Transistor TBJ-2020

UTN.
FRA
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA NACIONAL
FACULTAD REGIONAL AVELLANEDA
GUIA DE EJERCICIOS
TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA (TBJ)
Dispositivos Electrónicos UTN-FRA
Física del transistor
1. Para un transistor TBJ NPN operando en régimen directo se pide:
a) Indique las tensiones !!" y !!# para que se encuentre en dicho régimen.
b) Realice un diagrama de concentración de portadores y explique el efecto transistor, indicando las
corrientes que circulan en cada zona del dispositivo.
c) Explique qué condiciones deben cumplir los dopajes y dimensiones del transistor para que
aumente la ganancia de corriente "$ .
d) Explique brevemente el efecto Early utilizando el diagrama de concentración de portadores
anterior.
2. Dado un transistor cuyos parámetros de fabricación son #%" = 7,5. 10&' +,() , #*! = 10&+ +,()
y #%# = 1,5. 10&, +,() , --" = 5 +,. /s, -/! = 10 +,. /s, /! = (300 ± 20) nm, /" = (250 ± 20)
nm. Debido a las características del proceso de fabricación, se tiene que cuando /! es máximo,
entonces /" es mínimo, y viceversa.
a) Halle el máximo y el mínimo valor de "$ para un transistor construido con este proceso.
b) Si se quiere lograr un valor de "$ de 500 conservando todos los parámetros constructivos
excepto #%" . ¿Cuál será el nuevo valor de #%" necesario?
3. Un transistor NPN de silicio tiene !!" = 10#$ %&%& , !'( = 10#) %&%& , !!* = 10#+ %&%& . Suponga
que el ancho de la base y que los anchos del emisor y colector son mucho mayores que las respectivas
longitudes de difusión de los respectivos minoritarios.
a) haga un esquema de las distribuciones de minoritarios en cada zona en la región activa.

(Considere !!" = 0,668 ! y !!# =-2V)
b) Repita a), en región de saturación con !!" = 0,8V y !!# = -0,6V.
4. Un transistor PNP de silicio tiene !'" = 10#$ %&%& , !!( = 10#) %&%& , !'* = 10#+ %&%& , '( =
1 )&, A = 3 &&, . Para !"! = 0,5V y !#! = -5V determine a 300K el ancho efectivo de la zona
neutra de la base.
5. Dado un transistor con parámetros !!" = 7,5. 10#$ %&%& ,!'( = 10#- %&%& , !!* = 1,5. 10#) %&%& ,
.." = 5 cm2/s, ./( = 10 cm2/s, '( = 300 0&, '" = 250 0&, 2" = 25 µ&, , 2* = 100 µ&, , 40 =
35 4, con resistencias parasitas de contacto 51 = 250Ω y 52 = 500Ω, polarizado con 7* = 100 µ2 y
4*" = 2 4
a) Hallar el valor de 83
Dispositivos Electrónicos 2/13 Universidad Tecnológica Nacional

Guía de Ejercicios - Transistor TBJ Facultad Regional Avellaneda
2020
b) Hallar los valores de los elementos del modelo de pequeña señal 20 , 31 , 32 , 41 , 43 .

c) Realizar el diagrama del modelo de pequeña señal
d) ¿Qué fracción de la corriente de emisor es aportada por la corriente del colector?
Polarización y señal débil
6. Calcular 5#4 y el valor de las tensiones de los nodos contra común si "$ = 100. Sabiendo que V5 =
45V. Calcular además los parámetros de pequeña señal: 20 , 31 y 32 .
7. Calcule, para el circuito de la figura, el valor de 8!& y 8!. tal que 5#4 = 1 ,9 y el paralelo de 8!&
y 8!. sea mayor a 300 KΩ, sabiendo que "$ = 100 y 8# = 6 KΩ.
8. En el circuito mostrado en la figura, calcule:

2020
a) El punto de operación del transistor. c) El valor máximo de 8# con el cual el

Represente el punto de operación y la línea transistor permanece trabajando en la
de carga estática en la característica de región activa.
salida.
b) La potencia que se disipa en el colector del
transistor en reposo y la potencia que
entrega la batería !## .
Datos:
"$ = ℎ$" = 150; !!" = 0,7 V
!!" 7*8 = 0,8 !; !#" 7*8 = 0,1 !
5#9 = 0.
9. En el circuito mostrado en la figura, calcule R1 para que I: = 2 mA.
Datos:
"$ = ℎ$" = 50; !!" = 0,7V

!!" 7*8 = 0,8V ; !#" 7*8 = 0,2V
5#9 = 0.

