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43015225 Ejercicios de Bjt y Fet Resueltos

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CAB 1 CIRCUITOS AMPLIFICADORES BÁSICOS 1.

a) Calcule el punto de trabajo (IC, VEC) del transistor del circuito suponiendo IB ≅ 0 b) Halle el rango de valores de β para el que la aproximación anterior es válida (considerando despreciable si 1<<50) c) Calcule el punto de trabajo para β = 35 DATOS: VγE ≅ 0,7 V; VEE = 10 V; RB1 = RB2 = 10 kΩ; RC = 8 kΩ; RE = 20 kΩ

+VEE

RB1

RE

RB2

RC

2. Suponiendo |VBE| ≅ 0,7 V y β → ∞, calcule la corriente que circula por todas las ramas del circuito y el voltaje en todos los nodos

+5V Q10 Q11

+10V Q1 Q3

+10V Q4

R5
1kΩ

R2
2kΩ

R1
10kΩ +5V

R4
1kΩ Q9 Q8 Q7 Q2

R3
1kΩ Q6 Q5

-10V

-10V

3. Se quiere construir una fuente de corriente continua que suministre una corriente I0 = 1 mA según indica la figura. Para ello se utilizan MOSFETs de acumulación en la configuración de espejo de corriente mostrada. a) Si todos los transistores del circuito son del mismo tipo, indicar cuál ha de ser +VDD=5V éste (canal n o canal p) para que la fuente funcione correctamente. Justifique muy S S brevemente la respuesta. T1 T3 b) Demostrar que T1 y T2 trabajan en saturación. G G D c) Si T1 y T2 son iguales (misma relación de aspecto, Z/L), calcular las tensiones D VGS de ambos transistores (VGS1 y VGS2). d) ¿Cuál ha de ser la relación de aspecto Z/L de T3 para que I0 = 1 mA? I0=1mA

S T2 D

G

DATOS: Todos los transistores tienen |VT| = 0,7 V y κ ′ = 0,1 mA ⋅ V -2 (κ=κ’Z/L)

Actualizado Octubre 03

VI+ Vi senωt c) Si la fuente de corriente se realiza con otro FET idéntico al anterior como se ve en la figura 2.025 V IS = 7. El circuito de la figura permite medir el parámetro β del transistor T3 a través de la ganancia de tensión en pequeña señal Av=vo/vs. IO=2 mA IO vO(t)= VO+ Vo senωt RL=10 kΩ R2 DATOS: Los transistores FET. mediante un circuito Widlar. a) Si el nivel de continua a la entrada es VI=3 V. RC3 = 1 kΩ. T3. VEB2. Para ello se polariza un circuito en emisor común con una corriente de base (IB3=IC2) fija. con κ=0. R1 calcular R2 para tener la corriente I0=2 mA. Sabiendo que todos los transistores operan en activa. cumpliendo -VDD -VDD I D = κ (VGS − VT ) . VT = 25 mV.65 kΩ. efectivamente. El circuito de la figura muestra una fuente de corriente compuesta por cuatro transistores pnp. de 50 µA. La fuente de corriente continua es ideal. para realizar esta polarización se requiere una fuente Widlar con transistores pnp.10-14A VEE R1 VEE Q1 Q2 VEB .2 V. b) Calcular entonces la ganancia de pequeña señal. b) Si la ganancia medida a frecuencias medias vale Av=vo/vs=-200. VEB1 = VBE3 = 0. VEE R2 RC3 T1 I C1 RC1 O O T2 I C2 T3 C vs Req Amplificador EC vo Fuente Widlar DATOS: β1 = β2 >>1. RC1 = 4. a) Calcular la corriente IC1 y la resistencia R2 para obtener esa corriente de base en T3. c) Las tensiones VEB1. c) Para el valor de β obtenido en b) comprobar que. se encuentra en activa. VDD calcular R1 para que el nivel de continua a la salida sea VO=0 V. ¿cuál es el valor de β del transistor T3?. El circuito de la figura 1 muestra un desplazador de nivel de continua.CAB 2 4. VEE = 10 V. Suponga en este apartado que el transistor T3 se encuentra en activa y que la resistencia equivalente en pequeña señal de la fuente Widlar vista entre los terminales BE de T3 es infinita. de deplexión.5 mA/V2 y ⎜VT⎜=4 V 2 Figura 1 Figura 2 Actualizado Octubre 03 .7 V ≠VEB2 (en activa). calcule: a) La corriente IREF suponiendo VEB2 ≅ VEB4 ≅ 0.5.6V b) El valor de la resistencia R1 para que la corriente I0 sea 5 veces menor que IREF. C = 100 µF 6. VCEsat=0. son idénticos y trabajan siempre en saturación.4 kΩ VEE = 10 V VT = 0. VEB3 y VEB4 con tres cifras significativas. vI(t)= AV=vo/vi. el transistor medido. considerando que para todos los transistores I C ≅ I S exp DATOS: R2 = 4. Notar que en estas condiciones la corriente continua a través de la carga RL es nula. Desprecie las corrientes de base respecto a las demás del circuito. VT Q3 Io Vo Q4 IREF R2 5. Dado que el transistor T3 es de tipo npn.

