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FACULTAD DE INGENIERIA

ESCUELA DE INGENIERIA
ELECTRNICA

ELECTRNICA II
AMPLIFICADORES A BAJAS
FRECUENCIAS Y PEQUEAS
SEALES
AGENDA

El transistor de unin.
Anlisis grfico de la configuracin emisor comn (E.C).
El Cuadripolo y el modelo hbrido.
Anlisis de un amplificador empleando los parmetros h.
Teorema de Miller y su dual.
Amplificadores de una etapa y en cascada.
Modelo hbrido simplificado en E.C y C.C.
El transistor a efecto de campo.
Anlisis grfico S.C.
Polarizacin del FET.
El FET como resistencia variable.
INTRODUCCIN

Transistor de unin, BJT, Bipolar Junction Transistor.


Compuesto de dos uniones PN muy cercanas entre
s, que permite controlar el paso de la corriente a
travs de sus terminales.

Control por corriente.

Impedancia de entrada baja.

Amplificacin de seales.
INTRODUCCIN

Definicin de notacin:
Para seales DC

VCE , I E , I C ...
Para seales AC o valores instantneos totales

vCE , iE , iC ...
INTRODUCCIN

Para analizar el proceso de amplificacin en el


dominio AC, es necesario conocer los modelos
aplicados a transistor BJT.

Que configuracin
presenta?

Polarizacin de Base
INTRODUCCIN

Para analizar el proceso de amplificacin en el


dominio AC, es necesario conocer los modelos
aplicados a transistor BJT.

Que configuracin
presenta?

Emisor comn

Polarizacin de Base
INTRODUCCIN

Para analizar el proceso de amplificacin en el


dominio AC, es necesario conocer los modelos
aplicados a transistor BJT.

Ic

Polarizacin de Base
INTRODUCCIN
INTRODUCCIN

Fuente AC
INTRODUCCIN

Capacitores de acople
INTRODUCCIN
INTRODUCCIN

La impedancia del condensador es inversamente


proporcional a la frecuencia, un condensador bloquea la
tensin continua y transmite la tensin alterna.

Cuando la frecuencia es suficientemente alta:


X Condensador 0.1 RL
El condensador permite acoplar una seal a un
amplificador sin modificar el punto Q.
INTRODUCCIN

Ejemplo:
Establecer el valor que debe tener el capacitor de acople si
R=2K y el rango de frecuencia de la fuente AC es de 20Hz a
20Khz.
X Condensador 0.1 RL
X C 0.1 2000 a 20Hz.

X C 200
1
XC
2 fC
Despejando el valor del condensador:

1
C 39.8 F
2 (20) X C
INTRODUCCIN

Ejemplo:
Establecer el valor que debe tener el capacitor de acople en
el punto E, si la frecuencia de la fuente AC es de 1Khz.

X Condensador 0.1 RTH

Se establece el valor de la resistencia de Thevenin vista por C:

RTH R1 || R2 RTH 1000 || 600


INTRODUCCIN

Ejemplo:
Establecer el valor que debe tener el capacitor de acople en
el punto E, si la frecuencia de la fuente AC es de 1Khz.

RTH 375
X Condensador 0.1 RTH

X C 37.5
1 1
XC C 4.2 F
2 fC 2 (1000) X C
INTRODUCCIN

Ejercicios:
a) Establecer el valor que debe tener el capacitor de acople
si RL=820 y el rango de frecuencia de la fuente AC es
de 2Khz a 15Khz.

b) Establecer el valor del capacitor de acople si RL=20 y el


rango de frecuencia de la fuente AC es de 80Hz a 25Khz.

c) Establecer el valor del capacitor de acople si el rango de


la carga RL esta entre 10 y 1K y el rango de frecuencia
de la fuente AC es de 200Hz.

d) Calcule la frecuencia de la fuente AC si a una carga


RL=15 se conecta en serie un capacitor de acople de
50uF.
INTRODUCCIN

0
INTRODUCCIN

0
INTRODUCCIN

0
INTRODUCCIN

Ic
ic

iC I c ic
INTRODUCCIN
IC [mA]
IB=400A

IB=300A
A
IB=200A
Q
Ic
IB=100A
B
ic VCE [V]
IB=0A

0 2 4 6

Recta de carga
En un diseo se busca que QDC=0.5
INTRODUCCIN

?
INTRODUCCIN
VBE [V]

