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CAB 1

CIRCUITOS AMPLIFICADORES BÁSICOS

1.

a)

Calcule el punto de trabajo (I C , V EC ) del transistor del circuito suponiendo I B 0

b)

Halle

el

rango de valores de β para el que la aproximación anterior es válida

(considerando despreciable si 1<<50)

c) Calcule el punto de trabajo para β = 35

DATOS: Vγ E 0,7 V; V EE = 10 V; R B1 = R B2 = 10 k; R C = 8 k; R E = 20 k

R R

R R

+V EE +V EE R R B1 B1 R R B2 B2
+V EE
+V EE
R R
B1
B1
R R
B2
B2

E E

C C

2. Suponiendo |V BE | 0,7 V y β → ∞, calcule la corriente que circula por todas las ramas del circuito y el voltaje en todos los nodos

+5V +5V +5V +5V +10V +10V +10V +10V +10V +10V +10V +10V Q Q Q
+5V
+5V
+5V
+5V
+10V
+10V
+10V
+10V
+10V
+10V
+10V
+10V
Q
Q
Q 3
3 3
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q 4
10
10
10
11
11
11
Q 1 1 1
4
4
R
R
R
R
R
R
R
R
2
2
2
2
5
5 5 5
2kΩ
2kΩ
2kΩ
2kΩ
1kΩ
1kΩ
1kΩ
1kΩ
R
R
R
R
1 1 1
1
10kΩ
10kΩ
10kΩ
10kΩ
+5V
+5V
+5V
+5V
R
R
R
R
R
R
R
R
4
4
4
4
3 3 3
3
1kΩ
1kΩ
1kΩ
1kΩ
1kΩ
1kΩ
1kΩ
1kΩ
Q
Q
Q
Q
Q
Q
8 8
8
7
7
7
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q 2
9
9
9
2
2
6
6
6
5 5
5
-10V
-10V
-10V
-10V
-10V
-10V
-10V
-10V

3. Se quiere construir una fuente de corriente continua que suministre una corriente I 0 = 1 mA según indica la figura. Para ello se utilizan MOSFETs de acumulación en la configuración de espejo de corriente mostrada.

a) Si todos los transistores del circuito son del mismo tipo, indicar cuál ha de ser

éste (canal n o canal p) para que la fuente funcione correctamente. Justifique muy

brevemente la respuesta.

b) Demostrar que T 1 y T 2 trabajan en saturación.

c) Si T 1 y T 2 son iguales (misma relación de aspecto, Z/L), calcular las tensiones

V GS de ambos transistores (V GS1 y V GS2 ).

d) ¿Cuál ha de ser la relación de aspecto Z/L de T 3 para que I 0 = 1 mA?

DATOS: Todos los transistores tienen |V T | = 0,7 V y

S S T T 1 3 G G D D S T 2 G D
S
S
T
T
1
3
G
G
D
D
S
T
2
G
D

+VDD=5V

I0=1mA

κ ′ = 0,1 mA V

-2

(κ=κZ/L)

CAB 2

4. El circuito de la figura muestra una fuente de corriente compuesta por

cuatro transistores pnp. Sabiendo que todos los transistores operan en

activa, calcule:

a) La corriente I REF suponiendo V EB2 V EB4 0,6V

b) El valor de la resistencia R 1 para que la corriente I 0 sea 5 veces menor que I REF . Desprecie las corrientes de base respecto a las demás del circuito.

c) Las tensiones V EB1 , V EB2 , V EB3 y V EB4 con tres cifras significativas,

considerando que para todos los transistores

I

C

I

S

exp

DATOS:

R 2 = 4,4 kV EE = 10 V

V T = 0,025 V I S = 7,5.10 -14 A

V EB

V

T

.

I o

V EE V EE R 1 Q Q 2 1 Q Q 3 4 I
V EE
V EE
R
1
Q
Q
2
1
Q
Q
3
4
I
V
REF
o
R
2

5. El circuito de la figura permite medir el parámetro β del transistor T 3

a través de la ganancia de tensión en pequeña señal A v =v o /v s . Para ello

se polariza un circuito en emisor común con una corriente de base

(I B3 =I C2 ) fija, de 50 µA, mediante un circuito Widlar. Dado que el transistor T 3 es de tipo npn, para realizar esta polarización se requiere una fuente Widlar con transistores pnp.

a) Calcular la corriente I C1 y la resistencia R 2 para obtener esa corriente de base en T 3 .

b) Si la ganancia medida a frecuencias medias vale A v =v o /v s =-200, ¿cuál es el valor de β del transistor T 3 ?. Suponga en este apartado que el transistor T 3 se encuentra en activa y que la resistencia equivalente en pequeña señal de la fuente Widlar vista entre los terminales BE de T 3 es infinita.

c) Para el valor de β obtenido en b) comprobar que, efectivamente, el transistor medido, T 3 , se encuentra en activa.

