Modelo de Ebers Moll

El modelo se “arma” superponiendo dos circuitos suponiendo que encada uno de ellos
polarizamos únicamente una de las junturas y la otra en el segundo de ellos.
De esta manera se podrá obtener la corriente en cada electrodo como la suma de los dos
efectos, en los cuales no hay, en principio, influencia sobre la entrada de la tensión de salida
y viceversa ya que cuando se polariza una juntura se cortocircuita la otra.
Cuando se polariza en directa la juntura de entrada y se cortocircuita la de salida se
identificarán a las corrientes con el subíndice “F” , por fordward.
Los valores de tensión aplicadas son estrictamente de continua, por lo tanto el
funcionamiento considerado es en reposo.
La corriente de base en régimen permanente se puede expresar como:
QF
 I BF 
 BF
Donde QF son las cargas almacenadas en
la base en régimen permanente, debido a
la aplicación de la tensión VEB.
p'b(0) .W
QF  q. A.
2
 VEBVT  
q. A.Wp b0 . e  1
 I BF   
2. BF

La corriente de colector se expresa como las cargas que atraviesan la base en el tiempo F, o,
si no, como el gradiente de las cargas en la base considerado en el plano x=W (o 0’)
 VEBVT    VEBVT  
q. A.W . pb0 . e  1 q. A.Db pb0 . e  1
 IcF 
QF
    IC F   
F F W

Considerando al transistor como un nodo: IE+IC+IB=0 IE=-IC -IB

 VEBVT    VEBVT  
q. A.Db . pb0 . e  1 q. A.W . pb0 . e  1
IE      
W 2. BF

- 18 -
 . pb0 . e VT   1
D . W  VEB
I EF  q. A. b 
 W 2.   
 BF 

VEB   Db . W 
I EF  I ES . e VT  1 Siendo: I ES  q. A. pb 0 .  
   W 2. BF 
 VEBVT  
q. A.Db pb0 . e  1
 
 IcF W Db 1
F    
I EF D . W   VEBVT   D . W  Db W2
q. A. b  . pb0 . e  1 W  b   
W 2. BF    W 2. BF  Db 2. BF .Db

 IcF 1
F  
I EF W2
1
2.Db . BF
Cuando se polariza en directa, siendo el transistor “PNP”, habrá una inyección de lagunas
desde el emisor a la base. Las lagunas atraviesan la base y llegan al colector debido al
llamado “efecto transistor”. Las corrientes se describen de la siguiente manera:
La corriente de emisor se caracteriza como la de un
diodo polarizado en directa cuya corriente de saturación
inversa,

 Db . W 
IES, está dada por: I ES  q. A. pb 0 .   .
 W 2. BF 
La corriente de colector, ICF, se representa como un
generador de corriente -F .IEF , debido a que parte de
las lagunas inyectadas “salen” por el contacto de base
conformando IBF=IES-ICS
 IcF 1
F  
I EF W2
1
2.Db . BF
Se puede poner entonces que:
- 19 -
  VEB 
I EF  I ES . e VT  1
 

 VEB 
I CF   F .I ES  e VT  1
 

 VEB   VEB   VEB 

 I BF  I ES  e VT  1   F I ES  e VT  1  1   F I ES  e VT  1
     
Si se polariza en directa la juntura colectora y se cortocircuita la emisora, los subíndices son
ahora “R” por “reverse”.

 VCB 
I CR  I CS . e VT  1
 

 VCB 
I ER   R .I CS  e VT  1
 

 VCB   VCB 
 I BR  I CS  e VT  1   R I CS  e VT  1 
   
 VCB 
 1   R I CS  e VT  1
 
El signo menos en las corrientes de base, indican que
las mismas son salientes.

Si se unen ambos circuitos por medio del

teorema de superposición, se obtendrán
los valores de las corrientes como la suma
de los dos efectos.
Es válido aplicar el teorema de
superposición, que en principio vale para
componentes lineales (la juntura no lo es,
ya que responde a un exponencial) porque
las tensiones son de continua y la
corriente es única para cada valor de
tensión.

