CAB 1 CIRCUITOS AMPLIFICADORES BÁSICOS 1.

a) Calcule el punto de trabajo (IC, VEC) del transistor del circuito suponiendo IB ≅ 0 b) Halle el rango de valores de β para el que la aproximación anterior es válida (considerando despreciable si 1<<50) c) Calcule el punto de trabajo para β = 35 DATOS: VγE ≅ 0,7 V; VEE = 10 V; RB1 = RB2 = 10 kΩ; RC = 8 kΩ; RE = 20 kΩ

+VEE

RB1

RE

RB2

RC

2. Suponiendo |VBE| ≅ 0,7 V y β → ∞, calcule la corriente que circula por todas las ramas del circuito y el voltaje en todos los nodos

+5V Q10 Q11

+10V Q1 Q3

+10V Q4

R5
1kΩ

R2
2kΩ

R1
10kΩ +5V

R4
1kΩ Q9 Q8 Q7 Q2

R3
1kΩ Q6 Q5

-10V

-10V

3. Se quiere construir una fuente de corriente continua que suministre una corriente I0 = 1 mA según indica la figura. Para ello se utilizan MOSFETs de acumulación en la configuración de espejo de corriente mostrada. a) Si todos los transistores del circuito son del mismo tipo, indicar cuál ha de ser +VDD=5V éste (canal n o canal p) para que la fuente funcione correctamente. Justifique muy S S brevemente la respuesta. T1 T3 b) Demostrar que T1 y T2 trabajan en saturación. G G D c) Si T1 y T2 son iguales (misma relación de aspecto, Z/L), calcular las tensiones D VGS de ambos transistores (VGS1 y VGS2). d) ¿Cuál ha de ser la relación de aspecto Z/L de T3 para que I0 = 1 mA? I0=1mA

S T2 D

G

DATOS: Todos los transistores tienen |VT| = 0,7 V y κ ′ = 0,1 mA ⋅ V -2 (κ=κ’Z/L)

Actualizado Octubre 03

RC1 = 4. ¿cuál es el valor de β del transistor T3?.5. IO=2 mA IO vO(t)= VO+ Vo senωt RL=10 kΩ R2 DATOS: Los transistores FET. VEB1 = VBE3 = 0.7 V ≠VEB2 (en activa). efectivamente. Notar que en estas condiciones la corriente continua a través de la carga RL es nula. RC3 = 1 kΩ. Suponga en este apartado que el transistor T3 se encuentra en activa y que la resistencia equivalente en pequeña señal de la fuente Widlar vista entre los terminales BE de T3 es infinita. con κ=0. b) Calcular entonces la ganancia de pequeña señal. mediante un circuito Widlar. b) Si la ganancia medida a frecuencias medias vale Av=vo/vs=-200.6V b) El valor de la resistencia R1 para que la corriente I0 sea 5 veces menor que IREF. c) Para el valor de β obtenido en b) comprobar que. VT = 25 mV. VEB2. VDD calcular R1 para que el nivel de continua a la salida sea VO=0 V. vI(t)= AV=vo/vi. calcule: a) La corriente IREF suponiendo VEB2 ≅ VEB4 ≅ 0.025 V IS = 7. cumpliendo -VDD -VDD I D = κ (VGS − VT ) . Dado que el transistor T3 es de tipo npn.10-14A VEE R1 VEE Q1 Q2 VEB . T3. a) Calcular la corriente IC1 y la resistencia R2 para obtener esa corriente de base en T3. c) Las tensiones VEB1.5 mA/V2 y ⎜VT⎜=4 V 2 Figura 1 Figura 2 Actualizado Octubre 03 .65 kΩ. VEB3 y VEB4 con tres cifras significativas. a) Si el nivel de continua a la entrada es VI=3 V. VEE = 10 V. VI+ Vi senωt c) Si la fuente de corriente se realiza con otro FET idéntico al anterior como se ve en la figura 2. El circuito de la figura permite medir el parámetro β del transistor T3 a través de la ganancia de tensión en pequeña señal Av=vo/vs. de 50 µA. VEE R2 RC3 T1 I C1 RC1 O O T2 I C2 T3 C vs Req Amplificador EC vo Fuente Widlar DATOS: β1 = β2 >>1.4 kΩ VEE = 10 V VT = 0. VT Q3 Io Vo Q4 IREF R2 5. VCEsat=0. Sabiendo que todos los transistores operan en activa. de deplexión. El circuito de la figura muestra una fuente de corriente compuesta por cuatro transistores pnp. La fuente de corriente continua es ideal. El circuito de la figura 1 muestra un desplazador de nivel de continua. se encuentra en activa. R1 calcular R2 para tener la corriente I0=2 mA. C = 100 µF 6. considerando que para todos los transistores I C ≅ I S exp DATOS: R2 = 4. Para ello se polariza un circuito en emisor común con una corriente de base (IB3=IC2) fija. para realizar esta polarización se requiere una fuente Widlar con transistores pnp. Desprecie las corrientes de base respecto a las demás del circuito.2 V. son idénticos y trabajan siempre en saturación.CAB 2 4. el transistor medido.

