Laboratorio 1 Y 2  

– Electrónica II
22 de Octubre de 2013 - Universidad de Cundinamarca

CURVA CARACTERISTICA DEL FET

Omar Fonseca, Diego zarta, Jair Pardo, Adriana Aurela

ABSTRACT
II. OBJETIVO GENERAL
JFETs are semiconductor device in which the
current flows through an area called a channel
connectingtwo terminals that are the source and Obtener la curva característica del FET
drain. This current is controlled by an electric (Field Effect Transistor) distinguiendo los
field caused by anapplied voltage in a third  parámetros de operación más importantes.
terminal called the gate.

III. OBJETIVOS ESPECIFICOS

I. INTRODUCCION.
Podemos mencionar algunas
- Entender y describir apropiadamente el
características del JFET:
funcionamiento de los transistores FET.
 Los JFET generan un nivel de ruido
menor que los BJT - Comparar las ventajas y desventajas que
 Los JFET so más estables con la representa la tecnología FET frente a los
temperatura que los BJT. transistores comunes.
 La alta impedancia de entrada de los
JFET les permite almacenar carga - Analizar los distintos campos acción de
el tiempo suficiente para permitir su la tecnología FET de acuerdo a sus
utilización como elementos de singulares parámetros de operación.
almacenamiento.

Pasos para el correcto funcionamiento del JFET: IV. MATERIALES

Para un correcto funcionamiento de un
JFET, consideramos los siguientes COMPONENTES ELECTRICOS:
aspectos:
 Especificaciones del diseño  2 fet 2n5457
 Obtención de los puntos de trabajo   potenciómetros de 1k 
en las curvas características de  resistencias de 100
entrada y salida del JFET
 Determinación de los valores de INSTRUMENTACION
los componentes de polarización
 Cálculo de los capacitares, las  fuente de alimentación de cd
cuales brindan las asíntotas de  multímetro digital
ganancia en función de la frecuencia
 Ajustes y análisis de errores.
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V. MARCO TEORICO.

TRANSISTOR FET
VI. PROCEDIMIENTO
Los transistores más conocidos son los
llamados bipolares (NPN y PNP),
llamados así porque la conducción tiene
lugar gracias al desplazamiento de
 portadores de dos polaridades (huecos
 positivos y electrones negativos), y son de
gran utilidad en gran número de
aplicaciones pero tienen ciertos
inconvenientes, entre los que se encuentra Realice el análisis AC, obtenga Av , Ai ,
Zi , Zo Realice la simulación del diseño,
su impedancia de entrada bastante baja.
realice todas las medidas necesarias para
rellenar la tabla siguiente, a la hora de
Existen unos dispositivos que eliminan imprimir el circuito sacar los valores de
este inconveniente en particular y que los amperímetros y voltímetros.
 pertenece a la familia de dispositivos en Realice el montaje.
los que existe un solo tipo de portador de
cargas, y por tanto, son unipolares. Se
llama transistor de efecto campo.
1. TEÓRICO.
Un transistor de efecto campo (FET)
típico está formado por una barrita de Cálculos.
material p ó n, llamada canal, rodeada en
 parte de su longitud por un collar del otro De acuerdo a la hoja de datos del
tipo de material que forma con el canal transistor utilizado para esta práctica
una unión p-n. (2N459) se obtiene:
En los extremos del canal se hacen sendas
conexiones óhmicas llamadas ()   .
respectivamente sumidero (d-drain) y
fuente (s-source), más una conexión ()    .
llamada puerta (g-gate) en el collar.
Para cualquier valor de    con un
   ,   


  (  )



  (  )


La figura muestra el croquis de un FET   

con canal N
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Para cualquier valor de    con un 

  (  )
  . 

 
   (  )   (  )
 

    

  (  )

Tabla de datos.
  
  0V -0,5V -0,8V -1V -2V -2,5V
Para cualquier valor de    con un 0V 0 0 0 0 0 0
  .
0.5V 16 14,06 12,96 12,25 9 7,56
 1V 16 14,06 12,96 12,25 9 7,56

   (  ) 2V
 16 14,06 12,96 12,25 9 7,56
4V 16 14,06 12,96 12,25 9 7,56

  (  ) 8V 16 14,06 12,96 12,25 9 7,56

10V 16 14,06 12,96 12,25 9 7,56
  

Para cualquier valor de    con un Grafica.

   .
Chart Title
 
   (  ) 18

16
 14
  (  )
 12

10
  
8
Para cualquier valor de    con un 6
   . 4

2

   (  ) 0
 Vds 0V Vds Vds 1V Vds 2V Vds 4V Vds 8V Vds10V
0.5V

  (  ) Vgs 0V Vgs -0,5V Vgs -0,8V

Vgs -1V Vgs -2V Vgs -2,5V
  

Para cualquier valor de    con un

  .
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2. Colocando los cables a la inversa

rojo en drenaje y negro en fuente,
tiene que acusar una resistencia
entre 5 y 10 ohm.

Para los dispositivos de canal p se hace el

mismos procedimiento, solo se invierte la
 polaridad del multímetro.

V. CONCLUSIONES.
 Se puede comprobar que la corriente
de drenaje que depende del voltaje
 , obedece a la ecuación de
shockley.
 Se puede observar en las gráficas que
a medida que el voltaje  se
 polariza negativamente cada vez más,
la corriente de drenaje se hace más
 pequeña.

I. BIBLIOGRAFIA

RASHID, MUHAMMAD. Circuitos micro

electrónicos análisis y diseño.
BOYLESTAD ROBERT. Electrónica teoría de
circuitos. Octava edición.
SAVANT. Diseño electrónico.
MALVINO, PAUL. Principios de electrónica.
Sexta edición.
THOMAS, FLOY, Dispositivos electrónicos. 8
edición