- 20 -
Las ecuaciones de Ebers-Moll quedan:

 VCB   VEB 
IC  I CS . e VT  1   F .I ES  e VT  1 EB1
   

 VEB   VCB 
I E  I ES . e VT  1   R .I CS  e VT  1 EB2
   

 VEB   VCB 
I B  (1   F ).I ES  e VT  1  1   R .I CS  e VT  1 EB3
   
A partir de aquí planteando las relaciones adecuadas se pueden obtener las curvas
características de entrada y de salida del transistor.

Considerando al modelo como un cuadripolo, con variables de entrada Ii y Vi y variables de

salida Io y Vo , se puede definir cualquiera de sus variables dependiendo de dos de las otras.

Característica de Salida en Base Común

con VEB como parámetro.
Por ejemplo para caracterizar la salida del
cuadripolo se puede buscar:
Ic  f (VCB ) VEBCons tan te

Donde VEB actúa como parámetro de las curvas.

De EB1
 VCB   VEB 
IC  I CS . e VT  1   F .I ES  e VT  1
   
Si VEB=0 y VCB=0, será Ic=0
Si mantenemos VEB=0 y aumentamos VCB , (que es inversa), Ic irá creciendo hasta que –
VCB sea mucho mayor (en módulo) que VT: VCB>>VT y VCB< 0.
VCB
En estas condiciones será: e VT
 0 , IcICS, la curva se hace prácticamente una recta
horizontal, Ic se mantiene constante frente a variaciones de VCB.

- 21 -
 Para valores de VEB mayores que cero, la
curva adopta posiciones superiores en el
diagrama, con un crecimiento exponencial,
siempre se hace prácticamente horizontal a
partir de VCB 4 veces VT e Ic solamente
crece una cantidad igual a ICS desde VCB=0
hasta que alcanza su valor definitivo.

 VEB 
I C   F .I ES  e VT  1  I CS
 

La corriente de colector es negativa porque

“sale” del dispositivo y la tensión colector base también es negativa porque , al ser inversa,
el colector es negativo respecto de la referencia, que es la base.

Característica de Salida en Base Común con IE como parámetro.

Ic  f (VCB ) IECons tan te

 VCB   VEB 
IC  I CS . e VT  1   F .I ES  e VT  1 EB1
   

 VEB   VCB 
I E  I ES . e VT  1   R .I CS  e VT  1 EB2
   
De EB2 se despeja:
 VEB   VCB 
I ES . e VT  1  I E   R .I CS  e VT  1
   
Remplazando en EB1

 VCB    VCB 
IC  ICS . e VT  1   F . I E   R .ICS  e VT  1 
    

IC  ICS . e  1   F I E   F R .ICS  e VT  1

VCB VCB
VT
   
 VCB 
IC   F I E  1   F R .I CS  e VT  1 EB4
 
- 22 -
Llamando: ICBO  1   F R .ICS

ICBO, es la corriente de colector con la entrada abierta.

I C   F I E  I CBO  e  1
VCB
VT
 
Si IE y VCB son iguales a cero, la
ecuación queda: IC=-ICB0.
Si vamos aumentando el valor de la
tensión de polarización de colector,
aumentará, en principio, el valor de IC,
pero se puede notar que a partir de
VCB> a 4 VT, IC permanece
prácticamente constante y la curva se
hace paralela al eje VCB.
Para valores de IE mayores a cero, se
tiene una familia de curvas similares a la de IE=0 donde la corriente de emisor es el
parámetro.
La separación entre curvas es constante y la ecuación queda. Para VCB mayor a 100 mV:

IC   F I E  ICBO

Característica de Entrada en Base Común con VCB como parámetro.

I E  f (VEB ) IVCBCons tan te

De EB2:

 VEB   VCB 
I E  I ES . e VT  1   R .I CS  e VT  1 Si VCB=0,
   
resulta la curva de un diodo.

 VEB 
I E  I ES . e VT  1
 
Si VCB  y es inversa, es la misma curva, desplazada
R.ICS, pero positiva.

