Amplificadores Problemas Resueltos

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Amplificadores - Problemas resueltos
Electrónica Analógica (Universidad Politécnica de Madrid)
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ELECTRÓNICA
ANALÓGICA
Problemas
Sara López Ferre

Dpto Electrónica, Automática e Informática
Industrial Escuela Universitaria de Ingeniería Técnica
Industrial

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Problema 1-1.
La fuente de corriente pnp representada en la figura 1-1 utiliza transistores con F = 150 y
VEB = O,7 V a 25 ºC. Con IC1 = 1 mA y VCC = 15 V.
a) Determinar R.
b) Determinar en tanto por ciento el cambio en IC1 para un cambio de temperatura de 50ºC
si VEB varia 2,2 mV/ºC manteniéndose todos los demás parámetros.
+ VCC
IC1
Fig 1-1
Solución
a) Prescindiendo del efecto Early y de las componentes de corriente debidas a la polariza-

ción inversa de las uniones de colector, las corrientes salientes de colector considerando
los transistores pnp idénticos, pueden expresarse:
+ VCC
IC1 =  F I ES eVEB1/ VT
+ + IC2 = F I eVEB2 / VT
VEB2 VEB1 ES
Q2 - - Q1
La ley de Kirchhoff para el lazo que contiene ambas
IC 2 2IB IC1 unidades emisor-base de la figura 5-2 requiere que:
R IR VEB1 = VEB2 = VEB
Fig 1-2 y en consecuencia
IC1 = IC2 = IC
como F1 = F2 = F por ser los transistores identicos  IB1 = IB2 = IB
Aplicando Kirchhoff, se tiene:
IC + 2 IB - IR = 0 y - VCC + VEB + IR . R = 0
1 Sara López Ferre

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despejando IR e igualando ambas ecuaciones
V - VEB
CC
I C
+ 2I B
= R
con los transistores en zona activa IC = F IB , sustituyendo y despejando IC
F VC - VEB
IC =
F + 2 C R
despejando R y dando valores


R =
F
VC - VEB 15 - 0,7
150 = 14,1 K
F + 2 C I C = 150 + 2 1
b) El valor de VEB para un cambio en la temperatura de 50 ºC
VEB (25ºC + T) = ( 0,7 - 2,2 10-3 T)
VEB (25ºC + 50ºC) = ( 0,7 - 2,2 10-3 . 50) = 0,59 V.
El cambio en IC1 para un cambio de temperatura de 50ºC si VEB varia 2,2 mV/ºC man-
teniéndose todos los demás parámetros
  VCC
- V'   V - V 


F EB
F CC EB
-  
I' - I
C C
F + 1 R  F + 1 R 
. 100 = . 100
IC F VC - VEB
C
F + 1 R
I' - I VEB - V'

C C . 100 = EB . 100
IC - VEB
VCC
 IC -
. 100 = 0,7 - 0,59 . 100 = 0,77 %
VEB
. 100 =
IC VCC

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- VEB 15  0,7
Como VCC >> VBE , el cambio efectuado en IC1 motivado por un cambio en VEB debido a la
variación de temperatura en 50ºC, es insignificante.
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Problema 1-2.
El amplificador de la figura 1-3 tiene las siguientes características:
C1 = C2 = 22 A C2 = 47 A K = 1 mA/V2
W/L = ½ VT = 3 V. rd = 20 K
VDD = 15 V.
R1 RD
150 K 3,9 K
Rg = 600  C1 C2
R3 =1,2M
vg R2 RS RL v0
150 K 1 K C3 10 K
-
R’i R’0
Fig 1-3
Si se considera el NMOS ideal. Calcular:
a) El punto de trabajo del transistor
b) La transconductancia.
c) La ganancia de tensión.
d) La impedancia de entrada y de salida
Solución
a) En el estudio en continua los condensadores actúan como circuitos abiertos (figura 1-4).
La red de polarización de la base indicada en esta última figura se puede sustituir por su
equivalente de Thèvenin como en la figura 1-5
La tensión y la resistencia de Thèvenin, serán:
VGG VDD . R2 R1 . R2
= R1 + R2 RG = R1 + R2
VGG = 15 . 150 = 7,5 V. RG = 150 . 150 = 75 K

150 + 150 150 + 150
3 Sara López Ferre

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VDD = 15 V. VDD = 15 V.
ID RD
R1 RD 3,9 K
150 K 3,9 K +
R3 =1,2M VDS
RG +
-
R3 =1,2M 75 K IG  0 VGS
-
R2 RS RS
150 K 1 K VGG ID 1 K
7,5 V
Fig 1-4 Fig 1-5
Aplicando la ley de Kirchhoff al lazo puerta-fuente del circuito, considerando IG  0
- VGG + ID RS + VGS = 0
despejando ID y dando valores
7,5 - VGS
ID =
1
Situando el MOS en zona de saturación, por utilizarse como amplificador

W
I = K 2 1
 VGS - VT  V - 3
2
L = 1.
D 2
G
Igualando ambas ecuaciones, ordenando y despejando VGS:
7,5 - VGS
1
 VG - 3
2
1 = 1.
2
0,5
VGS  V
GS
= - 1,16 V valor no valido
- 2 - 3 = 0 
VGS

 VGS = 5,16 V.
Dando valores a ID
1
I = 1.
2 5,16 - 3
D
= 2,33 mA
2
Aplicando la ley de Kichhoff al lazo drenador-fuente y dando valores a VDS

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- VDD + ID (RD + RS ) + VDS = 0
VDS = VDD - ID (RD + RS ) = 15 - 2,33 ( 3,9 + 1 ) = 3,58 V.
4
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b) La transconductancia
K. W . I 1 . 1 . 2,33
gm = 2 D = 2 = 2 mA / V
L 2
c) Para hacer al análisis de la amplificación se utiliza el modelo equivalente de baja fre-

cuencia y pequeña señal del MOS, el circuito se representa en la figura 1-6. Se considera
la tensión de polarización VDD como un cortocircuito y a la frecuencia de la señal las reac-
tancias de los condensadores son suficientemente bajas, pudiéndose considerar a éstos co-
mo cortocircuitos
rd = 20 K D
Rg = 600  +G Id +
R3 + RG
+ 1275 k  Vgs RD RLVo
Vg Vi _ 3,9 K 10 K
_ S _
R’i R’o
Fig 1-6
La ganancia de tensión
V
o
V = Vo Vi
Vg = Vi . Vg
Al ser una etapa en fuente común
Vo - g m R / / R 
L - 2 ( 3,9 / /10)
D
= - 4,9
Vi
= R D / / R  =
1 +
( 3,9 /
1 + /10)
rd
20
Vi 1275
Vg = 0,6 + 1275  1
V
o
V =
Vg = - 4,9
d) La resistencia de entrada:
R’i = R3 + RG = 1275 K
La resistencia de salida
R’o = RD // rd = 3,9 // 20 = 3,26 K
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Problema 1-3.
El circuito de la figura 1-7 corresponde a un amplificador multietapa.. Suponiendo que a la

