Boletín complementario de PROBLEMAS MOSFET

Boletín complementario de Problemas MOSFET

1. Determinar el punto de polarización (VDSQ, IDQ) del MOSFET para la red de polarización
fija de la Figura 1, teniendo en cuenta que el transistor presenta los siguientes valores:
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Cox= 25 A/V , VTH= 1 V, W/L = 1 y =0.

Figura 1

2. Suponer que W/L = 1,2 en lugar de la unidad y determinar el punto de polarización (VDSQ,
IDQ) del MOSFET para la red de polarización fija de la Figura 1.

3. Para los mismos datos del ejercicio 1 determinar el punto de polarización (VDSQ, IDQ) del
MOSFET pero suponiendo que =0,02V-1.

4. Determinar el punto de polarización (VDSQ, IDQ) del MOSFET para la red de polarización
de cuatro resistencias de la Figura 2, teniendo en cuenta que el transistor presenta los
siguientes valores: Cox= 25 A/V2, VTH= 1 V, W/L = 1 y =0.

Figura 2

5. Suponer que W/L = 1,2 en lugar de la unidad y determinar el punto de polarización (VDSQ,
IDQ) del MOSFET para la red de polarización de cuatro resistencias de la Figura 2.

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6. Para la red de polarización de la Figura 3, determinar el punto de polarización (VDSQ, IDQ)

teniendo en cuenta que el transistor presenta los siguientes valores: Cox=26A/V2, W/L =
10, =0 y VTH=1V.

Figura 3

7. Determinar el punto de polarización (VDSQ, IDQ) del Mosfet la Figura 4 teniendo en cuenta
que el transistor presenta los siguientes valores: Cox = 100 A/V2, W=32 m, L= 1m,
=0 y VTH=0,7V. Las resistencias tienen los siguientes valores RD=5 kΩ y RS=3,3 kΩ.

Figura 4

8. Teniendo en cuenta que el transistor Mosfet del circuito de polarización de la Figura 5

presenta los siguientes valores: Cox = 25 A/V2, W/L = 10, =0 y VTH=1V:
a) Demostrar que su punto de funcionamiento no se encuentra en la región de saturación.
b) Determinar su punto de polarización (VDSQ, IDQ) y demostrar que se encuentra en la
región triodo.

Figura 5

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9. En el circuito de la Figura 6 determinar:

a. Valor de Vo para Ve = 1 V.
b. Valor de Vo para Ve = 10 V.
c. Valor de Ve para que Vo = 15 V.

Datos del BJT: β = 25; VBE = 0,7V; VCE(sat) = 0,2V

Datos del MOSFET: Cox = 50 A/V2, W/L = 40, 0 y VTH= 2 V.

Figura 6