VZ=3 V. ro → ∞. RB =70 kΩ.CAB 3 7. en función de vin(t) d) ¿Para qué valor instantáneo de la tensión de salida vo(t) de pequeña señal se corta el transistor? Actualizado Octubre 03 . La figura muestra un amplificador con MOSFET de canal p atacado por un generador vin(t) de pequeña señal alterna y frecuencia media. G y S si O la señal fuera anulada (vin(t) = 0) C→∞ b) Razonar de qué tipo (acumulación o deplexión) es el transistor R L=10k Ω c) Calcular las tensiones alternas en los mismos nodos con la señal presente. El circuito de la figura muestra un amplificador en emisor común con resistencia de emisor. Debido al condensador CE. IB y VCE). la resistencia de emisor es diferente para el circuito de continua y para el circuito de alterna. Con el transistor saturado (activa) se ha medido la tensión instantánea en el nodo S. CE = CC → ∞ VγE ≈ 0. obteniéndose: + vin (t) vS(t) = 14 V + 0. RC =2 kΩ.9 vin(t) Se le pide: a) Calcular las tensiones que se medirían en los nodos D. Esto permite un mejor diseño del punto de trabajo y el margen dinámico. β=100. Calcule ahora el valor numérico de IC Calcule en alterna las relaciones ic/vce y vo/vce en función de RE1 Determine el valor de RE1 para que |vce|max = 3. VT = 25 mV. VCC = 10 V. RC = 1 kΩ. VγE = 0. C→∞. VBB = 3 V.7 V. c) ¿Para qué valor instantáneo de vi se produce la ruptura inversa (Zéner) del diodo? DATOS: VCC = 6 V. b) Se aplica una señal vi variable con el tiempo. VCEsat=0.sat ≈ 0. Obtenga la relación vo/vi (suponga que el diodo no conduce). O.2 V.6 V. siendo |vce|max la máxima excursión de vCE en torno al punto de trabajo tal que el transistor ni se corta ni se satura VCC RC vo CC RB vi + RE1 DATOS: RB = 10 kΩ. 8. En el circuito de la figura: VCC VD + RC RB vi vO=Vo+vo a) Encuentre el punto de trabajo del transistor (IC. a) b) c) d) Calcule el punto de trabajo (IC y VCE) en función de RE = RE1+RE2 Determine el valor de RE para que VCE = 5 V. β = 200 (β >> 1 para todos los cálculos) VBB RE2 CE V SS=15V R G =1M Ω C →∞ G S iD D RD =10kΩ RS =1kΩ 9. VCE. El diodo Zéner puede estar en tres estados posibles: comience el análisis para el caso de que se encuentre en inversa con ⎜VD⎜< VZ (valor absoluto de la tensión de disrupción del diodo).5 V.

dando el valor de los parámetros gm y rπ c) Calcular la resistencia de entrada que ofrece el circuito a frecuencias medias. VγE = 0. Para el circuito amplificador de la figura: a) Calcule el punto de trabajo (VGS.9 MΩ. Para el circuito de la figura: a) Calcule los valores de continua de IC y VCE suponiendo β → ∞.025 V. C → ∞. Calcule a continuación el valor mínimo de β para que el error cometido en el cálculo de IC sea menor de 2% y que la precisión en el cálculo de VCE sea mejor que ±0. IB c) Obtener el margen dinámico (máxima amplitud de la señal senoidal a la salida sin distorsión) DATOS: VCC = 15 V. VDD = 10 V.1 MΩ. IC. con k = 1 mA⋅V-2. R4 = 0. RC = 2. R2 = 0.9 kΩ.7 V. RL = 10 kΩ.sat ≅ 0. Determine la región de funcionamiento b) Dibuje el circuito equivalente de pequeña señal. R1 = 9. desprecie el efecto Early (ro → ∞. VγE ≅ 0. el transistor JFET obedece la ecuacion iD = k (vGS-VT)2. se pide: VCC ii(t) C vi(t) R1 R3 R2 C RE vO(t) a) Calcular la corriente de colector de polarización IC b) Dibujar el circuito equivalente de pequeña señal. VγE ≅ 0.5 mA vo C→∞ Ri RS 50 Ω RL 1 kΩ C→∞ vs 12. Para el circuito seguidor de emisor (colector común) de la figura: a) Calcular RB para que la impedancia de entrada Ri = vi/ii = 500 kΩ. |VT| = 2 V C R2 R4 vi 11.025 V Transistor: β = 100. R3= 5. ro → ∞ VCC RB RC C Ii C Vo RL vi 13. R3 = 10 kΩ.025 V. ID.7 V. VA → ∞ RBC 100 kΩ VCC I0 0. Ri = vi(t)/ii(t) DATOS: C → ∞. VDS) del transistor. Para el amplificador en colector común de la figura. Suponer que βRL >> rπ Con este valor de RB: b) Determinar el punto de trabajo del transistor VCE.7 V. VCC = 12 V BJT: β = 100.8 kΩ.CAB 4 10. RE = 2 kΩ. Vt = 0. R1 = R2 = 20 kΩ. VCE. VT = 0. aproximación que puede usar si lo juzga conveniente Actualizado Octubre 03 . VA → ∞) NOTA: en este circuito rπ << R3 de forma que rπ || R3 ≅ rπ.1 kΩ En saturación.2 V. VGG = -10 V.1V b) Calcule la resistencia de entrada Ri y la ganancia de tensión vo/vs en pequeña señal suponiendo β → ∞ DATOS: Vt = 0. indicando los valores numéricos de los parámetros del circuito equivalente del transistor c) Calcule la ganancia de tensión Av = vo/vi VGG R1 VDD R3 D G S VO+vo DATOS: C → ∞.