Q
VBEQ
A
B
IB [mA]

0 I BQ
Cuando IB es mximo, el voltaje VBE es mximo, sin embargo, si se observa la
grafica IC vs VCE, se detalla que para un valor mximo de IB genera un valor
mnimo de VCE, de esta se puede concluir que hay una inversin de la seal AC de
entrada.
INTRODUCCIN
Por lo tanto:

VBE

VCE
INTRODUCCIN

iE iC iB iC iB

iC 1
iE iC
iE

iE ( 1)iB


1 iB (1 )iE
INTRODUCCIN

Consideremos el siguiente circuito:


RB RC


vin iB

Q1
iE VCC
VBB

Reemplazamos Q1 por un modelo inicial.


INTRODUCCIN

Reemplazando:
RB RC

iB
vin vBE iB

VCC
VBB

vCE vce VCEQ VCEQ VCC I C RC


vce vCE VCEQ
INTRODUCCIN

Reemplazando:
RB RC

iB
vin vBE iB

VCC
VBB

Para diseo:
vin VBB vBE VCEQ
VCC QDC 0.5
VCEQ VCE ( corte )
2
INTRODUCCIN

Evaluando caractersticas AC:


Semiciclo positivo de vin:
Planteando una malla a la izquierda:
VBB vin iB RB vBE 0
Despejando iB:

VBB vin vBE


iB I B ib
RB

VBB VBE vin vbe


iB
RB RB
INTRODUCCIN

Evaluando caractersticas AC:


Semiciclo positivo de vin:
Planteando una malla a la derecha:
VCC iC RC vCE 0
vCE VCC iC RC
vCE VCC iB RC

VBB VBE vin vbe


B
con i
RB RB
VBB VBE vin vbe
vCE VCC RC
RB RB
INTRODUCCIN

Evaluando caractersticas AC:

Si se cumple la relacin:

vin VBB VBE

El transistor opera en zona de saturacin durante semiciclo


positivo y en zona de corte, durante el semiciclo negativo.
MODELOS

El transistor como amplificador:


RB RC

iB

vin Q1


vBE
iE VCC
VBB

VBE VBE vBE
Sea:
IC IC 0e VT
iC I C 0 e VT
VBE vBE
IC I E iC I C 0 e VT
e VT

IC I B VT=25mV.
MODELOS

El transistor como amplificador:


VBE vBE
VBE
iC I C 0 e VT
e VT Como:
IC IC 0e VT
Reemplazando:
vBE
Como la componente AC de la tensin de
iC I C e VT entrada Vin es igual a la componente presente
en vBE, se puede reemplazar en la igualdad.
Reemplazando:
vin
iC I C e VT
Si vin VT DC AC

vin vin
iC I C 1 IC IC
VT VT
MODELOS

El transistor como amplificador:


vin
iC I C I C
VT
gm :Transconductancia
iC IC
iC gm vin gm
vin VT
IC I C vin
iC iB iB
VT
MODELOS

El transistor como amplificador:


IC
I C vin
iB
VT
Se establece la resistencia equivalente de entrada.

I C vin vin
iB r
VT iB
Impedancia de entrada.

VT
r
gm IB
MODELOS

El transistor como amplificador:


Reemplazando el modelo:

B C B C


iB vin r gm vin
Q1
iE

E E
Modelo r
MODELOS

El transistor como amplificador:


Modificando el modelo mediante:

B C B C


vin r gm vin vin r iB

E E
Modelo r Modelo o hibrido
MODELOS

El transistor como amplificador:


Modelo o hibrido
iC vC
iC IC I C vin
iE ie
VT VT
IE ie
vin VT
re en configuracin base
resistencia equivalente

ie IC gm comn.