V EE R 2 R C3 T 1 T 2 I C2 I C1 T
V EE
R 2
R C3
T 1
T 2
I C2
I C1
T 3
C
R C1
v s
OO
R eq
Fuente Widlar
Amplificador EC

v o

DATOS: β 1 = β 2 >>1; V EB1 = V BE3 = 0,7 V V EB2 C = 100 µF

(en activa); V CEsat =0,2 V; V T = 25 mV; R C1 = 4,65 k; R C3 = 1 k;

V EE = 10 V;

6. El circuito de la figura 1 muestra un desplazador de nivel de continua.

a) Si el nivel de continua a la entrada es V I =3 V, calcular R 1 para que el nivel de continua a la salida sea V O =0 V. Notar que en estas condiciones la corriente continua a través de la carga R L es nula.

b) Calcular entonces la ganancia de pequeña señal, A V =v o /v i . La fuente de corriente continua es ideal.

c) Si la fuente de corriente se realiza con otro FET idéntico al anterior como se ve en la figura 2, calcular R 2 para tener la corriente I 0 =2 mA.

V V DD DD v v I (t)= (t)= I V I + V i
V
V
DD
DD
v v I (t)=
(t)=
I
V I + V i senωt
+
senωt
V I
V i
R R
1 1
v v O (t)= V O + V o senωt
O (t)= V O + V o senωt
I O =2 mA
=2 mA
R
R L =10 kΩ
=10 kΩ
I O
L
-V DD
-V DD

DATOS: Los transistores FET, de deplexión, son idénticos y trabajan siempre en saturación, cumpliendo

I

D

(

=κ V V

GS

T

)

2

, con κ=0,5 mA/V 2 y V T =4 V

Figura 1

R R 2 2 -V DD -V DD
R R
2 2
-V DD
-V DD

Figura 2

I

I

O

O

CAB 3

7. En el circuito de la figura:

v v

i i

V V CC CC a) Encuentre el punto de trabajo del transistor (I C ,
V
V
CC
CC
a) Encuentre el punto de trabajo del transistor (I C , I B y V CE ). El diodo Zéner
puede estar en tres estados posibles: comience el análisis para el caso de que
R R
V
V
C C
se encuentre en inversa con ⎜V D ⎜< V Z (valor absoluto de la tensión de
D
D
+ +
-
-
disrupción del diodo).
b) Se aplica una señal v i variable con el tiempo. Obtenga la relación v o /v i
(suponga que el diodo no conduce).
v v O =V o +v o
=V o +v
R R
O
o
B B
c) ¿Para qué valor instantáneo de v i se produce la ruptura inversa (Zéner) del
diodo?
DATOS: V CC = 6 V; R C =2 kΩ; R B =70 kΩ; V Z =3 V; β=100; Vγ E = 0,6 V;
V CEsat =0,2 V; V T = 25 mV; C→∞.

8. El circuito de la figura muestra un amplificador en emisor común con resistencia de

emisor. Debido al condensador C E , la resistencia de emisor es diferente para el circuito de continua y para el circuito de alterna. Esto permite un mejor diseño del punto de trabajo y el margen dinámico.

a) Calcule el punto de trabajo (I C y V CE ) en función de R E = R E1 +R E2

b) Determine el valor de R E para que V CE = 5 V. Calcule ahora el valor numérico de I C

c) Calcule en alterna las relaciones i c /v ce y v o /v ce en función de R E1

d) Determine el valor de R E1 para que |v ce | max = 3,5 V, siendo |v ce | max la máxima excursión de v CE en torno al punto de trabajo tal que el transistor ni se corta ni se satura

DATOS: R B = 10 k; R C = 1 k; V CC = 10 V; V BB = 3 V; C E = C C →∞ Vγ E 0,7 V; V CE,sat 0; r o → ∞; β = 200 (β >> 1 para todos los cálculos)