frecuencia de la red vi no existen efectos capacitivos, calcular:
a) Los puntos de polarización de ambos transistores
b) Los parámetros gm y r de ambos transistores.
c) El circuito equivalente de pequeña señal.
d) La ganancia en tensión Av = Vo/Vi.
e) La resistencia de entrada Ri y la resistencia de salida Ro .
Datos: VT = 25 mV; VBE = 0,7V; o1 = 100; o2 = 200; rb = 0; ro  
VCC = 10 V.
RB RC1 R1 RE2
910 K 4,7 K 1 K 1 K
C2
C1 Q2C3
Q1+
Rg600  R2 RC2 RL
4 K 3 K 6 Kv0
vi
_
Ri R0
Fig 1-7
Solución
a) En el estudio en continua los condensadores actúan como circuitos abiertos.

La red de polarización del transistor 1 se representa en la figura 1-8
VCC = 10 V.
Aplicando la ley de Kirchhoff al lazo emisor-base de Q1
- VCC + IB1 RB + VBE = 0

IB1 IC1
RB RC1
910K4,7 K Para el punto de trabajo Q, despejando IB1 y dando valores
+
+ VCE1
VBE1 - IB1 = VCC -VBE 10 - 0,7
-
RB = 910 = 10 A
Fig 1-8
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Trabajando el BJT en activa y considerando ICO  0
IC1 = F1 . IB1 = 100 . 10 10-3 = 1 mA
Aplicando la ley de Kirchhoff al lazo emisor-colector:
VCE1 = VCC - IC1 RC1 = 10 - 1 . 4,7 = 5,3 V.
El circuito de la red de polarización del transistor 2 indicada en la figura 1-9 se sustituye

por su equivalente de Thèvenin como en la figura 1-10
VCC = 10 V. VCC = 10 V.
R1 RE2 IE2RE2
1 K 1 K 1 K
+
IB2 VEB2 +
-
Q2 VEC2
-
RTH = 0,8 K
R2 RC2 RC2
4 K 3 K VTH = 0,8 V IC2 3 K
Fig 1-9 Fig 1-10
Dando valores a la resistencia y a la tensión de Thèvenin
RTH= 1//4 = 0,8 K VTH = 101.4  8 V.
Aplicando la ley de Kirchhoff al lazo emisor-base de Q2
- VTH + IB2 Req - VEB2 - RE2 IE2 + 10 = 0
despejando IB2 y dando valores
-10 + 8,7 -3
IB2 = 0,8 + (200 + 1) .1 = - 6,4 10
Trabajando el BJT en activa y considerando ICO  0
IC2 = F2 IB2 = 200 . (- 0,0926) = - 1,3 mA
Aplicando la ley de Kirchhoff al lazo emisor-colector:
-VCC + IE2 RE2 + VEC2 - IC2 RC2 = 0
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Puesto que IE = - (IB + IC)
-VCC - (IB2 + IC2) RE2 + VEC2 - IC2 RC2 = 0
Despejando VEC2 y aplicando los valores numéricos
VEC2 = VCC + (IB2 + IC2) RE2 + IC2 RC2
VEC2 = 10 + (- 6,4 10-3 - 1,3 ) . 1 + (- 1,3 ) . 3 = 4,8 v.
b) La transconductancia gm y la resistencia r de los transistores

01
gm1 = IC1 =
1,02  0,04 s. r1 =  100  2,5.10 3 
25 25 gm1 0,04
1,3 02
gm2 = IC2 = = 0,052 s. r2 =  200 = 3.846   3,85 K
25 25 gm2 0,052
c) El circuito equivalente de pequeña señal, se representa en la figura 1-11
B1 C1 B2 C2
+ +
Rg 600 r2 gm V2
r1
RB 910K gm V1RC1 RTH 0,8K E2 RC2 RL
4,7KV1 3K 6KV0
Vi RE2 = 1K
E1 - -
Ri R’01 R0
Fig 1-11
d) Utilizando las ecuaciones aproximadas de una etapa amp. en emisor común:
V - o . RC -100 . 4,7
AV1 = V1 = R + r = 0,6 + = -151,6
i g 1
R´ 01= R C= 4,7 K
La fuente de señal V1 y la resistencia R´ 0 forman el equivalente de Thèvenin de la primera

etapa, como se muestra en la figura 1-12
R’01 = 4,7 K B2 C2
+
r2 gm V2
V1 R1 //R2 0,8 K E2 RC2 RL V0

-151,6Vi 3 K 6 K
RE2 = 1 K
_
Fig 1-12 R0
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Aplicando el teorema de Thèvenin a la base de la segunda etapa del amplificador, fig 1-13:
B2 C2
+
RTH r2 gm r2
0,68 K E2
RC2 RL V0
VTH RE2 3 K 6 K
- 22 Vi 1 K
-
R0
Fig 1-13
RTH = 0,8 . 4,7 = 0,68 K

0,8 + 4,7
0,8
VTH = -151,6 . Vi = - 22 Vi
4,7 
Utilizando las ecuaciones aproximadas de una etapa amp. en emisor común con RE:
3. 6
R´C = 3 = 2 K
V0
AV = =  0 . R '
TH C
2 RTH + r  (0  1) R E
- 200 . 2
AV = 0,68 + 3,85 + 201 = -1,946
2
La ganancia en tensión del multietapa, será

V
AV = 0
i = (-1,946) . (- 22,4) = 42
V
e) La resistencia de entrada total, será:

910 . 2,47
Ri = RB // r1 =  2,4 K
910  2,47
La resistencia de salida total, será:
R0 = RC2 = 3 K
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Problema 1-4.
El amplificador de la figura 1-14 emplea un JFET y dos BJTs.
El JFET Q1 cuyos parámetros son IDSS = 5,5 mA y VP = - 4V. , está polarizado con
VGSQ = - 1 V. ; VDSQ = 5 V. y  = 0,04.
Los BJTs Q2 y Q3 tienen: 0 = 100, rb = 0 y r0   . Q2 está polarizado con ICQ2

