CAB 1 CIRCUITOS AMPLIFICADORES BÁSICOS 1.

a) Calcule el punto de trabajo (IC, VEC) del transistor del circuito suponiendo IB ≅ 0 b) Halle el rango de valores de β para el que la aproximación anterior es válida (considerando despreciable si 1<<50) c) Calcule el punto de trabajo para β = 35 DATOS: VγE ≅ 0,7 V; VEE = 10 V; RB1 = RB2 = 10 kΩ; RC = 8 kΩ; RE = 20 kΩ

+VEE

RB1

RE

RB2

RC

2. Suponiendo |VBE| ≅ 0,7 V y β → ∞, calcule la corriente que circula por todas las ramas del circuito y el voltaje en todos los nodos

+5V Q10 Q11

+10V Q1 Q3

+10V Q4

R5
1kΩ

R2
2kΩ

R1
10kΩ +5V

R4
1kΩ Q9 Q8 Q7 Q2

R3
1kΩ Q6 Q5

-10V

-10V

3. Se quiere construir una fuente de corriente continua que suministre una corriente I0 = 1 mA según indica la figura. Para ello se utilizan MOSFETs de acumulación en la configuración de espejo de corriente mostrada. a) Si todos los transistores del circuito son del mismo tipo, indicar cuál ha de ser +VDD=5V éste (canal n o canal p) para que la fuente funcione correctamente. Justifique muy S S brevemente la respuesta. T1 T3 b) Demostrar que T1 y T2 trabajan en saturación. G G D c) Si T1 y T2 son iguales (misma relación de aspecto, Z/L), calcular las tensiones D VGS de ambos transistores (VGS1 y VGS2). d) ¿Cuál ha de ser la relación de aspecto Z/L de T3 para que I0 = 1 mA? I0=1mA

S T2 D

G

DATOS: Todos los transistores tienen |VT| = 0,7 V y κ ′ = 0,1 mA ⋅ V -2 (κ=κ’Z/L)

Actualizado Octubre 03

4 kΩ VEE = 10 V VT = 0. calcule: a) La corriente IREF suponiendo VEB2 ≅ VEB4 ≅ 0. para realizar esta polarización se requiere una fuente Widlar con transistores pnp. VT = 25 mV. VEB2.65 kΩ. VEE = 10 V. mediante un circuito Widlar.10-14A VEE R1 VEE Q1 Q2 VEB . cumpliendo -VDD -VDD I D = κ (VGS − VT ) . RC3 = 1 kΩ. El circuito de la figura 1 muestra un desplazador de nivel de continua. Dado que el transistor T3 es de tipo npn. de 50 µA. R1 calcular R2 para tener la corriente I0=2 mA. efectivamente. T3. c) Las tensiones VEB1.CAB 2 4. b) Si la ganancia medida a frecuencias medias vale Av=vo/vs=-200. a) Calcular la corriente IC1 y la resistencia R2 para obtener esa corriente de base en T3. VDD calcular R1 para que el nivel de continua a la salida sea VO=0 V. El circuito de la figura muestra una fuente de corriente compuesta por cuatro transistores pnp. ¿cuál es el valor de β del transistor T3?. RC1 = 4.025 V IS = 7. El circuito de la figura permite medir el parámetro β del transistor T3 a través de la ganancia de tensión en pequeña señal Av=vo/vs. VEE R2 RC3 T1 I C1 RC1 O O T2 I C2 T3 C vs Req Amplificador EC vo Fuente Widlar DATOS: β1 = β2 >>1. c) Para el valor de β obtenido en b) comprobar que. de deplexión. el transistor medido. son idénticos y trabajan siempre en saturación. Sabiendo que todos los transistores operan en activa.5. VI+ Vi senωt c) Si la fuente de corriente se realiza con otro FET idéntico al anterior como se ve en la figura 2. se encuentra en activa. VCEsat=0. La fuente de corriente continua es ideal.6V b) El valor de la resistencia R1 para que la corriente I0 sea 5 veces menor que IREF. vI(t)= AV=vo/vi. IO=2 mA IO vO(t)= VO+ Vo senωt RL=10 kΩ R2 DATOS: Los transistores FET.2 V.5 mA/V2 y ⎜VT⎜=4 V 2 Figura 1 Figura 2 Actualizado Octubre 03 . Suponga en este apartado que el transistor T3 se encuentra en activa y que la resistencia equivalente en pequeña señal de la fuente Widlar vista entre los terminales BE de T3 es infinita. VEB1 = VBE3 = 0. Notar que en estas condiciones la corriente continua a través de la carga RL es nula. Desprecie las corrientes de base respecto a las demás del circuito. a) Si el nivel de continua a la entrada es VI=3 V.7 V ≠VEB2 (en activa). con κ=0. considerando que para todos los transistores I C ≅ I S exp DATOS: R2 = 4. b) Calcular entonces la ganancia de pequeña señal. VEB3 y VEB4 con tres cifras significativas. C = 100 µF 6. Para ello se polariza un circuito en emisor común con una corriente de base (IB3=IC2) fija. VT Q3 Io Vo Q4 IREF R2 5.