V V CC CC R R C C C C C C R R B
V
V
CC
CC
R R
C C
C C
C C
R R
B
B
R R
E1 E1
+ +
v v
i i
V
V
R R
E2 E2
BB
BB

v v

o o

C

C

E

E

V SS=15V R G=1MΩ R S=1k Ω C→∞ S G i D + D O
V SS=15V
R G=1MΩ
R S=1k Ω
C→∞
S
G
i D
+
D O
v in(t)
C→∞
R D=10k Ω
R L=10k

9. La figura muestra un amplificador con MOSFET de canal p atacado por un generador v in (t) de pequeña señal alterna y frecuencia media. Con el transistor saturado (activa) se ha medido la tensión instantánea en el nodo S, obteniéndose:

v S (t) = 14 V + 0,9 v in (t)

Se le pide:

a) Calcular las tensiones que se medirían en los nodos D, O, G y S si la señal fuera anulada (v in (t) = 0)

b) Razonar de qué tipo (acumulación o deplexión) es el transistor

c) Calcular las tensiones alternas en los mismos nodos con la señal presente, en función de v in (t)

d) ¿Para qué valor instantáneo de la tensión de salida v o (t) de pequeña

señal se corta el transistor?

CAB 4

10. Para el circuito amplificador de la figura:

V V V V GG GG DD DD R R R R 1 1 3
V
V
V
V
GG
GG
DD
DD
R R
R R
1 1
3 3
D D
G G
S S
C C
R R
R R
2 2
4 4
v v
i i
V
V
CC
CC

a) Calcule el punto de trabajo (V GS , I D , V DS ) del transistor. Determine la región de funcionamiento

b) Dibuje el circuito equivalente de pequeña señal, indicando los valores numéricos de los parámetros del circuito equivalente del transistor

c) Calcule la ganancia de tensión A v = v o /v i

V

V

O

O

+v

+v

o

o

DATOS:

C →∞; V GG = -10 V; V DD = 10 V; R 1 = 9,1 M; R 2 = 0,9 M; R 3 = 5,9 k; R 4 = 0,1 kEn saturación, el transistor JFET obedece la ecuacion i D = k (v GS -V T ) 2 , con k = 1 mAV -2 , |V T | = 2 V

11. Para el circuito de la figura:

a) Calcule los valores de continua de I C y V CE suponiendo β → ∞. Calcule a continuación el valor mínimo de β para que el error cometido en el cálculo de I C sea menor de 2% y que la precisión en el cálculo de V CE sea mejor que ±0,1V

b) Calcule la resistencia de entrada R i y la ganancia de tensión v o /v s en pequeña señal suponiendo β → ∞

I I 0 0 0,5 mA 0,5 mA v v R R o o BC
I
I 0
0
0,5 mA
0,5 mA
v v
R R
o o
BC
BC
100 100
kΩ
kΩ
C→∞
C→∞
R R
L L
R R
1 1
kΩ
kΩ
C→∞
C→∞
i i
R R
S S
50 50
v v
s s

DATOS: V t = 0,025 V; Vγ E 0,7 V; V A →∞

12. Para el circuito seguidor de emisor (colector común) de la figura:

a) Calcular R B para que la impedancia de entrada R i = v i /i i = 500 k. Suponer que βR L >> r π

Con este valor de R B :

b) Determinar el punto de trabajo del transistor V CE , I C , I B

c) Obtener el margen dinámico (máxima amplitud de la señal senoidal a la salida sin distorsión)

DATOS:

V CC = 15 V; R C = 2,8 k; R L = 10 k; C → ∞; V T = 0,025 V Transistor: β = 100; Vγ E 0,7 V; V CE,sat 0,2 V; r o →∞

V CC R R B C C I i C V o v i R
V
CC
R
R
B
C
C
I
i
C
V
o
v i
R
L

13. Para el amplificador en colector común de la figura, se pide:

V V CC CC R R i i i (t) (t) 1 1 i C
V
V
CC
CC
R
R
i i i (t)
(t)
1
1
i
C
C
R
R
3
3
v v i (t)
(t)
i
C
C
R
R
R
R
2
2
E
E

(t)

v v O (t)

O

a) Calcular la corriente de colector de polarización I C

b) Dibujar el circuito equivalente de pequeña señal, dando el valor de los parámetros g m y r π

c) Calcular la resistencia de entrada que ofrece el circuito a frecuencias medias, R i = v i (t)/i i (t)

DATOS:

C →∞;

R E = 2 k;

R 1 = R 2 = 20 k;

R 3 = 10 k;

V CC = 12 V BJT: β = 100; V γE = 0.7 V; V t = 0.025 V; desprecie el efecto Early (r o →∞, V A →∞) NOTA: en este circuito r π << R 3 de forma que r π || R 3 r π , aproximación que puede usar si lo juzga conveniente

