Universidad Autónoma de

Nuevo León
Facultad de ingeniería Mecánica y Eléctrica
Materia:
Electrónica 1 Laboratorio
Docente:
Ing. Eduardo Izquierdo Salazar
Alumno:
Juan Rolado Mendoza de la Fuente
Matricula: 1969191
Carrera: IMTC

Horario: N1-N2 Miercoles Grupo: 327

Fecha: 25/03/2022
Lugar: Ciudad Universitaria, San Nicolas de los Garza

Foto del estudiante:

Índice
Practica 7 “Curvas Características Del Transistor Bipolar” ................................................................ 3
Introducción .................................................................................................................................... 3
Objetivo. .......................................................................................................................................... 3
Lista de Material. ............................................................................................................................ 3
Equipo ............................................................................................................................................. 3
Marco Teórico ................................................................................................................................. 4
Transistor Bipolar de Unión Tipos. ............................................................................................. 5
Curva de transferencia de un transistor bipolar ........................................................................... 6
Teoría Preliminar. ........................................................................................................................... 7
Procedimiento. ................................................................................................................................ 8
Circuito Simulado ........................................................................................................................ 8
Graficas.......................................................................................................................................... 10
VRB 2V IB20uA ........................................................................................................................... 10
VRB 4V IB40uA ........................................................................................................................... 11
VRB 6V IB60uA ........................................................................................................................... 11
VRB 8V IB80uA ........................................................................................................................... 12
VRB 10V IB100uA ....................................................................................................................... 12
VRB 12V IB120uA ....................................................................................................................... 13
VRB 14V IB140uA ....................................................................................................................... 13
VRB 16V IB160uA ....................................................................................................................... 14
VRB 18V IB180uA ......................................................................................................................... 14
VRB 20V IB200uA ....................................................................................................................... 15
Reporte.......................................................................................................................................... 16
Conclusión..................................................................................................................................... 19
Bibliografía ................................................................................................................................... 20
Practica 7 “Curvas Características Del Transistor Bipolar”
Introducción
Los transistores de unión o transistores bipolares (Bipolar Junction Transistor, BJT) son unos
dispositivos activos de tres terminales que constituyen el elemento fundamental en multitud
de aplicaciones que van desde la amplificación de señales, al diseño de circuitos lógicos
digitales y memorias.
El principio básico de funcionamiento de un transistor bipolar es el uso de la tensión existente
entre dos de sus terminales para controlar la corriente que circula a través del tercero de ellos.
De esta forma, un transistor bipolar podría utilizarse como una fuente dependiente que, como
hemos establecido en el Capítulo anterior, es el elemento fundamental del modelo de un
amplificador de señal. Además, la tensión de control aplicada puede provocar que la corriente
en el tercer terminal del transistor bipolar cambie de cero a un valor elevado, permitiendo
que el dispositivo activo pueda utilizarse como un conmutador con dos estados lógicos, que
es el elemento básico en el diseño de circuitos digitales.
Objetivo.
• Obtener las curvas características de un transistor bipolar

usando el osciloscopio como un trazador de curvas.

• Determinar la ganancia de corriente directa del transistor.

• Determinar la ganancia de corriente alterna del transistor.

• Medir el  = hfe

Lista de Material.
• 1 Puente rectificador de 1 Amp. de 50 V.

• 1 Transistor 2N3904 ó equivalente. (Descargar hoja de especificaciones de Internet)

• 1 Resistencia 100 K, ½ W

• 1 Resistencia 100 , ½ W

• 1 Resistencia 3.3 K, ½ W

• 1 Transformador 120/12 VCA, a 1 Amp.

Equipo
• 1 Osciloscopio

• 1 Multímetro digital

• 1 Fuente de alimentación variable de 0 a 25 V.

Marco Teórico

Es un dispositivo electrónico de 3 terminales, por lo que entre ellos hay 6 variables eléctricas
de interés: tres corrientes y tres tensiones. Pero conociendo dos corrientes se puede calcular
la tercera (ley de los nudos), y conociendo dos tensiones se calcula la tercera (ley de las
mallas).
Se toma un terminal común, por lo que se forma un cuadrupolo: una “caja” caracterizada por

una corriente de entrada, una tensión de entrada, una corriente de

salida y una tensión de salida.

Descripción básica de su funcionamiento:

BJT (Transistor Bipolar de Unión): Fuente de corriente (salida)
controlada por corriente (entrada). Ganancia de corriente (β ó
hFE/hfe). Terminales: Base, Emisor y Colector.