= 2,5 mA y Q3 con ICQ3 = 5 mA.
VT = 0,025 V.
RB = RB1 // RB2 = 10 K y RG = RG1 // RG2 = 0,5 M
+V
RG1 RD = 5K RB1 RC2 = 2 K

Q3
CB2 CB3
CB1 Q2
Q1
Rg
50 RS RE2 RE3 +
RG2 1K CS RB2 1K CE2 5K v0
vi _
R’i R’0
Fig 1-14
a) Para el JFET Q1 hallar la transconductancia, la resistencia de salida y el factor de am-

plificación.
b) Para los BJTs Q2 y Q3 , calcular los parámetros para el circuito equivalente de peque-
ña señal y baja frecuencia.
c) Dibujar el circuito equivalente de pequeña señal y baja frecuencia del amplificador mul-
tietapa, suponiendo que a la frecuencia de la red vi no existen efectos capacitivos
d) Calcular en alterna los valores de salida para cada una de las etapas,
e) Determinar la ganancia total Av.
f) Calcular la resistencia de entrada R’i y de salida R’0 del amplificador.
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Solución
a) La transconductancia
I
g = - 2 1 - VGSQ  5,5  -1 = 2 mS
DSS   =- 2 1- 
m
VP  VP  -4  -4 
La corriente en el punto de polarización
 V 2
 -12
I = I 1 - 5,5 1 -  = 3 mA
GSQ

DSQ
DSS
 VP   -4 

La resistencia de salida
1 +  VDSQ 1 + 0,04 .5
rd = = = 10 K
 D
0,04 . 3
El factor de amplificación
 = g m . rd = 2 . 10 = 20
b) La transconductancia gm y la resistencia r de los transistores bipolares

2,5 02
gm2 =
ICQ2
= = 100 ms. r2 =  100 = 1 K
0,025 0,025 gm2 100
ICQ3 03
gm3 = = 5 = 200 ms. r3 =  100 = 0,5 K
0,025 0,025 gm3 200
c) Para hacer al análisis de la amplificación se utilizan los modelos equivalentes de baja

frecuencia y pequeña señal del JFET y de los BJTs , el circuito se representa en la figura
1-15. Se considera la tensión de polarización +V y las reactancias de los condensadores
como cortocircuitos
rd D B2 C2 = B3 r3 E3
Rg = 50
G + + V3 - I0 +
Vi  Vgs RD RB V2 r2 RC2 RE3 V0
RG 5K - gm2V2 2K gm3V3 _
S E2 C3
Fig 1-15

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d) Transistor JFET . Utilizando las ecuaciones de una etapa amplificadora en fuente co-
mún C.S, la ganancia de tensión y la resistencia de salida, serán.
RD Vo1 - gm RD
5K = - 2 . 5 = - 6,66
Vi RD = 5
1 + 1 +
Rg = 50 Q1 rd 10
+ V01 = - 6,66 Vi
Vi RG 0,5M
V01
_
R’o1 = RD // rd = 5 // 10 = 3,33 K
R’01
Fig 1-16
La fuente de señal V01 y la resistencia R´ 0 de la figura 1-16, se aplican a la entrada del

transistor Q2 para alterna. Aplicando el teorema de Thèvenin a la base de esta segunda
etapa del amplificador, esta figura se transforma como se muestra en la 1-17:
RC2 = 2K RC2 = 2K
R’01 = 3,33K RTH = 2,5K

Q2 Q2 +
V01 RB VTH V02

10K _
R’02
Fig 1-17
R' . R 3,33 . 10
RTH = = 2,5 K
01 B
' =
R01 + 3,3 + 10
3
B
V01 . RB
V = = - 6,66 . V 10 =-5V
TH i i
'
+ RB 3,33  10
R01
Utilizando las ecuaciones aproximadas de una etapa amp. en emisor común C.E. : la ga-
nancia de tensión y la resistencia de salida de esta etapa ,serán

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R´02 = RC2 = 2 K
 0 .
AV = V02 = - 100 . 2 = - 57
RC2 =
2 VTH R TH + 2,5 + 1
r2
V02 = - 57 VTH = (-57) . (-5) Vi = 285,7 Vi
La fuente de señal V02 y la resistencia R´ 0 forman el equivalente de Thèvenin de la segun-

da etapa, como se muestra en la figura 1-18. Utilizando las ecuaciones de una etapa amp.
en colector común CC: la ganancia de tensión y la resistencia de salida de esta etapa serán
V03
AV = =
(0  1) R E3
3 V02 R ' + r  (  1) R
R’02 = 2K 02 3 0 E3
Q3
+ V03
_
V03 100 + 1 . 5
V02 RE3 AV3 = = 0,995
=
5K V02 2 + 0,5 + 100 + 1 5
R’03
Fig 1-18
V03 = 0,995 . V02 = 0,995 . 285,7 Vi = 284,2 Vi
 2 + 0,5 
R' + r 5.
1 + 100 
R' = R // 02 3  = 25 
03 E3 1 + 0 =  2 + 0,5 
5 +  
1 + 100 
e) La ganancia total
V03
AV = = 284,2
Vi
f) Las resistencias de entrada y de salida, por ser una configuración en cascada, son sim-
plemente las resistencia de entrada de la primera etapa y la de salida de la última.
R’i = RG = 0,5 M
R’ 0 = R’03 = 25 

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Problema 1-5.
El circuito de la figura 1-19 está basado en un par Darlington en el que ambos transistores
Q1 y Q2 tienen ICO1 = ICO2 = 0, rb = 0 y r0  .
CC
VCC = 24 V.
RB RC RC = 560 
VCC
RE = 100 
CB
Q1 VCE2 = 6,84 V.
Q2
VBE1 = VBE2 = 0,67 V
vi
+
RB v0 F1 = 01 = 39
_
F2 = 02 = 25
Fig 1-19
VT = 25 mV
a) Calcular los valores de las in-

tensidades de corriente de continua para los transistores
b) Calcular RB
c) Valores de gm y r de ambos transistores a temperatura ambiente.
d) Representar el circuito equivalente de pequeña señal y baja frecuencia, suponiendo que
los condensadores forman un cortocircuito,
e) Ganancia corriente total.
f) Ganancia de tensión.
Solución
RB RC = 560  a) En el estudio en continua los condensadores

VCC actúan como circuitos abiertos y el generador de
IC1 IC1 + IC2 tensión alterna vi se cortocircuita. El circuito de
I B1
+ la red de polarización se indica en la figura 1-20
+VCE1 IC2
-
VBE1 + Relacionando corrientes:
-
+ VCE2
-
IB2VBE2
- RE = 100  IB2 = - IE1 = IB1 + IC1
IB2 + IC2
Por estar los transistores en activa:
Fig 1-20
IB2 = IB1 ( 1 + F1 )
IB2 = IC2 / F2 e IC2 = IB1 ( 1 + F1 ) F2