CAB 5

14. El circuito de la figura es un amplificador seguidor de fuente realizado con JFETs

en el que Q 2 actúa como fuente de corriente. Considerando que ambos transistores son idénticos y trabajan en saturación, se pide:

a) Valor de continua de la corriente de drenador I D2 y de la tensión puerta a fuente V GS de cada uno de los transistores (ignore el efecto Early, sólo en este apartado)

b) En pequeña señal, resistencia equivalente de la fuente de corriente Q 2 vista desde su drenador

c) Ganancia de tensión de pequeña señal v o /v i

d) Resistencia de salida en pequeña señal, R o

v v v

DATOS: k = 1 mAV -2 ; |V T | = 1 V; tensión de Early V A = 50 V

+V DD +V DD D D G G Q Q 1 1 S S v
+V DD
+V DD
D D
G G
Q Q
1 1
S S
v v
i
i i
o o
D D
G G
Q Q
2 2
R R
o o
S S
-V SS
-V SS

15. Calcule la ganancia v o /v g y el margen

dinámico del amplificador de dos etapas de

la figura.

DATOS:

V CC = 15 V; R g = R L = 1 k; R B = 1,43 M; R C = 4 kβ = 200; Vγ E = 0,7 V; V A →∞;V CE,sat 0 V

v g

+V CC

R B R C R B R C R g C→∞ C→∞ C→∞ R L
R B
R C R B
R C
R
g
C→∞
C→∞
C→∞
R
L

v o

16. La señal alterna v i , de pequeña amplitud, es amplificada por el circuito de la

figura. Se pide:

+V CC =12V 8R =5kΩ R C v o T N R=2,4kΩ R E =0,5kΩ
+V CC =12V
8R
=5kΩ
R C
v o
T N
R=2,4kΩ
R E =0,5kΩ
v
i
T P
R i
R
-V CC =-12V

a) Calcular el punto de trabajo de los transistores

b) Dibujar el circuito equivalente para alterna y pequeña señal

c) Decir en qué configuración trabaja cada transistor

d) Calcular la ganancia de pequeña señal A v = v o /v i

e) Calcular la impedancia de entrada al amplificador, R i

f) Calcular el margen dinámico del amplificador

DATOS:

Para ambos transistores:

β = 100; V BE(ON) = V EB(ON) = 0,7 V; V CE,sat = V EC,sat 0 V; V A → ∞

A la frecuencia de la señal los condensadores pueden tratarse como cortocircuitos

17. Para el circuito de la figura 1, se pide:

a) Expresar el valor de r π /R

b) Expresar la relación |Z| = |V g /I d | de pequeña señal en función de la frecuencia, siendo V g e I d las amplitudes complejas (fasores) de v g e i d y sabiendo que V CC - V BE >> kT/e

c) Expresar y dibujar aproximadamente en la gráfica de la Figura 2 la función |Z|/R en la región en que se cumple

ω 0 << ω << βω 0 , donde ω 0 = 1/r π C DATOS: β >> 1; r o → ∞; los efectos capacitivos en el transistor son despreciables

R i D v g C V CC
R
i D
v g
C
V CC

Figura 1

lologg((ZZ

log(Z

R i D v g C V CC Figura 1 lologg (( ZZ log ( Z
R i D v g C V CC Figura 1 lologg (( ZZ log ( Z
R i D v g C V CC Figura 1 lologg (( ZZ log ( Z
R i D v g C V CC Figura 1 lologg (( ZZ log ( Z

RR))

R)

log

log

log

(

(ω

(

ω ω ω ω ω

0

0

0

Figura 2

)

)

)

CAB 6

SOLUCIONES

1

a)

V

E

=

V

EB

+

V

B

=

V

E

γ

+

V

EE

R

B 2

R

B

1

+ R

B

2

=

5,7

V

E =I C =

I

V

EE

V

E

R

E

= 215 µA, V EC =3,98 V.

b) I B <<I C

I

C

I

B

50 β 50;

I B <<I B1 (= I B2 )

I

β

I

50

I

B

I

C

La más restrictiva, β 50.

c) Ahora no puedo suponer I B <<I C , pero sí I B <<I, luego V E =5,7 V,

2

=

β

V

EE

(

R

B

1

+

R

B

2

)

I

C

I =

B

V

EE

V

E

R

E

(

β

+ 1)

=

50

5,97

β

21,5

;

A

µ

I C =209 µA, V EC =4,03 V

10

V

EB

1

V

EB

2

+

10

R

1

= I

C

1

=

I

C

2

= 1,86

mA

. Todas las corrientes de colector son iguales entre sí e iguales a 1,86 mA.