FET (Transistor de Efecto Campo): Fuente de corriente (salida)

controlada por tensión (entrada). Transconductancia (gm).
Terminales: Puerta, Drenador y Fuente.
Transistor Bipolar de Unión Tipos.
Dispositivo electrónico fabricado usando semiconductores. Se denomina de unión porque
está formado por dos uniones p-n interrelacionadas entre sí (por eso un transistor NO es lo
mismo que dos diodos) Se añade el adjetivo bipolar ya que en su funcionamiento intervienen
dos tipos de portadores: electrones y huecos, de cargas opuestas. A veces se le denomina
BJT, de sus iniciales en inglés (Bipolar Junction Transistor).
Tipo de transistor y símbolo circuito.

Transistor Bipolar de Unión. BJT.

Estructura y símbolo circuital del transistor. Tipos: NPN y PNP
Terminales: Se denominan Base, Emisor y Colector. El emisor y el colector no son
intercambiables (componente asimétrico).
El emisor y el colector, aunque tienen el mismo TIPO de dopaje (los dos P o los dos N), en
la práctica el emisor está mucho más dopado que el colector: por ello a veces se usa la
notación N+PN o P+NP.

La base, en general, es una zona poco dopada y muy estrecha, lo que permite la interrelación
de ambas uniones p-n
Curva de transferencia de un transistor bipolar
Curva de transferencia de un transistor real para una corriente de base dada se muestra en la
imagen a la izquierda.
Curvas de transferencia del transistor bipolar para diferentes corrientes de base. Ver zonas
de saturación y de corte (imagen de la derecha)
En la imagen de la derecha las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender que
a más corriente la curva es más alta.

De las curvas del transistor se deduce que:

• Cuando la corriente de base (Ib) es cero, el transistor no conduce (Ic = 0). Igualmente se
puede deducir de la fórmula Ic = ß x Ib. El voltaje entre el colector y el emisor (VCE) es
el voltaje de alimentación.
• Cuando la corriente de base (Ib) es diferente de cero, el transistor conduce (Ic es diferente
de cero). Igualmente se puede deducir de la fórmula Ic = ß x Ib. El voltaje entre el colector
y el emisor (VCE) es un voltaje que está entre el mínimo (aproximadamente cero) y un
máximo (aproximadamente el voltaje de alimentación). El valor del voltaje depende del
valor Ib.
Teoría Preliminar.
Las curvas características del transistor, es un conjunto de curvas, que representa la variación
de corriente de colector (IC) con respecto al voltaje entre colector y emisor VCE, para un
valor constante de la corriente de base (IB).
El circuito de la Figura 16, permite por el lado del circuito base-emisor, ajustar el valor de la
corriente de base. Por ejemplo, si la fuente se ajusta de tal modo que la caída en RB sea de 2
voltios, entonces la corriente de base es de 20 A. Por el lado del circuito colector-emisor,
se aplica una señal rectificada de onda completa. La caída de voltaje en la resistencia del
colector RC, es proporcional a la corriente del colector IC, por lo que se usara para la
deflexión vertical del haz de electrones en el osciloscopio. El voltaje entre colector y emisor
VCE con signo negativo se utilizara en la entrada horizontal del osciloscopio operando en
modo X-Y. De la forma anterior es posible obtener una curva feature del transistor y solo es
cuestión de ajustar de nuevo la corriente de base para observar un nuevo trazo.
Procedimiento.
1.- Implementar el circuito de la Figura 16 para obtener las curvas del transistor en un osciloscopio
en modo XY.

Circuito Simulado
2.- Medir la caída en RB con el multímetro digital y ajusta la fuente de alimentación para obtener
una caída de voltaje igual a 2 volts.

3.-Ajustar escalas adecuadas en el Osciloscopio.

4.- Ajustar los controles del osciloscopio de la siguiente forma: Acoplamiento de CD. 500 mV/div.
Modo XY. (En caso de usar osciloscopio digital, solo configurarlo de forma adecuada)

5.- Observar lo siguiente:

• Se forma una curva característica del transistor. Relacionada con la corriente de base.
• La deflexión vertical es provocada por la caída en RC.
• Ecuación 1 𝑰𝑪 = 𝑽𝑹𝒄 𝑹𝑪
• La deflexión horizontal es provocada por el voltaje entre colector y emisor VCE y es negativa.
• La escala horizontal es de 10V/div.(Esta debe ajustarse de acuerdo a las características del modelo
del transistor utilizado)
• La corriente de base está determinada por la caída de voltaje en RB. • Ecuación 2 𝑰𝑩 = 𝑽𝑹𝑩 𝑹B
5.- Ajustar la perilla de escala horizontal hasta tener un desplazamiento horizontal igual a 4 veces el
actual. El resultado de esto es una escala horizontal de 2.5V/div. En este paso utiliza los controles de
posición vertical y horizontal, para hacer que el origen de la curva esté cerca de la esquina inferior
derecha de la pantalla del osciloscopio.
6.- Dibujar una familia de curvas características para los siguientes valores de caída de voltaje en
RB. (Si cuentas con cámara en tu celular, tomar una ) La curva se observa en el osciloscopio y se
debe de tomar una fotografía.

