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Omar De la Peña-Seaman | IFUAP Química Cuántica de Sólidos − Doctorado (Ciencia de Materiales) 1/67
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Contenido: Tema 05
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Omar De la Peña-Seaman | IFUAP Química Cuántica de Sólidos − Doctorado (Ciencia de Materiales) 2/67
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Contenido: Tema 05
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Omar De la Peña-Seaman | IFUAP Química Cuántica de Sólidos − Doctorado (Ciencia de Materiales) 3/67
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Estructura electrónica
DFT: Esquema de autoconsistencia
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Estructura electrónica
DFT: Esquema de autoconsistencia
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Estructura electrónica
DFT: Esquema de autoconsistencia
La expresión original del funcional de energía de Kohn-Sham es,
~2
0 ~ 2
|q|2 δq,q0 .
q − ∇ q =
2me 2me
2
Aplicando la condición de ortonormalidad: hq0 |qi = δq,q0 . 9
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Estructura electrónica
Estructura electrónica: Ondas planas como base de expansión
El potencial Vef f (r) es periódico en el cristal, y por tanto se puede
expresar como una suma de componentes de Fourier,
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Estructura electrónica
Estructura electrónica: Ondas planas como base de expansión
Finalmente, definiendo:
q = k + Gm & q0 = k + Gm0 ∀ Gm00 = Gm0 − Gm ,
es posible expresar la ec. de eigenvalores como:
0 ~2 X
|q|2 δq,q0 +
q Ĥef f q = Vef f (Gm )δq0 −q,Gm ,
2me m
~2
hk + Gm0 |Ĥef f |k + Gm i = |k + Gm |2 δm,m0 + . . .
2me
X
... + Vef f (Gm )δGm0 −Gm ,Gm ,
m
~2
∴ Hm,m0 (k) = |k + Gm |2 δm,m0 + Vef f (Gm − Gm0 ),
2me
obteniendo la expresión para la ecuación secular,
X
Hm,m0 (k)ci,m0 (k) = i (k)ci,m (k).
m0
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Estructura electrónica
Estructura electrónica: Teorema de Bloch
Los eigenestados pueden ser descritos en términos de k, donde la suma
se restringe a q = k + Gm ,
X 1
ψi (r) =ci,q × √ eiq·r ,
q Ω
X 1
⇒ ψi,k (r) = ci,m (k) × √ ei(k+Gm )·r ,
m Ω
1 1
ci,m (k)eiGm ·r = eik·r √
X
= eik·r √ ui,k (r),
Ω m Ncell
1 X
donde: ui,k (r) = √ ci,m (k)eiGm ·r ∀ Ω = Ncell × Ωcell .
Ωcell m
Dirección [100]
kx [- /L, /L] IBZ
L L L L L L L L L L
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Estructura electrónica
Estructura de bandas: Free electron system
Cálculo de estructura de bandas en una estructura fcc.
E(1/L)2 (energy units)
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Estructura electrónica
Densidad de estados: Free electron system
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Estructura electrónica
Caso de estudio: Al (fcc)
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Estructura electrónica
Caso de estudio: Si (diamante)
Se calcula la estructura electrónica del Si
(diamante), el cual posee las siguientes ca-
racterísticas:
• Grupo espacial: 227 (Fd-3m).
• Z = 14, 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2 . 1
• Sist. semiconductor: ∆E = 1.17 eV.
• a(exp) = 5.43 Å = 10.26 a.u. 0
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Contenido: Tema 05
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Fuerzas
Teorema de Hellmann-Feynman
ĤKS ψi = i ψi ,
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Fuerzas
Teorema de Hellmann-Feynman: Soluciones aproximadas
Aplicando la condición de estados estacionarios a los res. anteriores:
∂G ∂G ∂Ee ∂Ee
Olm c∗li .
X X
∗ = =0 ∴ = i Oml cli & = i
∂cmi ∂cmi ∂c∗mi l
∂cmi l
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Fuerzas
Teorema de Hellmann-Feynman: Soluciones aproximadas
Por otro lado, analizando la variación de los coeficientes desde la condi-
ción de normalización,
c∗li cmi hχl |χm i = c∗li cmi Olm ,
X X X
1 = hφi |φi i = hcli χl |cmi χm i =
lm lm lm
para lo cual derivando lo anterior respecto a Rk,α ,
" #
dc∗li dcmi dOlm
cmi Olm + c∗li Olm + c∗li cmi
X
0= ,
lm
dRk,α dRk,α dRk,α
" #
d X dc∗ dcmi
c∗li cmi cli Oml + c∗li
X
mi
⇒ − hχl |χm i = Olm ,
lm
dRk,α lm
dRk,α dRk,α
Z " #
dχ∗l dχm
c∗li cmi χm + χ∗l
X X
∴ − i dx = . . .
