Problemas Tema 4

1. Determine gráficamente el punto de trabajo Q en los siguientes transistores JFET:

(a) (b)

(c)

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2. Calcular el punto de trabajo Q de los siguientes transistores FET teniendo en cuenta los
parámetros que se mencionan.

(a) IDSS= 20 mA y |Vto|= 4 V (b) VD ≅ 7 V.

(c) k=0.3 mA/V2 y |Vto|=5 V (d) k=0.3 mA/V2 y |Vto|=5 V

(e) k=3.233 A/V2 y |Vto|=3.6 V (f) k=0.3 mA/V2 y |Vto|=5 V

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3. La figura muestra un amplificador en fuente común. Calcule VGS, ID y VDS. Dibuje el circuito
equivalente en pequeña señal y obtenga el voltaje de salida en alterna. Considere los
siguientes parámetros: ID=200 mA para VGS=4 V, Vto=2 V, gm=23 mS, rd = ∞ y Vin=25 mV.

4. El amplificador de tensión de la figura presenta polarización por realimentación. Considerando

gm=2 mS y rd=15 kΩ, dibuje el circuito equivalente y calcule la ganancia en tensión, la
impedancia de entrada y la impedancia de salida.

5. La tensión de alimentación VDD en el circuito de la figura varía en +0.3 V. ¿Cuánto varía VDSQ
debido al cambio en VDD? Emplee el modelo de pequeña señal tomando rd = 50 kΩ. Los
parámetros del transistor son K = 20 µA/V2 y Vto = 1.97 V.

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6. Encuentre la tensión de salida total (DC+AC) vOUT en el inversor MOSFET de la figura si la señal
de entrada es vS = 0.1sinωt. El transistor es un MOSFET de deplexión de canal N y opera en
saturación con los siguientes parámetros: k = 0.2 mA/V2 y Vto = -3 V. No considere el efecto de
la modulación de la longitud del canal. La tensión de alimentación es de 20 V.

7. Considere el amplificador mostrado en la figura. El transistor tiene Vto= - 4 V y K=1 mA/V2.

a) Halle el punto de trabajo Q del circuito. ¿En qué región trabaja el FET?
b) Halle los valores de gm y rd en el punto Q calculado en el apartado anterior.
c) Determine la impedancia de entrada, la ganancia en tensión y la impedancia de salida del
amplificador.

8. Dibuje el circuito equivalente del amplificador de la figura. Considerando gm = 2000µS calcule

la ganancia en tensión, la impedancia de entrada y la impedancia de salida. No considere el
efecto de la modulación de la longitud del canal.

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9. Determine la ganancia en tensión en pequeña señal del inversor MOS de la figura que utiliza
otro transistor MOS como carga. Los transistores son MOSFET de acumulación de canal N y
poseen valores distintos de K.

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