Para el circuito de la figura 1. RC = 4 kΩ β = 200. RB = 1.7 V.4kΩ RE =0.5kΩ DATOS: Para ambos transistores: β = 100. se pide: Valor de continua de la corriente de drenador ID2 y de la tensión puerta a fuente VGS de cada uno de los transistores (ignore el efecto Early. VCE. DATOS: VCC = 15 V. siendo Vg e Id las amplitudes complejas (fasores) de vg e id y sabiendo que VCC . |VT| = 1 V.VCE. VA → ∞. Se pide: 8R +VCC=12V RC=5kΩ vo TN a) b) c) d) e) f) Calcular el punto de trabajo de los transistores Dibujar el circuito equivalente para alterna y pequeña señal Decir en qué configuración trabaja cada transistor Calcular la ganancia de pequeña señal Av = vo/vi Calcular la impedancia de entrada al amplificador. tensión de Early VA = 50 V -2 +VDD D G Q1 S D G Q2 S vi vo Ro -VSS 15. sólo en este apartado) b) En pequeña señal. resistencia equivalente de la fuente de corriente Q2 vista desde su drenador c) Ganancia de tensión de pequeña señal vo/vi d) Resistencia de salida en pequeña señal.CAB 5 14. se pide: a) Expresar el valor de rπ/R b) Expresar la relación |Z| = |Vg/Id| de pequeña señal en función de la frecuencia. Calcule la ganancia vo/vg y el margen dinámico del amplificador de dos etapas de la figura. Rg = RL = 1 kΩ. donde ω0 = 1/rπC DATOS: β >> 1. La señal alterna vi. Ri Calcular el margen dinámico del amplificador vi R=2. Considerando que ambos transistores son idénticos y trabajan en saturación. ro → ∞. VA → ∞ A la frecuencia de la señal los condensadores pueden tratarse como cortocircuitos TP Ri R -VCC =-12V 17. VBE(ON) = VEB(ON) = 0. El circuito de la figura es un amplificador seguidor de fuente realizado con JFETs en el que Q2 actúa como fuente de corriente.7 V.43 MΩ. es amplificada por el circuito de la figura. Ro a) DATOS: k = 1 mA⋅V .sat ≅ 0 V +VCC RB Rg C→∞ vg RC RB C→∞ RC vo C→∞ RL 16.VBE >> kT/e c) Expresar y dibujar aproximadamente en la gráfica de la Figura 2 la función |Z|/R en la región en que se cumple ω0 << ω << βω0. de pequeña amplitud. los efectos capacitivos en el transistor son despreciables iD vg VCC R log(Z R ) C ω log( ω 0 ) Figura 2 Figura 1 Actualizado Octubre 03 .sat = VEC.sat ≅ 0 V. VγE = 0.

