CURVAS CARACTERÍSTICAS DE LOS TRANSISTORES MESFET

Operación de MESFET de GaAs bajo diferentes polarizaciones de Vds con Vgs  0.

(a) Región lineal (Vds es muy baja), (b) Vds al comienzo de la saturación, (c) Vds es
grande.
En otra dispositiva
I–V Curvas características de un dispositivo MESFET para diferentes valores de V gs; la
corriente ideal se dibuja en una curva continua, mientras que la curva discontinua indica
la corriente real.