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1.

Bosqueje la estructura atómica del cobre y explique por qué es un buen conductor y en qué forma su estructura es diferent

R:Es un buen conductor ya que contiene 29 electrones que ayudan a tener mejor cond
Su estructura es diferente con respecto al germanio y al silicio los cuales poseen 4 elec
su capa de valencia en que el cobre solo posee 1 electrónen la misma capa además de
una capa más que el siliciohaciendo que las fuerzas de atracción de su núcleo sean má
y por lo tanto sea más fácil para él ceder su electrón contribuyendo a la creación de un

3. Consulte su biblioteca de referencia y haga una lista de tres materiales que tengan un coeficiente de
temperatura negativo y de tres que tengan un coeficiente de temperatura positivo.
R: Materiales de coeficiente de temperatura negativo:
Carbón
Germanio
Silicio
Materiales de coeficiente de temperatura positivo:
Oro
Plata
Cobre

5. Si se requieren 48 eV de energía para mover una carga a través de una diferencia de potencial de 12 V, determine la carga i
R: E=48 eV * 1.6*10-19 J=76.8*10-19 J
Q=W/V=76.8*10-19 J / 12V =6.40*10-19 C

7. Describa
R:La la diferencia
diferencia entre
entre ambos esmateriales semiconductores
que el material tipo n y tipo
tipo n es contaminado p. impurezas donadoras por lo que es saturado de elec
con

es contaminado con impurezas aceptoras por lo queest´a saturado mayoritariamente de huecos.

9. Describa la diferencia entre portadores mayoritarios y minoritarios.


R:Los portadores mayoritarios es el nombre que recibe un componenteque sobrepasa en concentración al resto en un materia
Los portadores minoritarios es el nombre que recibe un componenteque se encuentra en una concentración muy escasa en u

11. Repita el problema 10, pero ahora inserte una impureza de indio.
R:
13. Describa con sus propias palabras las condiciones establecidas por condiciones de polarización en
directa y en inversa en un diodo de unión p n y cómo se ve afectada la corriente resultante.
R: Yo pienso que una condición es que el terminal positivo conectado al material tipo n y el terminal
negativo conectado al tipo p, ya que el número de iones positivos en la región de empobrecimiento
del material tipo n se incrementara para la gran cantidad de electrones libre atraídos por el voltaje aplicado.

15. Con la ecuación (1.1), determine la corriente en el diodo a 20°C para un diodo de silicio con Is = 50nA
y una polarización en directa aplicada de 0.6 V.
R: T= 273 + °C = 273 + 20 = 293K
VT = kT/q = (1.38𝑋10-23J/K)(293K) / 1.6𝑋10-19𝐶 = 25.271mV

17. a. Con la ecuación (1.1) determine la corriente a 20°C en un diodo de silicio con Is _x0004_ 0.1 mA con
un potencial de polarización en inversa de _x0005_10 V.
b. ¿Es el resultado esperado? ¿Por qué?
R: a)T = 273 + °C = 273 + 20 = 293 𝐾
VT = kT/q = (1.38𝑋10-23 J/K)(293K)/1.6𝑋10-19C = 25.2712mV
ID = IS(eVD/nVT − 1) = 0.1𝑢A (−10V/e25.2712mV − 1) = −0.1uA

b)Con valores negativos de VD el término exponencial se reduce con rapidez por debajo del nivel de I y la ecuación resultante

19. En la región de polarización en inversa la corriente de saturación de un diodo de silicio es de alrededor


de 0.1 mA (T _x0004_ 20°C). Determine su valor aproximado si la temperatura se incrementa 40°C.
R: T = 20 °C IS = 0.1 uA

T = 30 °C IS = 2(0.1) = 0.2 uA

T = 40 °C IS = 2(0.2) = 0.4 uA

T = 50 °C IS = 2(0.4) = 0.8 uA

Notamos que al elevarse la temperatura los circuitos electrónicos tienden a variar los valores esto produce una variación en la

21. Determine la caída de voltaje en directa a través del diodo cuyas características aparecen en la figura
1.19 a temperaturas de _x0005_75°C, 25°C, 125°C y una corriente de 10 mA. Determine el nivel de corriente
de saturación para cada temperatura. Compare los valores extremos de cada una y comente
sobre la relación de las dos.
R: -75 °C 25 °C 125 °C
1.1 V 0.85 V 0.6 V
0.1 pA 1 pA 1.05 uA
23. Describa con sus propias palabras las características del diodo ideal y cómo determinan los
estados de encendido y apagado del dispositivo. Es decir, describa por qué los equivalentes de
cortocircuito y circuito abierto son correctos.