VEC=3. IB <<IB1(= IB2) ⇒ ≥ 50 ⇒ = ≥ 50 ⇒ β ≥ 21.6 = = 2 mA R2 4.7k ⎫ ⎪ V EB 2 = VEB1 + I 0 R1 ⎪ I I 0 R1 = VT ln REF ⎪ I I0 ⎪ V EB 2 = VT ln REF ⎬ VT I REF IS ⎪ R = = 100.86 V. V − VE = 5. pero sí IB <<I.3 V.98 V.5 . el transistor cuyo drenador proporciona la corriente constante ha de ser de canal p b) Siendo de canal p y de acumulación.8 2 L3 I REF = VEE − VEB 2 − VEB 4 10 − 0.560 V IS I v EB 2 = VEB 4 = VT ln REF = 0.3 V.1 × 1. VC11=1.5 V 2 I D3 = κ ′ 4 a) b) I D3 Z 1 (VSG 3 − VT )2 ⇒ Z = = ≅ 3. se tiene que VSG1=VSG2.86 mA . RE RB1 + RB 2 I βVEE βI I b) IB <<IC ⇒ C ≥ 50 ⇒ β ≥ 50. VEC=4.03 V c) Ahora no puedo suponer IB <<IC.600 V IS Actualizado Octubre 03 .3 V.7 V. β ≥50. En ambos transistores VSD = VSG > VSG − VT = VSD .97 µA ⇒ IC=209 µA. se tendrá: VDD = 2.1 L 3 κ ′(VSG 3 − VT )2 0. sat c) Como ambos transistores son iguales (κ1 = κ2) y ID1 = ID2.7 V ⇒ IE=IC= EE = 215 µA.7 V.86 V.6Ω ln 1 I0 I0 ⎪ I V EB1 = VT ln 0 ⎪ ⎪ IS ⎭ I c) v EB1 = v EB 3 = VT ln 0 = 0. luego VE=5. VC2=-9. los transistores presentarán VT = VSG (umbral ) = 0.7 V . VC9= VC10=4.CAB 6 SOLUCIONES 1 RB 2 V − VE = 5.14 V. VC7= VC8=-1.6 − 0. Todas las corrientes de colector son iguales entre sí e iguales a 1.86 mA. VC3=3. I B = EE RE ( β + 1) a) VE = VEB + VB = VγE + VEE 2 10 − VEB1 − VEB 2 + 10 = I C1 = I C 2 = 1. VC4= VC5=0. 3 a) Si ha de entregar corriente. IB IB I C (RB1 + RB 2 )I C La más restrictiva. VC6=3.5V e ID3 = I0 = 1 mA.72 mA. VC1=9. Al ser VSG1+VSG2=VDD resulta: VSG1 = VSG 2 = d) Puesto que VSG3 = VSG1 =2. R1 Resolviendo mallas calculamos el resto de corrientes y tensiones: IR4=3.72 V.

5vi Cuando − VD = VZ = 3 V se produce la ruptura.2 mV RΒ vo = Actualizado Octubre 03 . pues la otra solución no hace VGS>VT d g vi b) Circuito equivalente: gmvgs ⎫ vo = g m v gs RL s 2 R1 + RL v o - ⎪ vo g m RL ⎬ = ⎪ vi 1 + g m ( R1 + RL ) vi = v gs + v s = v gs (1 + g m ( R1 + RL ))⎭ v Como gm=2κ(VGS-VT)=2 mS ⇒ o = 0. RC1 VEB1 = VEB 2 + I E 2 R2 = VEB 2 + β2 +1 I C 2 R2 ≈ VEB 2 + I C 2 R2 β2 ⎛I R ⎞ ⎛ V − VEB 2 ⎞ I C1 ⎟ = exp⎜ C 2 2 ⎟ ⇒ R2 = 1.5 kΩ ⇒ β = − AV π = 100 I B3 RC 3 c) I C 3 = βI B 3 = 5 mA.4 − 156.025 rπ = = 0. VS = −V DD + I D R2 ⇒ R2 = 1 kΩ 2 7 a) Diodo cortado ⇒ ID=0. I C = 2 mA Comprobamos transistor en activa: I B > 0.5vi ⇒ vi = −10. y además vo = −155.25 kΩ IB c) − VD = vCE − v BE = (VCE + vce ) − (VBE + vbe ). con VCE = 2 V . VT=VGsumbral=-4 V 2 a) I RL = 0 ⇒ I R1 = 2 mA = I D = κ (VGS − VT ) = κ (V I − I D R1 − VT ) ⇒ R1 = 2. luego I B = 0. VCE = VEE − I C 3 RC 3 = 5 V > VCEsat 6 Al ser transistores de canal n deplexión. VG = −V DD . vce = vo .02 mA.CAB 7 5 a) I C1 = VEE − VEB1 = 2 mA. I C = βI B . vbe = vi .6 V .025 donde rπ = = 1. sin llegar a ruptura.4 V < 0.5 ⎟ ⎜ ⎟ v B ⎠ π ⎠ i ⎝ B ⎪ ⎝ i b rπ vo vi ib = i βib R C ⎪ rπ ⎭ 0. b) Circuito equivalente: vi − v o ⎫ RC − βib RC ⎪ RB ⎛ RC βRC ⎞ vo ⎪ ⎛ RC ⎞ + ⎬vo ⎜1 + ⎜ R ⎟ = vi ⎜ R − r ⎟ ⇒ v = −155.2 Comprobamos diodo cortado: VD = VBE − VCE = −1. VCE = VCC − ( I C + I B ) RC = 2 V > 0. sustituyendo 3 = 1. VCC = ( I C + I B ) RC + I B RC + V BE .84 kΩ ≈ exp⎜ EB1 ⎟ ⎜ V ⎟ ⎜ IC2 VT ⎠ ⎝ T ⎠ ⎝ b) i=0 + vs Req→∞ ib rπ βib RC3 - vo vo = − βRC 3ib ⎫ vo β ⎬ AV = = − RC 3 vs = rπ ib vs rπ ⎭ r 0.706 vi v s = g m v gs ( R1 + RL ) c) I D = κ (VGS − VT ) . VBE = 0.5 kΩ .

