AGUILAR LARA PEDRO ALEXIS

CODIGO: 200620458

“TRANSISTOR MOSFET”
Universidad Ricardo Palma - Perú

 Abstract— En el presente informe laboratorio Tipos de Transistores Mosfet

se observara el funcionamiento de un
transistor Mosfet en la cual se determinara
las características de drenador de un
transistor Mosfet ,así como se determinara el
efecto de la tensión de polarización puerta-
surtidor VGS sobre ID.
También representamos las graficas
características del transistor Mosfet, así como
la ganancia obtenida por el amplificador.
Las prestaciones del transistor MOSFET son
similares a las del JFET, aunque su principio de
operación y su estructura interna son diferentes.
Existen cuatro tipos de transistores MOS:
 Enriquecimiento de canal N
 Enriquecimiento de canal P
 Empobrecimiento de canal N
 Empobrecimiento de canal P

 Palabras clave—. Amplificador, Ganancia, Los símbolos son:

Polarización, Polarización de puerta,
Configuración, impedancia, Fuente, Drenado,
Puerta

I. INTRODUCCION

M osfet son las siglas de Metal Oxide

Semiconductor Field Effect Transistor.
Consiste en un transistor de efecto de
campo basado en la estructura MOS. Es el Figura 2.-Canales de empobrecimiento N-P
transistor más utilizado en la industria
microelectrónica. La practica totalidad de los
circuitos integrados de uso comercial están
basados en transistores MOSFET. Curva Característica

Fue ideado teóricamente por el alemán Julius von Con los transistores MOS se manejan dos tipos de
Edgar Lilienfeld en 1930, aunque debido a gráficas: la característica VGS - ID, con VDS
problemas de carácter tecnológico y el constante, y la VDS - ID con VGS constante. [2]
desconocimiento acerca de cómo se comportan
los electrones sobre la superficie del
semiconductor no se pudieron fabricar hasta
décadas más tarde. [1]

Figura 3: Característica VGS - ID del transistor NMOS de

enriquecimiento
Figura 1.-Transistor Mosfet
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CODIGO: 200620458

En la Figura 3 se pone de manifiesto cómo la Figura 6.- Característica VDS - ID del transistor NMOS de
empobrecimiento
intensidad ID aumenta bruscamente cuando se
supera la tensión umbral VTH (Threshold Voltage)
y se crea el canal. Es un componente idóneo para
conmutación, puesto que pasa de un estado de
corte a uno de conducción a partir de un valor de
la señal de control. En los dispositivos con el
terminal de puerta de aluminio y el aislante de
óxido de silicio, la tensión umbral está en torno a
los cinco voltios.

La forma más habitual de emplear transistores

MOSFET es en circuitos de tipo CMOS,
consistentes en el uso de transistores pMOS y
nMOS complementarios [4]

Figura 4.- Característica VDS - ID del transistor NMOS de II. RESULTADOS

enriquecimiento

La característica VDS - ID del transistor NMOS de

enriquecimiento es muy similar a la del JFET, pero
los valores de VGS cambian: en este caso la
conducción se da para voltajes positivos por
encima del umbral. [3]

Figura 5.- Característica VGS - ID del transistor NMOS de

Figura 7.-Caracteristicas de drenador
VDS (mv)
VGS 0 1 3 5 7 9 11 13 15
-0.8 0.01 0.4 0.83 0.86 0.87 0.89 0.99 0.94 1
-0.7 0.01 0.73 1.29 1.33 1.36 1.37 1.39 1.42 1.47
-0.6 0.01 1.19 1.88 1.94 1.96 9.98 2.01 2.04 2.08
-0.5 0.01 1.71 2.52 2.59 2.62 2.65 2.67 2.7 2.74
-0.4 0.01 2.29 3.22 3.3 3.33 3.36 3.39 3.42 3.46
-0.3 0.01 2.93 4 4.09 4.13 4.15 4.18 4.29 4.26
-0.2 0.01 3.66 4.87 4.97 5.09 5.05 5.07 5.11 5.9
-0.1 0.01 4.33 5.73 5.85 5.88 5.92 5.96 5.99 6.02
0 0.0 4.95 6.69 6.73 6.76 6.79 6.86 6.87 6.9
0.1 0.0 3.8 3.94 3.02 2.21 1.67 1.23 0.7 0.17
enriquecimiento 0.2 0.0 4.49 4.80 3.75 2.80 2.09 1.52 0.89 0.45
0.3 0.0 5.14 5.80 4.62 3.57 2.59 1.9 1.28 0.84
0.4 0.0 5.78 6.88 5.72 4.47 3.3 2.37 1.69 1.03
El NMOS de empobrecimiento puede funcionar 0.5 0.0 6.27 7.90 6.66 5.35 4.05 2.93 2.08 1.40
también como transistor de enriquecimiento. Si la 0.6 0.0 6.73 8.92 7.73 6.31 4.92 3.71 2.98 1.84
0.7 0.0 7.12 10.11 8.81 7.9 5.94 4.56 3.37 2.42
tensión VGS se hace positiva se atraerán
0.8 0.0 7.44 11.11 9.87 8.42 6.91 5.42 4.18 3.15
electrones al canal. Además, a diferencia de los TABLA 1.-Resultados del circuito que indica las características
del drenador
JFET, la impedancia de entrada continua siendo
muy elevada.
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III. CONCLUSIONES

• Aprendimos a determinar las características

de drenador de un transistor MOSFET.

• Conocimos la estructura de un MOSFET de

vaciamiento y de acrecentamiento y la
diferencia entre los dos.

Figura 8.-Diseño de un amplificador de surtidor común • Pudimos determinar el efecto de la tensión

de polarización puerta - surtidor VGS sobre
Ventrada Vsalida VGS VDS Ganancia ID.
Vp-p 0.19v 0.25v 0.15v 0.27v 1.31v
• El Mosfet es un transistor de efecto de
campo cuya corriente de drenador esta ID
TABLA 2.-Resultados del circuito que indica la ganancia del
amplificador esta controlado por la tensión de puerta.

• Observamos las curvas características del

transistor MOSFET.

Figura 9.- Curva característica del transistor Mosfet, onda de

entrada

Figura 10.-Curva característica del transistor Mosfet, onda de

salida