R:En la región de polarización directa, una caída de voltaje de 0 V a través del diodo en cualquier nivel
de corriente provocará un nivel de resistencia de cero ohmios (estado "encendido") para establecer la conducción.
En la región de polarización inversa, un nivel de corriente cero en cualquier voltaje de polarización inversa asegura
que un nivel de resistencia muy alto (estado "apagado") se interrumpa la conducción.

25. Determine la resistencia estática o de cd del diodo comercialmente disponible de la figura 1.15 con una corriente en direct

Datos
VD≅ 0.65V RCD=VD/ID RCD= 0.65 RCD= 325 𝛺
ID= 2mA 0.002
RCD=?

27. Determine la resistencia estática o de cd del diodo comercialmente disponible de la figura 1.15 con un voltaje en inversa d

Datos
VD = -10V RDC = VD
ID =Is = -0.1 𝜇𝐴 ID
RDC = ?
RDC = 100000000
RDC = 100M 𝛺

Datos
VD=-30V RDC= VD
ID =Is = -0.1 𝜇𝐴 ID
RDC=?
RCD= 300000000
RCD= 300M 𝛺

29. Calcule las resistencias de cd y ca del diodo de la figura 1.27 con una corriente en directa de 10 mA

Datos
ID=10mA RDC = VD =
VD=0.76V ID
RCD=?
RDC = 76 𝛺

rd= ΔVd =
ΔId

RDC >> rd rd= 0.03 =


0.01

31. Con la ecuación (1.5), determine la resistencia de ca con una corriente de 1 mA y 15 mA del diodo de la figura 1.15.
Modifique la ecuación como sea necesario para niveles bajos de corriente del diodo. Compare con las soluciones obtenidas en

ID=1mA
rd= 2(26mV)
ID

rd= 2(26mV)
1mA

rd= 2
rd= 52 𝛺

ID=15mA
rd= 26mV
ID

rd= 26mV
15mA

𝛺
rd= 1.73 𝛺

33. Determine la resistencia de ca para el diodo de la figura 1.15 con 0.75 V y compárela con la resistencia de ca promedio obt

rd= ΔVd
ΔId

= 0.84V - 0.75V
7mA- 3mA

= 0.09
0.004

rd= 22.5 𝛺

35.Repita el problema 34 con el diodo de la figura 1.27

Usando la mejor aproximación a la curva más allá de VD = 0,7 V


rav= ΔVd
ΔId

= 0.8V-0.7V
25mA- 0mA

= 0.1
0.025

rav= 4 𝛺

37. Recurriendo a la figura 1.33, determine la capacitancia de difusión con 0 V y 0.25 V.

VD = 0 V
CD=3.3pF

VD=0.25V
CD=9pF
39. Determine la reactancia ofrecida por un diodo descrito por las características de la figura 1.33, con un potencial en directa

1) VD = 0.2 V
CD=7.3pF

2) VD=-20V
CT=0.9pF

41. Trace IF contra VF utilizando escalas lineales para el diodo de la figura 1.37. Observe que la gráfica provista emplea una esc

43. ¿Cambia significativamente la magnitud de la corriente de saturación en inversa del diodo de la figura 1.37 con potenciale
R: En VD = −25 V, ID = −0,2 Na
en VD = −100 V, ID ≅ −0,45 nA
Aunque el cambio en IR es
más del 100%, el nivel de IR y el cambio resultante es relativamente pequeño para la mayoría
aplicaciones

45. Para el diodo de la figura 1.37 determine la resistencia de ca (dinámica) máxima con una corriente en directa de 0.1, 1.5 y
R: IF = 0.1 mA: rd ≅ 700 Ω
IF = 1.5 mA: rd ≅ 70 Ω
IF = 20 mA: rd ≅ 6 Ω

47. Con las características de la figura 1.37, determine la temperatura a la cual la corriente en el diodo será 50% de su valor a t
R:Usando el gráfico inferior derecho de la Fig. 1.37:
SI = 500 mA @ T = 25 ° C
En IF = 250 mA, T ≅ 104 ° C

49. ¿A qué temperatura el diodo Zener de 10 V de la figura 1.47 tendrá un voltaje nominal de 10.75 V?
TC = +0.072%(0.75 V/10 V( T1-25) )(100)
0.072= 7.5/T1 − 25
T1 − 25° = 7.5 /0.072= 104.17°

T1 = 104.17° + 25°129.17

51. Con las curvas de la figura 1.48a, ¿qué nivel de coeficiente de temperatura esperaría para un diodo de 20 V? Repita para u
R: ((20 V 6.8 V)/(24 V 6.8 V))( 100%)=77%
El Zener de 20 V es, por tanto, ≅ 77% de la distancia entre 6,8 V y 24 V medida desde
la característica de 6,8 V.