La figura muestra un amplificador con MOSFET de canal p atacado por un generador vin(t) de pequeña señal alterna y frecuencia media. El circuito de la figura muestra un amplificador en emisor común con resistencia de emisor. VBB = 3 V. O. VT = 25 mV. β=100. la resistencia de emisor es diferente para el circuito de continua y para el circuito de alterna. En el circuito de la figura: VCC VD + RC RB vi vO=Vo+vo a) Encuentre el punto de trabajo del transistor (IC. IB y VCE).2 V. CE = CC → ∞ VγE ≈ 0. G y S si O la señal fuera anulada (vin(t) = 0) C→∞ b) Razonar de qué tipo (acumulación o deplexión) es el transistor R L=10k Ω c) Calcular las tensiones alternas en los mismos nodos con la señal presente. VγE = 0. VZ=3 V. Obtenga la relación vo/vi (suponga que el diodo no conduce). siendo |vce|max la máxima excursión de vCE en torno al punto de trabajo tal que el transistor ni se corta ni se satura VCC RC vo CC RB vi + RE1 DATOS: RB = 10 kΩ.5 V. Debido al condensador CE. β = 200 (β >> 1 para todos los cálculos) VBB RE2 CE V SS=15V R G =1M Ω C →∞ G S iD D RD =10kΩ RS =1kΩ 9. ro → ∞. Con el transistor saturado (activa) se ha medido la tensión instantánea en el nodo S.sat ≈ 0. obteniéndose: + vin (t) vS(t) = 14 V + 0. El diodo Zéner puede estar en tres estados posibles: comience el análisis para el caso de que se encuentre en inversa con ⎜VD⎜< VZ (valor absoluto de la tensión de disrupción del diodo). a) b) c) d) Calcule el punto de trabajo (IC y VCE) en función de RE = RE1+RE2 Determine el valor de RE para que VCE = 5 V. VCC = 10 V. RC = 1 kΩ.9 vin(t) Se le pide: a) Calcular las tensiones que se medirían en los nodos D. Esto permite un mejor diseño del punto de trabajo y el margen dinámico. VCE. c) ¿Para qué valor instantáneo de vi se produce la ruptura inversa (Zéner) del diodo? DATOS: VCC = 6 V. RB =70 kΩ. Calcule ahora el valor numérico de IC Calcule en alterna las relaciones ic/vce y vo/vce en función de RE1 Determine el valor de RE1 para que |vce|max = 3. 8. C→∞. VCEsat=0. en función de vin(t) d) ¿Para qué valor instantáneo de la tensión de salida vo(t) de pequeña señal se corta el transistor? Actualizado Octubre 03 . RC =2 kΩ. b) Se aplica una señal vi variable con el tiempo.6 V.7 V.CAB 3 7.

Determine la región de funcionamiento b) Dibuje el circuito equivalente de pequeña señal.9 kΩ. Calcule a continuación el valor mínimo de β para que el error cometido en el cálculo de IC sea menor de 2% y que la precisión en el cálculo de VCE sea mejor que ±0. Para el circuito seguidor de emisor (colector común) de la figura: a) Calcular RB para que la impedancia de entrada Ri = vi/ii = 500 kΩ. R2 = 0.7 V. |VT| = 2 V C R2 R4 vi 11. R1 = R2 = 20 kΩ. VGG = -10 V. VA → ∞ RBC 100 kΩ VCC I0 0. Vt = 0. VT = 0.5 mA vo C→∞ Ri RS 50 Ω RL 1 kΩ C→∞ vs 12. IB c) Obtener el margen dinámico (máxima amplitud de la señal senoidal a la salida sin distorsión) DATOS: VCC = 15 V. VγE ≅ 0. Para el circuito amplificador de la figura: a) Calcule el punto de trabajo (VGS. RE = 2 kΩ. IC. RC = 2.1 kΩ En saturación. RL = 10 kΩ. indicando los valores numéricos de los parámetros del circuito equivalente del transistor c) Calcule la ganancia de tensión Av = vo/vi VGG R1 VDD R3 D G S VO+vo DATOS: C → ∞.sat ≅ 0. aproximación que puede usar si lo juzga conveniente Actualizado Octubre 03 .7 V. R4 = 0. VγE ≅ 0.025 V. Suponer que βRL >> rπ Con este valor de RB: b) Determinar el punto de trabajo del transistor VCE. VCC = 12 V BJT: β = 100. VCE. Ri = vi(t)/ii(t) DATOS: C → ∞. VγE = 0.1V b) Calcule la resistencia de entrada Ri y la ganancia de tensión vo/vs en pequeña señal suponiendo β → ∞ DATOS: Vt = 0. ro → ∞ VCC RB RC C Ii C Vo RL vi 13. Para el circuito de la figura: a) Calcule los valores de continua de IC y VCE suponiendo β → ∞. VDD = 10 V. R3 = 10 kΩ.025 V.9 MΩ. ID. el transistor JFET obedece la ecuacion iD = k (vGS-VT)2. con k = 1 mA⋅V-2. se pide: VCC ii(t) C vi(t) R1 R3 R2 C RE vO(t) a) Calcular la corriente de colector de polarización IC b) Dibujar el circuito equivalente de pequeña señal.8 kΩ. R1 = 9. C → ∞. R3= 5.2 V.025 V Transistor: β = 100.CAB 4 10. dando el valor de los parámetros gm y rπ c) Calcular la resistencia de entrada que ofrece el circuito a frecuencias medias.1 MΩ.7 V. desprecie el efecto Early (ro → ∞. Para el amplificador en colector común de la figura. VDS) del transistor. VA → ∞) NOTA: en este circuito rπ << R3 de forma que rπ || R3 ≅ rπ.