dado que ic = βib >> ib: ⎫ RC + RE1 vo ⎬vce = vc − ve = −(RC + RE1 )ic = ve = RE1 (ic + ib ) ≈ RE1ic ⎭ RC De donde: vo = vc = − RC ic ic v RC 1 =− .23 kΩ Y de aquí R E 2 = R E − RE1 = 0. con RE = RE1 + RE 2 . saturación =5V = I C (RC + RE1 ) iC = I C + i c ≥ 0 ⇒ i c = − vce ≥ − I C ⇒ vce ≤ I C (RC + RE1 ) ⇒ vce RC + RE1 vce max max. sat ⇒ vce Y de que no se corte: max.corte Como la saturación no limita. sat = vce max.CAB 8 8. VCC RC RB RB rπ ib ve v o= v c vi RE1 RE2 + RE1 β ib RC VBB Circuito de continua a) En continua. las ecuaciones del circuito: Circuito de alterna VBB = I B RB + VBE + (I C + I B )RE VCC = I C RC + VCE + (I C + I B )RE Suponiendo el transistor en activa directa I C = βI B : VBB = IC β (RB + (β + 1)RE ) + VBE ⇒ I C IC =β VCE = VCC − β (βRC + (β + 1)RE ) = VCC − βRC + (β + 1)RE (VBB − VBE ) ≈ VCC − β RC + RE (VBB − VBE ) RB + βRE RB + (β + 1)RE VBB − VBE V − VBE ≈ β BB RB + (β + 1)RE RB + βRE b) Despejando RE de la última fórmula: VCC − VCE RB − βRC V − VBE = 0. o = vce RC + RE1 vce RC + RE1 d) La condición de que el transistor no se sature: vCE = VCE + vce ≥ VCE . saturación ≤ VCE − VCE .76 kΩ ⇒ I C ≈ 2.84 mA RE ≈ BB ⎛ VCC − VCE ⎞ β ⎜1 − ⎜ V −V ⎟ ⎟ BB BE ⎠ ⎝ c) En alterna.53 kΩ Actualizado Octubre 03 . hay que fijarse en el corte: I C (RC + RE1 ) = vce max ⇒ RE1 = IC − RC = 0.

Entonces ID circula por RD y VD = IDRD = 10 V O RL b) El transistor.1 × (− 0. R4 vi gmvgs S D vo R3 b) En pequeña señal la puerta está a tierra por efecto del condensador C. De la medida de VS = 14 V ⇒ ID = (VSS-VS)/RS = 1 mA. VG = VSS = 15 V. Pero además en este circuito VG < 0 mientras que VS > 0.1 La raíz negativa se ha desechado desde el principio pues llevaría a VGS-VT negativo. g m = 2k (VGS − VT ) = 2 mΩ -1 G c) g m v gs = g m (v g − v s ) = − g m v s v s = vi + g m R4 v gs = vi − g m R4 v s ⇒ vi = (1 + g m R4 )v s ⎫ vo g m R3 ⎪ = = 9. como IG = 0.CAB 9 9.9 + 2) =1V 2 × 1 × 0.VDS = VDD − I D (R3 + R4 ) = 4 V > 1 V = VGS − VT Así que efectivamente está saturado. lo que quiere decir que el transistor funciona con tensiones VGS negativas y ha de ser por tanto VT = -2 V a) Las ecuaciones del circuito de continua son. está conduciendo con VSG = VS-VG = -1 V < 0.: VG = VGG VO Por otra parte si el transistor está saturado I D = k (VGS − VT ) que introducido en la primera de las ecuaciones precedentes conduce a: 2 VDD = VDS + I D (R3 + R4 ) R2 = VGS + I D R4 R1 + R2 R2 R4 VG = VGS + kR4 (VGS − VT ) ⇒ VG − VT = VGS − VT + kR4 (VGS − VT ) ⇒ 2 2 ⇒ kR4 (VGS − VT ) + VGS − VT − (VG − VT ) = 0 ⇒ 2 ⇒ VGS − VT = − 1 ± 1 + 4kR4 (VG − VT ) 2kR4 = − 1 + 1 + 4 × 1 × 0. Con este valor: I D = 1 mA. VSS RG IG=0 G D RD S RS ID VS ID a) En continua. ro no está presente (es infinita) pues en la expresión de la corriente de drenador no aparece el efecto Early. puesto que no hay corriente de puerta. Como no hay corriente por RL: VO = 0 V.9 vin(t) id(t) = -vs(t)/RS ⇒ vo (t ) = vd (t ) = id (t ) R D R L = −v s (t ) d) La corriente total de drenador es: RD RL RS = −4. Por tanto ha de ser de deplexión D=O ig=0 G id S id RG RS RD RL c) Del circuito vg(t) = vin(t) y de la medida vs(t) = 0. de canal p.83 ⎬⇒ vo = − g m R3 v gs = g m R3 v s v i 1 + g m R4 ⎪ ⎭ Actualizado Octubre 03 . incompatible con la suposición de que el transistor conduce.5vin (t ) + vin (t) i D (t ) = I D + vo (t ) VSS − VS v (t ) v (t ) = + o = 1 mA + o 5 kΩ RD RL RS RD RL Cuando la corriente iD se anula vo(t) = –1 mA 5 kΩ = –5 V 10 VGG R1 VDD R3 D G S Los transistores JFET son de deplexión.