Graficas
VRB 2V IB20uA
VRB 4V IB40uA

VRB 6V IB60uA
VRB 8V IB80uA

VRB 10V IB100uA

VRB 12V IB120uA

VRB 14V IB140uA

VRB 16V IB160uA

VRB 18V IB180uA

VRB 20V IB200uA

Para cambiar el voltaje en RB, ajusta el valor de la fuente de alimentación y medir solamente la caída
de voltaje con el multímetro digital. Etiquetar a cada curva con el valor de la corriente de base que le
corresponde
R= Ya se graficaron una por una las curvas del transistor bipolar
7.-Registrar la siguiente información

Equipo Utilizado Fabricante-Modelo No. De Serie

Multímetro Digital Multisim S/N
Osciloscopio Multisim S/N
Generador de funciones Multisim S/N
Fuente de voltaje Multisim S/N
OTRO (Especifica)
Reporte.
1.- Determinar el valor de la ganancia de corriente directa (F) del transistor para el punto de
operación dado por.

IBq= 60A
VCEq= 10V

Valores de canales verticalmente 1.11v, con una resistenica de 100ohms, entonces

1.11𝑉
R=𝐼𝐶𝑄 = 100𝑂𝑜ℎ𝑚𝑠 = 0.0111𝐴 = 11.1𝑚𝐴

Emplear la familia de curvas obtenidas en el paso 6 del procedimiento.

ICq=__11.1mA_______

F=_11.1mA/60uA= 185_
Medir con el multímetro digital el valor del hfe y compáralo con el calor calculado.
2.- Determinar el valor de la ganancia de corriente alterna () del transistor para el siguiente punto
de operación:

IBq= 60A VCEq= 10V

Grafica 1

Grafica 2
Grafica 3

Para ello determinar de la misma familia de curvas:

para IB2= 80A

para IB1=40A
IC2=__3.576mA______
IC1=__7.462mA______
3.576−7.462
= 80−40
= 97.15
Conclusión

Se puede obtener la curva característica del punto de operación para el transistor BJT con la
ayuda de un osciloscopio y el uso del formato XY. Se analizó el comportamiento del
transistor en sus distintas regiones de trabajo, viéndose como es sumamente importante
polarizar de manera adecuada el mismo, y saber valores como la corriente de base y β del
transistor, para conocer en qué región de trabajo se encuentra.
Fue posible observar que el comportamiento en el circuito con el transistor, se determinaron
las betas de los transistores y se demostró que las mediciones dependiendo del multímetro
que se usan pueden variar el valor y la forma en la que se debe realizar la medición pues para
esto se debe tener en cuenta las hojas de datos de los transistores.
Bibliografía

• CARACTERÍSTICAS del Transistor BJT. (2014). Recuperado el 24 de marzo de

2022, del sitio web Scuolaelettrica.it:
https://scuolaelettrica.it/escuelaelectrica/elettronica/transi5.php
• Administrador. (2019, 6 de septiembre). Transistor Bipolar o BJT - Ganancia - Curva
característica - Electrónica Unicrom. Recuperado el 24 de marzo de 2022, de la web
de Electrónica Unicrom: https://unicrom.com/que-es-un-transistor-bipolar/
• TEMA6. (2022). Recuperado el 24 de marzo de 2022, de la web Sc.ehu.es:
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema6/TEMA6.htm
• Curva Característica del Transistor. (2018). Recuperado el 24 de marzo de 2022, del
sitio web de prezi.com: https://prezi.com/raxxeecpktnr/curva-caracteristica-del-
transistor/
• Curvas características de un transistor. (2022). Recuperado el 24 de marzo de 2022
del sitio web Ld-didactic.de: https://www.ld-
didactic.de/software/524221es/Content/ExperimentExamples/Physics/Electronics/C
haracteristicTransistor.htm
• Dispositivos, A. (s.f.). TEMA 5 EL TRANSISTOR BIPOLAR (Guía de Clases).
Recuperado de http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/tema5.pdf
• TRANSISTOR BIPOLAR TRANSISTOR BIPOLAR. (Dakota del Norte.).
http://lcr.uns.edu.ar/electronica/Introducc_electr/2011/clases/BJT.pdf