5.2.

Polarización del transistor EMOSFET

5.2.1. Polarización por divisor de voltaje

Para la red de polarización de la Figura 8,

diseñar el circuito asumiendo que VDD = 12V y
RD = (220 + x1x2) Ω, donde x1 y x2 son los dos
últimos dígitos del código del segundo integrante
del grupo en la lista del profesor. Asumir valores
para IDQ, VGSQ y VDSQ, de modo que el
transistor pueda ser polarizado en saturación. Es
deseable seleccionar los valores de R1 y R2 tan
grandes como sea posible para reducir las
pérdidas de potencia (y para incrementar la
impedancia de entrada del amplificador). Figura 11. Curvas de salida de la corriente de drenaje
con respecto al voltaje de drenaje. [6]

Tomando Valores con respecto a la gráfica

tenemos:

−V GS=3; V GS =−3

I D =20 mA

V DS=−6 v

El valor de R D la determinamos en base a los

dos últimos dígitos del código del segundo
estudiante, así que:

XXXXXXX14; R D=220+ 14=234

Figura 10. Red de polarización por divisor de tensión
para el EMOSFET de canal N.
V GS Lo tomamos de un valor estándar para el
MOSFET que estamos usando:

V GS=−2.3 v
Tenemos:
Expresamos las ecuaciones:
V DD=−15 v
−V DD + I D∗R D +V DS + I D∗R S=0
Nos dirigimos al Datasheet para determinar
los valores en los que queremos que opere V DD −V DSQ
nuestro MOSFET BS250P: R D + RS =
I DQ
Despejamos R S: Por ultimo despejamos el valor de K N ,
primero despejando el valor de K:
V DD −V DSQ
R S= −R D I DQ =K (V GSQ−V GST )2
I DQ
I DQ
K=
Reemplazando valores tenemos: (V GSQ−V GST )2

−15−(−6) Reemplazando valores tenemos:

R S= −226 Ω
−20 mA
20 mA
R S=216 Ω K= 2
(−3−(−2.3))

Teniendo el valor de R S podemos despejar K=40 mA

V GQ:
Despejamos K N :
V GQ =V GSQ+ I D∗R S
W
K= ∗k
V GQ =−3 (−20 mA∗216 Ω )=−7. 32 v 2L N

Podemos considerar el valor de I c como Donde W y L los obtenemos del modelo del
nulo, o expresarlo como I c =0. MOSFET en ORCAD, así:

Para hallar R1 utilizamos el concepto de

divisor de voltaje y asumimos el valor de W =7.6 m
una resistencia, que en general suele tener un
valor alto: L=2 u

Asumiendo R2=120 k Ω, K∗2 L 40 mA∗2(2 u)

kN= ; k N=
W 7.6 m
R2
V G =V DD ( R 1+ R 2 ) k N =21u

Despejando R1:
Diseño en ORCAD:
V DD∗R2
R 1= −R2 Utilizamos un BS250/PLP
V GQ

Reemplazando valores determinamos el

valor de R1 :

−15∗120 k Ω
R 1= −120 k Ω ; R 1=125901 2 Ω
−7.32 v
 Figura 14. Gráfica de los 5 voltajes (V DS) con
respecto al cambio de temperatura en un tiempo
t=1seg.

Figura 12. Diseño de la Red de polarización por T1= T2=2

divisor de tensión para el EMOSFET de canal P. 0 7 T3=35 T4=40 T5=50
VGS (v) -2.99 -3.00 -3.01 -3.01 -3.02
Utilizando temperaturas: (0, 27, 35, 40,50) VDS (v) -5.98 -6.01 -6.02 -6.03 -6.03
- - - -
ID (mA) -19.96
20.02 19.94 19.93 19.91
Figura 15. Gráfica de las 5 corrientes ( I D ) con
respecto al cambio de temperatura en un tiempo
t=1seg.