Para el circuito de la figura 1. RB = 1. Rg = RL = 1 kΩ.sat = VEC. |VT| = 1 V. La señal alterna vi. sólo en este apartado) b) En pequeña señal.7 V. se pide: Valor de continua de la corriente de drenador ID2 y de la tensión puerta a fuente VGS de cada uno de los transistores (ignore el efecto Early.sat ≅ 0 V. Ri Calcular el margen dinámico del amplificador vi R=2.VCE. Considerando que ambos transistores son idénticos y trabajan en saturación. DATOS: VCC = 15 V. Calcule la ganancia vo/vg y el margen dinámico del amplificador de dos etapas de la figura. Se pide: 8R +VCC=12V RC=5kΩ vo TN a) b) c) d) e) f) Calcular el punto de trabajo de los transistores Dibujar el circuito equivalente para alterna y pequeña señal Decir en qué configuración trabaja cada transistor Calcular la ganancia de pequeña señal Av = vo/vi Calcular la impedancia de entrada al amplificador.43 MΩ. RC = 4 kΩ β = 200. VA → ∞ A la frecuencia de la señal los condensadores pueden tratarse como cortocircuitos TP Ri R -VCC =-12V 17. resistencia equivalente de la fuente de corriente Q2 vista desde su drenador c) Ganancia de tensión de pequeña señal vo/vi d) Resistencia de salida en pequeña señal. siendo Vg e Id las amplitudes complejas (fasores) de vg e id y sabiendo que VCC . El circuito de la figura es un amplificador seguidor de fuente realizado con JFETs en el que Q2 actúa como fuente de corriente.VBE >> kT/e c) Expresar y dibujar aproximadamente en la gráfica de la Figura 2 la función |Z|/R en la región en que se cumple ω0 << ω << βω0. los efectos capacitivos en el transistor son despreciables iD vg VCC R log(Z R ) C ω log( ω 0 ) Figura 2 Figura 1 Actualizado Octubre 03 .CAB 5 14. Ro a) DATOS: k = 1 mA⋅V . tensión de Early VA = 50 V -2 +VDD D G Q1 S D G Q2 S vi vo Ro -VSS 15. ro → ∞. se pide: a) Expresar el valor de rπ/R b) Expresar la relación |Z| = |Vg/Id| de pequeña señal en función de la frecuencia.sat ≅ 0 V +VCC RB Rg C→∞ vg RC RB C→∞ RC vo C→∞ RL 16.4kΩ RE =0. VA → ∞.5kΩ DATOS: Para ambos transistores: β = 100.7 V. donde ω0 = 1/rπC DATOS: β >> 1. VγE = 0. es amplificada por el circuito de la figura. VCE. VBE(ON) = VEB(ON) = 0. de pequeña amplitud.