Resolviendo mallas calculamos el resto de corrientes y tensiones: I R4 =3,72 mA. V C1 =9,3 V; V C2 =-9,3 V; V C3 =3,72 V; V C4 = V C5 =0,7 V; V C6 =3,14 V; V C7 = V C8 =-1,86 V; V C9 = V C10 =4,3 V; V C11 =1,86 V.

3

a)

b)

Si ha de entregar corriente, el transistor cuyo drenador proporciona la corriente constante ha de ser de canal p

Siendo de canal p y de acumulación, los transistores presentarán V = V (umbral) = 0,7 V . En ambos transistores

T

SG

V

SD

=

V

SG

>

V

SG

V

T

=

V

SD sat

,

c)

d)

4

Como ambos transistores son iguales (κ 1 = κ 2 ) y I D1 = I D2 , se tiene que V SG1 =V SG2 . Al ser V SG1 +V SG2 =V DD resulta:

V

SG

1

= V

SG

2

V DD

=

2

= 2,5 V

Puesto que V SG3 = V SG1 =2,5V e I D3 = I 0 = 1 mA, se tendrá:

I

D 3

=

κ

Z Z 2 ′ ( V − V ) ⇒ SG 3 T L L
Z
Z
2
(
V
− V
)
SG
3
T
L
L
3

3

=

I D 3

1 3,1

×

1,8

2

κ

(

V V

SG

3

T

)

2

0,1

=

V − V − V 10 − 0,6 − 0,6 EE EB 2 EB 4
V
V
V
10
0,6
0,6
EE
EB
2
EB
4
a)
=
=
= 2 mA
I REF
R
2 4,7
k
b)
=
V
+
I
R
V EB
2
EB
1
0
1
I REF
I
R
= V
ln
0
1
T
I
I
REF
= V
ln
0
V EB
2
T
I
S
V T
I REF
R =
ln
=
100,6
1
I
I 0
I 0
0
ln
1 = V
V EB
T
I
⎪ ⎪
S
I
0
c) v
=
v
=
V
ln
=
0,560 V
EB
1
EB
3
T
I
S
I REF
v
=
V
=
V
ln
=
0,600 V
EB
2
EB
4
T
I
S

CAB 7

5

a)

I

 

=

V

EE

V

EB 1

= 2

mA

 

C 1

 

R

C 1

 

;

V

=

V

+

I

R

=

V

+

β

2

+ 1

I

R

EB

I

C

1

1

EB

2

E

V

EB

exp

1

2

2

V

EB

2

EB

2

⎟ =

β

2

C

I R

C 2

2

2

2

⎟ ⇒

I

C

2

 

V

T

 

exp

V

T

b)

c)

i=0 i=0

v v i i s s b b r r π π βi βi R
v v
i i
s s
b b
r r π π
βi βi
R R
b b
C3
C3
R R
→∞
→∞
eq
eq
I
= I
β
= 5 mA;
V
= V
− I
C 3
B
3
CE
EE

+ +

- -

v v

o

o

C

3

R

C

3

V

EB

2

R

2

=

+

I

1,84

C

2

R

2

k

v

o

=−

v s

r =

= r π i

b

π

β R

C

3

0,025

b


A

i

v

o

β

=

V

0,5

= =−

r

v

s π

β

R C 3

I

B 3

k

Ω⇒ =−

A

V

r π 100

=

R

C

3

= 5V > V

CEsat

6

Al ser transistores de canal n deplexión, V T =V Gsumbral =-4 V

a)

I

RL

= ⇒ I = mA = I =

R

1

D

κ

0

2

(V GS

V =

T

κ

)

2

(V I

I

D

R

1

V

T

)

2

R = k

1

2,5

, pues la otra solución no hace

g g d d v v i i g g v v m m gs
g g
d d
v v
i i
g
g
v
v
m
m
gs
gs
s s
R
R
1
1
+
+
R
R
v
v
L
L
o
o
- -

V GS >V T

b) Circuito equivalente:

v

v

v

o

s

i

=

=

=

g

g

m

m

v

gs

v

v

gs

gs

R

(

L

R

1

+

v

s

=

+

v

R

L

gs

(1

)