VT
re r ( 1)re
IE
MODELOS

Modelo completo :
til si:
Se usa solo la zona activa del transistor BJT.
La seal de entrada alterna sobre la juntura Base- Emisor cumple la
relacin:
vbe 2VT VT 26mV
cu

rx ru
B C

r gm vbe ro

E E
MODELOS

Modelo simplificado :

B C

r gm vbe ro

E E
Ganancia de corriente alterna
Ganancia inversa
I CQ 0
de tensin
1
gm r ro
VT gm gm
0 hFE 1x10 4
MODELOS

Mtodo para aplicar el modelo simplificado :

Determinar el punto de operacin Q (en DC).

Calcular los valores en pequea seal (en AC).

Eliminar las fuentes DC.

Reemplazar el transistor por el modelo.


MODELOS

Mtodo para aplicar el modelo simplificado :


Ejemplo:
Aplique el modelo simplificado en el siguiente circuito, si el transistor
usado tiene =100.

RB =100K RC =3K
iB

vin Q1 VCC =10V
0.7V
iE
VBB =3V

MODELOS

Mtodo para aplicar el modelo simplificado :


Ejemplo:
Aplique el modelo simplificado en el siguiente circuito, si el transistor
usado tiene =100.
Paso 1: Determinar el punto de operacin Q en DC.

RB =100K RC =3K
iB

vin Q1 VCC =10V
0.7V
iE
VBB =3V

MODELOS

Mtodo para aplicar el modelo simplificado :


Ejemplo:
Aplique el modelo simplificado en el siguiente circuito, si el transistor
usado tiene =100.
Paso 1: Determinar el punto de operacin Q en DC.

RB =100K RC =3K
iB

vin Q1 VCC =10V
0.7V M2
iE
VBB =3V
M1
MODELOS

Mtodo para aplicar el modelo simplificado :


Ejemplo:
Aplique el modelo simplificado en el siguiente circuito, si el transistor
usado tiene =100.
Paso 1: Determinar el punto de operacin Q en DC.
Por malla M1 se establece IC:
3 100 x10 I 0.7
3
B
I B 23 A
I C I B 100 23 x10 6
2.3mA
Por malla M2 se establece VCE:
3
10 3 x10 2.3 x10 VCE
3

VCE 3.1V
MODELOS

Mtodo para aplicar el modelo simplificado :


Ejemplo:
Aplique el modelo simplificado en el siguiente circuito, si el transistor
usado tiene =100.
Paso 2: Calculo de los valores en pequea seal.

VT 100
r r 3
1087
gm I B 92 x10
3
IC 2.3 x10
gm gm 3
3
92 x10 mS
VT 26 x10
MODELOS

Mtodo para aplicar el modelo simplificado :


Ejemplo:
Aplique el modelo simplificado en el siguiente circuito, si el transistor
usado tiene =100.
Paso 3: Eliminacin de fuentes DC.

RB =100K RC =3K
iB

vin Q1 VCC =10V
0.7V
iE
VBB =3V

MODELOS

Mtodo para aplicar el modelo simplificado :


Ejemplo:
Aplique el modelo simplificado en el siguiente circuito, si el transistor
usado tiene =100.
Paso 3: Eliminacin de fuentes DC.

RB =100K RC =3K
iB

vin Q1
0.7V
iE
MODELOS

Mtodo para aplicar el modelo simplificado :


Ejemplo:
Aplique el modelo simplificado en el siguiente circuito, si el transistor
usado tiene =100.
Paso 4: Se reemplaza por modelo simplificado.

RB =100K RC =3K
iB

vin Q1
0.7V
iE
MODELOS

Mtodo para aplicar el modelo simplificado :


Ejemplo:
Aplique el modelo simplificado en el siguiente circuito, si el transistor
usado tiene =100.
Paso 4: Se reemplaza por modelo simplificado.

RB =100K RC =3K


vx r gm vx
vin

MODELOS

Mtodo para aplicar el modelo simplificado :


Ejemplo:
Aplique el modelo simplificado en el siguiente circuito, si el transistor
usado tiene =100.
Por ultimo se analiza el modelo simplificado en AC.

RB =100K RC =3K


vx r gm vx
vin

MODELOS

Mtodo para aplicar el modelo simplificado :


Ejercicio:
Aplique el modelo simplificado en el siguiente circuito, si el transistor
usado tiene =100.