i lm
dRk,α dRk,α
" #
dc∗mi dcmi
cli Oml + c∗li
X X
... = i Olm .
i lm
dRk,α dRk,α
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Fuerzas
Teorema de Hellmann-Feynman: Soluciones aproximadas
Analizando ahora el segundo término de la expresión de dEe /dRk,α :
Z " #
dEe ∂Ee X δEe dχm δEe dχ∗m
= + + ∗ dx + . . .
dRk,α ∂Rk,α m δχm dRk,α δχm dRk,α
" #
X ∂Ee dcmi ∂Ee dc∗mi
... + + ∗ .
mi
∂cmi dRk,α ∂cmi dRk,α
para lo cual se utiliza el funcional de Ee :
1
X Z
Ee = hφi |ĥ|φi i + drVc (r)n(r) + Exc [n(r)],
i
2
el que depende de las funciones base {χm } por medio de φi y n(r),
por tanto se puede concluir que Ee es un funcional de {χm }.
Realizando un procedimiento similar al hecho en la deducción de las
ecuaciones de Hartree-Fock, se obtiene:
δEe δEe
cmi c∗li ĥχ∗l , c∗mi cli ĥχl .
XX XX
= ∗
=
δχm i l
δχm i l 32
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Fuerzas
Teorema de Hellmann-Feynman: Soluciones aproximadas
Combinando los resultados obtenidos en la expresión de dEe /dRk,α ,
Z " #
dEe ∂Ee X δEe dχm δEe dχ∗m
= + + ∗ dx + . . .
dRk,α ∂Rk,α m δχm dRk,α δχm dRk,α
" #
X ∂Ee dcmi ∂Ee dc∗mi
... + + ∗ ,
mi
∂cmi dRk,α ∂cmi dRk,α
Z " #
dEe ∂Ee dχm dχ∗m
cmi c∗li ĥχ∗l + c∗mi cli ĥχl
XX
= + dx + . . .
dRk,α ∂Rk,α i lm
dRk,α dRk,α
Z " #
dχ∗l dχm
cmi c∗li χm + χ∗l
X X
... − i dx,
i ml
dRk,α dRk,α
dEe ∂Ee dχm h
Z i
c∗li cmi ĥ − i χ∗l dx + . . .
XX
= +
dRk,α ∂Rk,α i lm
dRk,α
dχ∗m h
Z i
cli c∗mi
XX
... + ĥ − i χl dx.
i lm
dRk,α
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Fuerzas
Teorema de Hellmann-Feynman: Fuerzas de Pulay
Del resultado anterior,
dEe ∂Ee dχm h
Z i
c∗li cmi ĥ − i χ∗l dx + . . .
XX
= +
dRk,α ∂Rk,α i lm
dRk,α
dχ∗m h
Z i
cli c∗mi
XX
... + ĥ − i χl dx,
i lm
dRk,α
se observa lo siguiente:
• El primer término viene del teorema de H-F, y se le conoce por tanto
como la fuerza de Hellmann-Feynman.
• Los dos términos restantes se cancelarán si se cumple alguna de las
condiciones:
◦ La ec. de eigenvalores fuera resuelta de manera exacta: ĥφi ≈ i φi .
◦ Las funciones base no dependieran de Rk,α .
Estos términos representan la corrección a la expresión de las fuerzas,
y se le conocen como la fuerza de Pulay.
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Fuerzas
Optimización estructural
En la aproximación de Born-Oppenheimer, las propiedades electrónicas
de un sistema dado se calculan resolviendo las ecs. de Schrödinger6
para un set fijo de posiciones nucleares R1 , R2 , . . . , RM , donde la
energía total E es:
M
1 X Zk Zl
E = Ee + ∀ Ee = energía electrónica,
2 k6=l=1 |Rk − Rl |
E = E(R1 , R2 , . . . , RM ),
hφ|Ĥe |φi
Ee = .
hφ|φi
6
O de Kohn-Sham en DFT. 35
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Fuerzas
Optimización estructural
La estructura optimizada corresponderá, por tanto, a aquella que de
el mínimo en la energía E, es decir:
F1 = F2 = . . . = FM = 0 ∀ Fk = −∇Rk E,
7
Lo cual corresponde a pasos o desplazamientos tp = t0 + p∆t. 37
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Fuerzas
Optimización estructural: Método de Verlet
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Fuerzas
Optimización estructural: Ejemplos de optimización
Al (fcc)
• Optimización estructural de la celda fcc, en un rango de ±10% con
los parámetros numéricos utilizados previamente: Obtener a0 y B0 .