- 23 -
La distancia R.ICS es muy pequeña, por lo tanto: las infinitas curvas de la característica de
entrada se puede considerar como única.

Característica de Salida en Emisor Común con VBE como parámetro.

Se debe pasar del modelo en base común al de emisor común.

Se busca la relación:
Ic  f (VCE ) VBE Cons tan te

Si observamos la ecuación EB1

 VCB   VEB 
IC  I CS . e VT  1   F .I ES  e VT  1 Las variables están dadas para base común.
   
Podemos pasar las ecuaciones a emisor común considerando las relaciones siguientes:

VEB= -VBE VCB+VBE+VEC=0 

VCB=-VBE-VEC y como: VEC=-VCE
VCB= VCE-VBE
IE+IC+IB=0 IE=-IB- IC
Considerando:

 VCB   VEB 
IC  I CS . e VT  1   F .I ES  e VT  1 En emisor común:
   

 (VCE VBE )VT   VBE VT 

I C  I CS . e  1   F .I ES  e  1
   
Si VCE=VBE=0 IC=0
- 24 -
Si VBE=0 y VCE  0 al polarizar el colector en inversa como VCE >>VBE y VCE >>>VT
VCE VBE 
VCE  10 V, VBE 0,6 V, VT 0,025 V , resulta: e VT  0 e IC = -ICS

Para VCE  0,7 a 0,8 V la curva se transforma en una recta prácticamente paralela al eje de
VCE.
Para VBE mayores a cero se obtendrá una familia de curvas prácticamente horizontales,
separadas en forma exponencial para incrementos similares de VBE.
Como ahora el eje de tensión de salida es VCE y no VCB, y
como, según se puede ver en la figura de la izquierda.
VEC +VCB+ VBE= 0 , será:
VCE=VCB+VBE
Que para un transistor tipo PNP resultan ser todos negativos
respecto de la referencia que es el emisor.
Para representar las características se
deberán “desplazarlas” el valor VBE
respecto de las curvas en base
común.
Pero VBE es variable de curva a curva
(es precisamente el parámetro). Por lo
que el desplazamiento será variable.
En consecuencia las curvas no irán a
valores positivos de VCE como en
base común, sino que concurrirán en
un punto donde el valor de VCE es
levemente negativo (para un PNP)
donde la polarización es inversa.
Estas características concurren en un
punto cuyas coordenadas pueden calcularse con relativa facilidad.
Consideremos la ecuación que nos daba la familia de curvas: Ic=f(VCE)VBE=CSTE
 (VCE VBE )VT   VBE VT 
I C  I CS . e  1   F .I ES  e  1 desarrollamos el primer paréntesis.
   

- 25 -
  VCE VBE  VBE VT
IC  ICS . e VT .e VT  1
   F .I ES  e

 1
   

 VCE VBE  VBE

CS    F .I ES .e
IC   ICS .e VT .e VT  I VT   .I
F ES
 
VCE VBE VBE
IC  ICS .e VT .e VT   F .I ES .e VT  ICS   F .I ES

 VCE  VBEVT
IC   ICS .e VT   F .I ES .e  ICS   F .I ES
 
Para que IC no dependa de VCE ni de VBE, el paréntesis debe ser igual a cero.

 VCE  VCE
0   I CS .e VT   F .I ES   I CS .e VT   F .I ES
 
 F .I ES
VCE  VT . ln y como se puede demostrar que:  F .I ES   R .ICS
I CS

 R .I CS
VCE  VT . ln VCE  VT . ln  R Para este valor de VCE
I CS
el paréntesis vale cero y por lo tanto: IC   ICS   F .I ES

No hay dependencia de VBE ni de VCE.

Utilizando la igualdad:  F .I ES   R .ICS

IC  ICS   F .I ES  ICS   R .ICS  IC   ICS .1   R 

APÉNDICE:

Demostración de la ecuación:  F .I ES   R .ICS

El teorema de reciprocidad dice que en un sistema lineal las impedancia de
transferencia en un cuadripolo son iguales

- 26 -
 Las impedancias de transferencia en el
caso de un transistor en base común:
VEB VCB
y
IC IE
El teorema es válido para un sistema lineal.
Nuestro sistema no lo es, ya que tenemos, en las expresiones que relacionan las
tensiones y corrientes a los exponenciales que representan a las junturas.

