Tema 1b: El Transistor BJT

 Principi físic.Tipus de transistors B.J.T.

 Corba característica I(V) de entrada i sortida del NPN en emissor comú.
 Anàlisis en DC. Model en DC pel B.J.T.
 Anàlisis en A.C. Model en A.C. pel B.J.T.Circuits amplificadors amb BJT.
 B.J.T en cascada. Transistor Darlington encapsulat.
 Exercicis

Bibliografia
[1] Boylestad, Nashelsky. Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos
(Octava edición-2003), Pearson/Prentice Hall
[2] Prat, L. Circuits i Dispositius electrònics. Fonaments d’electrònica (2001),
Edicions UPC y Alfaomega Grupo Editor
 Principios físicos.

Símbolos
Estructura interna:

Cuando consideramos la estructura física del transistor (NPN), en la zona de carga espacial de la unión
emisora circulan unas corrientes de huecos y electrones que obedecen a la ley del diodo. A consecuencia
de la polarización directa, el emisor inyectará muchos electrones a la región P de la base y serán atraidos
hacia el fuerte campo eléctrico del colector.

Sobre una estructura

NPN “polarizada”
 Comportamiento idealizado del transistor bipolar

I E  I B  IC  Corrientes externas con el transistor polarizado


  Relaciones más importante s en la región de trabajo activa.
IC    I B     es " el factor de amplificac ión".

Convenio de tensiones y corrientes

NPN PNP

VCE  VBE  VCB VEC  VEB  VBC

Características I-V
Sobre la configuración de emisor común

Características de entrada I B  f (VBE )

(diodo)

Características de salida I C  f (VCE )

Modelo en continua según modo de trabajo

IC    IB
IB  0
VCE  (VCEsaturación  0,2V)
VBE  0,7V
IC    I B
IB  0
VCE  (VCEsaturación  0,2V)
VBE  0,7V
IC  0
IB  0
VBE  0,7 V
VBC  0,7 V
Análisis en DC de circuitos con transistores bipolares
El objetivo del análisis en DC es conocer las tensiones en los nudos del circuito y las corrientes que circulan
por sus elementos. En particular, calcular tres corrientes, IE, IB, IC y tres tensiones, VBE, VCE, VCB. El punto de
trabajo Q es IC y VCE .

Ejercicio
Dado el circuito de la fig 1 encontrar el punto de trabajo Q(VCEQ , IC ) con los datos del transistor que se dan.
 Thevenin 
15V
VTH   5K  5V
15K
R TH  10K // 5K  3,3K

tensiones en V y resistenci as en K : Re lación entre I C e I E  En la salida (malla de colector) 

15  3  I C  VCE  2  I E 
  15  5  I C  VCE
En la entrada (malla de base)  IC    IB   1 IE  IC 
  IE   IC
5  3,3  I B  VBE  I E  2 I E  IB  IC   V
o bien : I C   CE  3
IC    IB  Si   1 (como es normal)  I E  I C 5
  I E  (1  )  I B que es la " recta de carga en continua" (rcc)
I E  IC  I B 
5  3,3  I B  VBE  (1  )  I B  (con los datos) 
I B  20,9A
I C    I B  100  20,9A  2,09mA

6
Ejercicio
Indicar en que zona de trabajo se encuentra el transistor de la figura.

Comprobamo s la tensión de base. Sin el efecto diodo de la base del transisto r :

10V  5V
VBs  10K  5V  2,5V  0,7V.  El transisto r podría estar en la zona activa o en
20K
la zona de saturación . 
Corriente de base (con VBE  0,7V) 
10V  0,7V  5V  0,7V
I B  I1  I 2    0,36mA
10K 10K
10V - 0,2V
Hipótesis : si el transisto r está en la zona de saturación  VCEsat  0,2V  I Csat   9,8mA
1K
como   I B  50  0,36mA  18mA entonces 
  I B  I Csat es decir, 18mA  9,7mA  El transisto r está efectivame nte en la zona de saturación .

7
Modelo en AC para el BJT
Análisis en pequeña señal: Circuito incremental y ganancia
Cuando los incrementos son de pequeña amplitud, se puede considerar que el circuito
incremental del transistor es lineal. Se le denomina también modelo de pequeña señal.

a) Modelo del transistor en activa. b) Modelo de pequeña señal del transistor

Modelo equivalente en señal
Aplicación en E.C.

r :Resistencia dinámica del diodo r  VT

I BQ
Base-emisor
Ganacia de tensión

Circuito amplificador
Ejercicio

Encontrar el punto de trabajo Q(ICQ ,VCEQ ) en continua y las ganancias de tensión Gv , corriente Gi
e impedancia de entrada zi.

10
 Análisis en continua:

Capacidades con valor que

tienden a infinito en continua
son circuitos abiertos.