real Una ecuación de malla para calcular VCE: VCE = V BE + I B R BC > V BE > VCE . ib ≅ 0.7 V Si β es muy grande.1 V ⇒ β > I 0 R BC 0.: − g m R L R BC v be g m R L R BC v e g m R L R BC ⎫ vs v . Por ejemplo: vs v e = −ib rπ = v s + R S (β + 1)ib ⇒ ib = − rπ + (β + 1)R S g m v be = − g m v e β R L R BC R L R BC R L R BC R L R BC v o − β R L R BC ib = = = → = ≈ 10 vs vs rπ + (β + 1)R S rπ β + (1 + 1 β )R S rπ β + R S 1 g m + R S 12. puesto que ib = 0.1 b) En pequeña señal por efecto de los condensadores la base queda a tierra y RBC en paralelo con RL.1 V 0. Para que el error cometido en VCE por despreciarIB fuera menor de 0. pero desde luego no implica que ic sea nula: el producto βib está indeterminado Una solución es trabajar con gm que tiene un valor finito: B rπ rπ = Vt I B = β Vt I C → ∞ g m = I C Vt = 20 mΩ -1 Un BJT con una β muy grande se parece pues en alterna a un JFET: la base está en circuito abierto y el generador de corriente está gobernado por la tensión base – emisor. La fuente ideal de corriente continua es un circuito abierto. a) El circuito equivalente de pequeña señal queda: Ii Vi RB rπ Ib βIb RL de donde Ri = vi = RB (rπ + ( β + 1) RL ) ≅ RB βRL con lo que RB = 1 MΩ ii Actualizado Octubre 03 .CAB 10 11. El valor de VCE: VCE = V BE + β R BC ≈ V BE ≈ 0.02 ⇒ β ≥ 50 β IC I C . sast I0 RS El transistor no puede estar saturado. Los elementos del circuito equivalente del transistor: Ri RS vs ib βib=gmvbe E C vo RBC||RL Esto quiere decir que ib es también muy pequeña en alterna. Al final. rπ y β normalmente como si tuvieran valor finito y derivar las fórmulas. aprox ∆I C − IB 1 = = = ≤ 0. VCC I0 a) En el colector del transistor. se hacen tender rπ y β a infinito teniendo en cuenta que su cociente es finito.5 × 100 = = 500 0. en continua y activa directa.y con β arbitrariamente grande: I0 = I B + IC ≈ IC El error cometido en el cálculo de IC: VO RL RBC I C . real I C .1 V (que es más o menos la precisión que se tiene en VBE y por tanto no merece la pena afinar más): ∆VCE = I 0 R BC β < 0. Entonces. real − I C . o = = = ≈ 10 ⎬ ⇒ ve = v e = v x + g m R S v be ⎭ vs vs 1 + g m RS v s 1 + g m RS v be Ri = − = 1 g m = 50 Ω − g m v be Otra solución es trabajar con ib.

15 µA.15 V Margen a la saturación: v CE = VCE + v ce = VCE − v o ≥ VCE .5 mΩ-1.67 kΩ v i = v be + v o ⎫ ⎪ v be = ii R X ⎬v i = ii (R X + (1 + g m R X )RY ) ⇒ Ri = R X + (1 + g m R X )RY ≅ 148 kΩ v o = (1 + g m R X )RY ii ⎪ ⎭ O bien. dado que rπ || R3 ≅ rπ. se tendrá que ii ≅ ib.4 mA R B + (β + 1)R E R2 RR = 6 V y R B = R3 + 1 2 = 20 kΩ son la tensión y la resistencia R1 + R2 R1 + R2 IC = β equivalentes de Thévenin.715 mA R B + (β + 1)R L 2000 β +1 R L ) ≅ 15 − 0.8 ≅ 5. Por tanto: v i = ib rπ + v o ⎫ ⎬v i = ib (rπ + (1 + β )RY ) ⇒ Ri ≅ rπ + (1 + β )RY ≅ 170 kΩ v o ≅ (1 + β )RY ib ⎭ Actualizado Octubre 03 . respectivamente.65 V Las relaciones entre las magnitudes de pequeña señal se obtienen del circuito equivalente (apartado a)) Luego la máxima amplitud de la señal de salida simétrica es 5.sat = 5. VCE = VCC − I C ( RC + c) Margen al corte: VCC − V BE 143 ≅ = 0.91 kΩ. RY = RE||R1||R2 ≅ 1.3 Vpp) 13.CAB 11 VCC RB RC b) En continua: VCC = I B R B + V BE + (β + 1)I B R L ⇒ I C = βI B = β I B = 7.65 Vp (11.2 = 5. del circuito que polariza la base b) El circuito de pequeña señal queda: ii(t) vi(t) vbe rπ||R3 gmvbe= =βib vo(t) RE||R1 ||R2 Donde gm = IC/Vt = 95.85 V > VCE . VCC a) Para el circuito de continua se puede utilizar la expresión habitual: R1 R3 R2 RE Donde V BB = VCC V BB − V BE ≅ 2. rπ = β/gm ≅ 1 kΩ c) Llamando RX = rπ||R3 ≅ 0. sat β I C R L (β + 1) iC = I C + i c = I C + v o RL (β + 1)RL β ≥ 0 ⇒ vo ≥ − β ≅ − I C R L = −7.sat ⇒ v o ≤ VCE − VCE .85 − 0.715 ⋅ 12.