5 V 2 I D3 = κ ′ 4 a) b) I D3 Z 1 (VSG 3 − VT )2 ⇒ Z = = ≅ 3.CAB 6 SOLUCIONES 1 RB 2 V − VE = 5.86 mA. V − VE = 5. VC6=3. En ambos transistores VSD = VSG > VSG − VT = VSD . 3 a) Si ha de entregar corriente.5V e ID3 = I0 = 1 mA.72 mA. Todas las corrientes de colector son iguales entre sí e iguales a 1.3 V. VC7= VC8=-1. pero sí IB <<I.86 V. el transistor cuyo drenador proporciona la corriente constante ha de ser de canal p b) Siendo de canal p y de acumulación.86 mA .7 V.1 L 3 κ ′(VSG 3 − VT )2 0.14 V.97 µA ⇒ IC=209 µA. β ≥50. Al ser VSG1+VSG2=VDD resulta: VSG1 = VSG 2 = d) Puesto que VSG3 = VSG1 =2. VEC=3. VC4= VC5=0.7 V ⇒ IE=IC= EE = 215 µA.7k ⎫ ⎪ V EB 2 = VEB1 + I 0 R1 ⎪ I I 0 R1 = VT ln REF ⎪ I I0 ⎪ V EB 2 = VT ln REF ⎬ VT I REF IS ⎪ R = = 100. VC1=9. VC3=3.72 V.03 V c) Ahora no puedo suponer IB <<IC.8 2 L3 I REF = VEE − VEB 2 − VEB 4 10 − 0. se tendrá: VDD = 2. IB IB I C (RB1 + RB 2 )I C La más restrictiva.7 V. VC9= VC10=4. VEC=4.5 . los transistores presentarán VT = VSG (umbral ) = 0. VC2=-9.6 = = 2 mA R2 4.6Ω ln 1 I0 I0 ⎪ I V EB1 = VT ln 0 ⎪ ⎪ IS ⎭ I c) v EB1 = v EB 3 = VT ln 0 = 0. RE RB1 + RB 2 I βVEE βI I b) IB <<IC ⇒ C ≥ 50 ⇒ β ≥ 50.98 V.560 V IS I v EB 2 = VEB 4 = VT ln REF = 0. sat c) Como ambos transistores son iguales (κ1 = κ2) y ID1 = ID2.600 V IS Actualizado Octubre 03 . se tiene que VSG1=VSG2.3 V.7 V . luego VE=5.3 V.1 × 1.86 V. R1 Resolviendo mallas calculamos el resto de corrientes y tensiones: IR4=3. I B = EE RE ( β + 1) a) VE = VEB + VB = VγE + VEE 2 10 − VEB1 − VEB 2 + 10 = I C1 = I C 2 = 1. IB <<IB1(= IB2) ⇒ ≥ 50 ⇒ = ≥ 50 ⇒ β ≥ 21.6 − 0. VC11=1.

sin llegar a ruptura. I C = βI B .25 kΩ IB c) − VD = vCE − v BE = (VCE + vce ) − (VBE + vbe ). vce = vo . RC1 VEB1 = VEB 2 + I E 2 R2 = VEB 2 + β2 +1 I C 2 R2 ≈ VEB 2 + I C 2 R2 β2 ⎛I R ⎞ ⎛ V − VEB 2 ⎞ I C1 ⎟ = exp⎜ C 2 2 ⎟ ⇒ R2 = 1.2 mV RΒ vo = Actualizado Octubre 03 .4 V < 0.025 donde rπ = = 1.5 ⎟ ⎜ ⎟ v B ⎠ π ⎠ i ⎝ B ⎪ ⎝ i b rπ vo vi ib = i βib R C ⎪ rπ ⎭ 0.5vi ⇒ vi = −10. con VCE = 2 V . I C = 2 mA Comprobamos transistor en activa: I B > 0.5 kΩ ⇒ β = − AV π = 100 I B3 RC 3 c) I C 3 = βI B 3 = 5 mA.02 mA. sustituyendo 3 = 1. luego I B = 0.5 kΩ . pues la otra solución no hace VGS>VT d g vi b) Circuito equivalente: gmvgs ⎫ vo = g m v gs RL s 2 R1 + RL v o - ⎪ vo g m RL ⎬ = ⎪ vi 1 + g m ( R1 + RL ) vi = v gs + v s = v gs (1 + g m ( R1 + RL ))⎭ v Como gm=2κ(VGS-VT)=2 mS ⇒ o = 0.6 V .CAB 7 5 a) I C1 = VEE − VEB1 = 2 mA. vbe = vi .2 Comprobamos diodo cortado: VD = VBE − VCE = −1. VCE = VEE − I C 3 RC 3 = 5 V > VCEsat 6 Al ser transistores de canal n deplexión. VG = −V DD .4 − 156.706 vi v s = g m v gs ( R1 + RL ) c) I D = κ (VGS − VT ) . VT=VGsumbral=-4 V 2 a) I RL = 0 ⇒ I R1 = 2 mA = I D = κ (VGS − VT ) = κ (V I − I D R1 − VT ) ⇒ R1 = 2. VCE = VCC − ( I C + I B ) RC = 2 V > 0. b) Circuito equivalente: vi − v o ⎫ RC − βib RC ⎪ RB ⎛ RC βRC ⎞ vo ⎪ ⎛ RC ⎞ + ⎬vo ⎜1 + ⎜ R ⎟ = vi ⎜ R − r ⎟ ⇒ v = −155. VBE = 0.5vi Cuando − VD = VZ = 3 V se produce la ruptura. VS = −V DD + I D R2 ⇒ R2 = 1 kΩ 2 7 a) Diodo cortado ⇒ ID=0.84 kΩ ≈ exp⎜ EB1 ⎟ ⎜ V ⎟ ⎜ IC2 VT ⎠ ⎝ T ⎠ ⎝ b) i=0 + vs Req→∞ ib rπ βib RC3 - vo vo = − βRC 3ib ⎫ vo β ⎬ AV = = − RC 3 vs = rπ ib vs rπ ⎭ r 0. y además vo = −155.025 rπ = = 0. VCC = ( I C + I B ) RC + I B RC + V BE .