IZ = 0.1 mA, TC ≅ 0.06%/°C


((5 V 3.6 V)/(6.8 V 3.6 V))× 100% = 44%
El Zener de 5 V es, por tanto, ≅ 44% de la distancia entre 3,6 V y 6,8 V medida desde el
Característica de 3,6 V.

IZ = 0.1 mA, TC ≅ −0.025%/°C

53. Compare los niveles de impedancia dinámica para el diodo de la figura 1.48 con niveles de corriente de 0.2, 1 y 10 mA. ¿Có
24 V Zener: 0.2 mA: ≅ 400 Ω
1 mA: ≅ 95 Ω
0 mA: ≅ 13 Ω

Cuanto más pronunciada sea la curva (mayor dI / dV), menor será la resistencia dinámica.

55. Con la información de la figura 1.53, determine el voltaje en directa a través del diodo si la intensidad luminosa relativa es
Fig. 1.53 (f) IF ≅ 13 mA
Fig. 1.53 (e) VF ≅ 2.3 V

57. a. Si la intensidad luminosa a un desplazamiento angular de 0° es de 3.0 mcd para el dispositivo de la figura 1.53, ¿a qué án
a. 0.75/ 3.0 = 0.25
De la figura 1.53 (i) (≅ 75 °

b.0.5 ⇒ ( = 40 °
y en qué forma su estructura es diferente de la del germanio, el silicio y el arseniuro de galio.

ectrones que ayudan a tener mejor conductividad.


manio y al silicio los cuales poseen 4 electrones en
e 1 electrónen la misma capa además de que posee
uerzas de atracción de su núcleo sean más débiles
ectrón contribuyendo a la creación de una corriente eléctrica.

un coeficiente de

e potencial de 12 V, determine la carga implicada.

donadoras por lo que es saturado de electrones mientras que el material tipo p

en concentración al resto en un material.


a en una concentración muy escasa en un material.
polarización en

n y el terminal
obrecimiento
por el voltaje aplicado.

ilicio con Is = 50nA

_x0004_ 0.1 mA con

jo del nivel de I y la ecuación resultante para ID es: ID ≅ −IS

licio es de alrededor
ementa 40°C.

valores esto produce una variación en la intensidad.

arecen en la figura
ne el nivel de corriente
n cualquier nivel
ara establecer la conducción.
polarización inversa asegura

a figura 1.15 con una corriente en directa de 2 mA.

a figura 1.15 con un voltaje en inversa de 10 V. ¿Cómo se compara con el valor determinado con un voltaje en inversa de 30 V?

-10
-0.0000001
-30
-0.0000001

directa de 10 mA

0.76
0.01

0.79V - 0.76V
15 mA- 5mA

3𝛺

15 mA del diodo de la figura 1.15.


Compare con las soluciones obtenidas en el problema 30.

26
Ejer.#30 = 55𝛺

𝛺
Ejer.#30 = 2 𝛺

ela con la resistencia de ca promedio obtenida en el problema 32.


figura 1.33, con un potencial en directa de 0.2 V y un potencial en inversa de 20 V si la frecuencia aplicada es de 5 MHz.

1) Xc = 1 = 1 = 1
2πfC 2π (6 MHz)(7.3 pF) ###

Xc= 3790
Xc= 3.79

2) Xc = 1 = 1 = 1
2πfC 2π (6 MHz)(0.9 pF) ###

Xc= 29474
Xc= 29.47

ve que la gráfica provista emplea una escala logarítmica para el eje vertica

el diodo de la figura 1.37 con potenciales de polarización en inversa en el intervalo de _x0005_25 V a _x0005_100 V?

on una corriente en directa de 0.1, 1.5 y 20 mA. Compare los niveles y comente si los resultados respaldan las conclusiones derivadas en la

ente en el diodo será 50% de su valor a temperatura ambiente (25°C).


minal de 10.75 V?

ría para un diodo de 20 V? Repita para un diodo de 5 V. Considere una escala lineal entre los niveles de voltaje nominal y un nivel de corrie

veles de corriente de 0.2, 1 y 10 mA. ¿Cómo se relacionan los resultados con la forma de las características en esta región?

odo si la intensidad luminosa relativa es de 1.5.

el dispositivo de la figura 1.53, ¿a qué ángulo será de 0.75 mcd? b. ¿A qué ángulo la pérdida de intensidad luminosa se reduce a menos de
versa de 30 V?
clusiones derivadas en las primeras secciones de este capítulo.
minal y un nivel de corriente de 0.1 mA.

osa se reduce a menos de 50%?