Sin embargo. : G1 S1≡ S2 vo v gs1 = v g1 − vs1 = vi − vo vi gmvgs1 ro Req vo = g m v gs1 ro Req = g m ro Req (vi − vo ) ⇒ vo = g m ro Req 1 + g m ro Req = 0. como afirma el enunciado. La polarización es la misma en las dos etapas. El circuito equivalente de la fuente es: Y se pide Req = vx/ix: i x D + ro S≡G gmvgs Req = vx vx = ix vx g m v gs + vx ro = (v gs = 0) = ro ≈ 50 kΩ - c) El circuito equivalente de pequeña señal. La ecuación de la corriente de drenador para Q2. en saturación e ignorando el efecto Early. se tiene 2 2 I D 2 = k (VGS 2 − VT ) = k (VGS 1 − VT ) = I D1 ⇒ VGS 1 = VGS 2 = 0 Y como el nivel de continua en la puerta de Q1 es cero: 0 = VGS1 = VG1-VS1 = 0-VO ⇒ VO = 0 Nótese que no se ha utilizado el valor de las tensiones de alimentación: sería preciso conocerlas para calcular el valor de VDS y verificarla saturación de los transistores y la coherencia de los resultados. es. que tiene puerta y fuente cortocircuitados. véase además que VGS2 = 0: si conduce.5 kΩ: vg βib1 βib2 Actualizado Octubre 03 . su corriente es: I D1 = k (VGS 1 − VT ) 2 Puesto que el nudo de salida está abierto. el enunciado asegura la saturación y no se pide la comprobación. ro ≅ VA/ID = 50 kΩ. con la fuente de corriente reducida a su resistencia equivalente.VCE = VCC − I C RC = 7 V > VCE. b) Los dos transistores son iguales y están polarizados con la misma corriente de drenador.CAB 12 14. y por tanto los parámetros de su circuito equivalente de pequeña señal son iguales: gm = 2k(VGS-VT) = 2 mΩ-1. con rπ = Vt/IB = 2.98 D1≡D2 ≡G2 d) La resistencia de salida es la relación entre la tensión aplicada a la salida y la corriente que entra por ella con las fuentes de señal anuladas: G1 ix gmvgs1 ro Req S1≡ S2 + vx v gs1 = v g1 − vs1 = −v x ix = − g m v gs1 + vx v v = g m v x + x ⇒ Ro = x = 1 g m ro Req = 490 Ω ro Req ro Req ix D1≡D2 ≡G2 15. la tensión umbral ha de ser negativa VT = -1 V.sat RB RG ib1 RB rπ ic1 vce1 RC RB ib2 rπ ic2 vo≡ vce2 RC RL En pequeña señal. I C = βI B = 2 mA. : I D 2 = k (VGS 2 − VT ) = kVT = 1 mA 2 2 Como Q1 está también saturado. a) Los transistores JFET son de deplexión. Con los transistores en activa directa: IB = VCC − VBE = 10 µA.