en función de vin(t) d) ¿Para qué valor instantáneo de la tensión de salida vo(t) de pequeña señal se corta el transistor? Actualizado Octubre 03 .5 V. β = 200 (β >> 1 para todos los cálculos) VBB RE2 CE V SS=15V R G =1M Ω C →∞ G S iD D RD =10kΩ RS =1kΩ 9. Con el transistor saturado (activa) se ha medido la tensión instantánea en el nodo S. siendo |vce|max la máxima excursión de vCE en torno al punto de trabajo tal que el transistor ni se corta ni se satura VCC RC vo CC RB vi + RE1 DATOS: RB = 10 kΩ.6 V. β=100. El diodo Zéner puede estar en tres estados posibles: comience el análisis para el caso de que se encuentre en inversa con ⎜VD⎜< VZ (valor absoluto de la tensión de disrupción del diodo). La figura muestra un amplificador con MOSFET de canal p atacado por un generador vin(t) de pequeña señal alterna y frecuencia media. VCE. C→∞. VCEsat=0. VCC = 10 V. O. RB =70 kΩ.9 vin(t) Se le pide: a) Calcular las tensiones que se medirían en los nodos D.7 V. b) Se aplica una señal vi variable con el tiempo. El circuito de la figura muestra un amplificador en emisor común con resistencia de emisor. IB y VCE). c) ¿Para qué valor instantáneo de vi se produce la ruptura inversa (Zéner) del diodo? DATOS: VCC = 6 V. Esto permite un mejor diseño del punto de trabajo y el margen dinámico. 8. VZ=3 V. En el circuito de la figura: VCC VD + RC RB vi vO=Vo+vo a) Encuentre el punto de trabajo del transistor (IC. Obtenga la relación vo/vi (suponga que el diodo no conduce). VγE = 0. CE = CC → ∞ VγE ≈ 0. VBB = 3 V.sat ≈ 0. la resistencia de emisor es diferente para el circuito de continua y para el circuito de alterna. a) b) c) d) Calcule el punto de trabajo (IC y VCE) en función de RE = RE1+RE2 Determine el valor de RE para que VCE = 5 V. ro → ∞.2 V. G y S si O la señal fuera anulada (vin(t) = 0) C→∞ b) Razonar de qué tipo (acumulación o deplexión) es el transistor R L=10k Ω c) Calcular las tensiones alternas en los mismos nodos con la señal presente. VT = 25 mV. RC = 1 kΩ.CAB 3 7. Debido al condensador CE. obteniéndose: + vin (t) vS(t) = 14 V + 0. RC =2 kΩ. Calcule ahora el valor numérico de IC Calcule en alterna las relaciones ic/vce y vo/vce en función de RE1 Determine el valor de RE1 para que |vce|max = 3.

desprecie el efecto Early (ro → ∞. dando el valor de los parámetros gm y rπ c) Calcular la resistencia de entrada que ofrece el circuito a frecuencias medias. aproximación que puede usar si lo juzga conveniente Actualizado Octubre 03 .5 mA vo C→∞ Ri RS 50 Ω RL 1 kΩ C→∞ vs 12. R4 = 0. ro → ∞ VCC RB RC C Ii C Vo RL vi 13. VGG = -10 V. con k = 1 mA⋅V-2. Para el circuito seguidor de emisor (colector común) de la figura: a) Calcular RB para que la impedancia de entrada Ri = vi/ii = 500 kΩ.1 MΩ.025 V.9 kΩ.sat ≅ 0. se pide: VCC ii(t) C vi(t) R1 R3 R2 C RE vO(t) a) Calcular la corriente de colector de polarización IC b) Dibujar el circuito equivalente de pequeña señal. VγE ≅ 0. VγE ≅ 0.8 kΩ. R1 = 9. R3= 5. Para el circuito de la figura: a) Calcule los valores de continua de IC y VCE suponiendo β → ∞. Calcule a continuación el valor mínimo de β para que el error cometido en el cálculo de IC sea menor de 2% y que la precisión en el cálculo de VCE sea mejor que ±0. RC = 2. VA → ∞) NOTA: en este circuito rπ << R3 de forma que rπ || R3 ≅ rπ. |VT| = 2 V C R2 R4 vi 11. R2 = 0. R1 = R2 = 20 kΩ.7 V. C → ∞. ID. VA → ∞ RBC 100 kΩ VCC I0 0. el transistor JFET obedece la ecuacion iD = k (vGS-VT)2.025 V Transistor: β = 100. IB c) Obtener el margen dinámico (máxima amplitud de la señal senoidal a la salida sin distorsión) DATOS: VCC = 15 V. VDD = 10 V. indicando los valores numéricos de los parámetros del circuito equivalente del transistor c) Calcule la ganancia de tensión Av = vo/vi VGG R1 VDD R3 D G S VO+vo DATOS: C → ∞.CAB 4 10.1 kΩ En saturación. IC. VγE = 0. VT = 0. VDS) del transistor.025 V.7 V. VCE.9 MΩ. RL = 10 kΩ. RE = 2 kΩ. Para el amplificador en colector común de la figura.1V b) Calcule la resistencia de entrada Ri y la ganancia de tensión vo/vs en pequeña señal suponiendo β → ∞ DATOS: Vt = 0. R3 = 10 kΩ. Determine la región de funcionamiento b) Dibuje el circuito equivalente de pequeña señal.7 V. Para el circuito amplificador de la figura: a) Calcule el punto de trabajo (VGS. Ri = vi(t)/ii(t) DATOS: C → ∞. Suponer que βRL >> rπ Con este valor de RB: b) Determinar el punto de trabajo del transistor VCE.2 V. VCC = 12 V BJT: β = 100. Vt = 0.

