UNIVERSIDAD NACIONAL JOSÉ FAUSTINO SÁNCHEZCARRIÓN

FACULTAD DE INGENIERÍA INDUSTRIAL, SISTEMAS E INFORMÁTICA

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

PROBLEMAS TRANSISTORES
Docente: Maximiliano Fernando López Aramburu

Curso: Circuitos Analógicos I

Ciclo 2021-1
“Año del Bicentenario del Perú: 200 años de Independencia”
 Cuenca Huacho Rubén Augusto-1704191007
Jimenez Jimenez Marcos Antoni-1704191031
Samanamud Bellido Marcelo Giovanni-1704161042
Pernía Barrón, Maikel Josue-1704191036

1) En la figura P1.1.a se muestra las

características eléctricas del diodo
BA222. Para este diodo, se pide:

a) Obtener el modelo ideal,

modelo de fuente de tensión y
modelo de fuente de tensión
con resistencia.
b) Para el circuito de la figura
P1.1.b, determinar el punto de
trabajo del diodo BA222
utilizando métodos gráficos.
Solución:
a.-
Modelo ideal del diodo:
Este se comporta como un
dispositivo unidireccional, es
decir, solamente permite el paso
de la corriente en un sentido, del
ánodo al cátodo.

Figura: Modelo ideal de diodo

Modelo de fuente de tensión:

Este da la relación entre la VF y

la I F de un diodo ideal.
 Figura: Modelo de fuente de
Figura: Modelo de fuente de
tensión ( Von  0.7V ) tensión con resistencia (
Modelo de fuente de tensión Von  0.7V y RF  4 ).
con resistencia:
b.-
El diodo es modelado como una
fuente de tensión de valor Punto de trabajo del diodo
Von  0.7V , tensión necesaria para BA222 utilizando métodos
gráficos:
que la unión PN entre en
conducción. Un modelo más La ecuación:
preciso permite modelar el efecto VCC  VF  I F R
resistivo del diodo en conducción
donde la resistencia se obtiene Es una línea recta en el plano (
buscando la pendiente de la recta VF , I F ) de la figura P1.1a. Para
cuando el diodo esta en ON. En la
figura P1.1a se escogen dos puntos representarla fácilmente, se
para T=25ºC, resultando: escogen los puntos de intersección
de la ecuación de línea de carga
con los ejes de coordenadas:
Eje X:
I F  0  VF  VCC  2V

Eje Y:
VCC 2V
VF  0  I F    100mA
R 20
El punto de intersección de la
línea de carga con la curva
característica del diodo fija del
punto de trabajo (Q):
VFQ  0.93V , I FQ  53.5mA
V  VF 2 1V  0.9V
RF  F 1   4
I F 1  I F 2 70mA  45mA
 Solución P1.2.a:

Vcc  BIbRc  IbRb  Vbe  0

12v  (200 xIbx6)  ( Ibx540)  0.6v  0
11.4v
Ib   6.55 x10 3 mA
1200  540
Ic  (200 x6.55 x10 3 )  1.31mA
Ie  (201x 6.55 x10 3 )  1.32mA

Vcc  IcRc  Vce  0

12  (1.31x6)  Vce  0
Vce  4.14v

Figura: Línea de carga y punto

de trabajo Q.

P1.2 Calcular el punto de

operación de los circuitos de las
figuras P1. 2a, P1.2b, P1.2c
suponiendo que los transistores
están trabajando en la región
lineal. Datos B=200

Solución P1.2.b:

5v  800 Ib  0.7v  0

4.3
Ib   5.37 x103 mA
800
Ic  200(5.37 x103 )  1.07 mA
Ie  201(5.37 x10 3 )  1.08mA
 10v  IcRc  Vce  0
10v  (1.08)(6)  Vce  0
Vce  3.52v
P1.6) El circuito de la figura
P1.6 es una fuente de corriente
(IC es independiente del valor de
RL). Si ß=200, calcular:

Solución P1.2.C:
a) Valor de IC.
b) Rango de RL para que el
circuito funcione correctamente
como fuente de corriente.
Rb 2 200
Vbb  Vcc  10v  5V
Rb1  Rb 2 400 V BB −VBE−R E I E=0
Rb1Rb2 200 x 200
Rb    100 V BB −VBE=R E I E
Rb1  Rb2 400 V BB −VBE=R E I E

5v  100 Ib  0.7v  ( B  1) Ib Re  0 VBB  VBE  RE I E  0

4.3 2  0.7  430 I E
Ib   0.01mA
100  201 1.3
IE   3.02mA
Ic  0.01x 200  2mA 430
Ie  (200  1) x0.01  2.01mA
I E  IC  I B
IC
10v  IcRc  Vce  Ie Re  0 I E  IC 

10v  (2 x1)  Vce  (2.01x1)  0
I  I
Vce  10v  2  2.01  5.9v IE  C C

I (   1)
IE  C

 IE
IC 
 1
a) figura 1.7-b
3
200(3.02*10 )
IC  Datos:
201
RB1=100kΩ
I C  3.01 mA RB2=1kΩ
RC=100Ω
b) RE=1kΩ
VCC=10 V
I E RL  VBB  VBE

Solución:
V  VBE
RL  BB De acuerdo a la Autopolarización:
IE
RB1.RB 2
RB  RB1  RB 2 
RB1  RB 2
2  0.7
RL  RB1
3.02 VBB  VCC
RB1  RB 2
RL  0.43
Remplazando con los datos, nos quedaria:
100 K .1K  100 K 
RB    0.99mA
P.1.7) Calcular el punto de 100  1 101K 
trabajo de los transistores de los 100 K 
VBB  .10V  10V
circuitos de lsa figuras P1.7.a y 100 K   1K 
P1.7.b Datos: Transistor: VBEγ
=0.6 V, VBE(lin)=0.7V,
VBE(sat)=0.8V, VCE(sat)=0.2V,
ß=50; Diodos: Vd=0.7 V y
Vz=3.6 V.
Datos:
figura 1.7-a)
RB=47kΩ
RC=RE=1kΩ
 VCC=10 V VCC
ID 
Solución: RD
Polarizacion de corriente base: 10V
ID 
Si IB <<<IC(h fe >>>1) 2k 
h fe    50 I D  5mA
VCC - VBE
IBQ =
RB   .RE
10V  0.7V W
IBQ = ID  K * (VGS  VT )2
47 K   (50)(1K ) L
9.3V 10
IBQ   0.0958mA 5mA  (33 ) * (VGS  1) 2
97 K  2
ICQ   .IBQ 103
ICQ  4.79mA 6
 (VGS  1) 2
(33*10 )
VCQ  10.479.(2)
30.30  (VGS  1)2
VCQ  0.42  El punto de trabajo del transistor.
5.5  VGS  1
VGS  6.5V

1.11: Determinar el punto de

trabajo de los transistores
NMOS indicados en las figuras:
V g= ( 10 K10+10K K ) 10V
Datos: k  33 A / V ,VT  1V
2

V g=5 V ; V gs =5 V

V s =0 V

I d=K ( V gs−V th )2

33 μA
I d= 2
(5 V −1V )2
V
33 μA
I d= 2
16V 2
V
I d=528 μA

SOLUCION:
Figura P1.11 a V d =V CC −V R (d )

V d =10−(2 K (528 μA ))
V d =8.944 ; V ds =8.944
 Comprobando que está en
saturación
V gs>V th ; 5V >1 V

V ds ≥ ( V gs −V th ) ; 8.944 ≥ 4 V

Ambas condiciones son

verdaderas por lo tanto se
demuestra que esta en saturación