistor.
Como resultado, la resistencia interna disminuye, lo
que permite una mayor corriente a través del
dispositivo. Sin embargo, es importante tener en
cuenta que un calentamiento excesivo también
puede dañar el transistor, ya que puede superar sus
límites de temperatura y afectar su rendimiento a
largo plazo.

Referencias
Para las referencias se utilizará una fuente Times New Roman 9.
Deberán figurar en el mismo orden en el cual han aparecido en el
texto.
[1]