saturación =5V = I C (RC + RE1 ) iC = I C + i c ≥ 0 ⇒ i c = − vce ≥ − I C ⇒ vce ≤ I C (RC + RE1 ) ⇒ vce RC + RE1 vce max max. las ecuaciones del circuito: Circuito de alterna VBB = I B RB + VBE + (I C + I B )RE VCC = I C RC + VCE + (I C + I B )RE Suponiendo el transistor en activa directa I C = βI B : VBB = IC β (RB + (β + 1)RE ) + VBE ⇒ I C IC =β VCE = VCC − β (βRC + (β + 1)RE ) = VCC − βRC + (β + 1)RE (VBB − VBE ) ≈ VCC − β RC + RE (VBB − VBE ) RB + βRE RB + (β + 1)RE VBB − VBE V − VBE ≈ β BB RB + (β + 1)RE RB + βRE b) Despejando RE de la última fórmula: VCC − VCE RB − βRC V − VBE = 0. saturación ≤ VCE − VCE . con RE = RE1 + RE 2 . sat ⇒ vce Y de que no se corte: max.84 mA RE ≈ BB ⎛ VCC − VCE ⎞ β ⎜1 − ⎜ V −V ⎟ ⎟ BB BE ⎠ ⎝ c) En alterna.53 kΩ Actualizado Octubre 03 . VCC RC RB RB rπ ib ve v o= v c vi RE1 RE2 + RE1 β ib RC VBB Circuito de continua a) En continua. o = vce RC + RE1 vce RC + RE1 d) La condición de que el transistor no se sature: vCE = VCE + vce ≥ VCE .corte Como la saturación no limita. sat = vce max.76 kΩ ⇒ I C ≈ 2. dado que ic = βib >> ib: ⎫ RC + RE1 vo ⎬vce = vc − ve = −(RC + RE1 )ic = ve = RE1 (ic + ib ) ≈ RE1ic ⎭ RC De donde: vo = vc = − RC ic ic v RC 1 =− . hay que fijarse en el corte: I C (RC + RE1 ) = vce max ⇒ RE1 = IC − RC = 0.CAB 8 8.23 kΩ Y de aquí R E 2 = R E − RE1 = 0.

lo que quiere decir que el transistor funciona con tensiones VGS negativas y ha de ser por tanto VT = -2 V a) Las ecuaciones del circuito de continua son.1 × (− 0. g m = 2k (VGS − VT ) = 2 mΩ -1 G c) g m v gs = g m (v g − v s ) = − g m v s v s = vi + g m R4 v gs = vi − g m R4 v s ⇒ vi = (1 + g m R4 )v s ⎫ vo g m R3 ⎪ = = 9.9 vin(t) id(t) = -vs(t)/RS ⇒ vo (t ) = vd (t ) = id (t ) R D R L = −v s (t ) d) La corriente total de drenador es: RD RL RS = −4.5vin (t ) + vin (t) i D (t ) = I D + vo (t ) VSS − VS v (t ) v (t ) = + o = 1 mA + o 5 kΩ RD RL RS RD RL Cuando la corriente iD se anula vo(t) = –1 mA 5 kΩ = –5 V 10 VGG R1 VDD R3 D G S Los transistores JFET son de deplexión. ro no está presente (es infinita) pues en la expresión de la corriente de drenador no aparece el efecto Early.9 + 2) =1V 2 × 1 × 0. incompatible con la suposición de que el transistor conduce. Pero además en este circuito VG < 0 mientras que VS > 0. VSS RG IG=0 G D RD S RS ID VS ID a) En continua. como IG = 0. Con este valor: I D = 1 mA. puesto que no hay corriente de puerta. De la medida de VS = 14 V ⇒ ID = (VSS-VS)/RS = 1 mA.CAB 9 9. de canal p. Por tanto ha de ser de deplexión D=O ig=0 G id S id RG RS RD RL c) Del circuito vg(t) = vin(t) y de la medida vs(t) = 0.VDS = VDD − I D (R3 + R4 ) = 4 V > 1 V = VGS − VT Así que efectivamente está saturado. está conduciendo con VSG = VS-VG = -1 V < 0. Entonces ID circula por RD y VD = IDRD = 10 V O RL b) El transistor.1 La raíz negativa se ha desechado desde el principio pues llevaría a VGS-VT negativo. R4 vi gmvgs S D vo R3 b) En pequeña señal la puerta está a tierra por efecto del condensador C. VG = VSS = 15 V. Como no hay corriente por RL: VO = 0 V.83 ⎬⇒ vo = − g m R3 v gs = g m R3 v s v i 1 + g m R4 ⎪ ⎭ Actualizado Octubre 03 .: VG = VGG VO Por otra parte si el transistor está saturado I D = k (VGS − VT ) que introducido en la primera de las ecuaciones precedentes conduce a: 2 VDD = VDS + I D (R3 + R4 ) R2 = VGS + I D R4 R1 + R2 R2 R4 VG = VGS + kR4 (VGS − VT ) ⇒ VG − VT = VGS − VT + kR4 (VGS − VT ) ⇒ 2 2 ⇒ kR4 (VGS − VT ) + VGS − VT − (VG − VT ) = 0 ⇒ 2 ⇒ VGS − VT = − 1 ± 1 + 4kR4 (VG − VT ) 2kR4 = − 1 + 1 + 4 × 1 × 0.