 VCB   VEB 
IC  I CS . e VT  1   F .I ES  e VT  1 EB1
   

 VEB   VCB 
I E  I ES . e VT  1   R .I CS  e VT  1 EB2
   
Por lo tanto hay que linealizar las expresiones. Esto se hace diferenciándolas. Para
EB1:

 VCB   VEB 
I CS . e VT  1  F .I ES  e VT  1
dIC    dV    .dV
CB EB
VCB VEB

1 VCB VT 1 VEB
dIC  ICS . .e .dVCB   F .I ES . .e VT .dVEB
VT VT

dVCB y dVEB son las variaciones de tensión que producen la variación de corriente dIC..
VCB y VEB son las polarizaciones, que podemos suponer de cualquier valor, inclusive
cero. En ese caso:
1 1
dIC  ICS . .dVCB   F .I ES . .dVEB EB6
VT VT
Ahora las relaciones son lineales ya que no dependen de un exponencial.
dVEB VT
La impedancia de transferencia es: ZTI  
dIC  F .I ES
Si se hace para la corriente de emisor (EB2):

 VEB   VCB 
I E  I ES . e VT  1   R .I CS  e VT  1 resultará:
   
- 27 -
 1 1
dIE  I ES . .dVEB   R .ICS . .dVCB EB7
VT VT

dVCB VT
ZTO  
dI E  R .I CS
Si se aplica el teorema de reciprocidad para las impedancias de transferencia:
VT VT
ZTI  ZTO    F.IES = R.ICS
 F .I ES  R .ICS

Esta condición se puede plantear haciendo el circuito con una fuente única, anulando
dVCB para dIC y anulando dVEB para dIE.
1
EB6 queda como: dIC   F .I ES . .dVEB
VT

1
EB7 dI E   R .ICS . .dVCB
VT

Para que se cumpla la igualdad F.IES = R.ICS deberá ser: IES=ICS

Es fácil comprobar el teorema para un circuito sencillo

Aplicando el método de mallas en el circuito 1

- 28 -
I I  I II .1  dVEB
( I II  I I ).1  I II .2  ( I II  I III ).4  I II ,3  0
I III  I II .4  I III .5  0
Dándole a dVEB un valor (1 volt, por ejemplo)

1.I I  1.I II  0.I III  1

 1.I I  10.I II  4.I III  0
0.I I  4.I II  9.I III  0

Resolviendo el sistema resulta IIII, que es, dIC = 0,0615 A

Con lo cual la impedancia de transferencia del sistema es de:
dVEB 1V
ZTI    16,26 
dIC 0,0615A

Si se resuelve de la misma manera el circuito 2 aplicando dVCB como se indica, para

mantener el sentido de las corrientes, resultará
1.I I  1.I II  0.I III  0
 1.I I  10.I II  4.I III  0
0.I I  4.I II  9.I III  1

dVCB 1V
Donde II o dIE  0,0615A por lo que: ZTo    16,26 
dIE 0,0615A

Característica de Salida en Emisor Común con IB como parámetro.

Considerando la EB3
 VCB 
IC   F I E  1   F R .ICS  e VT  1
 
 
 VCB 
IC   F  I B  I C   1   F R .ICS  e VT  1
 
 

- 29 -
  VCB 
I C   F .I C   F I B  1   F R .I CS  e VT  1 
 
 
 VCB 
I C .1   F    F .I B  1   F  R .I CS  e VT  1
 
 
Que podemos poner como:

IC . 
F
.I B 
1   F R .ICS  VCE VBE
e

VT  1
1   F  1   F  



F
Donde llamamos: 
1   F  F
y a:
1   F R .ICS 
ICBO
 ICEO
1   F  1  F

 VCE VBE  
I C   F .I B  I CE 0  e VT  1 (EB5)
 