donde ω0 = 1/rπC DATOS: β >> 1. Ro a) DATOS: k = 1 mA⋅V . Se pide: 8R +VCC=12V RC=5kΩ vo TN a) b) c) d) e) f) Calcular el punto de trabajo de los transistores Dibujar el circuito equivalente para alterna y pequeña señal Decir en qué configuración trabaja cada transistor Calcular la ganancia de pequeña señal Av = vo/vi Calcular la impedancia de entrada al amplificador. tensión de Early VA = 50 V -2 +VDD D G Q1 S D G Q2 S vi vo Ro -VSS 15. RB = 1. es amplificada por el circuito de la figura. ro → ∞.43 MΩ. Ri Calcular el margen dinámico del amplificador vi R=2. se pide: Valor de continua de la corriente de drenador ID2 y de la tensión puerta a fuente VGS de cada uno de los transistores (ignore el efecto Early.CAB 5 14. de pequeña amplitud. VA → ∞ A la frecuencia de la señal los condensadores pueden tratarse como cortocircuitos TP Ri R -VCC =-12V 17. los efectos capacitivos en el transistor son despreciables iD vg VCC R log(Z R ) C ω log( ω 0 ) Figura 2 Figura 1 Actualizado Octubre 03 . VCE. Calcule la ganancia vo/vg y el margen dinámico del amplificador de dos etapas de la figura.4kΩ RE =0. resistencia equivalente de la fuente de corriente Q2 vista desde su drenador c) Ganancia de tensión de pequeña señal vo/vi d) Resistencia de salida en pequeña señal. Considerando que ambos transistores son idénticos y trabajan en saturación.7 V. sólo en este apartado) b) En pequeña señal. VA → ∞.VBE >> kT/e c) Expresar y dibujar aproximadamente en la gráfica de la Figura 2 la función |Z|/R en la región en que se cumple ω0 << ω << βω0. La señal alterna vi. RC = 4 kΩ β = 200. siendo Vg e Id las amplitudes complejas (fasores) de vg e id y sabiendo que VCC .sat ≅ 0 V.VCE. VγE = 0.sat = VEC. Rg = RL = 1 kΩ.5kΩ DATOS: Para ambos transistores: β = 100. El circuito de la figura es un amplificador seguidor de fuente realizado con JFETs en el que Q2 actúa como fuente de corriente. DATOS: VCC = 15 V. se pide: a) Expresar el valor de rπ/R b) Expresar la relación |Z| = |Vg/Id| de pequeña señal en función de la frecuencia.7 V.sat ≅ 0 V +VCC RB Rg C→∞ vg RC RB C→∞ RC vo C→∞ RL 16. Para el circuito de la figura 1. |VT| = 1 V. VBE(ON) = VEB(ON) = 0.