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Aplicando la ley de Kirchhoff al lazo colector-emisor de Q2
-VCC + RC (IC1 + IC2 + IB1 ) + VCE2 + RE ( IB2 + IC2 ) = 0
Sustituyendo las corrientes IC1 e IB2
-VCC + RC  IB1 ( 1 + F1 ) + IC2  + VCE2 + RE  IB1 ( 1 + F1 ) + IC2  = 0
Sustituyendo IC2
-VCC + RC IB1(1 + F1) + (1 + F1)F2  + VCE2 + RE IB1 (1 + F1) + (1 + F1)F2 = 0
Dando valores y despejando IB1
- 24 + 0,56 IB1 (1+39) + (1+39) 25  + 6,84 + 0,1 IB1 (1+39) + (1+39) 25  = 0
IB1 = 0,025 mA
Dando valores a las otras corrientes
IC1 = 39 . 0,025 = 0,975 mA
IC2 = 0,025 ( 1 + 39 ) 25 = 25 mA
IB2 = 25 / 25 = 1 mA
b) Aplicando la ley de Kirchhoff a los lazos base-emisor de Q1 y de Q2
-VCC + RC (IC1 + IC2 + IB1 ) + I B1 RB + VBE1 + VBE2 + RE ( IB2 + IC2 ) = 0
Sustituyendo las corrientes IC1 e IB2
-VCC+ RC IB1 (1 + F1) + IC2 + I B1 RB + VBE1 + VBE2 + RE IB1 (1 + F1) + IC2 = 0
Sustituyendo IC2
-VCC+RCIB1(1+F1)+(1+F1)F2 +I B1 RB +VBE1+VBE2 +REIB1(1+F1)+(1+F1)F2=0
Dando valores y despejando RB
- 24+0,56x0,025(1+39)+(1+39)25+RB x0,025+2 .0,67+0,1 x0,025(1+39)+(1+39)25 = 0
RB = 220 K
c) La transconductancia gm y la resistencia r de los transistores bipolares

 01
gm1 = IC1 0,97 = 0,039 s. r1 =  39  1000 
= 5
25 25 gm1 0,039
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gm2 = IC2 = 25 = 1 s. r2 =  02 = 25 


25
25 25 gm2 1
d) El circuito equivalente de pequeña señal, se representa en la figura 1-21
Ii Ib1 Ie1 Ib2 Ie2

B1 E1 = B2 E2
r1 r2 +
+ V1 - + V2 - I0
IRB RB REV0
Vi 220 K gm1 V1 gm2 V2 100 
_
C1 C2
Fig 1-21
e) La ganancia de corriente total, se puede descomponer en:
AIT I0
= = I0 . Ib1
Ii Ib1 Ii
Igualando corrientes
I0 = Ie2 = - Ib2 - Ic2 = - Ib2 (1 + 02 ) Ib2
= - Ie1 = Ib1 + Ic1 = Ib1 (1 + 01 )

I0
= - (1 + 01 ) (1 + 02 ) = - ( 1 + 39 ) . ( 1 + 25 ) = -1040
Ib1
Aplicando la ley de Kirchhoff al nudo de entrada
Ii = Ib1 + IRB
VRB r 1 I b1 + r 2 I b2 - R E I e2
I RB = =
RB RB
r 1 I b1 + r 2 ( 1 +  01 ) I b1 + R E ( 1 +  01 ) ( 1 +  02 ) I b1
I RB =
RB
 r + r ( 1 +  01 ) + R ( 1 +  01 ) ( 1 +  02 ) 
I =I 1+ 2 E
1
i b1  
 RB 
Despejando
lOMoARcPSD|28467915
E
L
AI
-
E
UI
TI

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Ib1
Ii = R RB
B
+ r + r 2 ( 1 + 01 ) + R E ( 1 + 01 ) ( 1 + 02 )
1
La ganancia de corriente total
AIT
I Ib1
= Ib10 . I
i
AI
T=- ( 1 + 01 ) ( 1 + 02 ) R B
RB + r 1 + r ( 1 + ) + R ( 1 + ) ( 1 + 02 )
2 01 E 01
dando valores
AIT
( 1 + 39 ) ( 1 + 25 ) 220
= - 220 + 1 + 0,025 ( 1 + 39 ) + 0,1 ( 1 + 39 ) ( 1 = - 701,8
+ 25 )
f) La ganancia de tensión
V
AV = 0
Vi
La tensión de salida
V0 = - RE I e2 = RE (1 + 01 ) (1 + 02 ) Ib1
La tensión de entrada
Vi =
r 1 Ib1 + r 2 ( 1 + 01 ) Ib1 + R E ( 1 + 01 ) ( 1 + 02 ) Ib1
R E ( 1 + 01 ) ( 1 + 02 ) Ib1

AV =
r 1 Ib1 + r 2 ( 1 + 01 ) Ib1 + R E ( 1 + 01 ) ( 1 + 02 )
Ib1
Dando valores
AV = 0,1 ( 1 + 39 ) ( 1 + 25 = 0,98
)
1 + 0,025 ( 1 + 39 ) + 0,1 ( 1 + 39 ) ( 1 + 25 )

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Problema 1-6.
El circuito de la figura 1-22, es un amplificador cascodo utilizado como desplazador de

nivel de contínua. Está construido con dos transistores bipolares de las mismas caracterís-
ticas:
VCC = 30 V.
R3 30,5K RL 200
CB2 v0
Q2
R2 15K RC 330
gm1 = gm2 = 0,4 s.
CB1 r1 = r2 = 500 

Q1
Rg 200 VT = 25 mv.
vi R1 10K RE 470
CE VBE = 0,7 v.
Ri R0
Fig 1-22
a) Calcular el punto de polarización de los dos transistores.
b) Representar el circuito equivalente de pequeña señal a frecuencias bajas, suponiendo

que a la frecuencia de la red no existen efectos capacitivos.
c) Calcular la ganancia de tensión: AV = Vo / Vi
d) Calcular la resistencia de entrada Ri y la resistencia de salida R0 del circuito
Solución
El incremento de la ganancia de corriente directa en cortocircuito y emisor común. 0 ,

para los dos transistores
0 = gm . r = 0,4 . 500 = 200
Considerando
0 = F = 200

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La figura 1-23, representa el circuito para contínua, en el cual el generador de tensión al-
terna vi se cortocircuita y los condensadores actúan como circuitos abiertos.
VCC = 30 V. Siendo IC1  IB1 e IC2  IB2
R3 RL  IE2 = - IC1  IC1 = IC2