Calcule el valor de tensin en la carga Rc en trminos de la tensin AC de


entrada.

Hay inversin de la seal de entrada por efecto del modelo simplificado?


MODELOS

Modelo Hibrido:
Usado como modelo solo para frecuencias bajas y medias <100Khz

I1 I2

V1 Red de dos puertos (CUADRIPOLO) V2

I1 I2
Zi V1 f ( I1 ,V2 ) Zo

I 2 g ( I1 ,V2 )
MODELOS

Modelo Hibrido:
Usado como modelo solo para frecuencias bajas y medias <100Khz

I1 I2

V1 Red de dos puertos (CUADRIPOLO) V2

I1 I2
Zi V1 f ( I1 ,V2 ) Zo

I 2 g ( I1 ,V2 )
MODELOS

Modelo Hibrido:
Impedancia de entrada Zi :

No es posible utilizar un hmetro para medir la impedancia de entrada de AC


de pequea seal ya que el hmetro opera en el modo DC.

Se aadi un resistor sensor en el lado de la entrada para permitir la


determinacin de la corriente de entrada mediante la ley de Ohm.
MODELOS

Modelo Hibrido:
Impedancia de entrada Zi :
Mediante un osciloscopio o un multmetro digital sensible (DMM) para medir
los voltajes Vs y Vi.

Ambos voltajes pueden ser de pico a pico, pico, o valores RMS siempre y
cuando los dos niveles empleen el mismo estndar. La impedancia de entrada
se determina, por tanto, de la siguiente forma:
MODELOS

Modelo Hibrido:
Impedancia de salida Zo :
La impedancia de salida se determina en las terminales de salida si se mira
hacia atrs en el sistema con la seal aplicada igual a cero.
MODELOS

Modelo Hibrido:
V1 f ( I1 ,V2 ) I 2 g ( I1 ,V2 )
V1 h11 I1 h12V2 I 2 h21 I1 h22V2
V1
h11 Resistencia de entrada (con la salida en corto
I1 V 0 circuito)
2

V1
h12 Ganancia inversa de voltaje (con entrada
I2 I1 0
abierta)
MODELOS

Modelo Hibrido:
V1 f ( I1 ,V2 ) I 2 g ( I1 ,V2 )
V1 h11 I1 h12V2 I 2 h21 I1 h22V2
I2
h21 Ganancia de corriente (salida en corto
I1 V2 0
circuito)

I2
h22 Conductancia de salida (con entrada abierta)
V2 I1 0
MODELOS

Modelo Hibrido:
Asociacin de los parmetros h:
h11 hi _ h12 hr _ h21 hF _ h22 hO _
E Emisor
B Base
C Colector

Modelo general:
I1 hi _ I2

+ +
+ 1
V1 V2 hr _ I1hF _ V2
-
- hO _ -
MODELOS

Modelo Hibrido:
Modelo de parmetros h para Modelo de parmetros h para
emisor comn: colector comn:

vbe hiE iB hrEVce vbc hiE iB hrCVec


iC hFE iB hOEVce ie hFC iB hOCVec

Modelo de parmetros h para


base comn:

veb hiB ie hrBVcb


ic hFB ie hOBVcb
MEDIDA DE
PARAMETROS
Medicin de parmetros H
Emisor Comn: RC
iB
Modelo de parmetros h para RB
emisor comn: Q1
vbe hiE iB hrEVce
VCC
iE
VBB
iC hFE iB hOEVce
Teora
VBE VBE
Practica, Laboratorio
hiE hiE
IB VCE 0
I B VCEQ Constante
Sobre el punto de operacin Q, se hacen variaciones de VBB para obtener
variaciones en IB y en VBE. Puede que Vcc vari para mantener el VCE
constante. Se recomienda una variacin de VBB de 10%.
MEDIDA DE
PARAMETROS
Medicin de parmetros H
Emisor Comn: RC
iB
Modelo de parmetros h para RB
emisor comn: Q1
vbe hiE iB hrEVce
VCC
iE
VBB
iC hFE iB hOEVce

