Laboratorio 02

Sebastián Puerta
Facultad de Ingeniería Electrónica, Universidad El Bosque
Bogotá DC, Colombia

spuertav@unbosque.edu.co

Fig. 1
I. INTRODUCCIÓN
Este laboratorio tuvo como objetivo comprender las fórmulas y
configuraciones de los MOSFET para con esto poder diseñar con
distintas polarizaciones circuitos de amplificación. 2) Polarizar NMOSFET:
II. MARCO TEÓRICO
Datos del transistor: MnCox = 200 u, W/L = 25, y un VTH = 0.4 V.

Multisim: es un programa de simulación y captura de esquemas

electrónicos que es parte de un conjunto de programas de diseño de
circuitos.

Transistor: Un transistor es un dispositivo semiconductor que

transfiere una señal débil del circuito de baja resistencia al circuito
de alta resistencia. En otras palabras, es un dispositivo utilizado
como amplificador o interruptor que regula las señales eléctricas
como el voltaje o la corriente. [1]

MOSFET: Las siglas MOSFET vienen de las palabras Metal-

Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor, que en español
significan transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor.
En otras palabras, un MOSFET es un transistor, un componente
eléctrico que se encarga de regular la salida de voltaje a partir de una
tensión de entrada dada. En el mundo de la electrónica son
ampliamente conocidos los transistores BJT, que sirven para regular
la señal de salida en corriente, mientras que los MOSFET regulan la
señal de salida en voltaje. El funcionamiento es básicamente el
mismo, solo que unos regulan corriente (intensidad) y otros regulan
voltaje.[2]

III. DESARROLLO DE LA PRÁCTICA

Fig. 2
En los 10 primeros puntos se nos pide polarizar distintos transistores
3) Polarizar el transistor NMOS:
(en algunos casos NMOSFET y en otros PMOSFET) y circuitos:
Datos del transistor: MnCox = 200 u, W/L = 25, y un VTH = 0.4 V.
1) Polarizar NMOSFET:

Datos del transistor: MnCox = 200 u, W/L = 25, y un VTH = 0.4 V.

 Fig. 3

4) Polarizar el transistor NMOS:

Fig. 5
Datos del transistor: MnCox = 200 u, W/L = 25, y un VTH = 0.4 V.
6) Polarizar el transistor PMOS:

Las características del transistor son MpCox = 100 u, W/L = 25, y

un VTH = -0.4 V.

Fig. 6

Fig. 4 7) Polarizar el transistor PMOS:

Las características del transistor eran MpCox = 100 u,

5) Polarizar el transistor NMOS: W/L = 25, y un VTH = -0.4 V.

Las características del transistor M1 son MnCox = 200 u,

W/L = 25, y un VTH = 0.4 V. Para M2 son MnCox =
200 u, y un VTH = 0.4 V.
 9)
Polarizar el transisto PMOS:

Las características del transistor eran MpCox = 100 u, W/L = 25, y

un VTH = -0.4 V.

Fig. 7

8)
Polarizar el transisto PMOS:

Las características del transistor eran MpCox = 100 u, W/L = 25, y

un VTH = -0.4 V.

Fig. 9

10) Polarizar PMOSFET:

Las características del transistor M1 eran MpCox = 100 u, W/L =

25, y un VTH = -0.4 V. Para M2 eran MpCox = 100 u, y un VTH
= -0.4 V.

Fig. 8
 200𝑢𝐴 1
𝐼𝐷 = 25 ∗ ∗ ∗ (0.5𝑉 − 1𝑘 ∗ 𝐼𝐷 − 0.4𝑉)⌃2
𝑣⌃2 2

Despejando ID obtenemos que:

𝐼𝐷 = 17.16𝑢𝐴

𝑉𝑆 = 17.16𝑢𝐴 ∗ 1𝑘Ω = 17.16𝑚𝑉

𝑉𝐺𝑆 = 0.58𝑉

2)
Teniendo los mismos datos que el primer circuito, con la única
diferencia de la resistencia en el Drain, podemos saber que la
corriente y el VS es el mismo que en el ejercicio pasado, teniendo
en cuenta esto solo tendríamos que calcular el VD:

𝑉𝑅𝐷 = 2.5𝑘Ω ∗ 17.16𝑢𝐴 = 0.042𝑉

𝑉𝑅𝐷 = 1.8𝑉 − 𝑉𝐷 = −1.8𝑉 + 0.042𝑉 = −𝑉𝐷 = −1.75𝑉
𝑉𝐷 = 1.75𝑉

3)
Fig. 10 200𝑢𝐴 1
𝐼𝐷 = 25 ∗ ∗ ∗ (𝑉𝐺𝑆 − 0.4𝑉)⌃2
𝑣⌃2 2
En los puntos 11,12 y 13, se pide diseñar un circuito de = 0.0025 ∗ (𝑉𝐺𝑆 − 0.4𝑉)⌃2
amplificación:
𝑉𝑅𝐷 = 1.8𝑉 − 𝑉𝐺𝑆 → 𝐼𝐷 ∗ 1𝐾 = 1.8𝑉 − 𝑉𝐺𝑆
1𝐾(0.0025 ∗ (𝑉𝐺𝑆 − 0.4𝑉)⌃2) = 1.8𝑉 − 𝑉𝐺𝑆
11) Diseñar un amplificador multietapa de ganancia 100.
2.5 ∗ (𝑉𝐺𝑆 − 0.4𝑉)⌃2 = 1.8𝑉 − 𝑉𝐺𝑆
12) Diseñar un amplificador multietapa de ganancia 150. Se debe 2.5 ∗ ((𝑉𝐺𝑆)⌃2 − 2 ∗ 𝑉𝐺𝑆 ∗ 0.4𝑉 + 0.16𝑉) = 1.8𝑉 − 𝑉𝐺𝑆
manejar una carga de 1k, sin que la amplificación caiga más de 2.5(𝑉𝐺𝑆)⌃2 − 2 ∗ 𝑉𝐺𝑆 + 0.4𝑉 = 1.8𝑉 − 𝑉𝐺𝑆
10%. 2.5(𝑉𝐺𝑆)⌃2 − 2 ∗ 𝑉𝐺𝑆 + 0.4𝑉 − 1.8𝑉 + 𝑉𝐺𝑆 = 0
2.5(𝑉𝐺𝑆)⌃2 − 𝑉𝐺𝑆 − 1.4𝑉 = 0
13) Encontrar los valores para que funcione el circuito:
Al resolver la ecuación de segundo grado obtenemos que:

𝑉𝐺𝑆 = 974𝑚𝑉

𝐼𝐷 = 0.0025 ∗ (974𝑚𝑉 − 0.4𝑉)⌃2 = 825𝑢𝐴

Fig. 11
4)
IV. ANÁLISIS DE CÁLCULOS Y SIMULACIONES Gracias a la fuente de corriente del circuito sabemos que
ID=100uA, sabiendo esto podemos calcular el VGS en la fórmula
A. Cálculos: de ID:

1) Teniendo el circuito y los datos del transistor podemos

200𝑢𝐴 1
calcular su VGS y corriente: 100𝑢𝐴 = 25 ∗ ∗ ∗ (𝑉𝐺𝑆 − 0.4𝑉)⌃2 = 𝑉𝐺𝑆 = 0.6𝑉
𝑣⌃2 2
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 → 0.6𝑉 = 1𝑉 − 𝑉𝑆 → 𝑉𝑆 = 1𝑉 − 0.6𝑉
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 = 0.5𝑉 − 1𝑘Ω ∗ 𝐼𝐷
𝑉𝑆 = 0.4𝑉

𝑉𝐷 = 1.8𝑉 − 100𝑢𝐴 ∗ 1𝐾 = 1.8𝑉 − 0, .1𝑉 = 1.7𝑉

𝑊 200𝑢𝐴 1
𝐼𝐷 = ∗ ∗ ∗ (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻)⌃2
𝐿 𝑣⌃2 2
5)
Gracias a los cálculos realizados en el circuito anterior se sabe que Ahora se calcula el ID:
la corriente ID es de 100uA, que el VD1=1.7V y que el VS1=0.4V,
quedando por calcular las dimensiones del M2, para ello primero se 100𝑢𝐴 1
escogerá un VGS2 para M2: 𝐼𝐷 = 25 ∗ ∗ ∗ (1.8𝑉 − 𝐼𝐷 ∗ 1𝐾 − 0.4𝑉)⌃2
𝑣⌃2 2