+

g

m

(

R

1

+

R

Como g m =2κ(V GS -V T )=2 mS

v

o

v

i

L

))

v

o

g

m

R

L

=

v

i

1

+

g

m

(

R

1

+

R

L

)

= 0,706

c)

7

I =

D

κ

(V

GS

V

T

)

2

;

V

G

= −V

DD

;

V = −V + I R R = k

S

DD

D

2

2

1

a) Diodo cortado ⇒ I D =0, V = ( I + I ) R
a) Diodo cortado ⇒ I D =0, V
= (
I
+
I
)
R
+
I
R
+
V
;
I
= β ,
I
luego I
= 0,02
mA I
,
= 2
mA
CC
C
B
C
B
C
BE
C
B
B
C
Comprobamos transistor en activa: I
B > 0; V
= V
− (I
+ I
)R
= 2 V > 0,2
CE
CC
C
B
C
Comprobamos diodo cortado: V
= V
−V
= −1,4 V < 0, sin llegar a ruptura.
D
BE
CE
b) Circuito equivalente:
v
− v
R R
i
o
Β Β
v =
R
β
i R
o
C
b
C
R
+ +
R ⎞
⎛ R
β
R ⎞
v
B
⎜ ⎛
C
C
C
o
v
1
+
⎟ = v ⎜
⇒ = −155,5
o
i
v
R
R
r
v
i i
v v
v v
i
B
B
π
i
i i
b b
r r π π
βi βi
R R
o o
i b =
b b
C C
r
π
- -
0,025
donde r
=
=
1,25
kΩ
π
I
B

c)

Cuando

V = v v = V + v V + v con V = V v = v V = V v = v y además v = −155,5v

D

CE

BE

(

CE

ce

)

(

BE

be

),

CE

2

;

ce

o

;

BE

0,6

;

be

i

;

o

V D

=

V

Z

= 3

V se produce la ruptura, sustituyendo

3 = 1,4 156,5

v

i

v

i

= −10,2

mV

i

CAB 8

8.

V V CC CC R R C C R R B B R R E1
V
V
CC
CC
R R
C C
R R
B
B
R R
E1 E1
V
V
R R
E2 E2
BB
BB

Circuito de continua

v v

R R v v r r π π B B e e v v o
R R
v v
r r π π
B B
e e
v v o = v c
= v
o
c
+ +
i i
b b
βi βi b
R R
b
R R
i i
E1
E1
C C

Circuito de alterna

R

E

B

+

a ) En continua, con

V

BB

V

CC

= I

I

=

B

C

R

R

C

+

= R + R

E1

E2

, las ecuaciones del circuito:

V

BE

V

CE

+

+

( I

( I

C

C

+

+

I

B

I

B

)

)

R

E

R

E

Suponiendo el transistor en activa direct a

I

C

=βI :

B

V

BB

V

CE

=

=

I

C

β

V

CC

(

R

 

+

(

+

1

)

R

 

)

+

V

 

I

=

V

BB

V

BE

V

BB

V

BE

B

β

 

E

BE

C

β

R

B

+

(

β + 1

)

R

E

β

R

B

+

β

R

E

I

C

(

R

+

(

+

1

)

R

)

=

V

β

R

C

+

(

β

+ 1

)

R

E

(

V

V

)

 

β

C

 

β

 

E

CC

BB

BE

β

R

B

+

(

β

+ 1

)

R

E

V

CC

b) Despejando R E de la última fórmula: V − V CC CE R −
b) Despejando R
E de la última fórmula:
V
− V
CC
CE
R
β
R
B
C
V
− V
BB
BE
R ≈
=
0,76 k
Ω⇒ ≈
I
E
C
V
V ⎞
β
CC
CE
1 −
V
− V
BB
BE
c) En alterna, dado que i = βi
>> i :
c
b
b
v
= v =−R i
o
c
C
c
=
v
− v =−
(
R
v ce
c
e
C
v
=
R
(
i
+
i
)
R
i
e
E
1
c
b
E
1
c
De donde:
i
1
v
R
c
o C
=−
;
=
v
R
+ R
v
R
R
C +
ce
C
E 1
ce
E
1

2,84 mA

+

R

E

1

)

i

c

=

R

C

+

R

E 1

R

C

v

o

d)

La condición de que el transistor no se sature:

v

CE

=

V

CE

+

v

ce

V

CE sat

,

v ce

 

V

CE

V

,

CE sat

=

v ce

max, saturación

max, saturación

= 5 V

Y de que no se corte:

β

R

C

+

R

E

R

B

+

β

R

E

i

C

=

I

C

+

i

c

0

≥ ⇒

i

c

=−

v ce

R

C

+ R

E 1

I

≥− ⇒

C

v

ce

I

C

(

R

C

+

R

E 1

)

v ce
v
ce

max, corte

Como la saturación no limita, hay que fijarse en el corte:

I

Y de aquí

C

(

R

R

E2

C

+ R

= R

E

) v ce max = ⇒ R = E 1 v ce E 1 max
)
v ce
max
=
⇒ R =
E 1
v ce
E 1
max
I
C
R
= 0,53 kΩ
E1

R =

C

0,23 k

=

I

C (

R

C

+

R

E 1

)

(

V

BB

V

BE

)

CAB 9

9.

V SS R R G S I D S I G =0 V S G
V
SS
R
R
G
S
I
D
S
I
G =0
V
S
G
I
D
D
O
R D
R L
i g =0 G + v in (t) R G
i g =0
G
+
v in (t)
R G

10

D=O i d S i d R S R D R L
D=O
i d
S
i d
R S
R D
R L

a) En continua, como I G = 0, V G = V SS = 15 V.

De la medida de V S = 14 V I D = (V SS -V S )/R S = 1 mA.

Como no hay corriente por R L : V O = 0 V.

Entonces I D circula por R D y V D = I D R D = 10 V

b) El transistor, de canal p, está conduciendo con V SG = V S -V G = -1 V < 0. Por

tanto ha de ser de deplexión

c) Del circuito v g (t) = v in (t) y de la medida v s (t) = 0,9 v in (t)

i d (t) = -v s (t)/R S

v

o

( )

t

=

v

d

( )

t

=

i

d

( )

t

R

D

R D R L =− v ( ) t R L s R S
R
D R
L
=−
v
( )
t
R L
s
R
S

=−

4,5

v

in

t

( )

d) La corriente total de drenador es:

i

D

t

( )

= I

D

+

v ( ) t − V v ( ) t v ( ) t o
v
( )
t
− V
v
( )
t
v
( )
t
o
V SS
S
o
o
=
+
=
1 mA
+
R
R
R
R
R
5 k
D
L
S
D
L

Cuando la corriente i D se anula v o (t) = –1 mA 5 k= –5 V

Los transistores JFET son de deplexión. Pero además en este circuito V G < 0 mientras que V S > 0, lo

V V V V GG GG DD DD que quiere decir que el transistor funciona
V
V
V
V
GG
GG
DD
DD
que quiere decir que el transistor funciona con tensiones V GS negativas y ha de ser por tanto V T = -2 V
a) Las ecuaciones del circuito de continua son, puesto que no hay corriente de puerta,:
R
2
V
=
V
=
+
I
R
G
GG
V GS
D
4
R R
R R
R
+ R
1 1
3 3
1
2
V
=
V
+
I
(
R
+
R
)
D D
V
V
DD
DS
D
3
4
O
O
= k V
(
−V
)
2 que introducido en la primera de las
G G
Por otra parte si el transistor está saturado
ecuaciones precedentes conduce a:
I D
GS
T
S S
2
2
R R
R R 4
V
=
V
+
kR
4 (
V
V
)
V
V
=
V
V
+
kR
4 (
V
V
)
2 2
4
G
GS
GS
T
G
T
GS
T
GS
T
⇒ kR
4 (
V
V
)
2
+
V
V
(
V
V
)
= ⇒
0
GS
T
GS
T
G
T
− ±
1
1
+
4 kR
4 (
V
V
)
− + + ×× ×−
1
1
4
1
0,1
(
0,9
+
2
)
G
T
V
V
=
=
= 1V
GS
T
2 kR
2
××
1
0,1
4

La raíz negativa se ha desechado desde el principio pues llevaría a V GS -V T negativo, incompatible con la suposición de que el transistor conduce. Con este valor:

I = 1 mA;V = V − I R + R = 4 V >
I
= 1 mA;V
= V
− I R + R = 4 V > 1 V = V −V
(
)
D
DS
DD
D
3
4
GS
T
Así que efectivamente está saturado.
b) En pequeña señal la puerta está a tierra por efecto del condensador C. r o
g g
v v
m m
gs
gs
no está presente (es infinita) pues en la expresión de la corriente de
R R
4 4
S S
D
D
v v
drenador no aparece el efecto Early.
o o
= 2
k V
(
V
)
-1
= 2 mΩ
g m
GS
T
v v
R R
i i
3 3
G G
c)
(
)
g
v
=
g
v
− v =−
g
v
m
gs
m
g
s
m
s
=
v
+
g
R v
=
v
g
R v
v
=
(
1 +
g
R
)
v
v s
v
g
R
i
m
4
gs
i
m
4
s
i
m
4
s
o
m
3
=
= 9,83
=−
g
R v
=
g
R v
v i 1 + g
R
v o
⎬ ⎪
m
3
gs
m
3
s
m
4

CAB 10

11.