5 . I B = EE RE ( β + 1) a) VE = VEB + VB = VγE + VEE 2 10 − VEB1 − VEB 2 + 10 = I C1 = I C 2 = 1. Al ser VSG1+VSG2=VDD resulta: VSG1 = VSG 2 = d) Puesto que VSG3 = VSG1 =2. R1 Resolviendo mallas calculamos el resto de corrientes y tensiones: IR4=3. VC3=3.86 V. β ≥50. Todas las corrientes de colector son iguales entre sí e iguales a 1.7 V. sat c) Como ambos transistores son iguales (κ1 = κ2) y ID1 = ID2. 3 a) Si ha de entregar corriente.72 V. VC6=3.560 V IS I v EB 2 = VEB 4 = VT ln REF = 0.72 mA. luego VE=5.86 V. En ambos transistores VSD = VSG > VSG − VT = VSD .1 L 3 κ ′(VSG 3 − VT )2 0.3 V. V − VE = 5. los transistores presentarán VT = VSG (umbral ) = 0.CAB 6 SOLUCIONES 1 RB 2 V − VE = 5.6 = = 2 mA R2 4.3 V.03 V c) Ahora no puedo suponer IB <<IC.86 mA. pero sí IB <<I.5V e ID3 = I0 = 1 mA. VC2=-9.6Ω ln 1 I0 I0 ⎪ I V EB1 = VT ln 0 ⎪ ⎪ IS ⎭ I c) v EB1 = v EB 3 = VT ln 0 = 0. RE RB1 + RB 2 I βVEE βI I b) IB <<IC ⇒ C ≥ 50 ⇒ β ≥ 50. VC7= VC8=-1.600 V IS Actualizado Octubre 03 . VC4= VC5=0.7k ⎫ ⎪ V EB 2 = VEB1 + I 0 R1 ⎪ I I 0 R1 = VT ln REF ⎪ I I0 ⎪ V EB 2 = VT ln REF ⎬ VT I REF IS ⎪ R = = 100.98 V.97 µA ⇒ IC=209 µA. VC11=1.5 V 2 I D3 = κ ′ 4 a) b) I D3 Z 1 (VSG 3 − VT )2 ⇒ Z = = ≅ 3. IB IB I C (RB1 + RB 2 )I C La más restrictiva.14 V.7 V . VEC=3.1 × 1. se tiene que VSG1=VSG2.86 mA .7 V. IB <<IB1(= IB2) ⇒ ≥ 50 ⇒ = ≥ 50 ⇒ β ≥ 21.7 V ⇒ IE=IC= EE = 215 µA. el transistor cuyo drenador proporciona la corriente constante ha de ser de canal p b) Siendo de canal p y de acumulación.6 − 0. VC9= VC10=4. VEC=4. VC1=9. se tendrá: VDD = 2.8 2 L3 I REF = VEE − VEB 2 − VEB 4 10 − 0.3 V.

VCE = VEE − I C 3 RC 3 = 5 V > VCEsat 6 Al ser transistores de canal n deplexión. I C = βI B . VCE = VCC − ( I C + I B ) RC = 2 V > 0. VG = −V DD . VS = −V DD + I D R2 ⇒ R2 = 1 kΩ 2 7 a) Diodo cortado ⇒ ID=0.25 kΩ IB c) − VD = vCE − v BE = (VCE + vce ) − (VBE + vbe ).2 Comprobamos diodo cortado: VD = VBE − VCE = −1.84 kΩ ≈ exp⎜ EB1 ⎟ ⎜ V ⎟ ⎜ IC2 VT ⎠ ⎝ T ⎠ ⎝ b) i=0 + vs Req→∞ ib rπ βib RC3 - vo vo = − βRC 3ib ⎫ vo β ⎬ AV = = − RC 3 vs = rπ ib vs rπ ⎭ r 0.025 donde rπ = = 1.5 kΩ ⇒ β = − AV π = 100 I B3 RC 3 c) I C 3 = βI B 3 = 5 mA.5vi Cuando − VD = VZ = 3 V se produce la ruptura.5vi ⇒ vi = −10.2 mV RΒ vo = Actualizado Octubre 03 . sustituyendo 3 = 1.CAB 7 5 a) I C1 = VEE − VEB1 = 2 mA. VCC = ( I C + I B ) RC + I B RC + V BE . RC1 VEB1 = VEB 2 + I E 2 R2 = VEB 2 + β2 +1 I C 2 R2 ≈ VEB 2 + I C 2 R2 β2 ⎛I R ⎞ ⎛ V − VEB 2 ⎞ I C1 ⎟ = exp⎜ C 2 2 ⎟ ⇒ R2 = 1.5 kΩ . luego I B = 0. VBE = 0.5 ⎟ ⎜ ⎟ v B ⎠ π ⎠ i ⎝ B ⎪ ⎝ i b rπ vo vi ib = i βib R C ⎪ rπ ⎭ 0. y además vo = −155.025 rπ = = 0. vce = vo . VT=VGsumbral=-4 V 2 a) I RL = 0 ⇒ I R1 = 2 mA = I D = κ (VGS − VT ) = κ (V I − I D R1 − VT ) ⇒ R1 = 2. b) Circuito equivalente: vi − v o ⎫ RC − βib RC ⎪ RB ⎛ RC βRC ⎞ vo ⎪ ⎛ RC ⎞ + ⎬vo ⎜1 + ⎜ R ⎟ = vi ⎜ R − r ⎟ ⇒ v = −155. sin llegar a ruptura.4 − 156. con VCE = 2 V . vbe = vi .02 mA.706 vi v s = g m v gs ( R1 + RL ) c) I D = κ (VGS − VT ) .6 V . I C = 2 mA Comprobamos transistor en activa: I B > 0. pues la otra solución no hace VGS>VT d g vi b) Circuito equivalente: gmvgs ⎫ vo = g m v gs RL s 2 R1 + RL v o - ⎪ vo g m RL ⎬ = ⎪ vi 1 + g m ( R1 + RL ) vi = v gs + v s = v gs (1 + g m ( R1 + RL ))⎭ v Como gm=2κ(VGS-VT)=2 mS ⇒ o = 0.4 V < 0.