30,5K IC2 200
+
Suponiendo I 2  IB1 e I 2  IB2
VB2 VCE2
+ VBE -
la tensión de Thèvenin en la base de Q1
R2 - RC
15K 330
I2 IC1 VB1 = VB2 R1
R1 + R2
VB1 V+CE1
-
+ Aplicando la ley de Kirchhoff al lazo base-emisor de Q1
VBE y despejando IC1
-
R1 RE
10K 470
-VB1 - IE RE + VBE = 0
IC1  -IE1 = VB1 R

-VBE
Fig 1-23
Aplicando la ley de Kirchhoff al lazo base-emisor de Q2

colector-emisor de Q1 y despejando VCE1
- VB2 + VBE + (RC + RE ) IC1 + VCE1 = 0
VCE1 = VB2 - VBE - (RC + RE ) IC1
Calculando la tensión de Thèvenin en la base de Q2
VB2 = VCC (R1 +R2 )

R3 + R1 +R2
Aplicando la ley de Kirchhoff al lazo base-emisor y emisor-colector de Q2 y despejando

VCE2
- VB2 + VBE - VCE2 - IC1 RL + VCC = 0
VCE2 = - VB2 + VBE - IC1 RL + VCC
Dando valores , el punto de polarización de cada transistor será:
VB2 = 30 ( 10 + 15
= 13,5 V.
)
30,5 + 10 +
15
13,5 .10
VB1 10 + 15 = 5,4 V.
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5,4 -
IC1 = IC2 = = 10 mA
0,7
0,47
VCE1 = 13,5 - 0,7 - (0,33 + 0,47 ) 10 = 4,8 V.
VCE2 = 30 - 10 . 0,2 - 13,5 + 0,7 = 15,2 V.
b) La figura 1-24 representa el circuito equivalente para pequeña señal y baja frecuencia:
Ii Ic1 Ie2 gm V2

B1 C1 E2 C2
Rg RC = 330 +
200 IR Ib1 Ib2 I0
+ -
R1 //R2 V1 r1 gm V1 V2 r2 RL V0
- +
Vi 6K 200
_
E1 B2
Ri R0
Fig 1-24
c) Ganancia en tensión AV = V0 / VI
La tensión de salida
V0 = - I0 RL
I0 = gm V2
V2 = r2 Ib2
sustituyendo
V0 = - gm V2 RL = - gm . r2 . Ib2 . RL = - 0 Ib2 RL
relacionando las corrientes Ib2 con Ib1
Ic1 = -Ie2 = Ib2 + gm V2 = Ib2 (1 + 0)
Ic1 = gm V1 = 0 Ib1
La tensión de salida V0 en función de Ib1

V0 =   0 RL IC1  0 RL Ib1
2
=-
1+0 1+0
La tensión de entrada se descompone

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Vi = R I + Vb1 = V1 = Ib1 r1

i
g
Vb1
Ii = IR + Ib1
IR = V 1 r I
= R 11// b1R
R1 // R2 2
Ii = IR + Ib1 = r 1  R1 // 
 Ib1
 RR // 2R
 1 2 
La tensión de entrada Vi en función de Ib1


V =R I + r 1 R1 // R 2  +r I

=
i g 1  R  1  b1
i  R1 // R 2 
g

Sustituyendo la tensión de entrada y de salida en la ganancia de tensión
  0 RL
0
1+0
AV = V0 = 
Vi r  R1//R2  R + r 1
 

R1//R2  g
Como 10 .15
R1//R =10 + = 6K >> r 1 y 0 >> 1
2
15
se puede simplificar
  0 . RL
AV = V0
Vi = R g + r 1
Dando valores
 200 . 0,2
AV = = - 57,14
0,2 + 0,5
d) La resistencia de entrada:
Ri = R1 // R2 // r1  r1
Ri = 500 
La resistencia de salida :
R0 = RL R0 = 200 

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Problema 1-7.
Para la conexión en paralelo de transistores de la figura 1-25, suponiendo que estos sean
idénticos, calcular:
VCC
1) El modelo equivalente de pequeña señal.
2) La ganancia de tensión AV= v0 / vi.
3) La impedancia de entrada vi / ii. ii

vi Q1 Q2
4) La impedancia de salida R R
.
+
i0 RLv0
-
Solución. Fig 1-25
1.) Modelo equivalente de pequeña señal se representa en la figura 1-26.
ii
ib1 r gm v ib2 r gm v
vi (1+) ib1 R (1+) ib2 R
+
i0 RLv0
_
Fig 1-26
2.) Por ser los transistores idénticos
ib1 = ib2  io = 2( 1+0) ib! v0
= RL i0 = RL 2( 1+0) ib1
vi = r + R ( 1+0) + RL 2( 1+0) ib1

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v0
V = = R L 2 (1 +  0 )
vi r + R (1 +  0 ) + R L 2 (1 +
0 )
3.) ii = ib1 + ib2 = 2 ib1
La impedancia de entrada:
vi r + R (1 + 0 ) + R L 2 (1 + 0 )
Zi = =
i
i 2
4.) La impedancia de salida Z0 es la resistencia vista desde la carga. Por definición, Z 0 se

halla haciendo la tensión de fuente vi igual a cero y RL hacia infinito, aplicando una fuente
v0 a los terminales de salida y midiendo la corriente i0 producida (figura 1-27).
ib1 r ib2 r
R(1+0)ib1 R(1+0)ib2
0 ib1 i0 0 ib2
v0
Fig 1-27
i0 = - 2 (1+0) ib1
v0 = -r + R ( 1+0) ib1
v0 r
Z = = + R (1 +  0 )
0
i0 2 R (1 +  )
0

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Problema 1-8.
Calcular para el circuito Darlington de la figura 1-28 con:
VBE = 0,7 V , 1 = 160 , 2 = 200 y VT = 25 mV
1) los valores de polarización: VB1 , VC2 e IC.
2) la tensión de salida total vO a frecuencias bajas.
16 V
IC 100
C2
C1 v0
Q1
vi =120 sen t mV 1,5M Q2
Fig 1-28
Solución.
1) El circuito de continua se representa figura 1-29.
16 v
IC100
IE1
 0,7 + VC2
VB1 IC2
IB1 IC1 IB2
+
1,5M
0,7v _
Fig 1-29
IC = IE1 + IC2
IB2 = - IC1
Por estar los transistores en zona activa:
IC2 = F2 IB2 = - F2 IC1
IC1 = F1 IB1 IC2 = - F1 F2 IB1