V V CC CC I I 0 0 V V R R O O BC
V
V
CC
CC
I I 0 0
V
V
R R
O
O
BC
BC
R R
L L
R R
S S

a) En el colector del transistor, en continua y activa directa,y con β arbitrariamente grande:

I = I + I ≈ I 0 B C C El error cometido en
I
= I + I ≈ I
0
B
C
C
El error cometido en el cálculo de I C :
∆ I
− I
− I
C I C real
,
C aprox
,
B 1
= = =
I
β
C
I C real
,
I C real
,

0,02

β

⇒ ≥

50

Una ecuación de malla para calcular V CE :

V

CE

V

= +

BE

I

B

R

BC

>

V

BE

>

V

CE sast

,

El transistor no puede estar saturado. El valor de V CE :

V

CE

=

V

BE

+

I

0

R

β BC

V

BE

0,7 V

Si β es muy grande. Para que el error cometido en V CE por despreciarI B fuera menor de 0,1 V (que es más o menos la precisión que se tiene en V BE y por tanto no merece la pena afinar más):

I R I R 0,5 × 100 0 BC 0 BC ∆ V = <
I
R
I
R
0,5
×
100
0
BC
0
BC
∆ V
= <
0,1V
⇒ >
β
=
CE
β
0,1V
0,1

= 500

b) En pequeña señal por efecto de los condensadores la base queda a R R
b) En pequeña señal por efecto de los condensadores la base queda a
R R
i i
βi βi
βi b =g m v be
=g
=g
v v
tierra y R BC en paralelo con R L . La fuente ideal de corriente continua
b b
m m
be
be
R R
R
S
S S
E E
E
C
C
C
es un circuito abierto. Los elementos del circuito equivalente del
v v v
o o
o
transistor:
=
V
I
=
β V
I
→∞
r π
v v v
i i i
t
B
t
C
r r r π π π
R R
R
||R
||R
s
s s
b b b
BC ||R L
BC
BC
L L
Esto quiere decir que i b es también muy pequeña en alterna, i b ≅ 0, pero
B
B B
desde
luego
no implica que i c sea nula: el producto βi b está
indeterminado
Una solución es trabajar con g m que tiene un valor finito:
-1
g
= I
V
= 20 mΩ
m
C
t

Un BJT con una β muy grande se parece pues en alterna a un JFET: la base está en circuito abierto y el generador de corriente está gobernado por la tensión base – emisor. Entonces, puesto que i b = 0,:

g

v

m

e

R

i

v =− g v ⎫ v v − g R R v g R R
v
=−
g
v
v
v
− g
R
R
v
g
R
R
v
g
R
R
be
m
e
o
m
L
BC
be
m
L
BC
e
m
L
BC
⇒ =
v
s ;
= =
=
e
=
v
+
g
R
v
1
+ g
R
v
v
v
1
+
g
R
x
m
S
be
m
S
s
s
s
m
S
v be
=−
=
1
g
=
50
m
− g
v
m
be

10

Otra solución es trabajar con i b , r π y β normalmente como si tuvieran valor finito y derivar las fórmulas. Al final, se hacen tender r π y β a infinito teniendo en cuenta que su cociente es finito. Por ejemplo:

v s v =− i r = v + R ( β + 1 )
v
s
v
=−
i r
=
v
+
R
(
β
+
1
)
i
⇒ =−
i
e
b
π
s
S
b
b
r
+
(
β +
1 )
R
π
S
v
− β
R
i
β
R
R
R
R
R
R
R
L R
o
BC
b
L
R BC
L
BC
L
BC
L
BC
=
=
=
=
v
v
r
+
(
β
+
1 )
R
β
+
(
1
+
1
β
)
R
r
β
+ R
+ R
S r
S 1 g
s
s
π
π
S
π
m
S
12.
a)
El circuito equivalente de pequeña señal queda:

10

r π I I b i R V B β I b R i L
r π
I
I b
i
R
V
B
β
I b
R
i
L
v
i
de donde
R =
i (
=
R
r π +
(
β +
1)