Facultad de

Escuela de Ingenierías
Ingenierías
Físico
Eléctrica, Electrónica y de
Mecánicas Telecomunicaciones

LABORATORIO - Hoja 1 de 4.
FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALÓGICOS (23414)​.

A​SIGNATURA​: Fundamentos de Circuitos Analógicos –2 Sem 2020 C​ÓDIGO​: 23414

​ E​ L​ ABORATORIO
PRÁCTICA​ D SIMULACIÓN Y EXPERIMENTACIÓN DE N​O​.: 01
CURVAS DE TRANSFERENCIA DE UN CIRCUITO
CON MOSFETS

INTRODUCCIÓN

Algunas veces los resultados obtenidos por medio de la simulación difieren en gran medida de los
obtenidos por medio de análisis manual, y más aún, en el montaje de un prototipo experimental.
Esto puede originarse al no tener en cuenta algunos efectos que son considerables por el tipo de
modelo que utilice la herramienta de simulación o por las simplificaciones hechas en los análisis
manuales. Una alternativa para evaluar problemas y poder comparar directamente los resultados es
realizar la simulación a partir de programación en modo texto. A partir de ello se tiene una base más
sólida sobre el funcionamiento del circuito y se puede proseguir al montaje físico del diseño (en el
caso de sistemas discretos) o a la fabricación en silicio (para el caso de los circuitos integrados).

LISTA DE MATERIALES, EQUIPO Y SOFTWARE REQUERIDOS

● LTspice

ACTIVIDADES PREVIAS AL LABORATORIO

No se requiere de pre-informe, será suficiente mostrar evidencia de los cálculos desarrollados en el

cuaderno o en hojas borrador. Las gráficas se pueden mostrar directamente en el computador desde
Matlab.

1. Realice el análisis manual del circuito de la figura 1 para encontrar la característica vo vs

vi de forma gráfica cuando vi cambia desde 0 hasta VDD voltios.

Puede seguir el siguiente procedimiento (desprecie el efecto de modulación del canal):

Figura 1. Circuito a analizar

 LABORATORIO - Hoja 2 de 4.
FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALÓGICOS
(23414).

De acuerdo con la conexión, M2 permanecerá siempre en estado de saturación (¿Por qué?). Por
tanto, siempre y cuando este transistor esté encendido se tiene:

Primera Parte; análisis de intervalos

1.1. Para: 0≤v i ≤ V t1 responda

​ lo siguiente
● ¿En qué región de operación estará M1?
● ¿Qué valor de tensión se obtiene para Vo?

De acuerdo con la conexión, M2 permanecerá siempre en estado de saturación. Por tanto:

2
(
iD2 = 12 .K n′ .( WL )2 . V GS 2 − V t ) P ara :

V t1 ≤ v i ≤ V 0 + V t1
1.2. Basado en los resultados anteriores ¿En qué región inicia la operación M1 dentro de estos
intervalos? Escriba la ecuación que la describe.

Igualando las expresiones para las corrientes (¿Por qué?) y considerando:

V GS 2 = V DD − v 0 V GS 1 = v 1
Se obtiene:
iD2 = iD1
2 2
( )
W
L 2 .(V DD − V 0 − V t ) = ( WL )1 .(v 1 − V t )

1.3. Despeje la tensión de salida:

v 0 =?

√
( WL )1
Def ina : r = ( WL )2

Para simplificar la expresión obtenida. Esta expresión es válida hasta el punto en el que M1 entre a
la región de triodo, es decir:

v 0 = v I − V t1
 LABORATORIO - Hoja 3 de 4.
FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALÓGICOS
(23414).

Aplicando esta condición obtenga

V DD +r.V t
vI = (1+r)

1.4. A partir de este valor de vi M1 está operando en la región de triodo. Por lo tanto, escriba la
ecuación correspondiente a la corriente en esta región.
iD1 =?
Note que la región no cambia en el transistor M2 y, por lo tanto:

2
(
iD2 = 12 .K n′ .( WL )2 . V GS 2 − V t ) P ara :

Sigue siendo la misma ecuación.

1.5. Aplicando un proceso similar al anterior, demuestre que:

(1 + r2 ) .v 20 − 2. [V DD − V t + r2 . (v I − V t )] .v 0 + (V DD − V t )2 = 0

1.6. Resuelva para el caso particular reemplazando los parámetros de los dispositivos a usar: ​Vth
= 1.4V, W/L = 100 um/10 um, Kn = 70 uA/v^2 para ambos transistores​.
V DD +r.V t
v 0 =?; V álido entre (1+r)
≤ v I ≤ V DD
Finalmente se obtienen expresiones para la tensión de salida en función de la tensión de entrada, por
intervalos:
v 0 =?; 0≤v i ≤ V t1
V DD +r.V t
v 0 =? ; V t1 ≤ v I ≤ (1+r)
V DD +r.V t
v 0 =? ; (1+r)
≤ v I ≤ V DD

2. Realizar la gráfica resultante del análisis manual utilizando Matlab

2.1. Condense las expresiones obtenidas en el análisis manual y sepárelas en los intervalos en
los que cada una es válida.
2.2. Realice un script con estas expresiones y obtenga una gráfica vo vs vi donde vi varía desde
0 hasta 10V. Etiquete muy bien los ejes y las unidades.
 LABORATORIO - Hoja 4 de 4.
FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALÓGICOS
(23414).
Segunda Parte

1. Realizar la simulación del circuito en formato SPICE (modo texto)

Con el fin de contrastar los resultados obtenidos en el análisis manual, se puede realizar una
simulación por medio del código fuente en archivo de texto. Para ello abra un archivo nuevo en el
bloc de notas.
1.1. Enumere los nodos del circuito ayudándose de la figura 2. Recuerde que el nodo de tierra
por defecto SIEMPRE será el nodo cero (0), los demás nodos se pueden nombrar como se
desee.

Figura 2. Muestra de los nodos planteados en la simulación.

1.2. Defina las fuentes de alimentación y los dispositivos escribiendo el código correspondiente
en el archivo de texto. Para los transistores use L=10u y W=100u.
1.3. Especifique el modelo a usar del transistor, tal como se muestra a continuación:

.MODEL NCH4007 NMOS (LEVEL=1 VTO=1.4 KP=70u LAMBDA=0.004)

1.4. Establezca el VDD en 10V.

1.5. Indique el tipo de simulación para realizar un barrido de DC, variando la tensión de entrada
(VI) desde 0 hasta 10V con pasos de 10 mV.

El programa en modo texto se guarda en la carpeta de trabajo con la extensión ​.cir. ​Para ejecutar el
programa se ejecuta desde LTSpice, se abre el archivo y selecciona ejecutar. Posterior a ello debe
seleccionar la opción “run simulation” para tener de forma gráfica la simulación del circuito y así
poder analizar todas las variables del mismo.

2.1 Desde el simulador exporte los datos de simulación de Id

2.2 Compare los resultados con los datos obtenidos en la primera parte (Matlab) y establezca la
diferencia entre ambas curvas de forma numérica, como por ejemplo, por medio de análisis por
mínimos cuadrados y concluya.

3. Elabore el informe de laboratorio, teniendo en cuenta las partes del mismo.