Tabla 3. Puntos de trabajo para diferentes temperaturas

de operación del EMOSFET de canal p en el circuito de la
Figura 12.

Figura 13. Gráfica de los 5 voltajes (V GS ) con

respecto al cambio de temperatura en un tiempo
t=1seg.
5.2.2. Polarización por realimentación de
drenaje

Para la red de polarización de la Figura 8,

diseñar el circuito asumiendo que VDD =
12V y RD = 220 + x1x2 Ω, donde x1 y x2
son los dos últimos dígitos del código del
segundo integrante del grupo en la lista del
profesor. Por ejemplo, si el código termina
en 50, entonces RD = 270Ω. Asumir los
mismos valores para IDQ, VGSQ y VDSQ
de la subsección 4.2.1, de modo que el
transistor pueda ser polarizado en saturación.
 V GS=−6 v

Ya que I G es prácticamente nulo, podemos

decir que:

V GQ =V GSQ+ I D∗R S

V GQ =−6 (−20 mA∗216 Ω )=−10. 32 v

Figura 16: Red de polarización por realimentación de
drenaje para el EMOSFET de canal N.
Asignamos un valor alto a RG :
Para el caso de una Red de polarización por
realimentación de drenaje se cumple que: RG =100 k Ω

V DS=V GS Por ultimo despejamos el valor de K N ,

primero despejando el valor de K:
V DD=−15 v
I DQ =K (V GSQ−V GST )2
I D =20 mA I DQ
K=
(V GSQ−V GST )2
V DS=−6 v
Reemplazando valores tenemos:
El valor de R D la determinamos en base a los
dos últimos dígitos del código del segundo 20 mA
estudiante, así que: K=
(−6−(−2.3))2
XXXXXXX14; R D=220 Ω+14 Ω=2 34 Ω
K=1.4 mA
Despejamos R S: Despejamos K N :
V DD −V DSQ W
R S= −R D K= ∗k
I DQ 2L N

Reemplazando valores tenemos: Donde W y L los obtenemos del modelo del

MOSFET en ORCAD, así:
−15−(−6)
R S= −2 34 Ω
−20 mA W =7.6 m

R S=216 Ω L=2 u

Tenemos que: K∗2 L 1.4 mA∗2(2 u)

kN= ; k N=
W 7.6 m
V GS=V DD −I D∗(R S + R D)
k N =0.736 u
V GS=−15−(−20 mA∗ ( 224 Ω+226 Ω ) )
Diseño en ORCAD:

Utilizamos un BS250/PLP:

Figura 19. Gráfica de los 5 voltajes (V DS) con

respecto al cambio de temperatura en un tiempo
t=1seg.

Figura 17. Diseño de la Red de polarización por

T1= T2=2
realimentación de drenaje para el EMOSFET de canal T3=35 T4=40 T5=50
0 7
P. VGS (v) -2.99 -3.00 -3.01 -3.01 -3.02
Utilizando temperaturas: (0, 27, 35, 40,50) VDS (v) --
-6.01 -6.02 -6.03 -6.03
5.98
- - - -
ID (mA) -19.96
20.02 19.94 19.93 19.91

Figura 18. Gráfica de los 5 voltajes (V GS ) con

respecto al cambio de temperatura en un tiempo
t=1seg.

Figura 20. Gráfica de las 5 corrientes ( I D ) con

respecto al cambio de temperatura en un tiempo
t=1seg.