puesto que ib = 0. real − I C . se hacen tender rπ y β a infinito teniendo en cuenta que su cociente es finito. Los elementos del circuito equivalente del transistor: Ri RS vs ib βib=gmvbe E C vo RBC||RL Esto quiere decir que ib es también muy pequeña en alterna. Para que el error cometido en VCE por despreciarIB fuera menor de 0. real Una ecuación de malla para calcular VCE: VCE = V BE + I B R BC > V BE > VCE . Por ejemplo: vs v e = −ib rπ = v s + R S (β + 1)ib ⇒ ib = − rπ + (β + 1)R S g m v be = − g m v e β R L R BC R L R BC R L R BC R L R BC v o − β R L R BC ib = = = → = ≈ 10 vs vs rπ + (β + 1)R S rπ β + (1 + 1 β )R S rπ β + R S 1 g m + R S 12. aprox ∆I C − IB 1 = = = ≤ 0.1 V 0. La fuente ideal de corriente continua es un circuito abierto.1 b) En pequeña señal por efecto de los condensadores la base queda a tierra y RBC en paralelo con RL. real I C . o = = = ≈ 10 ⎬ ⇒ ve = v e = v x + g m R S v be ⎭ vs vs 1 + g m RS v s 1 + g m RS v be Ri = − = 1 g m = 50 Ω − g m v be Otra solución es trabajar con ib.1 V ⇒ β > I 0 R BC 0. a) El circuito equivalente de pequeña señal queda: Ii Vi RB rπ Ib βIb RL de donde Ri = vi = RB (rπ + ( β + 1) RL ) ≅ RB βRL con lo que RB = 1 MΩ ii Actualizado Octubre 03 . VCC I0 a) En el colector del transistor.CAB 10 11. Entonces. pero desde luego no implica que ic sea nula: el producto βib está indeterminado Una solución es trabajar con gm que tiene un valor finito: B rπ rπ = Vt I B = β Vt I C → ∞ g m = I C Vt = 20 mΩ -1 Un BJT con una β muy grande se parece pues en alterna a un JFET: la base está en circuito abierto y el generador de corriente está gobernado por la tensión base – emisor. sast I0 RS El transistor no puede estar saturado.: − g m R L R BC v be g m R L R BC v e g m R L R BC ⎫ vs v . Al final. ib ≅ 0.1 V (que es más o menos la precisión que se tiene en VBE y por tanto no merece la pena afinar más): ∆VCE = I 0 R BC β < 0.5 × 100 = = 500 0.7 V Si β es muy grande. El valor de VCE: VCE = V BE + β R BC ≈ V BE ≈ 0.02 ⇒ β ≥ 50 β IC I C . rπ y β normalmente como si tuvieran valor finito y derivar las fórmulas.y con β arbitrariamente grande: I0 = I B + IC ≈ IC El error cometido en el cálculo de IC: VO RL RBC I C . en continua y activa directa.

rπ = β/gm ≅ 1 kΩ c) Llamando RX = rπ||R3 ≅ 0.85 V > VCE .715 mA R B + (β + 1)R L 2000 β +1 R L ) ≅ 15 − 0.sat ⇒ v o ≤ VCE − VCE .715 ⋅ 12. sat β I C R L (β + 1) iC = I C + i c = I C + v o RL (β + 1)RL β ≥ 0 ⇒ vo ≥ − β ≅ − I C R L = −7.sat = 5.4 mA R B + (β + 1)R E R2 RR = 6 V y R B = R3 + 1 2 = 20 kΩ son la tensión y la resistencia R1 + R2 R1 + R2 IC = β equivalentes de Thévenin. VCE = VCC − I C ( RC + c) Margen al corte: VCC − V BE 143 ≅ = 0.8 ≅ 5. del circuito que polariza la base b) El circuito de pequeña señal queda: ii(t) vi(t) vbe rπ||R3 gmvbe= =βib vo(t) RE||R1 ||R2 Donde gm = IC/Vt = 95.5 mΩ-1.3 Vpp) 13. respectivamente.15 V Margen a la saturación: v CE = VCE + v ce = VCE − v o ≥ VCE .2 = 5. dado que rπ || R3 ≅ rπ. VCC a) Para el circuito de continua se puede utilizar la expresión habitual: R1 R3 R2 RE Donde V BB = VCC V BB − V BE ≅ 2. Por tanto: v i = ib rπ + v o ⎫ ⎬v i = ib (rπ + (1 + β )RY ) ⇒ Ri ≅ rπ + (1 + β )RY ≅ 170 kΩ v o ≅ (1 + β )RY ib ⎭ Actualizado Octubre 03 .91 kΩ. se tendrá que ii ≅ ib.15 µA.65 V Las relaciones entre las magnitudes de pequeña señal se obtienen del circuito equivalente (apartado a)) Luego la máxima amplitud de la señal de salida simétrica es 5.67 kΩ v i = v be + v o ⎫ ⎪ v be = ii R X ⎬v i = ii (R X + (1 + g m R X )RY ) ⇒ Ri = R X + (1 + g m R X )RY ≅ 148 kΩ v o = (1 + g m R X )RY ii ⎪ ⎭ O bien.CAB 11 VCC RB RC b) En continua: VCC = I B R B + V BE + (β + 1)I B R L ⇒ I C = βI B = β I B = 7. RY = RE||R1||R2 ≅ 1.85 − 0.65 Vp (11.