 
En este caso, la separación entre curvas de la familia es simétrica, ya que la relación entre IC
e IB es lineal.
Se puede definir el punto de cruce de las curvas igual que en el caso anterior. IC=ICS.(1-R)
y VCE=VT.lnR.
También existe el desplazamiento de las curvas en el eje de tensión colector – emisor, en el
valor de VBE.
Para analizar este cambio consideremos la ecuación EB5, puesta de la siguiente manera:

 VCB  
I C   F .I B  I CE 0  e VT  1 (EB5-b)
 
 

- 30 -
 Las curvas serían las representadas en la figura
de la izquierda.
Considerando que VCB=VCE -VBE
Si queremos representar IC=f(VCE),
deberemos correr las curvas VBE hacia la
derecha VCE=VCB+VBE.
Pero VBE es variable, ya que depende de IB.
Cuando VCE=0, -VCB=VBE. VCB se hace
directa, es decir el transistor debe estar
saturado, cuando VCE=0.
Si tenemos en cuenta la ecuación:
 VCB   VEB 
 V   V 
I C  I CS . e T  1   F .I ES  e T  1 EB1
   
   
Y hacemos VCB=0, nos queda:

 VBE 
 V 
I C   F .I ES  e T 1
 y como si VCB=0 será VCE=VBE
 
 
 VCE 
 V 
I C   F .I ES  e T  1 Esta ecuación da los valores de IC como función de VCE para
 
 
VCB=0.
Es la ecuación de un diodo. El lugar geométrico, es una curva que representa a un diodo

- 31 -
 Apoyados en esta curva están las características de
salida correspondientes al gráfico de IC función de
VCB.

El gráfico de la derecha
corresponde, según el Modelo de
Ebers Moll a las características de
salida de un transistor PNP
conectado según la configuración
emisor común.

Característica de entrada en configuración Emisor Común IB=f(VBE)VCE= CSTE

Partiendo de EB3
 VEB   VCB 
I B  (1   F ).I ES  e VT  1  1   R .ICS  e VT  1
   
   
Considerando que VEB=-VBE
y que VCB es inversa, la colocamos como negativa: -VCB=-(VCE-VBE)

 VBE    VCE VBE  

   
 1  1   R .I CS  e
V V
I B  (1   F ).I ES  e T T  1 EB3’
   
   
Para VCE =0

 VBE   VBE 
 V 
T  1  1   .I
 V 
I B  (1   F ).I ES  e  R CS  e T 1
 EB6
   
   

- 32 -
Considerando que VBE polariza la juntura en emisora en inversa, ya que VEB es directa,
-VBE la polariza en directa. El primer término del segundo miembro es un diodo, el segundo
término es un diodo en inversa cuyo valor de corriente se hace despreciable con pequeños
valores de VBE.
En la ecuación EB6 si: VBE= 0  IB=0
Para VCE 

 VBE 
 V 
T  1  1   .I
I B  (1   F ).I ES  e  R CS
 
 
si: VBE= 0  IB =(1-R)ICS
En general como VCE>>VBE la
curva que se utiliza es la de color
rojo oscuro.
La Zona Muerta que señala la
figura, significa que hasta tener
en base la tensión VBE indicada
el transistor no conduce
corriente.
Esta tensión es relativamente
pequeña, del orden de las
décimas de volt.

Característica de Transferencia

- 33 -
 IC  f ( I B ) VCE CSTE

 VCE VBE  
I C   F .I B  I CE 0  e VT  1
 
 
Para valores de VCE (Negativos) y
relativamente mayores a VT, el 2do. Término
es prácticamente despreciable y la curva se
hace única y teóricamente una recta ya que es
una función lineal. IC   F .I B  ICE 0 .