VBE VBE2 VBE1


hiE hiE
I B Constante
I B2 I B1
VCEQ VCEQ Constante
Valores normales de hie son entre el rango de 500- 3000
MEDIDA DE
PARAMETROS
Medicin de parmetros H
Emisor Comn: RC
iB
Modelo de parmetros h para RB
emisor comn: Q1
vbe hiE iB hrEVce
VCC
iE
VBB
iC hFE iB hOEVce

Teora
IC Practica, Laboratorio
I C
hFE hFE
IB VCE 0
I B VCEQ Constante
MEDIDA DE
PARAMETROS
Medicin de parmetros H
Emisor Comn: RC
iB
Modelo de parmetros h para RB
emisor comn: Q1
vbe hiE iB hrEVce
VCC
iE
VBB
iC hFE iB hOEVce

Teora
VBE VBE
Practica, Laboratorio
hrE hrE
VCE I B 0
VCE I BQ Constante

Se deben hacer variaciones de Vcc.


MEDIDA DE
PARAMETROS
Medicin de parmetros H
Emisor Comn: RC
iB
Modelo de parmetros h para RB
emisor comn: Q1
vbe hiE iB hrEVce
VCC
iE
VBB
iC hFE iB hOEVce

Teora
IC I C
Practica, Laboratorio
hoE hoE
VCE I B 0
VCE I BQ Constante

Se deben hacer variaciones de Vcc.


MEDIDA DE
PARAMETROS
Medicin de parmetros H
Emisor Comn:
PARAMETROS H

Anlisis Matemtico
Emisor Comn:

RB RC
iB

vin Q1 VCC

iE
VBB

PARAMETROS H

Anlisis Matemtico
Emisor Comn:
RB I1 hiE I2 RC=ZL
+ +
+ 1
vin V1 V2 hrE I1hFE V2
- hOE
- -

Vo=V2 Io=I2
Vi=V1 Ii=I1
PARAMETROS H

Anlisis Matemtico
Emisor Comn:
RB I1 hiE I2 RC=ZL
+ +
+ 1
vin V1 V2 hrE I1hFE V2
- hOE
- -

V2 i2 Z L i2 hFE i1 V2 hoE
i2 A1i1 i2 hFE i1 ( Z L i2 )hoE
i2 hFE
V2 A1Z L i1
i1 1 Z L hoE
PARAMETROS H

Anlisis Matemtico
Emisor Comn:
RB I1 hiE I2 RC=ZL
+ +
+ 1
vin V1 V2 hrE I1hFE V2
- hOE
- -

V1 hiE i1 V2 hrE V2 A1Z L i1


V1 hrEV2 Ai Z L (V1 hrEV2 )
i1 V2
hiE hiE
PARAMETROS H

Anlisis Matemtico
Emisor Comn: V2 (hiE hoE ) Ai Z LV1
hFE Z L
V2 Ai Z L V2 1 Z L hoE

V1 hiE hrE V1 hiE hrE
hFE Z L
AV
hiE (1 Z L hoE ) hrE hrE hoE Z L
Se asume 0
hFE Z L hFE Z L
AV
hiE (1 Z L hoE ) hiE
PARAMETROS H

Matemtico
Cualquier configuracin:
hF _ Z L
AV
hi _ (1 Z L ho _ ) hr _ hr _ ho _ Z L
Si hi _ > hr _ ho _ Z L
hF _ Z L
AV
hi _
hF _
Ai
1 Z L ho _
Si 1 > ho _ Z L

Ai hF _
PARAMETROS H

Anlisis Matemtico
Cualquier configuracin:
hr _ hF _ Z L
Z i hi _
1 Z L ho _
Valor aproximado:

Z i hi _

hi _ RB
Zo
ho _ (hi _ RB ) hF _ hr _
PARAMETROS H

Ejemplo:
Determine las ganancias de corriente y voltaje, adems de las
impedancias de entrada y salida.
hiE 1.1Kh hrE 2.4 x104 Z L 1K
hFE 50 hoE 24 x10 S RB 200
6

hFE Z L
AV
hiE (1 Z L hoE ) hrE hrE hoE Z L
50 1x103
AV
1.1x103 (1 1x103 24 x10 6 ) 2.4 x10 4 2.4 x10 4 24 x10 6 1x103