o = vce RC + RE1 vce RC + RE1 d) La condición de que el transistor no se sature: vCE = VCE + vce ≥ VCE .corte Como la saturación no limita. hay que fijarse en el corte: I C (RC + RE1 ) = vce max ⇒ RE1 = IC − RC = 0. saturación =5V = I C (RC + RE1 ) iC = I C + i c ≥ 0 ⇒ i c = − vce ≥ − I C ⇒ vce ≤ I C (RC + RE1 ) ⇒ vce RC + RE1 vce max max.CAB 8 8. con RE = RE1 + RE 2 . VCC RC RB RB rπ ib ve v o= v c vi RE1 RE2 + RE1 β ib RC VBB Circuito de continua a) En continua. sat ⇒ vce Y de que no se corte: max. dado que ic = βib >> ib: ⎫ RC + RE1 vo ⎬vce = vc − ve = −(RC + RE1 )ic = ve = RE1 (ic + ib ) ≈ RE1ic ⎭ RC De donde: vo = vc = − RC ic ic v RC 1 =− . las ecuaciones del circuito: Circuito de alterna VBB = I B RB + VBE + (I C + I B )RE VCC = I C RC + VCE + (I C + I B )RE Suponiendo el transistor en activa directa I C = βI B : VBB = IC β (RB + (β + 1)RE ) + VBE ⇒ I C IC =β VCE = VCC − β (βRC + (β + 1)RE ) = VCC − βRC + (β + 1)RE (VBB − VBE ) ≈ VCC − β RC + RE (VBB − VBE ) RB + βRE RB + (β + 1)RE VBB − VBE V − VBE ≈ β BB RB + (β + 1)RE RB + βRE b) Despejando RE de la última fórmula: VCC − VCE RB − βRC V − VBE = 0.84 mA RE ≈ BB ⎛ VCC − VCE ⎞ β ⎜1 − ⎜ V −V ⎟ ⎟ BB BE ⎠ ⎝ c) En alterna. sat = vce max.53 kΩ Actualizado Octubre 03 . saturación ≤ VCE − VCE .76 kΩ ⇒ I C ≈ 2.23 kΩ Y de aquí R E 2 = R E − RE1 = 0.

g m = 2k (VGS − VT ) = 2 mΩ -1 G c) g m v gs = g m (v g − v s ) = − g m v s v s = vi + g m R4 v gs = vi − g m R4 v s ⇒ vi = (1 + g m R4 )v s ⎫ vo g m R3 ⎪ = = 9. Con este valor: I D = 1 mA.83 ⎬⇒ vo = − g m R3 v gs = g m R3 v s v i 1 + g m R4 ⎪ ⎭ Actualizado Octubre 03 . De la medida de VS = 14 V ⇒ ID = (VSS-VS)/RS = 1 mA. Como no hay corriente por RL: VO = 0 V. puesto que no hay corriente de puerta. Pero además en este circuito VG < 0 mientras que VS > 0. como IG = 0. ro no está presente (es infinita) pues en la expresión de la corriente de drenador no aparece el efecto Early.9 vin(t) id(t) = -vs(t)/RS ⇒ vo (t ) = vd (t ) = id (t ) R D R L = −v s (t ) d) La corriente total de drenador es: RD RL RS = −4.CAB 9 9. VSS RG IG=0 G D RD S RS ID VS ID a) En continua. Por tanto ha de ser de deplexión D=O ig=0 G id S id RG RS RD RL c) Del circuito vg(t) = vin(t) y de la medida vs(t) = 0. de canal p. R4 vi gmvgs S D vo R3 b) En pequeña señal la puerta está a tierra por efecto del condensador C.9 + 2) =1V 2 × 1 × 0.5vin (t ) + vin (t) i D (t ) = I D + vo (t ) VSS − VS v (t ) v (t ) = + o = 1 mA + o 5 kΩ RD RL RS RD RL Cuando la corriente iD se anula vo(t) = –1 mA 5 kΩ = –5 V 10 VGG R1 VDD R3 D G S Los transistores JFET son de deplexión. lo que quiere decir que el transistor funciona con tensiones VGS negativas y ha de ser por tanto VT = -2 V a) Las ecuaciones del circuito de continua son. Entonces ID circula por RD y VD = IDRD = 10 V O RL b) El transistor. incompatible con la suposición de que el transistor conduce.1 La raíz negativa se ha desechado desde el principio pues llevaría a VGS-VT negativo.VDS = VDD − I D (R3 + R4 ) = 4 V > 1 V = VGS − VT Así que efectivamente está saturado. VG = VSS = 15 V.: VG = VGG VO Por otra parte si el transistor está saturado I D = k (VGS − VT ) que introducido en la primera de las ecuaciones precedentes conduce a: 2 VDD = VDS + I D (R3 + R4 ) R2 = VGS + I D R4 R1 + R2 R2 R4 VG = VGS + kR4 (VGS − VT ) ⇒ VG − VT = VGS − VT + kR4 (VGS − VT ) ⇒ 2 2 ⇒ kR4 (VGS − VT ) + VGS − VT − (VG − VT ) = 0 ⇒ 2 ⇒ VGS − VT = − 1 ± 1 + 4kR4 (VG − VT ) 2kR4 = − 1 + 1 + 4 × 1 × 0.1 × (− 0. está conduciendo con VSG = VS-VG = -1 V < 0.