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10. En el circuito de la figura, calcule el punto

de operación y la potencia disipada en el
colector del transistor en reposo.
Datos: "$ = ℎ$" = 100; !!" = 0,7 V

!#" 7*8 = 0,1V y 5#9 = 0.
11. Suponiendo que ambos transistores de la figura son idénticos, ¿cual deberá ser aproximadamente la
tensión ! de la fuente de alimentación de modo que la corriente 5 sea 1,9? Considere 8 = 1=>
y " = 650.
12. El circuito que muestra la figura tiene un transistor TBJ NPN con una ganancia de corriente " =
100, una fuente !## = 12! y una fuente !!! = 4V.
a) Suponiendo que el transistor está en Modo Activo Directo, calcule el valor de 8! para que la
corriente de colector sea de 1 ,9. ¿Es necesario saber el valor exacto de R? Justifique su
respuesta.
b) Calcule el valor de R tal que la tensión en el colector sea de 6V.

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13. En el siguiente circuito, calcular:
a) Punto Q
b) Rectas de carga estática y dinámica
c) !2;*< para excursión simétrica.
14. Hallar RC para tener una máxima excursión de la tensión de salida.
15. En un transistor se efectúan las mediciones de señal (ca) en las condiciones que muestran los circuitos
de las figuras 1 y 2. El capacitor “C” es lo suficientemente grande como para considerarlo un
cortocircuito a la frecuencia de medición. Calcular los parámetros “h”.

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16. Para el circuito de la figura, determinar los parámetros h del transistor en bajas frecuencias, partiendo
de los parámetros del modelo de Giacoletto.
Datos:
"= = 60
C = 10(>
3< = 50Ω
E = 0,0166
17. Dado el siguiente circuito, calcular la ganancia de tensión a frecuencias bajas utilizando el modelo de
Giacoletto.
Datos:
F? = 0,03! ; 5# = −4 ,9 ; "= = 80
!
3< = 50Ω ; 3@ = 4IΩ ; 32 = 8JΩ
18. Dado el siguiente circuito:
Datos:
F? = 0,03! ; 5# = −4 ,9 ; "= = 80
!
3< = 50Ω ; 3@ = 4IΩ ; 32 = 8JΩ
a) Hallar el valor de sus parámetros “h”.

b) Calcular la ganancia de tensión utilizando el modelo de parámetros h y comparar con la hallada
en el ejercicio anterior.

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19. El circuito de la figura corresponde a dos
amplificadores de audio conectados en
cascada; en el cuadro de la derecha figuran Q1 Q2
los valores de parámetros “h” para cada ℎDC 5000 > 1280 >
(,
transistor en su punto de operación. ℎIC 700. 10 320. 10(,
ℎJC 99 115
a) Hallar la ganancia total de corriente de ℎ2C 20PQ 84PQ
las dos etapas.
b) Hallar la ganancia total de tensión de las
dos etapas.
c) Hallar la ganancia total de potencia de
las dos etapas.
20. Dado el circuito de la figura, calcular las ganancias de corriente, de tensión y de potencia para una
frecuencia de 1MHz. El transistor es de Ge con una contaminación de 10&> +,() y 10&A +,() en
la base y el colector respectivamente. K = 290J
F"
3BC |D! E= = 300Ω a una frecuencia de 1 KHz ; .G = 5. 10(&= N. Ω ; "= = 80 ; C = 0 ;
#
F"
4HC ≪ 20 .G ; 9 = 10(. +,. .
#
21. Para el circuito siguiente:
Datos:
3< = 60Ω
31 = 150Ω
41 = 200 RN
4@ = 6 RN
3@ = 2 IΩ
32 = 20 JΩ
8& = 120 Ω ; 8. = 7,5 JΩ ; 8K = 1 JΩ

8L = 200 Ω ; 5# = 8 ,9 ; K = 290 J
a) Dibujar el circuito equivalente utilizando el modelo hibrido-π.

b) Hallar la ganancia de tensión en baja frecuencia.
c) Hallar la ganancia de tensión a una frecuencia de 800 KHz y determinar la caída respecto a bajas
frecuencias, expresada en dB.
Transistores con señales fuertes – Modelo de Ebers-Moll
22. Dadas las siguientes mediciones, para un transistor pnp de Ge a K = 300 J:

Para !#! = 0 y !"! = 0,2 ! ; 5" = 400 ,9 e 5# = −380 ,9
Para !#! = 0,2 ! y !"! = 0 ! ; 5" = −340 ,9 e 5# = 425 ,9
Calcular el valor de las corrientes de emisor, base y colector de polarización para !"! = 0,15 ! y
!#! = −10 !
23. El circuito de la figura está constituido por un transistor pnp a 290 K con S$ = −0,97. Conectando
ambas llaves en la posición 1, el amperímetro indica 5 P9. Determinar la ganancia de tensión del
circuito, con ambas llaves en 2.

