TRABAJO COLABORATIVO FASE 2

Presenta la solución al problema del circuito con transistores unipolares

TUTOR:

MAIRA CECILIA GASCA

GRUPO:

203006_13

VICTOR MANUEL PINZÓN PALACIO. C.C. 1037616978

XXXX. C.C

XXXX. C.C

XXXX. C.C

XXXX. C.C

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA

ESCUELA DE CIENCIAS BÁSICAS TECNOLOGÍA E INGENIERÍA

MARZO 2023

Fundamentación Teórica. (Primera Semana)

 Fig. 1 Diagrama esquemático del sistema.
Fuente: Autor.

1. Luego de la lectura de los recursos educativos requeridos para la Unidad 2, cada

estudiante debe describir con sus propias palabras la teoría de funcionamiento del circuito
anterior.

Este circuito está diseñado para amplificar una señal débil, cuenta con un dispositivo
transistor JFET el cual se encuentra polarizado y está configurado en auto polarización
dado que solo cuenta con una fuente de alimentación de 20 v. Esta fuente cumple con la
función de mantener el circuito activo, también cuenta con un receptor de señal que va
conectado al transistor para su ampliación de la señal, este cuenta con un Drenaje “RD”,
una compuerta “RG”, y una fuente “RS”. Con el fin de regular su funcionamiento en este
caso de amplificador. La resistencia RS, es la encargada de que se polarice la puerta, es
decir, el VGS presente en el transistor determinará la magnitud de la corriente de drenaje
ID, que es igual a la fuente de corriente IS, la resistencia RG es una resistencia de
megaohmios, principalmente utilizada en circuitos amplificadores para mantener la
impedancia de entrada del JFET. El valor de la resistencia RG debe ser alto, para que se
pueda simular la tierra y la señal no se pierda, siendo también beneficioso para RS
mantener el valor VGS.
Argumentación. (Segunda Semana).
Dadas Las Fórmulas:

RD=(VCC – VD)/ ID VGS=−ID ∙ RS AV =−Gm ∙ RD

RS=VGS(off ) / IDSS RG=Entre 1 y 2 MΩ Gm=ID /VGS

2. Argumentar matemáticamente el diseño presentado realizando los siguientes cálculos.

A. Calcular la resistencia del drenaje RD.

B. Calcular la resistencia del drenaje RS.

C. Calcular la reactancia capacitiva de los condensadores de acople.

D. Calcular la ganancia de voltaje AV.

Tenemos los siguientes datos:

ID=3 mA

VD=10 V

VGS(off ) =−8 V

VCC=20 V

IDSS=16 mA

C 1=10 μf

C 2=10 μf

C 3=0.1 μf

f =1 KHz

A. Calcular la resistencia del drenaje RD.

Aplicamos la formula
 RD=(VCC – VD)/ ID

Reemplazamos valores

RD=
[ 20V −( 10 V ) ]
3 mA

10 V
RD= −3
3 ×10

RD=3.33 KΩ

B. Calcular la resistencia del drenaje RS.

Aplicamos la fórmula:

RS=VGS(off ) / IDSS

Remplazamos valores:

−8 V
RS=
16 mA

−8V
RS=
16 ×10−3

RS=500Ω

C. Calcular la reactancia capacitiva de los condensadores de acople.

Aplicamos la fórmula:

1
X c=
2 π×f ×c

Remplazamos valores:

1
X c1= =15.91Ω
2(3,1416)×1 KHz ×10 µf

1
X c2= =15.91 Ω
2(3,1416)×1 KHz ×10 µf

1
X c3= =1591.54 Ω
2(3,1416)×1 KHz × 0.1 µf

D. Calcular la ganancia de voltaje AV.

Aplicamos la fórmula:

AV =−Gm ∙ RD

Primero debemos hallar el valor de Gm aplicando la formula

Gm=ID /VGS

y para hallar el valor de VGS utilizaos la formula

VGS=−ID ∙ RS

Remplazamos valores:

VGS=(−3 mA )∙(500 Ω)
 −3
VGS=(−3 ×10 ) ∙(500Ω)

VGS=−1.5 V

Teniendo este resultado procedemos a remplazar en la siguiente formula

Gm=ID /VGS

3 mA
Gm=
−1.5 V

3 ×10−3
Gm=
−1.5V

Gm=−2× 10−3

Obtenidos estos resultados ya podemos aplicar la fórmula para hallar la ganancia de

voltaje.

AV =−Gm ∙ RD

Remplazamos valores:

AV =−(−2× 10 ) ∙ ( 3.33 KΩ )
−3

AV =−(−2× 10−3 ) ∙ ( 3.33 ×10 3 )

AV =6.66

Solución. (Tercera semana)

E. Presentar la simulación del amplificador de baja señal con JFET propuesto en la que se
evidencie el correcto funcionamiento y las siguientes mediciones.

- Amplitud de la señal de salida usando el Osciloscopio.

- Valor de VGS.

- Valor de VDS.

- Valor de VGD.

- Valor de la corriente ID.

Amplitud de la señal de salida usando el Osciloscopio.

Canal A- Entrada: 270mV

Canal B-Salida:250mV

 Valor de VGS: 0.13V

 Valor de VDS: 16.9V
 Valor de VGD: 16.7V
 Valor de la corriente ID: 0.89mA