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Como F>>1  IE1  - IC1
IC = -IC1 + IC2 = - F1 IB1 - F1 F2 IB1 = - (F1 + F1 F2 ) IB1
IC = - ( 160+160 . 200) IB1 = -32160 IB1
Apliocando la ley de Kirchhoff al lazo emisor-base de Q1.
16 = 100 10-3 IC + 0,7 – 1,5 103 IB1
Sustituyendo IC
16 = - 100 10-3. 32160 IB1 + 0,7 – 1,5 103 IB1
Despejando IB1
0,7 - 16 -3
IB1   - 3,2 10 mA
4716
VB1 = -1,5 103 IB1 = 1,5 103 . 3,2 10-3 = 4,8 V
IC = 32160 . 3,2 10-3 = 103 mA
VC2 = 16 – 0,1 IC = 16 – 0,1 . 103 = 5,7 V
IC1 = F1 IB1 = 160 (-3,2 10-3) = - 0,5 mA
La transconductancia gm y la resistencia r del transistor bipolar 1.
gm1 =
IC 0,5 = 0,02 s. r1 = 01  160  8000 
1 =
25 25 gm1 0,02
2) El circuito para alterna se representa en la figura 1-30.
Vi b1 Ib1 c1= b2 r2 Ib2 e2
r1 01 Ib1 02 Ib2

1,5 M
e1
+ c2
Ie1 100 Vo
-
Fig 1-30

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Ie1 = - Ib1 - 01 Ib1 + 02 Ib2

Ie1 = - Ib1 - 01 Ib1 - 02 01 Ib1
Ib2 = - 01 Ib1
Ie1 = - Ib1 ( 1+ 01 + 01 02 )  - Ib1 01 02
La tensión de salida de pico para señal
V0 = - 0,1 Ie = 0,1 Ib1 01 02
V0 = 0,1 . 160 . 200 . Ib1 = 3200 Ib1
La tensión de entrada de pico para señal
Vi = r1 Ib1 – 0,1 Ie1 = r1 Ib1 + 0,1 Ib1 01 02
Vi = (8 + 0,1 . 160 . 200) Ib1 = 3208 Ib1
V0 3200
AV =  1
Vi 3208
V0 = Vi = 120 mv
La tensión de salida para alterna:
vo = 120 sen t (mv)
La tensión de salida total
v0 = V0 + vo = VC2 + vo = 5,7 + 120 10-3 sen t (v)

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Problema 1-9.
En el circuito de la figura 1-31 se consideran los amplificadores operacionales ideales y el

condensador inicialmente descargado. Para una señal de entrada cuadrada de frecuencia
50 Hz, como la representada en la figura 5-32. Si R1 = 200 K y C = 100 nF:
Fig. 1-31
vi (v)
1. Calcular la ganancia v02/vi.
20
t
2. Dibujar con detalle la señal de salida
-20
v02=f(t) para dos ciclos completos.
Fig. 1-32
Solución.
1.) La impedancia del condensador es:
ZC  1
j
C
La ganancia de tensión de la primera etapa:

v Z 1
V1  01  - C  -
vi R1 j  R1 C
La ganancia de tensión de la segunda etapa:
v
V2  02  - 1
v01
La ganancia de tensión total:

v
V  02  1
vi j  R1
v C
V  02  0,16
1 
vi 3 -9 j
j. 2 . . 50 . 20010 .10010

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2.) La primera etapa es un integrador, figura 1-33.
iC
vi v+ v01
v-
i1
Fig 1-33
Las corrientes por las patillas de entrada al AO son nulas y v+ = v- = 0.
i1 = - iC
v
i1  1
R1
1 1 1
v01  vC   i C dt  - i1 dt  -  vi dt
C C R1 C
La segunda etapa es un inversor, figura 1-34.
v+ = v- = 0.
v v
i2  01  - 02 i2
R R v01 v02
v02 i2
-1
v01 Fig 1-34
1
v02 
R1
 vi dt
Para f = 50 Hz  1 1
t   0,2 s
f 50
 Si 0  t  0,1 s como v1
v02  20 t
R1 C t  3 -9
200 10 .10010
t=0  v02 = 0
t = 0,1 s  20 . 0,1
v02  3 -9
 10 v
20010 .10010

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v1
 Si 0,1  t  0,2 s como v02  v02 (t  0,1) (t - 0,1)
R1 C

t = 0,1 s  v02 = 10 v
t = 0,2 s
v02  10  (-20)3(0,2 - 0,1)
-9  0
20010 .10010

 Si 0,2  t  0,3 s como v1

v02  v02 (t  0,2) (t - 0,2)
R1 C

t = 0,2 s  v02 = 0
t = 0,3 s
v02  0  20 . (0,3 - 0,2)  10 v
3 -9
20010 .10010

Representación de la señal de entrada y de salida en función de t.
vi
20
0,1 0,2 0,3 0,4 t
-20
v0
10v

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Problema 1-
El circuito de la figura 1-35, muestra un amplificador diferencial de elevada impedancia
de entrada. Calcular V0 , suponiendo los A.O. ideales
R2 R1 R1 R2
vi1
V1
V2 vi 2
V0
Fig 1-35
Solución
Poniendo corrientes y tensiones de referencia a la figura 1-35, obtenemos la figura 1-36
R2V’1R1 V0 1 R1V’2R2
I1 I2
vi1
V1
V2 vi 2
V0
Fig 1-36
Considerando a los Amp-Op ideales
vi = 0  V1 = V’1 y V2 = V’2
y las corrientes de entrada por los terminales de Amp-Op son cero, por tanto
I1 R2
= V ; V01 = (R2 + R1 ) I1 = (R2 + R1 ) V1
R
V0 - V2
V2- V01
I2 R2
= = R1
Sustituyendo en la tensión de entrada
V0 = I 2 R
2
+ V2 = (V2 - V01 ) + V2
R2
 
V0 = V2 - (R2 + R1 ) V1 R2 + V2 = (V2 - V1 ) R2 + R1
R
R2 R1 R1

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Problema 1-11.
En el circuito de la figura 1-37 se considera a los Amplificadores Operacionales ideales.

Para V1 = 2 V. y V2 = 2,5 V. Calcular:
a) La tensión de salida del primer Amp-Op, V01.

b) La corriente ID que pasa por la carga.
V1
R 1 = 1 K R2 = 10 K
1
V01 2
ID Carga
R 3 = 1 K R4 = 10 K
V2
R = 2,5 K
Solución
Fig 1-37
Poniendo corrientes y tensiones de referencia a la figura 1-37, obtenemos la figura 1-38.