AV 44.38
PARAMETROS H

Ejemplo:
Determine las ganancias de corriente y voltaje, adems de las
impedancias de entrada y salida.
hiE 1.1Kh hrE 2.4 x104 Z L 1K
hFE 50 hoE 24 x10 S RB 200
6

hFE Z L 50 1x103
AV
6
4
hiE (1 Z L hoE )
3 3
1.1x10 (1 1x10 24 x10 ) 2.4 x10

AV 45.45
hFE 50
Ai 6
48.82
1 Z L hoE 1 24 x10 1x10 3
PARAMETROS H

Ejemplo:
Determine las ganancias de corriente y voltaje, adems de las
impedancias de entrada y salida.
hiE 1.1Kh hrE 2.4 x104 Z L 1K
hFE 50 hoE 24 x10 S RB 200
6

Ai hFE 50
hrE hFE Z L
Z i hiE
1 Z L hoE
4
2.4 x10 50 1x10 3
Z i 1.1x10 3
6
1088.3
1 1x10 24 x10
3
PARAMETROS H

Ejemplo:
Determine las ganancias de corriente y voltaje, adems de las
impedancias de entrada y salida.
hiE 1.1Kh hrE 2.4 x104 Z L 1K
hFE 50 hoE 24 x10 S 6
RB 200
Z i hiE
Z i 1.1x10 3

hiE RB
Zo
hoE (hiE RB ) hFE hrE
PARAMETROS H

Ejemplo:
Determine las ganancias de corriente y voltaje, adems de las
impedancias de entrada y salida.
hiE 1.1Kh hrE 2.4 x104 Z L 1K
hFE 50 hoE 24 x10 S RB 200
6

1.1x10 200 3
Zo 6 4
24 x10 (1.1x10 200) 50 2.4 x10
3

Z o 67.708 x10 3
PARAMETROS H

Ejercicio:

Determine las ganancias de corriente, voltaje y la impedancia


de entrada.

hiE 1.75 Kh hrE 1.25 x10 4


Z L 8
hFE 160 hoE 11x106 S

Determine el condensador de acople necesario para ubicar


en serie, si la seal de entrada tiene un rango de frecuencias
de 80 a 25Khz.
PARAMETROS H

Curva AC:
PARAMETROS H

Curva AC:

RB R1 || R2 Rac = resistencia de la malla de salida

Z L RC || RL Rac Z L
PARAMETROS H

Curva AC:

vce ic Z L iC I CQ ic
vce
vCE VCEQ ic Z L iC I CQ
vCEQ vCE ZL
ic
ZL
PARAMETROS H

Curva AC:

vCE VCEQ ic RAC


VCEQ vCE
ic I CQ
Rac Rac vCE VCEQ I CQ RAC ic RAC
PARAMETROS H

Curva AC:

vCE ( corte ) VCEQ I CQ RAC ; iC 0

Valor menor a VCE ( corte )

VCEQ
iC ( sat ) I CQ ; vCE 0
RAC
Valor mayor a I C ( sat )
PARAMETROS H

Curva AC: VCC


I C ( sat )
IC [mA]
RC RE VCE 0

iC ( sat ) 1
RDC RC RE
I C ( sat )
IB=200A

QDC

VCE [V]
0 VCE ( corte )
vCE ( corte )
PARAMETROS H

Curva AC:
Problemas de distorsin si no se selecciona un punto QAC apropiado.
PARAMETROS H

Curva AC:
Seleccin del QAC apropiado.
VCEQ
QAC 0.5
vCE ( corte )
VCEQ I C Q RAC
Cuando hay una resistencia de emisor
RE, pero no hay un capacitor en
paralelo, es necesario recalcular la
RAC.

hFE 1
RAC ZL RE
hFE
PARAMETROS H

Curva AC:
Diseo garantizando un
QAC apropiado.
VCEQ I C Q RAC

VCC VCEQ I CQ RDC


VCEQ RDC
VCC VCEQ RAC
RAC VCEQ VCC
RAC RDC
RAC RDC
VCC VCEQ Usada para garantizar un QAC= 0.5
RAC
PARAMETROS H