Si IB=0, IC =-ICE0. En realidad la

característica presenta una ligera curvatura,
debido a que  varía con IC, aumentando para
IC relativamente bajas, alcanzando un valor
máximo y luego disminuyendo a medida que
aumenta IC..
Otra característica de transferencia sería considerando la tensión de entrada.
IC  f (VBE ) VCE CSTE

 VCB   VEB 
IC  I CS . e VT  1   F .I ES  e VT  1 EB1
   
 VCE VBE   VBE 
 V   V 
I C  I CS . e T  1   F .I ES  e T  1 EB1-a
   
   
Tensión de Early
Según la fórmula resultante del Modelo de Ebers-Moll la corriente de colector en un
transistor polarizado en el modo activo dependerá casi exclusivamente del valor de la
corriente de base existente en ese momento en el circuito de entrada.
Ic= F.IB +ICE0
Válida para valores de VCE mayores a 5 veces VT (a partir de VCE ≈100 mV)
Esto resulta en una familia de curvas que representan las características de salida del
transistor, en este caso para la configuración emisor común y polarizado en el modo activo.

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Estas curvas representan la variación de Ic respecto del valor de la tensión colector emisor
(VCE).
Como se puede ver en la fórmula, en realidad Ic no varía respecto de VCE. Por consiguiente:
la curvar características de salida resultan rectas paralelas al eje de tensión cuyo parámetro
es, en este caso, la corriente de base IB.
Sin embargo, estas curvas presentan,
en realidad, una leve inclinación ya
que la corriente de colector aumenta
a medida que aumenta la tensión
colector emisor debido al fenómeno
de modulación del ancho de la base.
Teniendo en cuenta que:
VCE=VCB+VBE
Al aumentar VCE, que es inversa,
aumentará VCB y el ancho lnc de la
juntura colectora.
Esto hará disminuir el ancho, W, de la base, aumentará el gradiente: –pb(0)/W y como:
Ic=- q.A.Db.pb(0)/W Ic deberá aumentar.
En la figura de la derecha se puede ver que el aumento de VCE, inversa, amplía el ancho de la
juntura colectora y por lo tanto lnc, que es el ancho del lado N de la misma, que corresponde
a la base. Se pasa de lnc a l’nc.
Como la polarización de base emisor no varía, pb(0) permanece constante y la pendiente de
la recta que representa la concentración de lagunas inyectadas a la base aumenta al
disminuir W a W’. Al aumentar el gradiente de concentración de portadores inyectados a la
base, aumenta IC.
Las curvas características de salida deberán inclinarse entonces a mayores valores de Ic a
medida que se aumenta VCE.

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 La magnitud de esta inclinación fue estudiada
por Early quien definió un valor de tensión,
que lleva su nombre, y se simboliza como VA –
Tensión de Early- que en muchos casos el
fabricante da como dato en la hoja de
característica y tiene algunas aplicaciones
prácticas.
Para analizar la inclinación de las curvas se
considera que un incremento de la tensión VCE
producirá un incremento de corriente IC.
La variación de Ic (Ic) respecto del
incremento de VCE (VCE) se puede poner suponiendo los incrementos diferenciales.
dIC
esto es la derivada de la función graficada por la característica de salida
dVCE
Para poder resolver esta derivada se la puede
plantear como el producto de dos derivadas
parciales sucesivas:
dIc dIc dW
 .
dVCE dW dVCE
teniendo en cuenta que:
W =lnc y que como VCE =VCB +VBE y
VBE permanece constante resulta: VCE
=VBE
-1
Considerando que: Ic=- q.A.Db.pb(0).W
dIc Ic
 q .A.Db . pb( 0 ) .W  2  q .A.Db . pb( 0 ) .W 1 .W 1  
dW W
Por otra parte: lnc.Nd = lpc.Na
lnC lp ln  lpC lC Na
 C  C   lnC  lC .
Na Nd Na  Nd Na  Nd Na  Nd
lnc: longitud del lado N (base) de la juntura colectora
lpc: longitud del lado P (colector)
Nd: concentración de átomos donores en el lado N (base), N

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Na; concentración del lado P (colector) de átomos aceptores.