sat ⇒ vce1 ≥ −VCE + VCE .5 = 1 V RC RL El segundo transistor no se satura: vCE 2 = VCE + vce 2 ≥ VCE .sat ⇒ vo ≤ El segundo transistor no se corta: vo (− VCE + VCE .714 = −58. 16. y TN en base común d) En los nodos de emisor: (β+1)ibN = -(β+1)ibP ⇒ ibN = -ibP Actualizado Octubre 03 .sat = −7 V Luego el margen dinámico está limitado por el corte del segundo transistor y vale 1 Vp.6 rπ RB ≈ rπ R G + rπ v g vce1 vg ib 2 rπ ib1rπ (R G + rπ RB ) Para calcular el margen dinámico se examina cuánto ha de valer vo para que ningún transistor se corte ni se sature: El primer transistor no se corta: iC1 = I C + ic1 = I C − vce1 v ≥ 0 ⇒ vce1 ≤ I C rπ RC RB ⇒ vo ≥ o I C rπ RC RB = −40. Como la segunda etapa tiene mucha ganancia variaciones de tensión muy grandes a la salida corresponden a variaciones de tensión mucho más pequeñas a la salida de la primera etapa. ni mucho menos. a) +VCC IX 8R IC/β TN IX-IC/β RE (1+1/ β)IC RC I C La corriente de emisor de los transistores es la misma. TP B ibP rπP R/2 βibP E RE ibN βibN E TN C vi rπN B RC vo C c) TP trabaja en colector común. donde rπN = rπP ≡ rπ = kT/e β/IC = 1. Y para verificar el funcionamiento en modo activo directo: VCEN = VCC − I C RC − (VCC − 8 RI X − VBE ( ON ) ) = 9.6 V vce1 iC 2 = I C + ic 2 = I C − vo ≥ 0 ⇒ vo ≤ I C RC RL = 2 × 0.8 × 2 × 0. así que es lógico que el margen dinámico no venga limitado.25 kΩ.1 V -VCC b) En pequeña señal el circuito equivalente es el siguiente.sat ) = −40. El primer transistor no se satura: vCE1 = VCE + vce1 ≥ VCE . este razonamiento es válido tanto en continua como en alterna) La caída de tensión a lo largo del divisor resistivo: 2VCC = R(10 I X − I C β ) ≅ 10 RI X ⇒ I X ≅ 2VCC / 10 R = 1 mA Donde se ha despreciado la corriente de base frente a 10IX. si están ambos en activa directa y dada la igualdad de las βs y la ausencia del efecto Early.sat ⇒ vce 2 = vo ≥ −VCE + VCE . Observando la diferencia de tensión entre las bases de los dos transistores: R IC/β RI X = 2VBE ( ON ) + (1 + 1 β )RE I C ⇒ I C ≅ RI X − 2VBE ( ON ) RE = 2 mA TP IX R IC/β = 0.9 V VECP = −VCC + RI X + VEB ( ON ) − (− VCC ) = 3. lo que puede validarse a posteriori.8 = 1632.8 × −7 = 285.CAB 13 ib1 = rπ RB R G + rπ RB rπ vg − βib 2 RC RL − βib1 rπ RC RB − β RC RL − β rπ RC vo v v = o ce1 = = −40 × −40. lo que justifica la aproximación anterior. las corrientes de colector son iguales.02 mA << 1 mA = IX.3 V vce1 rπ RC RB Donde se ha aprovechado el valor de vo/vce1 que se dedujo al calcular la ganancia. por ésta. IC (por cierto. Notar que la desigualdad cambia de sentido al multiplicar ambos lados por vo/vce1 que es negativo.

CAB 14 Av = e) vo βRC − βRC ibN 500 kΩ = = = = 9. limitado por la saturación de TN. que en los ejes pedidos es una recta: β log( Z R ) 0 Z =R Z =R β ω ω0 = 1 0 ω ω0 = β + 1 log(ω ω 0 ) Actualizado Octubre 03 .sat ) ≅ 31 V RE RC Luego el margen dinámico.sat ⇒ vo ≥ C (VECP − VEC .sat a) En continua: IB = VCC − V BE r kT e kT e ⇒ π = = R R RI B VCC − VBE b) En alterna: Id Vg R Ib rπ C Z= Vg Id = I b rπ + R(I b + I b jωCrπ ) rπ + R(1 + jωCrπ ) = ≅ βI b + I b + I b jωCrπ β + 1 + jωCrπ βIb ⎛ rπ << R ⎞ 1 + jωCrπ 1 + jω ω0 ≅⎜ ⎜ β >> 1 ⎟ ≅ R β + jωCr = R β + j ω ω ⎟ ⎝ ⎠ π 0 Y tomando el módulo Z = R β 2 + (ω ω 0 ) 1 + (ω ω 0 ) 2 2 c) En la región de interés ω/ω0 es despreciable frente a β y 1 frente a ω/ω0: Z ≅R ω ω0 ⇒ log( Z R ) ≅ log(ω ω 0 ) − log β .sat ⎪ ≅ −VCEN = −9.9 Vp 17. es 9.2 kΩ 2 2 f) El corte de los dos transistores sería simultáneo por la igualdad de las corrientes de colector: iCN = iCP = I C + ic = I C − vCEN = VCEN + vcen ≥ VCE .5 kΩ = Ri = vi vi + ibP R2 vi vi − ibN R2 = = vi vi v + o R 2 βRC = 1 A 1 + v R 2 βRC = 1 1 1 + R 2 (β + 1)RE + 2rπ = R ((β + 1)RE + 2rπ ) ≅ R = 1.9 V ⎛ rπ rπ ⎞⎬ ⇒ vo ≥ rπ ⎟⎪ = −icn RC + icn = vo ⎜1 − ⎜ βR ⎟ 1− β C ⎠⎭ ⎝ βRC Y la de TP: ⎫ ⎪ − r β + (1 + 1 β )RE R ⎬⇒ ≅ − vo E ⎪ vecp = −ibn rπ + iep RE = icn (− rπ β + (1 + 1 β )RE ) = −vo π RC ⎭ RC R R ⇒ −vo E ≥ −VECP + VEC .5 vi ibP (rπP + (β + 1)R E ) − rπN ibN (β + 1)R E + 2rπ 52.sat vcen vo ≥ 0 ⇒ vo ≤ I C RC = 10 V RC La no-saturación de TN impone: ⎫ − VCEN + VCE . ID VCC R IB v ECP = VECP + vecp ≥ VEC .

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