I1
V -1
V1
R 1 = 1 K R2 = 10 K
vi 1 V+2
V01 vi 2
ID Carga
R 3 = 1 K R4 = 10 K
V2 + -
V1 V2
IR R = 2,5 K
Fig 1-38
Considerando a los Amp-Op ideales

vi = 0  V = V y V = V
1 1 2 2
a) El equivalente de Thèvenin de la entrada V

1
R
V = 10
4 V = 2,5 = 2,273 V.
2
1
R + R4 1 + 10
3

ELAI - EUITI

V
1
I =
- V- 2 - 2,273 = - 0,273 mA
1 =
1 R1 1
Dando valores, la tensión de salida V01.
V01 = V
- R2 I1 = 2,273 - 10 . (-0,273) = 5 V.
1
b) Como las corrientes de entrada por los terminales del Amp-Op ideal son cero y
V = V
V01
 I = I =
2 01
D R
R
dando valores la corriente que pasa por la carga

5
I =
D
2,5 = 2 mA
Problema 1-12.
Dado el amplificador de instrumentación mostrado en la figura 1-39, encontrar la tensión

de salida si la entrada superior V 1 = 0,15v. y la entrada inferior V2 = 0,1v. Se considera a
los amplificadores operacionales ideales.
V1
1
R3
R1 R5
3
RA V0
R2
R4 R6
V2 2
Fig 1-39
R1 = R2 = R3 = R4 = 10 K
R5 = R6 = 20 K RA = 2 K

ELAI - EUITI

Solución
Poniendo corrientes y tensiones de referencia a la figura 1-39, obtenemos la figura 1-40.

I5
V1 V +1 V01
vi
1
R3 I5
V -1 R1 V -3 R5
I v
i3
RA I I V0
V +3
V -2 R2
R4 R6
V2 vi2
V +2 V02
I6
Fig 1-40
Considerando a los Amp-Op ideales vi = 0

V1 = V = V = 0,15 V. ; V2 = V = V = 0,1 V. y V = V
1 1 2 2 3 3
Como las corrientes de entrada por los terminales del Amp-Op ideal son cero, la corriente
que circula por las resistencias R1 , R2 y RA
V1 - V2 0,15 - 0,1
I = A = 2 = 0,025 mA
R
Las tensiónes de salida del Amp-Op 1, V01, y del Amp-Op 2, V02 , serán
V01 = V1 + R1 . I = 0,15 + 10 . 0,025 = 0,4 V.
V02 = V2 - R2 . I = 0,1 - 10 . 0,025 = - 0,15 V
Aplicando el equivalente de Thèvenin en la entrada + del Amp-Op 3,
V+ = V02 R6 - 0,15 . 20 = - 0,1 V Como: V = V = - 0,1 V.

3 R4 + R6 = 10 + 20 3 3
La corriente que circula por las resistencias R3 y R5
V01 - V- 0,4 - (-0,1)

I = =
3
= 0,05 mA
5 R3 10
La tensión en la salida del Amp-Op 3
V0=
V - I5 R5 = - 0,1 - 0,05 . 20 = - 1,1 V.
3

ELAI - EUITI
Problema 1-13.
El circuito de la figura 1-41 utiliza amplificadores operacionales ideales y un diodo zener

también ideal con VZ = 6V. Calcular para Vi = 5 V y Vi = 10 V.
a) La tensión de salida del primer operacional, V01.
b) La corriente en la carga, IL.
V01
V02
IL ZL
Fig 1-41
Solución.
a) * Si Vi = 5 V el diodo zener estará en OFF y se comportará como un circuito abierto,

la primera etapa amplificadora será un inversor, como se puede ver en la figura 1-42
Como en la entrada del Amp-Op existe una

tierra virtual tendremos
I
V01
Vi
I = 20 V01
vi = 0 = - 20
I
V01 = Vi = - 5 V.
Fig 1-42
* Si Vi = 10 V. el diodo zener estará en zona zener, la primera etapa amplificadora se

corresponderá con la de la figura 1-43
ELAI - EUITI

I = I1 + I2 I2
Vi - V01 - 6 - V01 I1
20 =
20 + V01
40
vi = 0
I
V01 = - 8,66 V.
Fig 1-43
I1
-
V01 V 2 V02 b) Para el Amp-Op 2, por ser ideal vi = 0
vi = 0
I1 V = V  I1 = I2
2 2
V +2
I3 ZL I2
I I=
-
V0 - V V- - V
2 2 02
1 =
L 1
20 40
V02 = V - 40 I1
2
Fig 1-44
V02 = V -
  2
2 (V01 - V ) = 3 V - 2 V01
2 2
V+ - V
V + - 3 V- + 2 V - 2V+ + 2 V
2 02 2 2 01 2 01
I2 = = =
40 40 40
- V+ - V
2 01
I2 = = - I 3 - IL
20
+
+ +
- V2 + 01
V2 - V2  V + = - V01
= -
20 20 2
10
2
+
V01
I L = V2
ZL = - 10 Z
L
* Si Vi = 5 V  V01 = - 5 V. e IL -5
= = 0,25 mA
10 . 2
* Si V = 10 V  V = - 8,66 V. e I - 8,66
= = 0,433 mA
i 01 L
10 . 2

ELAI - EUITI

Problema 1-14.
El circuito de la figura 1-45 representa un puente detector de error alimentado en continua

con Vi , unido a un amplificador operacional que amplifica el desequilibrio del puente (R 2
es la resistencia de un sensor de la magnitud a controlar y R4 sirve para ajustar el proceso).
* Calcular la tensión de salida V0 = f (Vi), considerando el amp-op ideal , si:
R 5 = R8
R1 R4 R8
R6 = R7
R5
Vi R2 R3 V0 R <<R
R6 1 6
R7 R3<<R5
Fig 1-45
Solución.
Poniendo corrientes y tensiones de referencia a la figura 1-45, obtenemos la figura 1-46
R1 R4 I R8
A BR5
Vi R2 R3 V- V+ V0
R6
R7
Fig 1-46
Aplicando el teorema de Thèvenin entre los puntos A y tierra y B y tierra, la figura 1-46 se
transforma en la 1-47.
I R8
VB RB R5
V- V+ V0
VA RA R6
R7
Fig 1-47

ELAI - EUITI

R2 R3
A
V = VB V = V
R1 i R3 i
+ R2 + R4
R 2 . R1 R 3 . R4
R = R / /R = R = R //R =
A 1 2 B 3 4
R1 + R2 R 3 + R4
Si R1<<R6 y R3<<R5  RA = R1//R2<<R6 y RB = R3//R4<<R5
Por considerar al amp-op ideal ( V+ = V- ) y ser R6 = R7