2.   Na  Nd 
y sabemos que: lC  . 0  VCB .  :longitud total de la juntura
q  Na .Nd 
colectora.

2.   Na  Nd  2.   Na  Nd  Na 2
. 0  VCB . . 0  VCB .
Na
lnC  .  .
q  Na .Nd  Na  Nd q  Na .Nd  Na  Nd 2

2.   
. 0  VCB .
Na
lnC   teniendo en cuenta que VCB es inversa .
q  Nd .Na  Nd  

1
 2.    2
. 0  VCB .
Na
d   
    
 
dW d lnC q Nd . Na Nd
podemos expresar que: 
dVCE dVCB dVCB

2 Na
.
d lnC dW 1 q Nd .Na  Nd   .Na
  . 
dVCB dVCE 2  2.     lnC .q .Nd ..Na  Nd 
 . 0  VCB .
Na
 
 q   Nd .Na  Nd  
dIC dI dW dI d lnC I  .Na
Considerando que :  C.  C.  C .
dVCE dW dVCE dW dVCB W q .lnC .Nd .Na  Nd 

W .q .lnC Nd .( Na  Nd )
En la ecuación anterior se llama : VA   tensión de Early
 .Na
El orden de magnitud de VA resulta de aproximadamente 90 V para transistores de baja
señal y es algo mas bajo para transistores de potencia.
El signo “menos” indica que la tensión de Early es opuesta a VCE.
Es posible ver que los valores que componen VA son fijos con excepción de “W” y de “lnC”
que varían con la tensión “VCE” (o “VCB” ),
Pero al modificar VCE (o VCB) la variación de W es igual y contraria la de lnC.
Por lo cual para un dado transistor, el valor de VA resulta aproximadamente constante.
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Hacia ese valor concurren todas las características de salida, cualquiera sea el valor de Ic.
Finalmente queda:

dIC I  .Na Ic
 C . 
dVCE W q .lnC .Nd .Na  Nd  VA

Con esta relación ahora es posible conocer el valor de IC para cualquier valor de VCE.
dIC
teniendo en cuenta que: IC  .VCE
dVCE

Por ejemplo si se quiere conocer IC para VCEQ en el ejemplo de la figura: VCE = VCEQ
IC
IC   .VCEQ
VA

IC VCEQ IC  ICQ ICQ VCEQ ICQ VCEQ

   1    1
IC VA IC IC VA IC VA
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  VCEQ 
I CQ  I C .1  

 V A 

Si bien se ha presentado la expresión para un valor de IC = ICQ, la fórmula sirve para calcular
el valor de la corriente de colector para cualquier punto de la curva característica de salida.
El tema es ahora conocer el valor de IC.
La corriente en cuestión sería la que corresponde a la dada por el modelo de Ebers-Moll o la
que puede deducirse considerando que:
 IC  q .A.Db .pb( 0 ) negativa porque sale del dispositivo, que según la figura 2 de la
página quedaría como

 pb( 0 ) 
 IC  q .A.Db .  

 W 
ahora bien, como:
  V 
 0 BE 

.e   por la estadística de Maxwell-Boltzman
VT
pb( 0 )  pe0

 VBE 0 VBE
 0
VT VT VT VT
pb( 0 )  pe0 .e .e y como: pe0 .e  pb0 resulta: pb( 0 )  pb0 .e

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 VBE
VT
q .A.Db . pb0 .e
IC  
W

q .A.Db . pb0 ni 2
Llamando I S  y teniendo en cuenta que: pb0  donde Ndbase es la
W Nd base
concentración de impurezas donoras en la base:

q .A..Db .ni 2
IS  este valor es de unos pocos picoamperes.
Nd base.W
VBE
VT
finalmente: IC   I S .e
éste es el valor de la corriente del modelo de Ebers-Moll o el que corresponde a VCE =0 en
las curvas de Características de Salida reales.
Si bien no es común tener como dato la corriente Is, esta fórmula expresa directamente la
relación entre la corriente de colector y la tensión entre base y emisor.
Además, con Ic y VA o con Ic y VCE se puede conocer la resistencia de salida, ro, del
transistor:
VCE V
ro  ro  A
IC IC

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