El valor de VCE: VCE = V BE + β R BC ≈ V BE ≈ 0.y con β arbitrariamente grande: I0 = I B + IC ≈ IC El error cometido en el cálculo de IC: VO RL RBC I C . sast I0 RS El transistor no puede estar saturado.1 V 0. aprox ∆I C − IB 1 = = = ≤ 0. real Una ecuación de malla para calcular VCE: VCE = V BE + I B R BC > V BE > VCE . La fuente ideal de corriente continua es un circuito abierto. pero desde luego no implica que ic sea nula: el producto βib está indeterminado Una solución es trabajar con gm que tiene un valor finito: B rπ rπ = Vt I B = β Vt I C → ∞ g m = I C Vt = 20 mΩ -1 Un BJT con una β muy grande se parece pues en alterna a un JFET: la base está en circuito abierto y el generador de corriente está gobernado por la tensión base – emisor. o = = = ≈ 10 ⎬ ⇒ ve = v e = v x + g m R S v be ⎭ vs vs 1 + g m RS v s 1 + g m RS v be Ri = − = 1 g m = 50 Ω − g m v be Otra solución es trabajar con ib. Al final. ib ≅ 0.1 b) En pequeña señal por efecto de los condensadores la base queda a tierra y RBC en paralelo con RL. en continua y activa directa.5 × 100 = = 500 0. Por ejemplo: vs v e = −ib rπ = v s + R S (β + 1)ib ⇒ ib = − rπ + (β + 1)R S g m v be = − g m v e β R L R BC R L R BC R L R BC R L R BC v o − β R L R BC ib = = = → = ≈ 10 vs vs rπ + (β + 1)R S rπ β + (1 + 1 β )R S rπ β + R S 1 g m + R S 12. real − I C . Para que el error cometido en VCE por despreciarIB fuera menor de 0. Entonces. VCC I0 a) En el colector del transistor. Los elementos del circuito equivalente del transistor: Ri RS vs ib βib=gmvbe E C vo RBC||RL Esto quiere decir que ib es también muy pequeña en alterna.1 V (que es más o menos la precisión que se tiene en VBE y por tanto no merece la pena afinar más): ∆VCE = I 0 R BC β < 0.02 ⇒ β ≥ 50 β IC I C . a) El circuito equivalente de pequeña señal queda: Ii Vi RB rπ Ib βIb RL de donde Ri = vi = RB (rπ + ( β + 1) RL ) ≅ RB βRL con lo que RB = 1 MΩ ii Actualizado Octubre 03 .CAB 10 11. rπ y β normalmente como si tuvieran valor finito y derivar las fórmulas.: − g m R L R BC v be g m R L R BC v e g m R L R BC ⎫ vs v . real I C .7 V Si β es muy grande. puesto que ib = 0. se hacen tender rπ y β a infinito teniendo en cuenta que su cociente es finito.1 V ⇒ β > I 0 R BC 0.

RY = RE||R1||R2 ≅ 1.15 µA. dado que rπ || R3 ≅ rπ. Por tanto: v i = ib rπ + v o ⎫ ⎬v i = ib (rπ + (1 + β )RY ) ⇒ Ri ≅ rπ + (1 + β )RY ≅ 170 kΩ v o ≅ (1 + β )RY ib ⎭ Actualizado Octubre 03 .CAB 11 VCC RB RC b) En continua: VCC = I B R B + V BE + (β + 1)I B R L ⇒ I C = βI B = β I B = 7.67 kΩ v i = v be + v o ⎫ ⎪ v be = ii R X ⎬v i = ii (R X + (1 + g m R X )RY ) ⇒ Ri = R X + (1 + g m R X )RY ≅ 148 kΩ v o = (1 + g m R X )RY ii ⎪ ⎭ O bien.715 ⋅ 12. respectivamente.85 − 0.65 Vp (11. VCE = VCC − I C ( RC + c) Margen al corte: VCC − V BE 143 ≅ = 0.sat ⇒ v o ≤ VCE − VCE .4 mA R B + (β + 1)R E R2 RR = 6 V y R B = R3 + 1 2 = 20 kΩ son la tensión y la resistencia R1 + R2 R1 + R2 IC = β equivalentes de Thévenin. rπ = β/gm ≅ 1 kΩ c) Llamando RX = rπ||R3 ≅ 0. del circuito que polariza la base b) El circuito de pequeña señal queda: ii(t) vi(t) vbe rπ||R3 gmvbe= =βib vo(t) RE||R1 ||R2 Donde gm = IC/Vt = 95.85 V > VCE .15 V Margen a la saturación: v CE = VCE + v ce = VCE − v o ≥ VCE . sat β I C R L (β + 1) iC = I C + i c = I C + v o RL (β + 1)RL β ≥ 0 ⇒ vo ≥ − β ≅ − I C R L = −7.715 mA R B + (β + 1)R L 2000 β +1 R L ) ≅ 15 − 0.65 V Las relaciones entre las magnitudes de pequeña señal se obtienen del circuito equivalente (apartado a)) Luego la máxima amplitud de la señal de salida simétrica es 5.2 = 5. VCC a) Para el circuito de continua se puede utilizar la expresión habitual: R1 R3 R2 RE Donde V BB = VCC V BB − V BE ≅ 2.3 Vpp) 13.sat = 5. se tendrá que ii ≅ ib.5 mΩ-1.8 ≅ 5.91 kΩ.