• Optimización de parámetros numéricos vs V0 y B0 : Rmt × kmax ,
k-points, xc-funcional.
Si (diamond)
• Optimización estructural de la celda diamante, en un rango de ±10%
con los parámetros numéricos utilizados previamente: Obtener a0 y
B0 .
• Optimización de parámetros numéricos vs V0 y B0 : Rmt × kmax ,
k-points, xc-funcional.
• Calcular DOS para los casos de 2%, 4%, 6%, 8% y 10% en V0 ,
analizar la evolución del gap de energía.
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Contenido: Tema 05
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Vibraciones
Dinámica de red
Dentro de la aproximación Born-Oppenheimer se calcula la energía
electrónica total Ee para un set de coordenadas fijas:
X = (R1 , R2 , . . . , RM ) ,
= (R1,x , R1,y , R1,z , R2,x , R2,y , R2,z , . . . , RM,x , RM,y , RM,z ) ,
E = E(X),
E = E (R1,x , R1,y , R1,z , R2,x , R2,y , R2,z , . . . , RM,x , RM,y , RM,z ) .
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Vibraciones
Dinámica de red
Para la estructura optimizada Xe se tiene que E es un mínimo, con
lo cual si se expande la energía total a segundo orden alrededor de ese
mínimo,8
M
1 X X ∂ 2 E(Xe )
E(X) ≈ E(Xe ) + × ...
2 k ,k =1 α1 ,α2 =x,y,z ∂Rk1 ,α1 ∂Rk2 ,α2
1 2
. . . × Rk1 ,α1 − Rke 1 ,α1 Rk2 ,α2 − Rke 2 ,α2 ,
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Vibraciones
Dinámica de red
Redefiniendo los operadores de Ĥn en términos de ũi ,
" # " #
∂2 ∂ X ∂ ũk ∂ ∂ X ∂
2 = = Uki ,
∂ui ∂ui k ∂ui ∂ ũk ∂ui k ∂ ũk
X X ∂ ũl ∂2
= Uki ,
k l
∂ui ∂ ũk ∂ ũl
X ∂2
= Uki Uli ,
kl
∂ ũk ∂ ũl
1 X ∂2 1 X ∂2 X 1 X ∂2 X
⇒ − =− Uki Uli = − Uki Uil†
2 i
∂u2i 2 kl ∂ ũk ∂ ũl i 2 kl ∂ ũk ∂ ũl i
1 X ∂2
=− δkl ,
2 kl ∂ ũk ∂ ũl
1 X ∂2
=− .
2 k ∂ ũ2k
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Vibraciones
Dinámica de red
X X 1 ∂ 2 E(Xe ) X
p uk1 ,α1 uk2 ,α2 → Dkl uk ul ,
k1 ,k2 α1 ,α2
Mk1 Mk2 ∂Rk1 ,α1 ∂Rk2 ,α2 kl
X XX X X X
∴ Dkl uk ul = Uik Λij Ujl uk ul = Λij Uik uk Ujl ul ,
kl kl ij ij k l
X X
= Λij ũi ũj = Λkk ũ2k .9
ij k
ukl,α =
X
eik·Tn ul,n,α ,
n
se tiene que la energía total por celda unitaria se puede expresar como:
E Ee 1 X X X ∂ 2 E(Xe )
= + uk1 ∗ uk2 ∀ N → ∞.
N N 2N k ,k l ,l α1 ,α2 ∂ulk1,α∗ ∂ukl 2,α l1 ,α1 l2 ,α2
1 2 1 2 1 1 2 2
1 ∂ 2 E(Xe )
=
N ∂ukl 1,α∗ ∂ukl 2,α
1 1 2 2
−1 −1
1 XN
∂ 2 E(Xe ) ∂ukl11,α∗ 1 ∂ukl22,α2
= ,
N n1 ,n2 ∂ul1 ,n1 ,α1 ∂ul2 ,n2 ,α2 ∂ul1 ,n1 ,α1 ∂ul2 ,n2 ,α2
N
1 X ∂ 2 E(Xe )
= eik1 ·Tn1 e−ik2 ·Tn2 ,
N n1 ,n2 ∂ul1 ,n1 ,α1 ∂ul2 ,n2 ,α2
N
1 X ∂ 2 E(Xe )
= eik1 ·Tn1 eik1 ·Tn2 e−ik1 ·Tn2 e−ik2 ·Tn2 ,
N n1 ,n2 ∂ul1 ,n1 ,α1 ∂ul2 ,n2 ,α2
N
1 X ∂ 2 E(Xe )
= eik1 ·Tn ei(k1 −k2 )·Tn2 ∀ n = n1 − n2 .