Tabla 3. Puntos de trabajo para diferentes temperaturas

de operación del EMOSFET de canal p en el circuito de la
Figura 16.
¿Qué tipo de polarización del BJT es más
estable con la temperatura y por qué?
Respaldar la respuesta con análisis
matemático.
en retrospectiva podemos evidenciar que
respecto a las distintas configuraciones de
polarizaciones del BJT podemos concluir
que :
1. la polarización tipo divisor de voltaje
cuenta con ciertas ventajas respecto a la
polarización fija como por ejemplo que crea
menor distorsión en la señal de salida, es un
tanto más estable que la configuración fija lo
que a largo plazo desemboca en mayor
duración del dispositivo y que las
temperaturas que pueda llegar a tener este
dispositivo puedan ser más controladas.
¿Qué tipo de polarización del EMOSFET es
más estable con la temperatura y por qué?
Respaldar la respuesta con análisis
matemático
respecto al diseño de polarización del
MOSFET podemos concluir que la
configuración de tipo realimentación de
drenaje tiene un comportamiento bastante
similar respecto a la temperatura con el
diseño de polarización por divisor de voltaje
no obstante su diferencia radica en el
consumo de energía , siendo la primera más
eficiente en este sentido , la estabilidad es
bastante prolija y por ende su fiabilidad es
mayor, haciendo un paréntesis podemos
observar fruto de los resultados de los dos
tipos de componentes con sus diferentes
variantes que el MOSFET tiene una gran
ventaja al trabajar con corrientes más bajas ,
reduciendo estancamientos y daños en el
dispositivo.
5.2.3. Cuestionario
1. Consultar sobre otras redes de polarización del
BJT y del EMOSFET.
a). Montaje en Emisor Común
La señal se inyecta a la base a través de Ci y
se recibe amplificada del colector vía Co. El
emisor, conectado dinámicamente a tierra a
través de ce, actúa como elemento común a
los circuitos de entrada y de salida. Observe
que, en este modo de conexión, las señales
de entrada y de salida siempre están en
oposición de fase.
[1]
b) Montaje en Colector Común
La señal se introduce por la base a través de
Ci y se extrae por el emisor vía Co. El
colector, conectado dinámicamente a tierra a
través de Ce, actúa como elemento común a
los circuitos de entrada y de salida. Las
señales de entrada y de salida siempre están
en fase. El montaje se denomina también
seguidor de emisor.
El amplificador colector común se
caracteriza por tener una alta impedancia de
entrada y una baja impedancia de salida. La
ganancia de voltaje es siempre menor que 1
y la de potencia es normalmente inferior a la
que se obtiene con las configuraciones base
común o emisor común. Este montaje se
utiliza principalmente como adaptador de
impedancias.