 -
V = V
R7 VA  -
= V = V = V = R2 Vi
A R1 + R 2 2
R 6 + R7 2
No hay corriente en ningún terminal de entrada, por tanto:
VB
I = - R8
- V V - - V0 V0 = V -
- -
R5 = R8  (VB - V )
R5
Como : R5 = R8  V0 = 2 V- - VB
 R2 R 3
V0 =  R + R -
 1 2 R+3 RVi 4 
Problema 1-15.
En el circuito limitador de la figura 1-48, se utilizan un amplificador operacional ideal y

diodos zener de:
V = 0,6 v RF = 0 y VZ = 5 v.
Dada vi (t) obtener y representar v0(t), fijando las diferentes zonas de funcionamiento de
los componentes. R2 = 2 R1
DZ1 DZ2
vi (v)
10 R2
T/2 T R1
t vi v0
-10 R3
Fig. 1-48

ELAI - EUITI

Solución.
* Si ¿  vi  10 v DZ1 ON y DZ2 en zona zener
V DZ1 DZ2
I i 0,6v 5v
5,6
R1 I R IZ
R2 R2
R1 IR
I = I – I = Vi 5,6
 I
Z R vi v0
R1 R2 R3
V0 = - 5,6 V Fig.1-49
Para que IZ  0 5,6

Vi  0 5,6 . R1 5,6
 V    2,8 v

R1 R 2 i
R2 2
2,8 v  vi  10 v  v0 = - 5,6 v
* Si ¿  vi  2,8 v DZ1 OFF y DZ2 OFF
I = IR
v R2 IR
 Ri
1
R1
R2
V =-R .I =-v =-2 vi v0
v I
i
0 2 R i R3
R1 Fig. 1-50
DZ1 pasa a zona zener y DZ2 pasa a ON cuando v0 = 5,6 v = - 2 vi vi = - 2,8 v
- 2,8 v  vi  - 2,8 v  v0 = - 2 vi
* Si -10 v  vi  -2,8 v DZ1 en zona zener y DZ2 ON
DZ1 DZ2
Vi 0,6v 5v
I 5,6 IZ
R1 IR  R2
R2
- R1 IR
I = I – I = Vi 5,6 vi I v0
Z R  R3
R1 R2 Fig. 1-51
V0 = 5,6 V

ELAI - EUITI

-10v  vi  - 2,8 v  v0 = 5,6 v
Representación de vi(t) y v0(t):
vi (v)
10
T/2 T
t
-10
v0 (v)
5,6
T/2 T
t
-5,6
Problema 1-16.
Determinar el voltaje de salida para el circuito de la figura, considerando a los amplifica-

dores operacionales ideales.
100 K 220 K
10 K 22 K
V1= 12 mV v0
22 K
v2=20 sen t (mv)
Fig 1-52
Solución.
ELAI - EUITI

I1 I2
I1 100 K I21 220 K

V1= 12 mV v0
10 K V0122K I22
22 K
v2= 20 sen t (mv)
V1 V - 100
I1   - 01  V01  V1  - 10 V1
10 100 10
V
I21  01  - 10 V
22 22 1
v2
I22 
22
I 2  I 21  I 22
I2  - v
0
220
Sustituyendo las corrientes
v0
- 220 - 10 V1 v 2
 22  22
v0 = 100 V1 - 10 v2
v0 = 100 . 12 - 10 . 20 sen t
v0 = 1200 - 200 sen t (mv)

ELAI - EUITI

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Amplificadores - Problemas resueltos

Electrónica Analógica (Universidad Politécnica de Madrid)

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Sara López Ferre

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a) Prescindiendo del efecto Early y de las componentes de corriente debidas a la polariza-

R IR VEB1 = VEB2 = VEB

Fig 1-2 y en consecuencia

Aplicando Kirchhoff, se tiene:

1 Sara López Ferre

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despejando IR e igualando ambas ecuaciones

con los transistores en zona activa IC = F IB , sustituyendo y despejando IC

despejando R y dando valores

b) El valor de VEB para un cambio en la temperatura de 50 ºC

VEB (25ºC + T) = ( 0,7 - 2,2 10-3 T)

VEB (25ºC + 50ºC) = ( 0,7 - 2,2 10-3 . 50) = 0,59 V.

I' - I VEB - V'

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2 Sara López Ferre

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El amplificador de la figura 1-3 tiene las siguientes características:

Si se considera el NMOS ideal. Calcular:

a) El punto de trabajo del transistor

d) La impedancia de entrada y de salida

La tensión y la resistencia de Thèvenin, serán:

VGG = 15 . 150 = 7,5 V. RG = 150 . 150 = 75 K

3 Sara López Ferre

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Fig 1-4 Fig 1-5

Aplicando la ley de Kirchhoff al lazo puerta-fuente del circuito, considerando IG  0

despejando ID y dando valores

Situando el MOS en zona de saturación, por utilizarse como amplificador

Aplicando la ley de Kichhoff al lazo drenador-fuente y dando valores a VDS

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- VDD + ID (RD + RS ) + VDS = 0

VDS = VDD - ID (RD + RS ) = 15 - 2,33 ( 3,9 + 1 ) = 3,58 V.

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c) Para hacer al análisis de la amplificación se utiliza el modelo equivalente de baja fre-

Al ser una etapa en fuente común

R’o = RD // rd = 3,9 // 20 = 3,26 K

5 Sara López Ferre

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El circuito de la figura 1-7 corresponde a un amplificador multietapa.. Suponiendo que a la

a) Los puntos de polarización de ambos transistores

b) Los parámetros gm y r de ambos transistores.

c) El circuito equivalente de pequeña señal.

d) La ganancia en tensión Av = Vo/Vi.

e) La resistencia de entrada Ri y la resistencia de salida Ro .

Datos: VT = 25 mV; VBE = 0,7V; o1 = 100; o2 = 200; rb = 0; ro  

a) En el estudio en continua los condensadores actúan como circuitos abiertos.

- VCC + IB1 RB + VBE = 0

6 Sara López Ferre

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Trabajando el BJT en activa y considerando ICO  0

IC1 = F1 . IB1 = 100 . 10 10-3 = 1 mA

Aplicando la ley de Kirchhoff al lazo emisor-colector:

VCE1 = VCC - IC1 RC1 = 10 - 1 . 4,7 = 5,3 V.

El circuito de la red de polarización del transistor 2 indicada en la figura 1-9 se sustituye

Fig 1-9 Fig 1-10