ro ≅ VA/ID = 50 kΩ. que tiene puerta y fuente cortocircuitados. como afirma el enunciado. su corriente es: I D1 = k (VGS 1 − VT ) 2 Puesto que el nudo de salida está abierto. b) Los dos transistores son iguales y están polarizados con la misma corriente de drenador.98 D1≡D2 ≡G2 d) La resistencia de salida es la relación entre la tensión aplicada a la salida y la corriente que entra por ella con las fuentes de señal anuladas: G1 ix gmvgs1 ro Req S1≡ S2 + vx v gs1 = v g1 − vs1 = −v x ix = − g m v gs1 + vx v v = g m v x + x ⇒ Ro = x = 1 g m ro Req = 490 Ω ro Req ro Req ix D1≡D2 ≡G2 15. con rπ = Vt/IB = 2. Con los transistores en activa directa: IB = VCC − VBE = 10 µA. el enunciado asegura la saturación y no se pide la comprobación.sat RB RG ib1 RB rπ ic1 vce1 RC RB ib2 rπ ic2 vo≡ vce2 RC RL En pequeña señal. La ecuación de la corriente de drenador para Q2. es. la tensión umbral ha de ser negativa VT = -1 V. véase además que VGS2 = 0: si conduce. I C = βI B = 2 mA.5 kΩ: vg βib1 βib2 Actualizado Octubre 03 . : G1 S1≡ S2 vo v gs1 = v g1 − vs1 = vi − vo vi gmvgs1 ro Req vo = g m v gs1 ro Req = g m ro Req (vi − vo ) ⇒ vo = g m ro Req 1 + g m ro Req = 0.CAB 12 14. y por tanto los parámetros de su circuito equivalente de pequeña señal son iguales: gm = 2k(VGS-VT) = 2 mΩ-1. con la fuente de corriente reducida a su resistencia equivalente. Sin embargo. La polarización es la misma en las dos etapas. se tiene 2 2 I D 2 = k (VGS 2 − VT ) = k (VGS 1 − VT ) = I D1 ⇒ VGS 1 = VGS 2 = 0 Y como el nivel de continua en la puerta de Q1 es cero: 0 = VGS1 = VG1-VS1 = 0-VO ⇒ VO = 0 Nótese que no se ha utilizado el valor de las tensiones de alimentación: sería preciso conocerlas para calcular el valor de VDS y verificarla saturación de los transistores y la coherencia de los resultados. El circuito equivalente de la fuente es: Y se pide Req = vx/ix: i x D + ro S≡G gmvgs Req = vx vx = ix vx g m v gs + vx ro = (v gs = 0) = ro ≈ 50 kΩ - c) El circuito equivalente de pequeña señal.VCE = VCC − I C RC = 7 V > VCE. en saturación e ignorando el efecto Early. a) Los transistores JFET son de deplexión. : I D 2 = k (VGS 2 − VT ) = kVT = 1 mA 2 2 Como Q1 está también saturado.