N n1 ,n2 ∂ul1 ,n1 ,α1 ∂ul2 ,n2 ,α2
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Vibraciones
Fonones en un sólido
Para que la expresión anterior no se anule, se requiere:
1 X i(k1 −k2 )·Tn
e 2 6= 0 ∀ N → ∞,
N n2
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Vibraciones
Fonones en un sólido: Frozen phonon approximation
• Para cada uno de los desplazamientos, se calculan los cambios en
la energía total, ajustando los resultados a la ecuación,
M X
Ek Ek 1 X ∂ 2 E(Xe )
= e + uk∗ k
l1 ,α1 ul2 ,α2 ,
N N 2N l ,l α1 ,α2 ∂uk∗
l1 ,α1 ∂uk
l2 ,α2
1 2
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Vibraciones
Fonones en un sólido: Frozen phonon approximation
• Finalmente, las frecuencias vibracionales y los modos normales de
vibración se obtienen diagonalizando la matriz dinámica.
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Vibraciones
Frozen-phonon approximation: Al (fcc)
Al (fcc)
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Vibraciones
Frozen-phonon approximation: Al (fcc)
55
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Vibraciones
Frozen-phonon approximation: Al (fcc)
56
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Vibraciones
Frozen-phonon approximation: Al (fcc)
Del cálc. de energía total para diferentes distorciones del Al se obtiene,
0.012
0.010
0.008
0.006
E(Ry)
0.004
0.002
0.000
u/cbct
• Experimento:
ωX ≈ 320 cm−1 = 39.7 meV.
• Cálculo: ωX = 39.478 meV.
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Vibraciones
Teoría de respuesta lineal
La teoría de respuesta lineal representa un método alterno para el
cálculo de las propiedades vibracionales para un k arbitrario, explotando
el teorema de Hellmann-Feynman,12
* +
dEe dĤ
= Φ Φ ,
dλi dλi
• dV (r)/duk
l2 ,α2 : Se obtiene considerando solamente los cambios en
V (r) debido a las variaciones en la posición de los núcleos ukl2 ,α2 .
• dn(r)/duk∗
l1 ,α1 : Es el cambio en la densidad electrónica debido a la
perturbación generada por los desplazamientos de los núcleos, es
decir, es la respuesta lineal de la densidad electrónica.
Para calcular esta variación ∆n(r), implica conocer los cambios en las
eigenfunciones de la ec. de Kohn-Sham debido a la perturbación.
Por tanto, considerando que se tiene una n(r) perturbada:
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Vibraciones
Teoría de respuesta lineal
en donde el potencial efectivo también cambiará,
Vef f (r) = Vext (r) + VC (r) + Vxc (r),
∴ Vef f (r) → Vef f (r) + ∆Vef f (r),
1 ∆n(r0 ) δVxc (r)
Z Z
⇒ ∆Vef f (r) = ∆Vext (r) + dr0 + dr0 ∆n(r0 ) .
2 |r − r0 | δn(r0 )
Con la expresión anterior para ∆Vef f (r), se puede calcular ∆ψi (r)
mediante las ecs. de Kohn-Sham, con lo cual es posible obtener de
ellas la nueva ∆n(r),
Xh i
∆n(r) = |ψi (r) + ∆ψi (r)|2 − |ψi (r)|2 ,
i
" #
|ψi∗ (r)∆ψi (r)|
X X
2 2 2
= |ψi (r)| + 2 + |∆ψi (r)| − |ψi (r)| ,
i i
|ψi∗ (r)∆ψi (r)|.
X
≈2
i
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Vibraciones
Teoría de respuesta lineal
El procedimiento anterior puede ser resuelto mediante un proceso de
autoconsistencia,
∆n(r)
⇓
1 ∆n(r0 ) δVxc (r)
Z Z
∆Vef f (r) = ∆Vext (r) + dr0 + dr0 ∆n(r)
2 |r − r0 | δn(r0 )
⇓
Vef f → Vef f + ∆Vef f & solving K.S. eqs. ⇒ ∆ψi (r)
⇓
|ψi∗ (r)∆ψi (r)|
X
∆n(r) ≈ 2
i
45
40
35
Frequency (meV)
30
25
20
15
FPA (nk20)
10
DFPT (nk08)
0
G X G L
66
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Vibraciones
Teoría de respuesta lineal: Al-fcc (LDA)
45
40
35
Frequency (meV)
30
25
20
15
FPA (nk20)
10
DFPT (nk08)
DFPT (nk16)
5
0
G X G L
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