el enunciado asegura la saturación y no se pide la comprobación. es. véase además que VGS2 = 0: si conduce. se tiene 2 2 I D 2 = k (VGS 2 − VT ) = k (VGS 1 − VT ) = I D1 ⇒ VGS 1 = VGS 2 = 0 Y como el nivel de continua en la puerta de Q1 es cero: 0 = VGS1 = VG1-VS1 = 0-VO ⇒ VO = 0 Nótese que no se ha utilizado el valor de las tensiones de alimentación: sería preciso conocerlas para calcular el valor de VDS y verificarla saturación de los transistores y la coherencia de los resultados. la tensión umbral ha de ser negativa VT = -1 V. con la fuente de corriente reducida a su resistencia equivalente. I C = βI B = 2 mA. Sin embargo. y por tanto los parámetros de su circuito equivalente de pequeña señal son iguales: gm = 2k(VGS-VT) = 2 mΩ-1. : G1 S1≡ S2 vo v gs1 = v g1 − vs1 = vi − vo vi gmvgs1 ro Req vo = g m v gs1 ro Req = g m ro Req (vi − vo ) ⇒ vo = g m ro Req 1 + g m ro Req = 0. su corriente es: I D1 = k (VGS 1 − VT ) 2 Puesto que el nudo de salida está abierto.sat RB RG ib1 RB rπ ic1 vce1 RC RB ib2 rπ ic2 vo≡ vce2 RC RL En pequeña señal.CAB 12 14. La ecuación de la corriente de drenador para Q2.5 kΩ: vg βib1 βib2 Actualizado Octubre 03 . b) Los dos transistores son iguales y están polarizados con la misma corriente de drenador.VCE = VCC − I C RC = 7 V > VCE. en saturación e ignorando el efecto Early. que tiene puerta y fuente cortocircuitados. El circuito equivalente de la fuente es: Y se pide Req = vx/ix: i x D + ro S≡G gmvgs Req = vx vx = ix vx g m v gs + vx ro = (v gs = 0) = ro ≈ 50 kΩ - c) El circuito equivalente de pequeña señal. : I D 2 = k (VGS 2 − VT ) = kVT = 1 mA 2 2 Como Q1 está también saturado. ro ≅ VA/ID = 50 kΩ.98 D1≡D2 ≡G2 d) La resistencia de salida es la relación entre la tensión aplicada a la salida y la corriente que entra por ella con las fuentes de señal anuladas: G1 ix gmvgs1 ro Req S1≡ S2 + vx v gs1 = v g1 − vs1 = −v x ix = − g m v gs1 + vx v v = g m v x + x ⇒ Ro = x = 1 g m ro Req = 490 Ω ro Req ro Req ix D1≡D2 ≡G2 15. con rπ = Vt/IB = 2. Con los transistores en activa directa: IB = VCC − VBE = 10 µA. La polarización es la misma en las dos etapas. como afirma el enunciado. a) Los transistores JFET son de deplexión.