Despejando ID obtenemos que:

VD2 ≥ VG2-VTH
𝐼𝐷 = 668𝑢𝐴
VD2=0.4 V 𝑉𝑆𝐺 = 1.8𝑉 − 668𝑢𝐴 ∗ 1𝐾 = 1.8𝑉 − 0.66𝑉 = 1.13𝑉
0.4≥VG-0.4

0.8 ≥ VG 9)
Teniendo ya la corriente ID usamos su formula para hallar el VSG:
𝑉𝐺 = 0.8𝑉
100𝑢𝐴 1
Ahora despejaremos el W/L de la fórmula de ID: 𝐼𝐷 = 25 ∗ ∗ ∗ (𝑉𝑆𝐺 − 0.4𝑉)⌃2
𝑣⌃2 2
𝑊 200𝑢𝐴 1
100𝑢𝐴 = ∗ ∗ ∗ (0.8𝑉 − 0.4𝑉)⌃2 100𝑢𝐴
𝐿 𝑣⌃2 2 √ ) + 0.4 = 𝑉𝑆𝐺 = 0.68𝑉
0.00125
𝑊
6.25 =
𝐿 0.68𝑉 = 𝑉𝑆 − 0.8𝑉 = 1.48𝑉

6) 10)
Primero se estableció el VS:
Teniendo en cuenta que la corriente seria la misma que en el
𝑉𝑆 = 1.8𝑉 − 𝐼𝐷 ∗ 1𝐾 circuito anterior calculamos el
𝑉𝑆𝐺 = 1.8𝑉 − 𝐼𝐷 ∗ 1𝐾 − 1.3𝑉
VD2 ≤ VG2+VTH
𝑉𝑆𝐺 = 0.5𝑉 − 𝐼𝐷 ∗ 1𝐾
VD2=1.48 V
Ahora se calcula el ID:
1.48V ≤ VG+0.4
100𝑢𝐴 1
𝐼𝐷 = 25 ∗ ∗ ∗ (0.5𝑉 − 𝐼𝐷 ∗ 1𝐾)⌃2 1.08 V ≤ VG
𝑣⌃2 2

Despejando ID obtenemos que: 𝑉𝐺 = 1.1𝑉

𝐼𝐷 = 10.1𝑢𝐴 Ahora despejaremos el W/L de la fórmula de ID:

𝑉𝑆 = 1.8𝑉 − 10.1𝑢𝐴 ∗ 1𝐾 = 1.8𝑉 − 0.01𝑉 = 1.79𝑉
𝑊 100𝑢𝐴 1
100𝑢𝐴 = ∗ ∗ ∗ (0.7𝑉 − 0.4𝑉)⌃2
7) 𝐿 𝑣⌃2 2
𝑊
Teniendo en cuenta que la corriente es la misma del circuito 22.22 =
𝐿
pasado, podemos hallar el voltaje VD: 11)

𝑉𝐷 = 10.1𝑢𝐴 ∗ 2.5𝐾 = 0.02525𝑉

𝑉𝑆𝐺 = 𝑉𝑆 − 𝑉𝐺 = 1.79𝑉 − 1.3𝑉 = 0.49𝑉

𝑉𝑂𝑉 = 𝑉𝑆𝐺 − 𝑉𝑇𝐻 = 0.49𝑉 − 0.4 = 0.09𝑉

8)
Primero se estableció el VS:

𝑉𝑆 = 1.8𝑉
𝑉𝑆𝐺 = 1.8𝑉 − 𝐼𝐷 ∗ 1𝐾
𝑉𝑆𝐺 = 1.8𝑉 − 𝐼𝐷 ∗ 1𝐾
 Fig. 13

Fig. 12
12)