2020
24. El circuito de la figura está constituido por un transistor pnp a 17°C con S$ = −0,99 y SM =
−0,86. Conectando ambas llaves en la posición 1, el amperímetro A indica 200 ,9.
a) Calcular el valor de 5#N e 5"N .

b) Hallar la indicación del amperímetro cuando ambas llaves se conectan en la posición 2.
25. El circuito de la figura esta está constituido por un transistor pnp a una temperatura de 300 J.
Conectando ambas llaves en la posición 1, los amperímetros 9& y 9. indican respectivamente
390 ,9 y 382,2 ,9. Determinar la ganancia de tensión del circuito cuando conectamos ambas
llaves en la posición 2.

2020
26. Dado el siguiente circuito, determinar gráficamente utilizando las curvas de EC (Figura 1), la ganancia
de tensión, de corriente y de potencia, suponiendo una tensión senoidal de excitación cuyo valor
pico sea de 0,2 !. Graficar la forma de onda de tensión de salida.
27. Dado el siguiente circuito, determinar gráficamente utilizando las curvas de EC (Figura 1), la ganancia
de tensión, de corriente y de potencia, suponiendo una tensión senoidal de excitación cuyo valor
pico sea de 0,2 !. Comparar la forma de onda de salida con la del problema 26.

2020
Modelo de Control de Cargas
28. En el circuito de la figura se aplica en T = 0 un escalón de tensión de amplitud igual a −40!.
a) Calcular el tiempo que tarda la corriente de colector en alcanzar su máximo valor.

b) Determinar el valor de la carga de saturación estacionaria.
Los parámetros de control de carga del transistor valen:

U!$ = 1,2. 10(, V ; U$ = 12. 10(O V ;
U!M = 0,36. 10(, V y UM = 36. 10(O V

2020
Figura 1: Curvas características en EC

Transistor TBJ-2020

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UTN.

Física del transistor

1. Para un transistor TBJ NPN operando en régimen directo se pide:

a) haga un esquema de las distribuciones de minoritarios en cada zona en la región activa.

Dispositivos Electrónicos 2/13 Universidad Tecnológica Nacional

b) Hallar los valores de los elementos del modelo de pequeña señal 20 , 31 , 32 , 41 , 43 .

Polarización y señal débil

8. En el circuito mostrado en la figura, calcule:

Dispositivos Electrónicos 3/13 Universidad Tecnológica Nacional

a) El punto de operación del transistor. c) El valor máximo de 8# con el cual el

9. En el circuito mostrado en la figura, calcule R1 para que I: = 2 mA.

"$ = ℎ$" = 50; !!" = 0,7V

Dispositivos Electrónicos 4/13 Universidad Tecnológica Nacional

10. En el circuito de la figura, calcule el punto

Datos: "$ = ℎ$" = 100; !!" = 0,7 V

Dispositivos Electrónicos 5/13 Universidad Tecnológica Nacional

13. En el siguiente circuito, calcular:

14. Hallar RC para tener una máxima excursión de la tensión de salida.

Dispositivos Electrónicos 6/13 Universidad Tecnológica Nacional

18. Dado el siguiente circuito:

a) Hallar el valor de sus parámetros “h”.

Dispositivos Electrónicos 7/13 Universidad Tecnológica Nacional

21. Para el circuito siguiente:

8& = 120 Ω ; 8. = 7,5 JΩ ; 8K = 1 JΩ

a) Dibujar el circuito equivalente utilizando el modelo hibrido-π.

Transistores con señales fuertes – Modelo de Ebers-Moll

22. Dadas las siguientes mediciones, para un transistor pnp de Ge a K = 300 J:

Dispositivos Electrónicos 9/13 Universidad Tecnológica Nacional

a) Calcular el valor de 5#N e 5"N .

Dispositivos Electrónicos 10/13 Universidad Tecnológica Nacional

Dispositivos Electrónicos 11/13 Universidad Tecnológica Nacional

Modelo de Control de Cargas

28. En el circuito de la figura se aplica en T = 0 un escalón de tensión de amplitud igual a −40!.

a) Calcular el tiempo que tarda la corriente de colector en alcanzar su máximo valor.

Los parámetros de control de carga del transistor valen:

Dispositivos Electrónicos 12/13 Universidad Tecnológica Nacional

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