donde rπN = rπP ≡ rπ = kT/e β/IC = 1.5 = 1 V RC RL El segundo transistor no se satura: vCE 2 = VCE + vce 2 ≥ VCE . TP B ibP rπP R/2 βibP E RE ibN βibN E TN C vi rπN B RC vo C c) TP trabaja en colector común.9 V VECP = −VCC + RI X + VEB ( ON ) − (− VCC ) = 3. Y para verificar el funcionamiento en modo activo directo: VCEN = VCC − I C RC − (VCC − 8 RI X − VBE ( ON ) ) = 9.1 V -VCC b) En pequeña señal el circuito equivalente es el siguiente. ni mucho menos. las corrientes de colector son iguales.714 = −58.6 V vce1 iC 2 = I C + ic 2 = I C − vo ≥ 0 ⇒ vo ≤ I C RC RL = 2 × 0.8 × −7 = 285. este razonamiento es válido tanto en continua como en alterna) La caída de tensión a lo largo del divisor resistivo: 2VCC = R(10 I X − I C β ) ≅ 10 RI X ⇒ I X ≅ 2VCC / 10 R = 1 mA Donde se ha despreciado la corriente de base frente a 10IX. así que es lógico que el margen dinámico no venga limitado. y TN en base común d) En los nodos de emisor: (β+1)ibN = -(β+1)ibP ⇒ ibN = -ibP Actualizado Octubre 03 .sat ) = −40.sat ⇒ vo ≤ El segundo transistor no se corta: vo (− VCE + VCE .sat ⇒ vce 2 = vo ≥ −VCE + VCE . Observando la diferencia de tensión entre las bases de los dos transistores: R IC/β RI X = 2VBE ( ON ) + (1 + 1 β )RE I C ⇒ I C ≅ RI X − 2VBE ( ON ) RE = 2 mA TP IX R IC/β = 0.sat = −7 V Luego el margen dinámico está limitado por el corte del segundo transistor y vale 1 Vp.8 × 2 × 0. El primer transistor no se satura: vCE1 = VCE + vce1 ≥ VCE . 16. lo que puede validarse a posteriori. a) +VCC IX 8R IC/β TN IX-IC/β RE (1+1/ β)IC RC I C La corriente de emisor de los transistores es la misma. por ésta. lo que justifica la aproximación anterior.8 = 1632. Notar que la desigualdad cambia de sentido al multiplicar ambos lados por vo/vce1 que es negativo. IC (por cierto.02 mA << 1 mA = IX.6 rπ RB ≈ rπ R G + rπ v g vce1 vg ib 2 rπ ib1rπ (R G + rπ RB ) Para calcular el margen dinámico se examina cuánto ha de valer vo para que ningún transistor se corte ni se sature: El primer transistor no se corta: iC1 = I C + ic1 = I C − vce1 v ≥ 0 ⇒ vce1 ≤ I C rπ RC RB ⇒ vo ≥ o I C rπ RC RB = −40.25 kΩ.3 V vce1 rπ RC RB Donde se ha aprovechado el valor de vo/vce1 que se dedujo al calcular la ganancia. Como la segunda etapa tiene mucha ganancia variaciones de tensión muy grandes a la salida corresponden a variaciones de tensión mucho más pequeñas a la salida de la primera etapa.sat ⇒ vce1 ≥ −VCE + VCE .CAB 13 ib1 = rπ RB R G + rπ RB rπ vg − βib 2 RC RL − βib1 rπ RC RB − β RC RL − β rπ RC vo v v = o ce1 = = −40 × −40. si están ambos en activa directa y dada la igualdad de las βs y la ausencia del efecto Early.

sat vcen vo ≥ 0 ⇒ vo ≤ I C RC = 10 V RC La no-saturación de TN impone: ⎫ − VCEN + VCE .9 Vp 17.9 V ⎛ rπ rπ ⎞⎬ ⇒ vo ≥ rπ ⎟⎪ = −icn RC + icn = vo ⎜1 − ⎜ βR ⎟ 1− β C ⎠⎭ ⎝ βRC Y la de TP: ⎫ ⎪ − r β + (1 + 1 β )RE R ⎬⇒ ≅ − vo E ⎪ vecp = −ibn rπ + iep RE = icn (− rπ β + (1 + 1 β )RE ) = −vo π RC ⎭ RC R R ⇒ −vo E ≥ −VECP + VEC . es 9.CAB 14 Av = e) vo βRC − βRC ibN 500 kΩ = = = = 9.sat a) En continua: IB = VCC − V BE r kT e kT e ⇒ π = = R R RI B VCC − VBE b) En alterna: Id Vg R Ib rπ C Z= Vg Id = I b rπ + R(I b + I b jωCrπ ) rπ + R(1 + jωCrπ ) = ≅ βI b + I b + I b jωCrπ β + 1 + jωCrπ βIb ⎛ rπ << R ⎞ 1 + jωCrπ 1 + jω ω0 ≅⎜ ⎜ β >> 1 ⎟ ≅ R β + jωCr = R β + j ω ω ⎟ ⎝ ⎠ π 0 Y tomando el módulo Z = R β 2 + (ω ω 0 ) 1 + (ω ω 0 ) 2 2 c) En la región de interés ω/ω0 es despreciable frente a β y 1 frente a ω/ω0: Z ≅R ω ω0 ⇒ log( Z R ) ≅ log(ω ω 0 ) − log β .2 kΩ 2 2 f) El corte de los dos transistores sería simultáneo por la igualdad de las corrientes de colector: iCN = iCP = I C + ic = I C − vCEN = VCEN + vcen ≥ VCE .sat ) ≅ 31 V RE RC Luego el margen dinámico.5 kΩ = Ri = vi vi + ibP R2 vi vi − ibN R2 = = vi vi v + o R 2 βRC = 1 A 1 + v R 2 βRC = 1 1 1 + R 2 (β + 1)RE + 2rπ = R ((β + 1)RE + 2rπ ) ≅ R = 1. ID VCC R IB v ECP = VECP + vecp ≥ VEC .sat ⇒ vo ≥ C (VECP − VEC . limitado por la saturación de TN. que en los ejes pedidos es una recta: β log( Z R ) 0 Z =R Z =R β ω ω0 = 1 0 ω ω0 = β + 1 log(ω ω 0 ) Actualizado Octubre 03 .sat ⎪ ≅ −VCEN = −9.5 vi ibP (rπP + (β + 1)R E ) − rπN ibN (β + 1)R E + 2rπ 52.

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