CAB 13 ib1 = rπ RB R G + rπ RB rπ vg − βib 2 RC RL − βib1 rπ RC RB − β RC RL − β rπ RC vo v v = o ce1 = = −40 × −40. Notar que la desigualdad cambia de sentido al multiplicar ambos lados por vo/vce1 que es negativo. por ésta.6 rπ RB ≈ rπ R G + rπ v g vce1 vg ib 2 rπ ib1rπ (R G + rπ RB ) Para calcular el margen dinámico se examina cuánto ha de valer vo para que ningún transistor se corte ni se sature: El primer transistor no se corta: iC1 = I C + ic1 = I C − vce1 v ≥ 0 ⇒ vce1 ≤ I C rπ RC RB ⇒ vo ≥ o I C rπ RC RB = −40.3 V vce1 rπ RC RB Donde se ha aprovechado el valor de vo/vce1 que se dedujo al calcular la ganancia.8 × −7 = 285. Observando la diferencia de tensión entre las bases de los dos transistores: R IC/β RI X = 2VBE ( ON ) + (1 + 1 β )RE I C ⇒ I C ≅ RI X − 2VBE ( ON ) RE = 2 mA TP IX R IC/β = 0. así que es lógico que el margen dinámico no venga limitado.714 = −58. TP B ibP rπP R/2 βibP E RE ibN βibN E TN C vi rπN B RC vo C c) TP trabaja en colector común. si están ambos en activa directa y dada la igualdad de las βs y la ausencia del efecto Early. Y para verificar el funcionamiento en modo activo directo: VCEN = VCC − I C RC − (VCC − 8 RI X − VBE ( ON ) ) = 9.02 mA << 1 mA = IX. Como la segunda etapa tiene mucha ganancia variaciones de tensión muy grandes a la salida corresponden a variaciones de tensión mucho más pequeñas a la salida de la primera etapa.8 × 2 × 0.25 kΩ.sat ) = −40.1 V -VCC b) En pequeña señal el circuito equivalente es el siguiente. 16. IC (por cierto.9 V VECP = −VCC + RI X + VEB ( ON ) − (− VCC ) = 3. a) +VCC IX 8R IC/β TN IX-IC/β RE (1+1/ β)IC RC I C La corriente de emisor de los transistores es la misma.sat ⇒ vce1 ≥ −VCE + VCE . las corrientes de colector son iguales.8 = 1632. este razonamiento es válido tanto en continua como en alterna) La caída de tensión a lo largo del divisor resistivo: 2VCC = R(10 I X − I C β ) ≅ 10 RI X ⇒ I X ≅ 2VCC / 10 R = 1 mA Donde se ha despreciado la corriente de base frente a 10IX.sat ⇒ vo ≤ El segundo transistor no se corta: vo (− VCE + VCE .sat ⇒ vce 2 = vo ≥ −VCE + VCE .6 V vce1 iC 2 = I C + ic 2 = I C − vo ≥ 0 ⇒ vo ≤ I C RC RL = 2 × 0. y TN en base común d) En los nodos de emisor: (β+1)ibN = -(β+1)ibP ⇒ ibN = -ibP Actualizado Octubre 03 .sat = −7 V Luego el margen dinámico está limitado por el corte del segundo transistor y vale 1 Vp. ni mucho menos. El primer transistor no se satura: vCE1 = VCE + vce1 ≥ VCE . lo que puede validarse a posteriori. lo que justifica la aproximación anterior.5 = 1 V RC RL El segundo transistor no se satura: vCE 2 = VCE + vce 2 ≥ VCE . donde rπN = rπP ≡ rπ = kT/e β/IC = 1.

es 9.CAB 14 Av = e) vo βRC − βRC ibN 500 kΩ = = = = 9.5 kΩ = Ri = vi vi + ibP R2 vi vi − ibN R2 = = vi vi v + o R 2 βRC = 1 A 1 + v R 2 βRC = 1 1 1 + R 2 (β + 1)RE + 2rπ = R ((β + 1)RE + 2rπ ) ≅ R = 1.2 kΩ 2 2 f) El corte de los dos transistores sería simultáneo por la igualdad de las corrientes de colector: iCN = iCP = I C + ic = I C − vCEN = VCEN + vcen ≥ VCE .sat ⇒ vo ≥ C (VECP − VEC . limitado por la saturación de TN.sat a) En continua: IB = VCC − V BE r kT e kT e ⇒ π = = R R RI B VCC − VBE b) En alterna: Id Vg R Ib rπ C Z= Vg Id = I b rπ + R(I b + I b jωCrπ ) rπ + R(1 + jωCrπ ) = ≅ βI b + I b + I b jωCrπ β + 1 + jωCrπ βIb ⎛ rπ << R ⎞ 1 + jωCrπ 1 + jω ω0 ≅⎜ ⎜ β >> 1 ⎟ ≅ R β + jωCr = R β + j ω ω ⎟ ⎝ ⎠ π 0 Y tomando el módulo Z = R β 2 + (ω ω 0 ) 1 + (ω ω 0 ) 2 2 c) En la región de interés ω/ω0 es despreciable frente a β y 1 frente a ω/ω0: Z ≅R ω ω0 ⇒ log( Z R ) ≅ log(ω ω 0 ) − log β .5 vi ibP (rπP + (β + 1)R E ) − rπN ibN (β + 1)R E + 2rπ 52.sat ) ≅ 31 V RE RC Luego el margen dinámico.9 V ⎛ rπ rπ ⎞⎬ ⇒ vo ≥ rπ ⎟⎪ = −icn RC + icn = vo ⎜1 − ⎜ βR ⎟ 1− β C ⎠⎭ ⎝ βRC Y la de TP: ⎫ ⎪ − r β + (1 + 1 β )RE R ⎬⇒ ≅ − vo E ⎪ vecp = −ibn rπ + iep RE = icn (− rπ β + (1 + 1 β )RE ) = −vo π RC ⎭ RC R R ⇒ −vo E ≥ −VECP + VEC .sat ⎪ ≅ −VCEN = −9.sat vcen vo ≥ 0 ⇒ vo ≤ I C RC = 10 V RC La no-saturación de TN impone: ⎫ − VCEN + VCE .9 Vp 17. ID VCC R IB v ECP = VECP + vecp ≥ VEC . que en los ejes pedidos es una recta: β log( Z R ) 0 Z =R Z =R β ω ω0 = 1 0 ω ω0 = β + 1 log(ω ω 0 ) Actualizado Octubre 03 .