Circuito en continua

Thevenin  En la malla de base 

9V 1,4  1,85K  I B  0,7  0,2K  I C
VTH   2,2K  1,4V
12K  2,2K con I C  I E
R TH  12K // 2,2K  1,85K IC    IB (  50)
I BQ  60A
I CQ  3mA

En la malla de colector 
9  1K  I C  0,2K  I E  VCE
con I C  I E 
VCE 9V
IC    que es la recta de carga en continua (rcc)
1,2K 1,2K
como I C  3mA  VCEQ  5,4V
 Análisis en alterna:
(pequeña señal)
Modelo incremental con ro ∞

Ganancia de tensión (G V ) 
El signo negativo indica
vo   i b  0,5K 50 que la señal de salida
GV     0,5K  25
vi i b  r 1K está desfasada 180º con
respecto a la señal de
Ganancia de corriente( G I )  entrada

1K v i 1K 50 1K
   ib      
io 2 K r 2K 1K 2K  16,2
GI    
ii  1 1  1 1 1

1
v i     v i    
 1,85K r   1,85K r  1,85K 1K
Impedancia de entrada(z i ) 
vi
zi   R TH // r  1,85K // 1K  0,65K 12
ii
 Con los datos del ejercicio :
Recta de carga en alterna (rca) (corriente s en mA , tensiones en V y resistenci as en K)
Recta de carga en continua (rcc) punto de trabajo Q  I CQ  3mA , VCEQ  5,4V
Concepto de margen dinámico de salida rca  i C  
v CE
 13,8
0,5
Recta de carga en alterna (rca) V
rcc  I C   CE  7,5 Gráficamente
1,2
v ce 
ic  
R C // R L 

i C  I CQ  i c 
v CE  VCEQ  v ce 

VCEQ  v CE
rca  i C  I CQ 
R C // R L

Recta de carga en continua (rcc)

en la gráfica se observa 
v CEsat  VCEQ  VCEsat 
VCC  I C  (R C  R E )  VCE  
RESTRINGE LA
v CEcorte  I CQ  (R C // R L ) DINAMICA
VCE VCC
rcc  I C    v CEsat  5,2V
RC  RE RC  RE v CEcorte  1,5V
Con los datos que tenemos en el ejercicio como se comportará el amplificador ?

restricció n de la dinámica  v CEcorte  1,5V  v o máx  1,5V 


vo 
GV   25 
vi 
Situación dinámica ideal: Máxima Excursión Simétrica (MES)

v CEsat  VCEQ  VCEsat 


v CEcorte  I CQ  (R L // R C )

Para conseguir Máxima Excursión Simétrica es necesario que 

v CEsat  v CEcorte 
VCEQ  VCEsat  I CQ  (R L // R C )
15
Configuraciones compuestas: Conexión cascada y Transistor
Darlington

Un amplificador multietapa es una conexión en cascada:

Ejemplo:
Etapa 1 (Gv1) Etapa 2 (Gv2)

16
Ejercicio

Encontrar la ganancia en tensión Gv

del siguiente circuito:

Modelo equivalente incremental en pequeña señal:

(capacidades que tienden a infinito son cortocircuito y tensiones en continua a masa)
(observar que RTH1=R1//R2 y RTH2=R3//R4)
 Análisis:

Etapa 1 (G V1 ) 
v o1   i b1  (R C1 // z i 2 ) 
G V1    v o1   i b1  (R C1 // R TH 2 // r ) 50  (1K // 1,85K // 1K )
vi i b1  r   G V1     19,7
 v i 
b1  r 1 K
z i 2  R TH 2 // r 
i

Etapa 2 (G V2 ) 
vo   i b 2  (R C 2 // R L ) 50  (1K // 100)
G V2     5
v o1 i b 2  r 1K
vo
Ganancia total G V   G V1  G V2  (19,7)  (5)  98,5
vi

18
Transistor Darlington encapsulado

D= 8000, VBE= 1.6 V

I C  1  2  I B  D  I B


VBE  VBE1  VBE 2 
VCE  VCE 2  VCE1  VBE 2 
Ejercicio

Dibujar recta de carga y determinar punto de reposo Q.

Datos: VCC= 12 V, VBE= 0,7 V, = 140, ro= 30 k
 Ejercicio

Determine los niveles de reposo ICQ y VCQ para = 90 y para = 150.

b) Comente la diferencia que encuentra en los resultados
c) ¿Afecta al circuito significativamente este aumento de la ?
 Malla de colector  Análisis en continua
con I E  I C 
 1
VCC  (I B  I C )  R C  R E  I C  VCE   VCC  (  1)  I C  R C  R E  I C  VCE 
 
con I C    I B 
como   1  VCC  (R C  R E )  I C  VCE 
VCE VCC
recta de carga en continua (rcc)  I C   
(R C  R E ) (R C  R E )

VCE  VCC  (R C  R E )  I C

Obser var que : VCE  VC  VE es decir :

VC  VCC  R C  I C [1]
VE  R E  I C

circuito en continua Malla de base 

IC R
VC  I B  R 1  I C  R E  VBE 
 R 1  I C  R E  VBE  ( 1  R E )  I C  VBE [2]
 
R
igualando [1] y [2]  VCC  R C  I C  ( 1  R E )  I C  VBE 

VCC  VBE
IC 
R Observar que aunque haya grandes
(R C  R E  1 )
 variaciones de  las variaciones de
IC y VCE son relativamente pequeñas
con los datos del ejercicio :
10V  0,7 V
  90  I C   1mA ; VCE  10V  (4,7 K  1,2K ) 1mA  4,1V
255K
(4,7 K  1,2K  )
90
10V  0,7 V
  150  I C   1,2mA ; VCE  10V  (4,7 K  1,2K ) 1,2mA  2,92V
255K
(4,7 K  1,2K  )
150