[1]
Montaje como Amplificador Diferencial
En este caso, el voltaje de salida es
proporcional a la diferencia, con respecto a
tierra, entre los voltajes aplicados a los
terminales de entrada.
[1]
Redes de polarización del EMOSFET
Configuración de polarización fija
El más simple de los arreglos de
polarización para el FET de canal aparece en
la figura , Conocida como configuración de
polarización fija, es una de las pocas
configuraciones FET que pueden resolverse
en forma directa utilizando tanto el enfoque
gráfico como el matemático.
[2]
Configuración entrada común
Los circuitos amplificadores de transistores,
como el amplificador de emisor común, se
fabrican con transistores bipolares, pero
también se pueden hacer amplificadores de
señal pequeños con transistores de efecto de
campo. Estos dispositivos tienen la ventaja
sobre los transistores bipolares de tener una
impedancia de entrada extremadamente alta
junto con una salida de bajo nivel de ruido,
lo que los hace ideales para usar en circuitos
de amplificador que tienen señales de
entrada muy pequeñas.
[2]
2. Enuncie otras razones por las cuales es
deseable mantener el transistor BJT en un
punto de trabajo estable.
En primera instancia y como se recalcó en
este informe es importante mantener el
punto de trabajo estable para que se
aproveche de la mejor forma la señal que
llegue al transistor, como se expuso en el
informe y lo que se concluyo es que si
existen fluctuaciones muy grandes en el
punto de trabajo con el tiempo el transistor
sufre un desgaste progresivo que limitara su
correcto funcionamiento y en casos extremos
llegaría dañarse el componente.
El rendimiento del transistor también
depende de la estabilidad del punto de
trabajo.
Asegurar su correcto funcionamiento para un
amplio rango de señales de Entrada.
3. ¿Qué es un factor de estabilidad y qué
muestra en cada red de polarización de BJT
Factor de estabilidad: Los factores de
estabilidad nos dan la variación de una
tensión o una corriente en función de alguno
de los parámetros susceptibles de cambio en
el dispositivo. Por ejemplo, si consideramos
la corriente de colector como elemento a
observar, podemos definir al menos cuatro
factores de estabilidad, que nos indican la
variación de dicha corriente con respecto a
otros cuatro elementos como son la tensión
base-emisor, la corriente inversa colector-
base, la ganancia en continua (β) y la tensión
de alimentación del circuito.
[4]
4. Describir por lo menos tres aplicaciones
del EMOSFET.
La transmisión de información se basa
mediante datos binarios, los datos binarios se
pueden describir como caídas y subidas de
tensión , estas se manejan a altas frecuencias
por lo que es indispensable un dispositivo
que sea capaz de soportar estos cambios
casi que instantáneo de voltajes para de esa
forma brindar al sistema un correcto
funcionamiento este dispositivo se conoce
como MOSFET y es comúnmente utilizado
en dispositivos complejos que normalmente
trabaja con millones de estos transistores en
conjunto para dar soporte al equipo
electrónico
Control de dispositivos físicos como
motores.
De un motor de CC está basada en el hecho
de que, si se recorta la CC de alimentación
en forma de una onda cuadrada, la energía
que recibe el motor disminuirá de manera
proporcional a la relación entre la parte alta
(habilita corriente) y baja (cero corrientes)
del ciclo de la onda cuadrada. Controlando
esta relación se logra variar la velocidad del
motor de una manera bastante aceptable
Los amplificadores MOSFET se utilizan en
aplicaciones de radiofrecuencia, en sistemas
de sonido y sistemas analógicos.
Modelado del MOSFET orientado al diseño
analógico.
Las tendencias tecnológicas presentan un
conjunto de escenarios en los cuales el
Modelado de MOSFET avanzados para
aplicaciones de diseño analógico juegan un
Papel primordial. Entre éstas, las más
importantes a resaltar son:
1. La tendencia hacia la integración de
sistemas analógicos y digitales en un solo
Chip, no sólo como interface directa con el
mundo físico, sino como ayuda a
Incrementar las prestaciones de los sistemas
digitales.
2. La tendencia hacia la operación en bajo
voltaje, tanto por razones de compatibilidad
con las tecnologías digitales como por
satisfacer los requerimientos de los
Equipos alimentados con batería.
[6] Alldatasheet.com. n.d. BS250 Datasheet,
PDF - Alldatasheet. [online] Available at:
<https://www.alldatasheet.com/view.jsp?
Searchword=BS250> [Accessed 2 July
2020].

3. Las tendencias hacia las altas frecuencias

de operación, que continúan en incremento a
medida que se disminuyen las dimensiones
del MOSFET [5]

6. BIBLIOGRAFIA

[1] centro integrado de formación

profesional CIFP// Publicado el 26
septiembre, 2018 por José Francisco//
configuraciones básicas de los transistores
(BJT)
{http://www.cifpn1.com/electronica/?
p=4151}

[2] Bakshi, U.A.; Godse, A.P. (2007) «8.2

The depletion mode MOSFET». Electronic
Circuits
ISBN 978-81-8431-284-3.

[3] Electrónica: teoría de circuitos y

dispositivos electrónicos
Escrito por Robert L. Boylestad, Louis
Nashelsky.

[4] ESTABILIDAD EN EL PUNTO DE

TRABAJO// Asignatura: Dispositivos
Electrónicos I Dpto. Tecnología
Electrónica//
http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/te
ma6.pdf universidad de Valencia.

[5] Arduino, Electrónica, Hardware, Robots

y está etiquetada con Motores en 11 mayo,
2018.// http://robots-
argentina.com.ar/didactica/control-de-
motores-de-cc-por-ancho-de-pulso-pwm/