Fig. 14
 Vov=0.5 V
13)
WL=2IDMnCoxVov2
Para M1 - NMOS
WL=2(10 u)(200 u)0.52

10u=1.8-0.9R WL=0.4

R=0.910u Para M4 - PMOS

R=90k Se calculó el valor de VG

Se calculó el valor de Vov VSG=VS-VG

Vov=VGS-VTH 0.9=1.8-VG

VGS=0.9 V VG=0.9 V

Vov=0.9-0.4 Se calculó el valor de Vov

Vov=0.5 V Vov=VSG-VTH

VSG=0.9 V
WL=2IDMnCoxVov2
Vov=0.9-0.4
WL=2(10 u)(200 u)0.52
Vov=0.5 V
WL=0.4

Para M2 - NMOS WL=2IDMpCoxVov2

WL=2(10 u)(100 u)0.52

Vov=VGS-VTH
WL=0.8
VGS=0.9 V
Para M5 - PMOS
Vov=0.9-0.4
Se calculó el valor de VSG
Vov=0.5 V
VSG=VS-VG

WL=2IDMnCoxVov2 VSG=1.8-0.9

WL=2(40 u)(200 u)0.52 VSG=0.9 V

WL=1.6 Se calculó el valor de Vov

Para M3 - NMOS Vov=VSG-VTH

Se calculó el valor de Vov VSG=0.9 V

Vov=VGS-VTH Vov=0.9-0.4

VGS=0.9 V Vov=0.5 V

Vov=0.9-0.4
WL=2IDMpCoxVov2
 WL=2(60 u)(100 u)0.52

WL=4.8

Para M6 - PMOS

VSG=VS-VG

VSG=1.8-0.9

VSG=0.9 V

Vov=VSG-VTH

VSG=0.9 V
Fig. 15
Vov=0.9-0.4

Vov=0.5 V 2)

WL=2IDMpCoxVov2

WL=2(20 u)(100 u)0.52

WL=1.6

Para M7 - NMOS

VGS=VG-VS

VGS=1-0

VGS=1 V

Vov=VGS-VTH

VGS=1 V

Vov=1-0.4

Vov=0.6 V
Fig. 16
WL=2IDMnCoxVov2
3)
WL=2(20 u)(200 u)0.52

WL=0.56

B. Simulaciones

1)
 Fig. 17

4)

Fig. 19

6)

Fig. 18

Fig. 20
5)
7)
 Fig. 21 Fig. 23

8) 10)

Fig. 22
Fig. 24
9)

11)
 Fig. 25 Fig. 28

273.578𝑚𝑉
𝐴= = 137.61
1.988𝑚𝑉

13)

Fig. 26
Fig. 29
166.100𝑚𝑉
𝐴= = 93.63
1.774𝑚𝑉 VI. CONCLUSIONES

12) Podemos concluir que los Transistores NMOSFET Y PMOSFET

tiene muchas posibilidades para amplificar un Voltaje de entrada, a
la hora de diseñar un amplificador con un MOSFET se tiene mucha
libertad para escoger valores a nuestro criterio, como se pudo ver en
los resultados la diferencia entre los cálculos y lo simulado no era
tan significativa por lo que podemos afirmar que las ecuaciones son
aptas para usar a la hora de realizar un diseño.

Con respecto a los circuitos específicos visto a través del laboratorio

pudimos observar lo importante que es el asegurar que al momento
de diseñar los transistores deben estar en región de saturación, varias
veces al momento de desarrollar el laboratorio se tuvieron
problemas debido a que no se tuvo mucho en cuenta esto, otra cosa
a tener muy en cuenta es la conexión de los PMOS la cual es
Fig. 27 diferente a la de los NMOS, de igual manera varias veces se simulo
erróneamente debido a malas conexiones de los transistores PMOS,
por ultimo podemos ver lo sencillo que es diseñar usando fuentes de
corrientes, las cuales facilitan mucho los cálculos al momento del
diseño dejando pocas variables a libertad.
 REFERENCIAS

• https://electronicaonline.net/componentes-
electronicos/transistor/ [1]
• https://www.geeknetic.es/MOSFET/que-es-y-
para-que-sirve [2]