Curva AC:
Diseo garantizando un
QAC apropiado.
VCEQ I C Q RAC

VCC VCEQ I CQ RDC

VCC I CQ RAC I CQ RDC VCC


I CQ
RAC RDC
Usada para garantizar un QAC= 0.5
PARAMETROS H

Parmetros AC importantes:
Voltaje pico de salida:

vo ( pico ) I C Q RAC VCEQ

vo ( pico ) vi ( pico ) AV
Voltaje pico a pico de salida:

vo ( pico pico ) vopp 2VCEQ


PARAMETROS H

Ejemplo:
Disee un amplificador en configuracin emisor comn que cumpla con
las siguientes caractersticas. Use ecuaciones aproximadas.
RL 1K AV 20
Asuma:
Vcc 12V VBE 0.7V hFE 200 hiE 3.5 x103
PARAMETROS H

Ejemplo: Regla de diseo:


Z i ( transistor ) hiE RC
RE
Z i ( transistor ) 3.5 x103 asumiendo:
4
hFE Z L RE 100
AV
hiE Se calcula RDC:

200 Z L RDC RC RE
20
3.5 x103 RDC 640
Z L 350 Se calcula RAC:

Z L RC || RL RAC Z L

RC 538.4 RAC 350


PARAMETROS H

Ejemplo: Se halla el vCE ( corte ) :


Asegurar el QAC=0.5
VCEQ
I CQ
VCC QAC
RAC RDC vCE ( corte )

I CQ
12 vCE ( corte ) 8.48V
350 640
Se halla el QDC:
I CQ 12.12mA VCEQ
QDC
VCEQ I CQ RAC VCE ( corte )
VCEQ 4.24V QDC 0.35
PARAMETROS H

Ejemplo:
Determinar los valores de R1 y R2 VBB RB I B VBE I E RE
Asumiendo =hFE VBB 2 x103 606 x10 7
Regla de diseo:
0.7 12.12 x103 100
RB 0.1 RE
RB 2 x103 VBB 2.033V
Despejamos R1 y R2
RB 2 x10 3

Modelo Thevenin: iB RBVCC


R1
Q1 VBB
RB
RBVCC
VBB RE iE R2
VCC VBB
PARAMETROS H

Ejemplo:

R1 11.8 K R2 2.4 K

Se establece la impedancia de entrada de todo el amplificador:

Z i RB || Z i ( transistor )

Z i RB || Z1

Z i 2 x103 || 3.5 x103


Z i 1.27 x103
PARAMETROS H

Ejemplo:

538.4
11.8K

2.4K
100
PARAMETROS H

Ejercicio:
Disee un amplificador en configuracin emisor comn que cumpla con
las siguientes caractersticas. Use ecuaciones aproximadas.

a) RL 920 AV 40
b) RL 5.6 K AV 20
c) RL 920 AV 10
d) RL 12.3K AV 2
e) RL 1.2 K AV 1
Asuma:
Vcc 24V VBE 0.7V hFE 130 hiE 3.8 x103
PARAMETROS H

Ganancia de voltaje total:


Vcc
PARAMETROS H

Ganancia de voltaje total:

vin RS I1 hiE I2 RC=ZL


+ +
+ 1
RB V1 V2 hrE I1hFE V
- hOE 2
- -

RX RB || Z1 Impedancia de entrada sin tener en cuenta RS.

Z i RX RS Impedancia de entrada.

Vi RX Vo V2 V1 Vo
V1 AV (TOTAL )
RS RX V2 V1 Vi Vi
PARAMETROS H

Ganancia de voltaje total:

vin RS I1 hiE I2 RC=ZL


+ +
+ 1
RB V1 V2 hrE I1hFE V
- hOE 2
- -

Vo V2 V1 RX RX
1 AV
V2 V1 Vi RS RX Zi
AV RX
AV (TOTAL )
Zi
PARAMETROS H

Ganancia de corriente total: I1


vin RS Z1
io i2 i1 io +
Ai (TOTAL ) Ii
i2 i1 ii ii RB V1
RC RB
Ai (TOTAL ) Ai -
RC RL RB Z1
RL
AV (TOTAL ) Ai (Total )
Z i RS
Un amplificador por transistor genera ganancia en voltaje solo en la
configuracin de emisor comn, la ganancia en corriente se obtiene en
configuracin de colector comn.
PARAMETROS H

Ejemplo:
Disee un amplificador con |AVT|=30 si los parmetros son:
VCC 12V hFE 200 hiE 3.5 x103
RL 1x10 3
RC 1.3 x10 3

Z1 Z i ( transistor ) 3.5 x103


3.5 x10 3
RB
Z1 ' RX 3.5 x10 || RB
3

3.5 x103 RB
hFE Z L 200 Z L
AV Z L RC || RL 565.2
hiE 3.5 x103
AV 32.29
PARAMETROS H

Ejemplo:
Disee un amplificador con |AVT|=30 si los parmetros son:
VCC 12V hFE 200 hiE 3.5 x103
RL 1x10 3
RC 1.3 x10 3

Asumiendo RE=300

RB 6 x10 3
RB 2 x10 3

Z1 ' RX 3.5 x10 || RB 1272.72


3

AV RX 32.29 1272.2 41079.338


AV (TOTAL )
Zi Zi Zi
Z1 ' 1.27 x10 3
PARAMETROS H

Ejemplo:
Disee un amplificador con |AVT|=30 si los parmetros son:
VCC 12V hFE 200 hiE 3.5 x103
RL 1x10 3
RC 1.3 x10 3

41079.338
30
Zi
Z i 1369.31 Z i Z1 ' RS
1369.31 1270 RS
RS 99.31
PARAMETROS H

Amplificador sin acople:


PARAMETROS H

Amplificador sin acople:


hFE
Ai
1 hoE Z L

hFE Z L
AV
hiE (1 hoE Z L ) hFE RE hrE hFE Z L

hrE hFE Z L
Z1 hiE hFE RE
1 hoE Z L
PARAMETROS H

Emisor seguidor:
Cuando la salida se toma de la
terminal del emisor del transistor,
a la red se le denomina como
emisor-seguidor.

El voltaje de salida es siempre


ligeramente menor que la seal
de entrada debido a la cada de
voltaje de la base al emisor, sin
embargo, la aproximacin Av=1
es generalmente apropiada.

A diferencia del voltaje del


colector, el voltaje del emisor se
encuentra en fase con la seal Vi.
PARAMETROS H

Configuracin Colector Comn:


Configuracin que permite establecer una ganancia en corriente, adems
de generar una impedancia de entrada mayor a la carga vista por el
amplificador.

hFE
Ai
1 hoE Z L

hFC Z L
AV
hiC (1 hoC Z L ) hrC hFC Z L

hrC hFC Z L
Z1 hiC
1 hoC Z L
PARAMETROS H

Configuracin Colector Comn:

0 AV 1 hiC hiE
hrC 1 hrE
Valor aproximado:

hrC 1

hFC (1 hFE )
hoC hoE
PARAMETROS H

Configuracin Colector Comn:

Z L RL || RE RDC RE R AC Z L
Con un QAC=0.5:
VCEQ VCC
I CQ I CQ
RAC RDC RAC
Aproximaciones:
hFC Z L
AV
hiC (1 hoC Z L ) hFC Z L
hFC Z L
Z1 hiC
1 hoC Z L
PARAMETROS H
Configuracin Base Comn:

Ai hFB

hFB Z L
AV
Z1
VCC
I CQ
RDC RAC

Z1 ' Z1 || RE
Z i Z1 ' RS
PARAMETROS H

Configuracin Base Comn:


RB R1 || R2 Cuando no se agrega Cx RB
Z1 hiB
1 hFE
Si existe Cx, RB=0

D (1 hFE )(1 hrE ) hiE hoE

hiE hoE
hiB hoB
D D
hiE hoE hrE (1 hFE ) hFE (1 hrE ) hiE hoE
hrB hFB
D D
PARAMETROS H

Configuracin Base Comn:

Ai 1
Z L RC || RL
Para un QAC=0.5

I CQ RAC VCBQ VCC VBB


I CQ
RAC RDC
RB RB
RDC RC RAC Z L

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